JP2008182122A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置では、MOSトランジスタ1の中央領域に非活性領域6が配置されている。非活性領域6には、ドレイン領域3、ソース領域4及びゲート電極5が配置されていない。この構造により、非活性領域6では、MOSトランジスタ1の電流が流れることがなく、自己加熱による温度上昇が大幅に低減される。そして、MOSトランジスタ1が、自己加熱により熱破壊することを抑止することができる。
【選択図】図1
Description
2 分離領域
3 ドレイン領域
4 ソース領域
5 ゲート電極
6 非活性領域
7 P型の単結晶シリコン基板
8 N型のエピタキシャル層
27 放熱用電極
30 放熱用電極
31 NPNトランジスタ
32 分離領域
33 ベース領域
34 コレクタ領域
35 エミッタ領域
36 非活性領域
37 P型の単結晶シリコン基板
38 N型のエピタキシャル層
56 放熱用電極
59 放熱用電極
Claims (6)
- 半導体層と、前記半導体層に半導体素子が配置される活性領域と、前記半導体層に前記半導体素子が配置されない非活性領域と、前記半導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールとを有し、
前記活性領域に囲まれるように配置された前記非活性領域上に前記コンタクトホールが配置され、前記コンタクトホールを介して前記半導体層と接続する放熱用電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記活性領域と前記非活性領域とは分離領域により区画されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、MOSトランジスタまたはバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体層と、前記半導体層を区分する第1の分離領域と、前記第1の分離領域により区分された一領域に半導体素子が配置される活性領域と、前記一領域に前記半導体素子が配置されない非活性領域と、前記半導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールとを有し、
前記活性領域に囲まれるように配置された前記非活性領域上に前記コンタクトホールが配置され、前記コンタクトホールを介して前記半導体層と接続する放熱用電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記活性領域と前記非活性領域とは第2の分離領域により区画されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、MOSトランジスタまたはバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9543286B2 (en) | 2009-03-25 | 2017-01-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
DE112017000174T5 (de) | 2016-02-24 | 2018-07-05 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Halbleitervorrichtung |
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2007
- 2007-01-25 JP JP2007015463A patent/JP2008182122A/ja active Pending
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