JP2008095661A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＳＯ_x放出時にＮＯ_x吸蔵触媒にＳＯ_xが流入するのを抑制する。
【解決手段】ＮＯ_x吸蔵触媒１３の上流を複数の排気枝通路１１ａ，１１ｂ，１１ｃに分岐して一部の排気枝通路１１ｂ，１１ｃ内に排気ガス中のＳＯ_xを捕獲しうるＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ，１２ｃを配置する。通常はＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ，１２ｃの配置されている排気枝通路１１ｂ，１１ｃを介してのみ排気ガスを流通させ、ＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出すべきときには還元剤供給弁２２から還元剤を供給すると共にＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路１１ａを介してのみ排気ガスを流通させる。
【選択図】図２

Description

本発明は内燃機関の排気浄化装置に関する。

流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには排気ガス中に含まれるＮＯ_xを吸蔵し流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチになると吸蔵したＮＯ_xを放出するＮＯ_x吸蔵触媒を機関排気通路内に配置した内燃機関が公知である。この内燃機関ではリーン空燃比のもとで燃焼が行われているときに発生するＮＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒に吸蔵される。一方、ＮＯ_x吸蔵触媒のＮＯ_x吸蔵能力が飽和に近づくと排気ガス中に還元剤を供給することによって排気ガスの空燃比が一時的にリッチにされ、それによってＮＯ_x吸蔵触媒からＮＯ_xが放出され還元される。

ところで燃料および潤滑油内にはイオウが含まれており、従って排気ガス中にはＳＯ_xが含まれている。このＳＯ_xはＮＯ_xと共にＮＯ_x吸蔵触媒に吸蔵される。ところがこのＳＯ_xは排気ガスの空燃比を単にリッチにしただけではＮＯ_x吸蔵触媒から放出されず、従ってＮＯ_x吸蔵触媒に吸蔵されているＳＯ_xの量が次第に増大していく。その結果吸蔵しうるＮＯ_x量が次第に減少してしまう。

そこでＮＯ_x吸蔵触媒にＳＯ_xが送り込まれるのを阻止するためにＮＯ_x吸蔵触媒上流の機関排気通路内にＳＯ_xトラップ触媒を配置した内燃機関が公知である（特許文献１参照）。しかしながらこのようにＮＯ_x吸蔵触媒の上流にＳＯ_xトラップ触媒を配置してもＳＯ_xトラップ触媒のＳＯ_xトラップ能力が低下してくるとＳＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒に流入し、斯くしてＮＯ_x吸蔵触媒に吸蔵されているＳＯ_x量が徐々に増大することになる。

ところでＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させると共にＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするとＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出させることができる。この場合、ＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするためにＳＯ_xトラップ触媒の上流に還元剤を供給するとＳＯ_xトラップ触媒の温度が高いときやＳＯ_xトラップ触媒のＳＯ_xトラップ量が多いときにＳＯ_xトラップ触媒からＳＯ_xが放出され、この放出されたＳＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒に吸蔵されてしまう。従って上述の内燃機関ではＳＯ_x放出時にはＳＯ_xトラップ触媒の下流に還元剤を供給してＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにしている。
特開２００５−１３３６１０号公報

しかしながらこのようにＳＯ_xトラップ触媒の下流に還元剤を供給すべくＳＯ_xトラップ触媒の下流に還元剤供給弁を配置するようにした場合には機関本体から還元剤供給弁までの距離が長くなるために実際問題として還元剤供給管の取り回しが難かしくなり、更に還元剤が十分に霧化しないうちにＮＯ_x吸蔵触媒内に送り込まれることになるのでＮＯ_x吸蔵触媒からの良好なＳＯ_xの放出作用が確保できないという問題がある。
本発明はＳＯ_xトラップ触媒の上流に還元剤を供給すると共に、このときＳＯ_xトラップ触媒からＳＯ_xが放出するのを抑制するようにした内燃機関の排気浄化装置を提供することにある。

即ち、１番目の発明では、機関排気通路内に排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲しうるＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＳＯ_xトラップ触媒下流の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには排気ガス中に含まれるＮＯ_xを吸蔵し流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチになると吸蔵したＮＯ_xを放出するＮＯ_x吸蔵触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときにはＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させると共にＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにした内燃機関において、機関排気通路から複数の排気枝通路を分岐すると共にこの分岐部よりも下流において各排気枝通路を共通のＮＯ_x吸蔵触媒に連結し、一つを除く残りの排気枝通路内にＳＯ_xトラップ触媒を配置すると共に通常はＳＯ_xトラップ触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させ、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上述の分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共にＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにしている。

また、２番目の発明では１番目の発明において、ＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路内に酸化触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上述の分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共に酸化触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにしている。

また、３番目の発明では、機関排気通路内に排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲しうるＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＳＯ_xトラップ触媒下流の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには排気ガス中に含まれるＮＯ_xを吸蔵し流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチになると吸蔵したＮＯ_xを放出するＮＯ_x吸蔵触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときにはＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させると共にＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにした内燃機関において、機関排気通路から複数の排気枝通路を分岐すると共にこの分岐部よりも下流において各排気枝通路を共通のＮＯ_x吸蔵触媒に連結し、全ての排気枝通路内にＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上述の分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共にＳＯ_x捕獲量の最も少ないＳＯ_xトラップ触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにしている。

ＳＯ_xトラップ触媒からのＳＯ_x放出作用を行わせないようにしつつＮＯ_x吸蔵触媒から良好にＳＯ_xを放出させることができる。

図１に圧縮着火式内燃機関の全体図を示す。
図１を参照すると、１は機関本体、２は各気筒の燃焼室、３は各燃焼室２内に夫々燃料を噴射するための電子制御式燃料噴射弁、４は吸気マニホルド、５は排気マニホルドを夫々示す。吸気マニホルド４は吸気ダクト６を介して排気ターボチャージャ７のコンプレッサ７ａの出口に連結され、コンプレッサ７ａの入口はエアクリーナ８に連結される。吸気ダクト６内にはステップモータにより駆動されるスロットル弁９が配置され、更に吸気ダクト６周りには吸気ダクト６内を流れる吸入空気を冷却するための冷却装置１０が配置される。図１に示される実施例では機関冷却水が冷却装置１０内に導かれ、機関冷却水によって吸入空気が冷却される。

一方、排気マニホルド５は排気ターボチャージャ７の排気タービン７ｂの入口に連結され、排気タービン７ｂの出口は第１の排気枝通路１１ａと第２の排気枝通路１１ｂに分岐される。図１に示されるように第２の排気枝通路１１ｂ内にはＳＯ_xトラップ触媒が配置されているが第１の排気枝通路１１ａ内にはＳＯ_xトラップ触媒が配置されていない。これら第１の排気枝通路１１ａおよび第２の排気枝通路１１ｂはＳＯ_xトラップ触媒１２の下流において合流して共通のＮＯ_x吸蔵触媒１３に連結される。

また、機関排気通路内には選択された排気枝通路１１ａ，１１ｂ内に排気ガスを流通させるための通路切換弁装置が設けられている。図１に示される実施例ではこの通路切換弁装置は第１の排気枝通路１１ａ内に配置されてアクチュエータ１４ａにより開閉制御される第１の排気遮断弁１５ａと、ＳＯ_xトラップ触媒１２下流の第２の排気枝通路１１ｂ内に配置されてアクチュエータ１４ｂにより開閉制御される第２の排気遮断弁１５ｂとにより構成される。

なお、第２の排気遮断弁１５ｂはＳＯ_xトラップ触媒１２上流の第２の排気枝通路１１ｂ内に配置することもできるし、また１の排気枝通路１１ａと第２の排気枝通路１１ｂとの分岐部に配置した一つの排気切換弁からなる流路切換弁装置を用いることもできる。

排気マニホルド５と吸気マニホルド４とは排気ガス再循環（以下、ＥＧＲと称す）通路１６を介して互いに連結され、ＥＧＲ通路１６内には電子制御式ＥＧＲ制御弁１７が配置される。また、ＥＧＲ通路１６周りにはＥＧＲ通路１６内を流れるＥＧＲガスを冷却するための冷却装置１８が配置される。図１に示される実施例では機関冷却水が冷却装置１８内に導かれ、機関冷却水によってＥＧＲガスが冷却される。一方、各燃料噴射弁３は燃料供給管１９を介してコモンレール２０に連結される。このコモンレール２０内へは電子制御式の吐出量可変な燃料ポンプ２１から燃料が供給され、コモンレール２０内に供給された燃料は各燃料供給管１９を介して燃料噴射弁３に供給される。排気マニホルド５には排気マニホルド５内を流れる排気ガス中に例えば炭化水素からなる還元剤を供給するための還元剤供給弁２２が取付けられる。

電子制御ユニット３０はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス３１によって互いに接続されたＲＯＭ（リードオンリメモリ）３２、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）３３、ＣＰＵ（マイクロプロセッサ）３４、入力ポート３５および出力ポート３６を具備する。図１に示されるようにＮＯ_x吸蔵触媒１３にはＮＯ_x吸蔵触媒１３の前後差圧を検出するための差圧センサ２３が取付けられており、この差圧センサ２３の出力信号は対応するＡＤ変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。

アクセルペダル４０にはアクセルペダル４０の踏込み量Ｌに比例した出力電圧を発生する負荷センサ４１が接続され、負荷センサ４１の出力電圧は対応するＡＤ変換器３７を介して入力ポート３５に入力される。更に入力ポート３５にはクランクシャフトが例えば１５°回転する毎に出力パルスを発生するクランク角センサ４２が接続される。一方、出力ポート３６は対応する駆動回路３８を介して燃料噴射弁３、スロットル弁９駆動用ステップモータ、各アクチュエータ１４ａ，１４ｂ、ＥＧＲ制御弁１７、燃料ポンプ２１、還元剤供給弁２２に接続される。

図２に圧縮着火式内燃機関の他の例を示す。この例では排気タービン７ｂの出口は第１の排気枝通路１１ａと第２の排気枝通路１１ｂと第３の排気枝通路１１ｃに分岐され、第２の排気枝通路１１ｂ内にはＳＯ_xトラップ触媒１２ｂが配置され、第３の排気枝通路１１ｃ内にはＳＯ_xトラップ触媒１２ｃが配置されているが第１の排気枝通路１１ａ内にはＳＯ_xトラップ触媒が配置されていない。なお、この例でも第１の排気枝通路１１ａ、第２の排気枝通路１１ｂおよび第３の排気枝通路１１ｃはＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ，１２ｃの下流において合流して共通のＮＯ_x吸蔵触媒１３に連結される。

一方、図２に示される例では図１に示される実施例と同様に通路切換弁装置は第１の排気枝通路１１ａ内に配置された第１の排気遮断弁１５ａと、ＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ下流の第２の排気枝通路１１ｂ内に配置された第２の排気遮断弁１５ｂと、ＳＯ_xトラップ触媒１２ｃ下流の第３の排気枝通路１１ｃ内に配置された第３の排気遮断弁１５ｃとにより構成される。

まず初めに図１および図２に示されるＮＯ_x吸蔵触媒１３について説明すると、これらＮＯ_x吸蔵触媒１３は三次元網目構造のモノリス担体或いはペレット状担体上に担持されているか、又はハニカム構造をなすパティキュレートフィルタ上に担持されている。このようにＮＯ_x吸蔵触媒１３は種々の担体上に担持させることができるが、以下ＮＯ_x吸蔵触媒１３をパティキュレートフィルタ上に担持した場合について説明する。

図３（Ａ）および（Ｂ）はＮＯ_x吸蔵触媒１３を担持したパティキュレートフィルタ１３ａの構造を示している。なお、図３（Ａ）はパティキュレートフィルタ１３ａの正面図を示しており、図３（Ｂ）はパティキュレートフィルタ１３ａの側面断面図を示している。図３（Ａ）および（Ｂ）に示されるようにパティキュレートフィルタ１３ａはハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる複数個の排気流通路６０，６１を具備する。これら排気流通路は下流端が栓６２により閉塞された排気ガス流入通路６０と、上流端が栓６３により閉塞された排気ガス流出通路６１とにより構成される。なお、図３（Ａ）においてハッチングを付した部分は栓６３を示している。従って排気ガス流入通路６０および排気ガス流出通路６１は薄肉の隔壁６４を介して交互に配置される。云い換えると排気ガス流入通路６０および排気ガス流出通路６１は各排気ガス流入通路６０が４つの排気ガス流出通路６１によって包囲され、各排気ガス流出通路６１が４つの排気ガス流入通路６０によって包囲されるように配置される。

パティキュレートフィルタ１３ａは例えばコージライトのような多孔質材料から形成されており、従って排気ガス流入通路６０内に流入した排気ガスは図３（Ｂ）において矢印で示されるように周囲の隔壁６４内を通って隣接する排気ガス流出通路６１内に流出する。
このようにＮＯ_x吸蔵触媒１３をパティキュレートフィルタ１３ａ上に担持させた場合には、各排気ガス流入通路６０および各排気ガス流出通路６１の周壁面、即ち各隔壁６４の両側表面上および隔壁６４内の細孔内壁面上には例えばアルミナからなる触媒担体が担持されており、図４はこの触媒担体４５の表面部分の断面を図解的に示している。図４に示されるように触媒担体４５の表面上には貴金属触媒４６が分散して担持されており、更に触媒担体４５の表面上にはＮＯ_x吸収剤４７の層が形成されている。

本発明による実施例では貴金属触媒４６として白金Ｐｔが用いられており、ＮＯ_x吸収剤４７を構成する成分としては例えばカリウムＫ、ナトリウムＮａ、セシウムＣｓのようなアルカリ金属、バリウムＢａ、カルシウムＣａのようなアルカリ土類、ランタンＬａ、イットリウムＹのような希土類から選ばれた少なくとも一つが用いられている。

機関吸気通路、燃焼室２およびＮＯ_x吸蔵触媒１３上流の排気通路内に供給された空気および燃料（炭化水素）の比を排気ガスの空燃比と称すると、ＮＯ_x吸収剤４７は排気ガスの空燃比がリーンのときにはＮＯ_xを吸収し、排気ガス中の酸素濃度が低下すると吸収したＮＯ_xを放出するＮＯ_xの吸放出作用を行う。

即ち、ＮＯ_x吸収剤４７を構成する成分としてバリウムＢａを用いた場合を例にとって説明すると、排気ガスの空燃比がリーンのとき、即ち排気ガス中の酸素濃度が高いときには排気ガス中に含まれるＮＯは図４に示されるように白金Ｐｔ４６上において酸化されてＮＯ₂となり、次いでＮＯ_x吸収剤４７内に吸収されて酸化バリウムＢａＯと結合しながら硝酸イオンＮＯ₃ ^-の形でＮＯ_x吸収剤４７内に拡散する。このようにしてＮＯ_xがＮＯ_x吸収剤４７内に吸収される。排気ガス中の酸素濃度が高い限り白金Ｐｔ４６の表面でＮＯ₂が生成され、ＮＯ_x吸収剤４７のＮＯ_x吸収能力が飽和しない限りＮＯ₂がＮＯ_x吸収剤４７内に吸収されて硝酸イオンＮＯ₃ ^-が生成される。

これに対し、還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによって排気ガスの空燃比をリッチ或いは理論空燃比にすると排気ガス中の酸素濃度が低下するために反応が逆方向（ＮＯ₃ ^-→ＮＯ₂）に進み、斯くしてＮＯ_x吸収剤４７内の硝酸イオンＮＯ₃ ^-がＮＯ₂の形でＮＯ_x吸収剤４７から放出される。次いで放出されたＮＯ_xは排気ガス中に含まれる未燃ＨＣ，ＣＯによって還元される。

このように排気ガスの空燃比がリーンであるとき、即ちリーン空燃比のもとで燃焼が行われているときには排気ガス中のＮＯ_xがＮＯ_x吸収剤４７内に吸収される。しかしながらリーン空燃比のもとでの燃焼が継続して行われるとその間にＮＯ_x吸収剤４７のＮＯ_x吸収能力が飽和してしまい、斯くしてＮＯ_x吸収剤４７によりＮＯ_xを吸収できなくなってしまう。そこで本発明による実施例ではＮＯ_x吸収剤４７の吸収能力が飽和する前に還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによって排気ガスの空燃比を一時的にリッチにし、それによってＮＯ_x吸収剤４７からＮＯ_xを放出させるようにしている。

ところで排気ガス中にはＳＯ_x、即ちＳＯ₂が含まれており、このＳＯ₂がＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入するとこのＳＯ₂は白金Ｐｔ４６において酸化されてＳＯ₃となる。次いでこのＳＯ₃はＮＯ_x吸収剤４７内に吸収されて酸化バリウムＢａＯと結合しながら、硫酸イオンＳＯ₄ ^2-の形でＮＯ_x吸収剤４７内に拡散し、安定した硫酸塩ＢａＳＯ₄を生成する。しかしながらＮＯ_x吸収剤４７が強い塩基性を有するためにこの硫酸塩ＢａＳＯ₄は安定していて分解しづらく、排気ガスの空燃比を単にリッチにしただけでは硫酸塩ＢａＳＯ₄は分解されずにそのまま残る。従ってＮＯ_x吸収剤４７内には時間が経過するにつれて硫酸塩ＢａＳＯ₄が増大することになり、斯くして時間が経過するにつれてＮＯ_x吸収剤４７が吸収しうるＮＯ_x量が低下することになる。

そこで本発明では通常第１の排気遮断弁１５ａを閉弁し、図１に示される実施例では通常第２の排気枝通路１１ｂ内のみに排気ガスを流通させてＳＯ_xトラップ触媒１２により排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲し、図２に示される例では通常第２の排気枝通路１１ｂと第３の排気枝通路１１ｃのいずれか一方又は双方のみに排気ガスを流通させてＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ，１２ｃのいずれか一方又は双方により排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲し、それによってＮＯ_x吸蔵触媒１３にＳＯ_xが流入しないようにしている。次にこれらＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃについて説明する。

これらＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃは例えばハニカム構造のモノリス触媒からなり、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの軸線方向にまっすぐに延びる多数の排気ガス流通孔を有する。図５はこのようにＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃをハニカム構造のモノリス触媒から形成した場合の各排気ガス流通孔の内周壁面、即ち、基体５０の表面部分の断面を図解的に示している。図５に示されるように基体５０の表面上にはコート層５１が形成されており、このコート層５１の表面上には貴金属触媒５２が分散して担持されている。

本発明による実施例では貴金属触媒５２として白金が用いられており、コート層５１を構成する成分としては例えばカリウムＫ、ナトリウムＮａ、セシウムＣｓのようなアルカリ金属、バリウムＢａ、カルシウムＣａのようなアルカリ土類、ランタンＬａ、イットリウムＹのような希土類から選ばれた少なくとも一つが用いられている。即ち、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃのコート層５１は強塩基性を呈している。

さて、排気ガス中に含まれるＳＯ_x、即ちＳＯ₂は図５に示されるように白金Ｐｔ５２において酸化され、次いでコート層５１内に捕獲される。即ち、ＳＯ₂は硫酸イオンＳＯ₄ ^2-の形でコート層５１内に拡散し、硫酸塩を形成する。なお、上述したようにコート層５１は強塩基性を呈しており、従って図５に示されるように排気ガス中に含まれるＳＯ₂の一部は直接コート層５１内に捕獲される。

図５においてコート層５１内における濃淡は捕獲されたＳＯ_xの濃度を示している。図５からわかるようにコート層５１内におけるＳＯ_x濃度はコート層５１の表面近傍が最も高く、奥部に行くに従って次第に低くなっていく。コート層５１の表面近傍におけるＳＯ_x濃度が高くなるとコート層５１の表面の塩基性が弱まり、ＳＯ_xの捕獲能力が弱まる。ここで排気ガス中に含まれるＳＯ_xのうちでＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ａ，１２ｂに捕獲されるＳＯ_xの割合をＳＯ_xトラップ率と称すると、コート層５１の表面の塩基性が弱まればそれに伴なってＳＯ_xトラップ率が低下することになる。

図６にＳＯ_xトラップ率の時間的変化を示す。図６に示されるようにＳＯ_xトラップ率は初めは１００パーセントに近いが時間が経過するとＳＯ_xトラップ率は急速に低下する。そこで本発明では図７に示されるようにＳＯ_xトラップ率が予め定められた率よりも低下したときには排気ガスの空燃比がリーンのもとでＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度を上昇させる昇温制御を行い、それによってＳＯ_xトラップ率を回復させるようにしている。

即ち、排気ガスの空燃比がリーンのもとでＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度を上昇させるとコート層５１内の表面近傍に集中的に存在するＳＯ_xはコート層５１内におけるＳＯ_x濃度が均一となるようにコート層５１の奥部に向けて拡散していく。即ち、コート層５１内に生成されている硝酸塩はコート層５１の表面近傍に集中している不安定な状態からコート層５１内の全体に亘って均一に分散した安定した状態に変化する。コート層５１内の表面近傍に存在するＳＯ_xがコート層５１の奥部に向けて拡散するとコート層５１の表面近傍のＳＯ_x濃度が低下し、斯くしてＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの昇温制御が完了すると図７に示されるようにＳＯ_xトラップ率が回復する。

ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの昇温制御を行ったときにＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度をほぼ４５０℃程度にすればコート層５１の表面近傍に存在するＳＯ_xをコート層５１内に拡散させることができ、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度を６００℃程度まで上昇させるとコート層５１内のＳＯ_x濃度をかなり均一化することができる。従ってＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの昇温制御時には排気ガスの空燃比がリーンのもとでＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度を６００℃程度まで昇温させることが好ましい。

ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度は、例えば主燃料に加え、膨張行程中又は排気行程中に補助燃料を噴射することによって上昇させることができる。即ち、このように補助燃料を噴射すると大部分の補助燃料はＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃ上において過剰酸素により酸化され、このとき発生する酸化反応熱によってＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度が上昇せしめられる。また、還元剤供給弁２２から還元剤を供給し、この還元剤の酸化反応熱によってＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度を上昇させることもできる。なお、いずれの方法により昇温した場合でもＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃに流入する排気ガスの空燃比はリッチにされることなくリーンに維持される。

前述したように図１に示される実施例では通常は第１の排気遮断弁１５ａは閉弁されており、このとき第２の排気遮断弁１５ｂは全開せしめられている。ＳＯ_xトラップ触媒１２のＳＯ_xトラップ率が低下したときにはこのように第１の排気遮断弁１５ａが閉弁され、第２の排気遮断弁１５ｂが全開している状態でＳＯ_xトラップ触媒１２の昇温制御が行われる。

一方、図２に示される例では通常は第１の排気遮断弁１５ａは閉弁されており、このとき第２の排気遮断弁１５ｂと第３の排気遮断弁１５ｃのいずれか一方又は双方が全開せしめられる。即ち、この例では第１の排気遮断弁１５ａが閉弁されている状態で第２の排気遮断弁１５ｂと第３の排気遮断弁１５ｃとを交互に全開することによってＳＯ_xトラップ触媒１２ｂと１２ｃとが交互に使用されるか、或いは第１の排気遮断弁１５ａが閉弁されている状態で第２の排気遮断弁１５ｂと第２の排気遮断弁１５ｃとを共に全開することによってＳＯ_xトラップ触媒１２ｂと１２ｃとが同時に使用される。

この例ではＳＯ_xトラップ触媒１２ｂのＳＯ_xトラップ率が低下したときには第１の排気遮断弁１５ａおよび第３の排気遮断弁１５ｃが閉弁され、第２の排気遮断弁１５ｂが全開している状態でＳＯ_xトラップ触媒１２ｂの昇温制御が行われる。同様に、ＳＯ_xトラップ触媒１２ｃのＳＯ_xトラップ率が低下したときには第１の排気遮断弁１５ａおよび第２の排気遮断弁１５ｂが閉弁され、第３の排気遮断弁１５ｃが全開している状態でＳＯ_xトラップ触媒１２ｃの昇温制御が行われる。

次に図８から図１１を参照しつつＮＯ_x吸蔵触媒１３に対する処理について説明する。
本発明による実施例ではＮＯ_x吸蔵触媒１３に単位時間当り吸蔵されるＮＯ_x量ＮＯＸＡが要求トルクＴＱおよび機関回転数Ｎの関数として図１０（Ａ）に示すマップの形で予めＲＯＭ３２内に記憶されており、このＮＯ_x量ＮＯＸＡを積算することによってＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されたＮＯ_x量ΣＮＯＸが算出される。本発明による実施例では図８に示されるようにこのＮＯ_x量ΣＮＯＸが許容値ＮＸに達する毎に還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによってＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比Ａ／Ｆが一時的にリッチにされ、それによってＮＯ_x吸蔵触媒１３からＮＯ_xが放出される。

一方、排気ガス中に含まれる粒子状物質はＮＯ_x吸蔵触媒１３を担持しているパティキュレートフィルタ１３ａ上に捕集され、順次酸化される。しかしながら捕集される粒子状物質の量が酸化される粒子状物質の量よりも多くなると粒子状物質がパティキュレートフィルタ１３ａ上に次第に堆積し、この場合粒子状物質の堆積量が増大すると機関出力の低下を招いてしまう。従って粒子状物質の堆積量が増大したときには堆積した粒子状物質を除去しなければならない。この場合、空気過剰のもとでパティキュレートフィルタ１３ａの温度を６００℃程度まで上昇させると堆積した粒子状物質が酸化され、除去される。

そこで本発明による実施例ではパティキュレートフィルタ１３ａ上に堆積した粒子状物質の量が許容量を越えたときには排気ガスの空燃比がリーンのもとでパティキュレートフィルタ１３ａの温度を上昇させ、それによって堆積した粒子状物質を酸化除去するようにしている。具体的に言うと本発明による実施例では差圧センサ２３により検出されたパティキュレートフィルタ１３ａの前後差圧ΔＰが図８に示されるように許容値ＰＸを越えたときに堆積粒子状物質の量が許容量を越えたと判断され、このときパティキュレートフィルタ１３ａに流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつパティキュレートフィルタ１３ａの温度Ｔを上昇させる昇温制御が行われる。なお、パティキュレートフィルタ１３ａの温度Ｔが高くなるとＮＯ_x吸蔵触媒１３からＮＯ_xが放出されるために捕獲されているＮＯ_x量ΣＮＯＸは減少する。

図１に示される実施例においてＮＯ_x吸蔵触媒１３からのＮＯ_x放出制御を行うとき、およびパティキュレートフィルタ１３ａの昇温制御を行うときには第１の排気遮断弁１５ａは閉弁されており、第２の排気遮断弁１５ｂは全開せしめられている。

一方、図２に示される例においてＮＯ_x吸蔵触媒１３からのＮＯ_x放出制御を行うとき、およびパティキュレートフィルタ１３ａの昇温制御を行うときには第１の排気遮断弁１５ａは閉弁されており、第２の排気遮断弁１５ｂと第３の排気遮断弁１５ｃのいずれか一方又は双方が全開せしめられる。

さて、上述したように排気ガスは通常、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃ内を流通せしめられた後にＮＯ_x吸蔵触媒１３に送り込まれている。この場合、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ａ，１２ｂによるＳＯ_xトラップ率が１００パーセントのときにはＮＯ_x吸蔵触媒１３にＳＯ_xが全く流入せず、従ってこのときにはＮＯ_x吸蔵触媒１３にＳＯ_xが吸蔵される危険性は全くない。これに対しＳＯ_xトラップ率が１００パーセントでない場合にはたとえＳＯ_xトラップ率が１００パーセント近くであってもＳＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵される。ただしこの場合、単位時間当りＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されるＳＯ_x量は極めて少ない。とは言え、長時間経過すれば多量のＳＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵され、多量のＳＯ_xが吸蔵されれば吸蔵されたＳＯ_xを放出させる必要がある。

ところで前述したようにＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出させるにはＮＯ_x吸蔵触媒１３の温度を６００℃以上のＳＯ_x放出温度まで上昇させかつＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比をリッチにする必要がある。この場合、本発明による実施例では還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによってＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比がリッチにされる。しかしながら排気ガスをＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃに流通させている状態で還元剤供給弁２２から還元剤を供給するとＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの温度が高いときやＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃのＳＯ_xトラップ量が多い場合にはＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃからＳＯ_xが放出され、この放出されたＳＯ_xがＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されることになる。

そこで本発明ではＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出すべく還元剤供給弁２２から還元剤を供給するときにはＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃ内を排気ガスが流通しないように、即ち、第１の排気枝通路１１ａのみを介して排気ガスがＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入するように、図１に示される実施例では第１の排気遮断弁１５ａが全開せしめられると共に第２の排気遮断弁１５ｂが閉弁せしめられ、図２に示される例では第１の排気遮断弁１５ａが全開せしめられると共に第２の排気遮断弁１５ｂおよび第３の排気遮断弁１５ｃが閉弁せしめられる。

即ち、本発明では、通常はＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃの配置されている排気枝通路１１ｂ，１１ｃを介してのみ排気ガスを流通させ、ＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出すべきときには各排気枝通路１１ａ，１１ｂ，１１ｃの分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共にＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路１１ａを介してのみ排気ガスを流通させるようにしている。

ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃをすり抜けるＳＯ_x量は、例えば単位時間当り機関から排出されるＳＯ_x量に（１．０−ＳＯ_xトラップ率）を乗算することによって算出することができる。また、この際ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃから離脱するＳＯ_x量を考慮することもできる。
更に、ＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃから流出する排気ガス中のＳＯ_x濃度をＳＯ_x濃度センサにより検出し、この検出結果からＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃをすり抜けるＳＯ_x量を求めることもできる。

本発明による実施例では単位時間当り機関から排出されるＳＯ_x量に（１．０−ＳＯ_xトラップ率）を乗算することによってＳＯ_xトラップ触媒１２，１２ｂ，１２ｃをすり抜けるＳＯ_x量が算出される。なお、単位時間当りに機関から排出されるＳＯ_x量ＳＯＸＺは要求トルクＴＱおよび機関回転数Ｎの関数として図１０（Ｂ）に示すようなマップの形で予めＲＯＭ３２内に記憶されており、このＳＯ_x量ＳＯＸＺに（１．０−ＳＯ_xトラップ率）乗算した値を積算することにより吸蔵ＳＯ_x量ΣＳＯＸが算出される。

図９に示されるように本発明による実施例ではＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されているＳＯ_x量ΣＳＯＸが許容値ＳＸに達したときにはＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつ還元剤供給弁２２から還元剤を供給してＮＯ_x吸蔵触媒１３の温度ＴがＮＯ_x放出温度ＴＸまで上昇せしめられ、次いで還元剤供給弁２２からの還元剤の供給量を増大してＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにしている。

図１１はＮＯ_x吸蔵触媒１３に対する処理ルーチンを示している。
図１１を参照するとまず初めにステップ１００において図１０（Ａ）に示すマップから単位時間当り吸蔵されるＮＯ_x量ＮＯＸＡが算出される。次いでステップ１０１ではこのＮＯＸＡがＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されているＮＯ_x量ΣＮＯＸに加算される。次いでステップ１０２では吸蔵ＮＯ_x量ΣＮＯＸが許容値ＮＸを越えたか否かが判別され、ΣＮＯＸ＞ＮＸとなったときにはステップ１０３に進んで還元剤供給弁２２から供給された還元剤によってＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比を一時的にリーンからリッチに切換えるリッチ処理が行われ、ΣＮＯＸがクリアされる。

次いでステップ１０４では差圧センサ２３によりパティキュレートフィルタ１３ａの前後差圧ΔＰが検出される。次いでステップ１０５では差圧ΔＰが許容値ＰＸを越えたか否かが判別され、ΔＰ＞ＰＸとなったときにはステップ１０６に進んでパティキュレートフィルタ１３ａの昇温制御が行われる。この昇温制御はパティキュレートフィルタ１３ａに流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつ還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによって行われる。

次いでステップ１０７では図１０（Ｂ）に示すマップから単位時間当り排出されるＳＯ_x量ＳＯＸＺが算出される。次いでステップ１０８ではこのＳＯＸＺに（１．０−ＳＯ_xトラップ率）を乗算した値がＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されているＳＯ_x量ΣＳＯＸに加算される。次いでステップ１０９では吸蔵ＳＯ_x量ΣＳＯＸが許容値ＳＸを越えたか否かが判別され、ΣＳＯＸ＞ＳＸとなったときにはステップ１１０に進んで第１の排気遮断弁１５ａが全開せしめられ、残りの排気制御弁１５ｂ，１５ｃが閉弁せしめられる。

次いでステップ１１１ではＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつ還元剤供給弁２２から還元剤を供給することによってＮＯ_x吸蔵触媒１３の温度ＴをＳＯ_x放出温度ＴＸまで上昇させる昇温制御が行われる。次いでステップ１１２では還元剤供給弁２２から供給された還元剤によってＮＯ_x吸蔵触媒１３に流入する排気ガスの空燃比をリッチに維持するリッチ処理が行われ、ΣＳＯＸがクリアされる。リッチ処理が完了すると第１の排気遮断弁１５ａが再び閉弁され、残りの排気制御弁１５ｂ，１５ｃの全部又は一部が全開せしめられる。

図１２（Ａ）および（Ｂ）に夫々別の実施例を示す。図１２（Ａ）に示される実施例では図１に示される実施例と同様に第２の排気枝通路１１ｂ内にＳＯ_xトラップ触媒１２ｂが配置されているが図１に示される実施例とは異なって第１の排気枝通路１１ａ内には酸化触媒１２ａが配置されている。また、図１２（Ｂ）に示される例でも図２に示される例と同様に第２の排気枝通路１１ｂおよび第３の排気枝通路１１ｃ内に夫々ＳＯ_xトラップ触媒１２ｂ，１２ｃが配置されているが図２に示される例とは異なって第１の排気枝通路１１ａ内には酸化触媒１２ａが配置されている。

図９（Ａ）および（Ｂ）に示される実施例では図１および図２に示される実施例と同様に第１の排気遮断弁１５ａは通常閉弁せしめられており、この第１の排気遮断弁１５ａはＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出させるべく還元剤供給弁２２から還元剤が供給されているときに全開せしめられる。即ち、ＮＯ_x吸蔵触媒１３からのＳＯ_x放出時には還元剤を含有した排気ガスが酸化触媒１２ａを介してＮＯ_x吸蔵触媒１３に送り込まれる。従ってこの実施例では還元剤が酸化触媒１２ａにおいて酸化せしめられるためにこのときの酸化反応熱によってＮＯ_x吸蔵触媒１３は急速に昇温せしめられ、またこの酸化反応熱により還元剤、即ち燃料の気化が促進されるために排気ガスの空燃比が確実にリッチにせしめられる。

図１３（Ａ）および（Ｂ）に夫々更に別の実施例を示す。図１３（Ａ）および（Ｂ）に示される実施例では全排気枝通路１１ａ，１１ｂ，１１ｃ内に夫々ＳＯ_xトラップ触媒１２ａ，１２ｂ，１２ｃが配置されている。これらの実施例では全てのＳＯ_xトラップ触媒１２ａ，１２ｂ，１２ｃのうちでＳＯ_x捕獲量の最も少ないＳＯ_xトラップ触媒１２ａ又は１２ｂ又は１２ｃが探し出され、ＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出すべきときには還元剤供給弁２２から還元剤を供給して各排気枝通路１２ａ，１２ｂ，１２ｃの分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共にＳＯ_x捕獲量の最も少ないＳＯ_xトラップ触媒１２ａ又は１２ｂ又は１２ｃの配置されている排気枝通路１１ａ又は１１ｂ又は１１ｃを介してのみ排気ガスを流通させるようにしている。

即ち、これらの実施例では還元剤供給弁２２から供給された還元剤を含んだ排気ガスがＳＯ_x捕獲量の最も少ないＳＯ_xトラップ触媒１２ａ又は１２ｂ又は１２ｃにのみ流入せしめられるのでＳＯ_xトラップ触媒１２ａ又は１２ｂ又は１２ｃをすり抜けるＳＯ_xの量を最小限に抑えることができ、斯くしてＮＯ_x吸蔵触媒１３に吸蔵されるＳＯ_x量を最小限に抑えることができる。なお、この場合、各ＳＯ_xトラップ触媒１２ａ，１２ｂ，１２ｃのＳＯ_x捕獲量は、例えば図１０（Ｂ）に示される単位時間当りに機関から排出されるＳＯ_x量ＳＯＸＺから算出される。

図１３（Ａ）に示される実施例では通常、ＳＯ_xトラップ触媒１２ａおよび１２ｂが交互に使用されるか、或いはＳＯ_xトラップ触媒１２ａ又は１２ｂのいずれか一方が継続的に使用される。
一方、図１３（Ｂ）に示される例では通常、ＳＯ_xトラップ触媒１２ａ，１２ｂおよび１２ｃが交互に使用されるか、或いはＳＯ_xトラップ触媒１２ｂおよび１２ｃが交互に使用される。図１３（Ａ），（Ｂ）に示される実施例において通常、例えばＳＯ_xトラップ触媒１２ａを使用していない場合にはこのＳＯ_xトラップ触媒１２ａのＳＯ_x捕獲量が最も少くなる。従ってこの場合、ＮＯ_x吸蔵触媒１３からＳＯ_xを放出すべきときには還元剤供給弁２２から還元剤が供給されると共に通常排気ガスの流通していない排気枝通路１１ａを介してのみ排気ガスが流通せしめられる。

圧縮着火式内燃機関の全体図である。 圧縮着火式内燃機関の別の例を示す全体図である。 パティキュレートフィルタの構造を示す図である。 ＮＯ_x吸蔵触媒の触媒担体の表面部分の断面図である。 ＳＯ_xトラップ触媒の基体の表面部分の断面図である。 ＳＯ_xトラップ率を示す図である。 昇温制御を説明するための図である。 ＮＯ_x放出制御とパティキュレートフィルタの昇温制御を示すタイムチャートである。 ＳＯ_x放出制御を示すタイムチャートである。 吸蔵ＮＯ_x量ＮＯＸＡのマップ等を示す図である。 ＮＯ_x吸蔵触媒に対する処理を実行するためのフローチャートである。 圧縮着火式内燃機関の別の実施例を示す全体図である。 圧縮着火式内燃機関の更に別の実施例を示す全体図である。

符号の説明

４ 吸気マニホルド
５ 排気マニホルド
７ 排気ターボチャージャ
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 排気枝通路
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ ＳＯ_xトラップ触媒
１３ ＮＯ_x吸蔵触媒
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ 排気遮断弁
２２ 還元剤供給弁

Claims (9)

1. 機関排気通路内に排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲しうるＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＳＯ_xトラップ触媒下流の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには排気ガス中に含まれるＮＯ_xを吸蔵し流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチになると吸蔵したＮＯ_xを放出するＮＯ_x吸蔵触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときにはＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させると共にＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにした内燃機関において、機関排気通路から複数の排気枝通路を分岐すると共に該分岐部よりも下流において各排気枝通路を共通のＮＯ_x吸蔵触媒に連結し、一つを除く残りの排気枝通路内にＳＯ_xトラップ触媒を配置すると共に通常は該ＳＯ_xトラップ触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させ、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上記分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共に該ＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにした内燃機関の排気浄化装置。
2. 上記ＳＯ_xトラップ触媒の配置されていない排気枝通路内に酸化触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上記分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共に該酸化触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにした請求項１に記載の内燃機関の排気浄化装置。
3. 機関排気通路内に排気ガス中に含まれるＳＯ_xを捕獲しうるＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＳＯ_xトラップ触媒下流の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには排気ガス中に含まれるＮＯ_xを吸蔵し流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチになると吸蔵したＮＯ_xを放出するＮＯ_x吸蔵触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときにはＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させると共にＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにした内燃機関において、機関排気通路から複数の排気枝通路を分岐すると共に該分岐部よりも下流において各排気枝通路を共通のＮＯ_x吸蔵触媒に連結し、全ての排気枝通路内にＳＯ_xトラップ触媒を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上記分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共にＳＯ_x捕獲量の最も少ないＳＯ_xトラップ触媒の配置されている排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにした内燃機関の排気浄化装置。
4. 通常は一つを除く残りの排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させ、ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときには上記分岐部に流入する排気ガスの空燃比をリッチにすると共に通常排気ガスの流通していない排気枝通路を介してのみ排気ガスを流通させるようにした請求項３に記載の内燃機関の排気浄化装置。
5. 上記排気枝通路内に選択的に排気ガスを流通させるための通路切換弁装置を具備した請求項１又は３に記載の内燃機関の排気浄化装置。
6. 上記ＳＯ_xトラップ触媒は基体上に形成されたコート層と、コート層上に維持された貴金属触媒からなり、コート層内にはアルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類金属が分散して含有されている請求項１又は３に記載の内燃機関の排気浄化装置。
7. 上記分岐部上流の機関排気通路内に還元剤供給装置を配置し、ＮＯ_x吸蔵触媒からＮＯ_xを放出すべきときには還元剤供給装置から排気通路内に還元剤を供給してＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比を一時的にリッチにするようにした請求項１又は３に記載の内燃機関の排気浄化装置。
8. ＮＯ_x吸蔵触媒からＳＯ_xを放出すべきときにはＮＯ_x吸蔵触媒の温度をＳＯ_x放出温度まで上昇させ、還元剤供給装置から還元剤を供給してＮＯ_x吸蔵触媒に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするようにした請求項７に記載の圧縮着火式内燃機関の排気浄化装置。
9. ＮＯ_x吸蔵触媒が排気ガス中に含まれる粒子状物質を捕獲して酸化させるためのパティキュレートフィルタ上に担持されている請求項１又は３に記載の内燃機関の排気浄化装置。

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