JP2007115941A - 窒化ガリウム系化合物半導体及び発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体20は、表面に、Taを含む第1の金属層21、Ag,Al及びRhのうちのいずれかから成る第2の金属層22、Ni,Ti,Nb及びMoのうちのいずれかから成る第3の金属層23、及びAuを含む第4の金属層24が順次積層されて成る電極が形成されている。
【選択図】 図2
Description
12:n型半導体層
13:発光層
14:p型半導体層
15:n型電極
16:p型電極
20:窒化ガリウム系化合物半導体
21:第1の金属層
22:第2の金属層
23:第3の金属層
24:第4の金属層
30:基板
32:n型半導体層
33:発光層
34:p型半導体層
35:n型電極
36:p型電極
Claims (2)
- 表面に、Taを含む第1の金属層、Ag,Al及びRhのうちのいずれかから成る第2の金属層、Ni,Ti,Nb及びMoのうちのいずれかから成る第3の金属層、及びAuを含む第4の金属層が順次積層されて成る電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。
- 基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1導電型半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層、及び窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2導電型半導体層を含むとともにこの順でこれらの層が積層されている半導体層が形成されており、前記第2導電型半導体層上に形成された第2導電型電極と、前記第2導電型半導体層の一部を前記第1導電型半導体層まで除去してなる前記第1導電型半導体層の露出部に形成された第1導電型電極とが設けられている発光素子において、前記第1及び第2導電型電極の少なくとも一方が、Taを含む層からなる第1の金属層、Ag,Al及びRhのうちのいずれかから成る第2の金属層、Ni,Ti,Nb及びMoのうちのいずれかから成る第3の金属層、及びAuを含む第4の金属層が順次積層されて成ることを特徴とする発光素子。
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