JP2008159745A - Mosトランジスタ - Google Patents
Mosトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008159745A JP2008159745A JP2006345546A JP2006345546A JP2008159745A JP 2008159745 A JP2008159745 A JP 2008159745A JP 2006345546 A JP2006345546 A JP 2006345546A JP 2006345546 A JP2006345546 A JP 2006345546A JP 2008159745 A JP2008159745 A JP 2008159745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench
- region
- insulating film
- interlayer insulating
- source electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 ポリシリコンによるゲート電極をトレンチ内に形成し、その表面上側を凸状にした層間絶縁層もそのトレンチ内に形成する。さらに、ソース電極を、半導体基板の表面を覆い、なおかつ、その一部がトレンチ内に侵入するように形成する。ソース領域とソース電極の接触面積が増加するため、オン抵抗を低減できる。また、層間絶縁膜の上側表面が凸状を成している為、ソース電極にヴォイドが発生しにくい。
【選択図】 図1
Description
Claims (4)
- ドレイン領域となる第1導電型の第1の領域と、当該第1の領域の上に形成された第2導電型の第2の領域と、当該第2の領域の表面にソース領域となる第1導電型の第3の領域を具えた半導体基板に、
前記第3の領域の表面から前記第2の領域を貫通して前記第1の領域に達するトレンチを具え、
そのトレンチに絶縁膜を介して第2の領域と対向するゲート電極を具え、
前記ゲート電極の表面側に層間絶縁膜と前記ソース領域に接続されるソース電極を具えたMOSトランジスタにおいて、
前記層間絶縁膜が半導体基板表面方向に***した凸状の形状を成して、前記トレンチ内で前記ゲート電極表面を覆うとともに、
前記ソース電極の一部が前記トレンチ内に侵入するように形成されたことを特徴とするMOSトランジスタ。 - 前記トレンチ内において前記ソース電極と前記ソース領域が接触することを特徴とする請求項1に記載のMOSトランジスタ。
- 前記トレンチ開口部の角部において半導体基板表面とトレンチ側面とが滑らかな形状でもって結合することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のトランジスタ。
- 前記トレンチが、半導体基板上にストライプ状に形成された請求項1から請求項3に記載のMOSトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006345546A JP2008159745A (ja) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | Mosトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006345546A JP2008159745A (ja) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | Mosトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159745A true JP2008159745A (ja) | 2008-07-10 |
Family
ID=39660353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006345546A Pending JP2008159745A (ja) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | Mosトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008159745A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594501A (zh) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | 三星电机株式会社 | 槽栅型功率半导体器件 |
JP7468413B2 (ja) | 2021-03-15 | 2024-04-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003264287A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toko Inc | Mosトランジスタ |
JP2004063625A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Toko Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-12-22 JP JP2006345546A patent/JP2008159745A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003264287A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toko Inc | Mosトランジスタ |
JP2004063625A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Toko Inc | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594501A (zh) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | 三星电机株式会社 | 槽栅型功率半导体器件 |
JP2014038999A (ja) * | 2012-08-14 | 2014-02-27 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | トレンチゲート型電力半導体素子 |
JP2015188104A (ja) * | 2012-08-14 | 2015-10-29 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | トレンチゲート型電力半導体素子 |
JP7468413B2 (ja) | 2021-03-15 | 2024-04-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5767430B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US7928505B2 (en) | Semiconductor device with vertical trench and lightly doped region | |
JP4976658B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007180310A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007012977A (ja) | 半導体装置 | |
US9379216B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP5410012B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007300034A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5807597B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012009671A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011134985A (ja) | トレンチゲート型半導体装置とその製造方法 | |
JP6190943B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001085688A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4760023B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4928753B2 (ja) | トレンチゲート型半導体装置 | |
JP2006351652A (ja) | 半導体デバイス | |
JP2005229066A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009246225A (ja) | 半導体装置 | |
JP4500558B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 | |
JP5258230B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6061504B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009016480A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008159745A (ja) | Mosトランジスタ | |
JP2008060416A (ja) | 半導体装置 | |
JP6241640B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090525 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121204 |