JP2008085161A - 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム - Google Patents
表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008085161A JP2008085161A JP2006264958A JP2006264958A JP2008085161A JP 2008085161 A JP2008085161 A JP 2008085161A JP 2006264958 A JP2006264958 A JP 2006264958A JP 2006264958 A JP2006264958 A JP 2006264958A JP 2008085161 A JP2008085161 A JP 2008085161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor array
- emitting
- array element
- separation groove
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4075—Beam steering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係るVCSELアレイは、基板のほぼ中央に複数の発光部となるメサ102と、分離溝102を介してメサ102から分離された電極パッド部106とを備える。分離溝104の側壁は、波型形状をしており、従来のような直線形状の側壁と比べ、分離溝104の段差部における層間絶縁膜や電極配線110の接触面積が増え、段差部を起点とする層間絶縁膜や電極配線の剥がれが生じ難くなり、VCSELの歩留りの改善と共に素子の信頼性が向上する。
【選択図】 図1
Description
104:分離溝 106:電極パッド部
108:電極パッド 110:金属配線
132:層間絶縁膜 134:電極層
136:開口 140:ポリイミド樹脂
150:側壁 152:凸状の曲面
154:凹状の曲面 160、162:分離溝
170:厚い層間絶縁膜 A:段差部
Claims (18)
- 基板と、
基板上に形成された複数の発光部と、
基板上に形成され、前記複数の発光部と分離溝を介して配設され、かつ複数の電極パッドを絶縁膜上に配した電極パッド部と、
前記分離溝を介して前記複数の発光部の各々を対応する電極パッドに接続する複数の金属配線とを有し、
前記分離溝は、波型形状の側壁を有する、
表面発光型半導体アレイ素子。 - 前記電極パッド部の絶縁膜は、前記分離溝の側壁および底面にまで延在し、前記複数の金属配線は、前記絶縁膜を介して前記分離溝を這うように形成される、請求項1に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記分離溝は、高分子樹脂により埋め込まれている、請求項1または2に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記波型形状は、側壁から突出する第1の曲面と、側壁を窪ませる第2の曲面とを含む、請求項1に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 第1の曲面および第2の曲面は、楕円形状、正弦波形状、または円弧形状のいずれかの少なくとも1部である、請求項4に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記複数の発光部は、第1の方向に配列され、前記分離溝の波型形状は、前記第1の方向に対応して形成される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記複数の発光部は、前記第1の方向に複数列で配列され、前記分離溝の波型形状は、前記複数の発光部の各列に対向するように配列される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記分離溝は、前記複数の発光部を取り囲むように形成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記電極パッド部は、前記絶縁膜の下にさらに第2の絶縁膜を備え、基板から電極パッドまでの高さは、基板から発光部までの高さよりも大きい、請求項1に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記複数の発光部および電極パッド部は、基板上に形成された複数の半導体層をそれぞれ含み、前記分離溝は、基板上に形成された半導体層をエッチングして形成される、請求項1に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記複数の発光部は、基板上に形成された半導体層をエッチングして形成された柱状構造物をそれぞれ含み、前記複数の電極配線は、絶縁膜を介して各柱状構造物の側壁を延在し、柱状構造物の頂部に形成された電極層にそれぞれ接続され、かつ光を出射するための開口部を有する、請求項1に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 前記柱状構造物は、周縁が酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とからなる電流狭窄層を含む、請求項11に記載の表面発光型半導体アレイ素子。
- 請求項1ないし12いずれか1つに記載の表面発光型半導体アレイ素子と、表面発光型半導体アレイ素子に電気的に接続された電気接続端子と、表面発光型半導体アレイ素子から出射された光を入射する光学部品とを備えたモジュール。
- 請求項1ないし12いずれか1つに記載された表面発光型半導体アレイ素子と、表面発光型半導体アレイ素子から発せられた光をレンズおよびミラーの少なくとも1つを含む光学部品を介して照射する照射手段と備えた、光源装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、表面発光型半導体アレイ素子から発せられた光を送信する送信手段とを備えた、情報処理装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、表面発光型半導体アレイ素子から発せられた光を送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、表面発光型半導体アレイ素子から発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、表面発光型半導体アレイ素子から発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264958A JP4935278B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム |
US11/728,482 US7672352B2 (en) | 2006-09-28 | 2007-03-26 | Surface-emitting semiconductor array device, module, light source device, data processing apparatus, light transmitting device, light spatial transmitting apparatus, and light spatial transmitting system |
EP07105126A EP1919046B1 (en) | 2006-09-28 | 2007-03-28 | Surface-emitting semiconductor array device, module, light source device, data processing apparatus, light transmitting device, light spatial transmitting apparatus, and light spatial tansmitting system |
CN2007101077369A CN101154792B (zh) | 2006-09-28 | 2007-04-28 | 表面发射型半导体阵列装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264958A JP4935278B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085161A true JP2008085161A (ja) | 2008-04-10 |
JP4935278B2 JP4935278B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39183135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006264958A Active JP4935278B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7672352B2 (ja) |
EP (1) | EP1919046B1 (ja) |
JP (1) | JP4935278B2 (ja) |
CN (1) | CN101154792B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135596A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
JP2012019195A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2012212743A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Kyocera Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2013176202A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、垂直共振面発光レーザアレイ素子 |
WO2015033633A1 (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2015088548A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ |
JP6004063B1 (ja) * | 2015-09-09 | 2016-10-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5504784B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2014-05-28 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
CN102903802B (zh) * | 2011-07-28 | 2015-09-16 | 上海博恩世通光电股份有限公司 | 具有dbr型电流阻挡层的led芯片及其制作方法 |
CN102903801B (zh) * | 2011-07-28 | 2015-06-10 | 上海博恩世通光电股份有限公司 | 具有粘附性电流阻挡层的led芯片及其制作方法 |
JP6303481B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
JP2018026478A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ、及び光伝送装置 |
JP6380512B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイ、および光伝送装置 |
JP6695007B2 (ja) * | 2017-02-21 | 2020-05-20 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 複数のvcselを含む光源のアレイ |
US10535799B2 (en) * | 2017-05-09 | 2020-01-14 | Epistar Corporation | Semiconductor device |
CN108717942B (zh) | 2018-05-31 | 2021-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制作方法、显示装置 |
CN108879325B (zh) * | 2018-07-05 | 2020-07-31 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种vcsel阵列芯片及制作方法 |
CN113169522B (zh) * | 2018-09-25 | 2022-12-30 | 瑞识科技(深圳)有限公司 | 垂直腔面发射激光器(vcsel)阵列 |
US11655968B2 (en) * | 2020-09-24 | 2023-05-23 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting module |
CN115117735A (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 上海禾赛科技有限公司 | 激光器、光源模组及激光雷达 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0582829A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JPH05283407A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-10-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012904A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ledアレイ |
JP2001284725A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
US20020009258A1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-01-24 | Coldren Larry A. | Direct-coupled multimode WDM optical data links with monolithically-integrated multiple-channel VCSEL and photodetector arrays |
JP2003179137A (ja) * | 2002-10-21 | 2003-06-27 | Yamaha Corp | 配線形成法 |
JP2003324233A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2004221428A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2005191260A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法および光送信用モジュールおよび光通信システム |
JP2005252240A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
JP2006049829A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2006162739A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置 |
JP2006190762A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sony Corp | 半導体レーザ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5300788A (en) * | 1991-01-18 | 1994-04-05 | Kopin Corporation | Light emitting diode bars and arrays and method of making same |
US5325381A (en) * | 1992-12-22 | 1994-06-28 | Xerox Corporation | Multiple beam diode laser output scanning system |
JPH11168262A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 |
US6670599B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-30 | Aegis Semiconductor, Inc. | Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making |
JP2004087866A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体光素子、その実装体および光モジュール |
US7125733B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-10-24 | Infineon Technologies Ag | Method for producing an optical emission module having at least two vertically emitting lasers |
JP4203747B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2009-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法、ならびに光モジュール |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006264958A patent/JP4935278B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-26 US US11/728,482 patent/US7672352B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-28 EP EP07105126A patent/EP1919046B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-28 CN CN2007101077369A patent/CN101154792B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0582829A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JPH05283407A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-10-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012904A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ledアレイ |
US20020009258A1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-01-24 | Coldren Larry A. | Direct-coupled multimode WDM optical data links with monolithically-integrated multiple-channel VCSEL and photodetector arrays |
JP2001284725A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2003324233A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2003179137A (ja) * | 2002-10-21 | 2003-06-27 | Yamaha Corp | 配線形成法 |
JP2004221428A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2005191260A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法および光送信用モジュールおよび光通信システム |
JP2005252240A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
JP2006049829A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2006162739A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置 |
JP2006190762A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Sony Corp | 半導体レーザ |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135596A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
JP2012019195A (ja) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2012212743A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Kyocera Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2013176202A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、垂直共振面発光レーザアレイ素子 |
JPWO2013176202A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、垂直共振面発光レーザアレイ素子 |
US9698568B2 (en) | 2012-05-25 | 2017-07-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting laser device and vertical-cavity surface-emitting laser array device |
WO2015033633A1 (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2015088548A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ |
JP6004063B1 (ja) * | 2015-09-09 | 2016-10-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2017054898A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080080583A1 (en) | 2008-04-03 |
JP4935278B2 (ja) | 2012-05-23 |
EP1919046A2 (en) | 2008-05-07 |
CN101154792B (zh) | 2010-09-01 |
EP1919046A3 (en) | 2011-01-05 |
EP1919046B1 (en) | 2012-05-16 |
US7672352B2 (en) | 2010-03-02 |
CN101154792A (zh) | 2008-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4935278B2 (ja) | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム | |
JP4815812B2 (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 | |
US10290993B2 (en) | VCSEL illuminator package | |
JP5055717B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP4892940B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP4844031B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP4876480B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ | |
CN1845407A (zh) | 表面发光半导体激光器阵列及使用其的光传输*** | |
JP5151317B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2000049414A (ja) | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 | |
JP4892941B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP5115073B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3610235B2 (ja) | 面型発光素子装置 | |
JP2006351799A (ja) | 表面発光型半導体素子アレイ | |
JP2014086562A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP4821967B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびこれを用いた光送信装置 | |
JP4506216B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
JP2007214252A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4902637B2 (ja) | 半導体反射器内の統合された光検出器 | |
JP4821961B2 (ja) | 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP4946029B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP4793490B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
JP2009194229A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US20070201530A1 (en) | Optical active device and optical module using the same | |
JP2019179171A (ja) | 光モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110830 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4935278 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |