JP2008004412A - Cold-cathode electron source - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電界放射により電子放出する新規な構造を備えた冷陰極電子源に関する。 The present invention relates to a cold cathode electron source having a novel structure for emitting electrons by field emission.
電子放出源として使用されていた熱陰極に代わって、低消費電力の小型の電子放出源としての冷陰極が用いられるようになっている。この冷陰極電子源には、陰極ベースの表面にカーボンナノチューブ等の炭素膜を成膜したものがある（特許文献１）。このカーボンナノチューブ等の炭素膜は、先端が電界放射（フィールドエミッション）を行うのに適した鋭利な形状を有している。 Instead of the hot cathode used as the electron emission source, a cold cathode as a small electron emission source with low power consumption is used. As this cold cathode electron source, there is one in which a carbon film such as a carbon nanotube is formed on the surface of a cathode base (Patent Document 1). The carbon film such as the carbon nanotube has a sharp shape suitable for performing field emission at the tip.
このようなカーボンナノチューブ等の電子放出用材料は、断面ほぼ円形であるワイヤ状ベース表面にＣＶＤ法等により均一な高さでかつ高密度に成長させることは困難であり、また、そのようなワイヤ状ベース表面にカーボンナノチューブ等の電子放出用材料を均一な厚さに印刷することも困難である。そのための成膜や印刷のための設備は高価でありコストが相当に嵩むものとなっている。 Such electron emission materials such as carbon nanotubes are difficult to grow on a wire-like base surface having a substantially circular cross-section at a uniform height and high density by a CVD method or the like. It is also difficult to print an electron emission material such as carbon nanotubes on the surface of the substrate with a uniform thickness. The equipment for film formation and printing for that purpose is expensive and the cost is considerably increased.
本出願人は、上記ワイヤ状の陰極ベース表面に電子放出用材料を安価に形成でき量産可能な構造の冷陰極電子源用ワイヤの研究開発を鋭意重ねていた。
したがって、本発明により解決すべき課題は、ワイヤ状の陰極ベース表面にほぼ均一な高さで電界放射することが可能な電子放出層を備えた冷陰極電子源を提供することである。 Therefore, a problem to be solved by the present invention is to provide a cold cathode electron source including an electron emission layer capable of emitting a field at a substantially uniform height on a wire-like cathode base surface.
本発明による冷陰極電子源は、陰極ベースが亜鉛と該亜鉛よりも融点が高い金属との合金材料からワイヤ状に作られており、このワイヤ状の陰極ベースに対する熱処理により該陰極ベース表面から多数のナノウイスカが電界放射を行うのに適した鋭利な針状に突出していることを特徴とするものである。 In the cold cathode electron source according to the present invention, the cathode base is made in the shape of a wire from an alloy material of zinc and a metal having a melting point higher than that of the zinc. These nanowhiskers are characterized by protruding in a sharp needle shape suitable for field emission.
また、本発明による冷陰極電子源は、陰極ベースが亜鉛よりも高融点の金属材料の周囲に亜鉛膜を備えた金属材料からワイヤ状に作られており、このワイヤ状の陰極ベースに対する熱処理により該陰極ベースの表面から多数のナノウイスカが電界放射を行うのに適した鋭利な針状に突出していることを特徴とするものである。 In the cold cathode electron source according to the present invention, the cathode base is made of a metal material having a zinc film around a metal material having a melting point higher than that of zinc. A large number of nanowhiskers protrude from the surface of the cathode base into sharp needles suitable for field emission.
上記した「電界放射を行うのに適した鋭利な針状」とは、直径が数ｎｍから１００ｎｍで、長さが１μｍから数１０μｍのものを言う。 The above-mentioned “sharp needle shape suitable for electric field emission” refers to one having a diameter of several nm to 100 nm and a length of 1 μm to several tens of μm.
上記本発明の合金材料や金属材料の場合、常圧下で簡易な電気炉、通電加熱だけでナノウイスカを成長させることができるので従来のようなカーボンナノチューブ等の電子放出材料とは異なって、設備コストが格段に安く済む一方で、このワイヤを陰極とし、陽極に高電圧を印加することによりワイヤ表面のナノウイスカから発生した電子を電子線照射型蛍光体に衝突させて高輝度で励起発光させることができる。 In the case of the above alloy materials and metal materials of the present invention, nano whiskers can be grown only by a simple electric furnace and current heating under normal pressure, so that the equipment cost is different from conventional electron emission materials such as carbon nanotubes. However, this wire can be used as a cathode, and by applying a high voltage to the anode, electrons generated from nanowhiskers on the surface of the wire can collide with the electron beam irradiation type phosphor to emit light with high brightness. it can.
なお、本発明のナノウイスカとは異なるが、酸化亜鉛ウイスカの技術に関しては、例えば特開２００４−２９９９２０に、硫化亜鉛粉末と活性炭粉末とをアルゴン気流中、１１００〜１２００℃に、２〜４時間加熱して、一旦亜鉛を生成させた後、引き続き、アルゴンを酸素に切り替えて、１１００〜１２００℃で、１〜３時間加熱することにより、酸化反応を行わせて単結晶のチューブ状に製造する技術、特開２００４−２１０８３９に、表面に酸化膜が形成された金属亜鉛粉末を酸素を含む雰囲気下で加熱処理することによって製造する技術が開示されている。また、特公昭６０−５５２９号公報、特公平３−５１６５７号公報等にも酸化亜鉛ウイスカの製造技術が開示されている。 酸化亜鉛ウイスカは三次元構造、つまり、核部と、その核部から複数軸方向に延びた針状結晶部と、を備えたテトラポット形状が一般的であり、また、上記特開２００４−２９９９２０のようにナノチューブ状のものもある。また、多長脚状粒子として四脚状粒子である酸化亜鉛ウイスカとして松下アムテック（株）製で平均長さ１０μｍのものもある。また、特開平０９−００９５６７に記載されているように酸化亜鉛ウイスカはテトラポット形状であるため、成形物の異方性緩和・振動吸収材としても知られている。 In addition, although it differs from the nano whisker of this invention, regarding the technique of a zinc oxide whisker, for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-299920 WHEREIN: A zinc sulfide powder and activated carbon powder are heated to 1100-1200 degreeC for 2 to 4 hours in argon stream. Then, once zinc is generated, the argon is subsequently switched to oxygen and heated at 1100 to 1200 ° C. for 1 to 3 hours to cause an oxidation reaction to produce a single crystal tube. JP-A 2004-210839 discloses a technique for producing metal zinc powder having an oxide film formed on the surface thereof by heat treatment in an atmosphere containing oxygen. Japanese Patent Publication No. 60-5529 and Japanese Patent Publication No. 3-51657 also disclose a technique for producing zinc oxide whiskers. A zinc oxide whisker generally has a three-dimensional structure, that is, a tetrapot shape having a core part and a needle-like crystal part extending from the core part in a plurality of axial directions, and the above-mentioned JP-A-2004-299920. Some of them are nanotube-shaped. In addition, there are some zinc oxide whiskers made of Matsushita Amtec Co., Ltd., having an average length of 10 μm as multi-legged particles. Further, as described in JP-A-09-009567, zinc oxide whisker has a tetrapot shape, and is also known as an anisotropic relaxation / vibration absorber for molded products.
また、特開平２−１９２４９９号公報、特開平４−１３２７００号公報、特開平４−１４４９９５号公報、特開平４−１７０３９９号公報、特開平５−９７５９７号公報および特開平６−９２７９７号公報も、同様に、亜鉛蒸気を供給した気相中において、亜鉛蒸気を酸化させ、酸化亜鉛ウイスカを得る製造方法が開示されている。 In addition, JP-A-2-192499, JP-A-4-132700, JP-A-4-144959, JP-A-4-170399, JP-A-5-97597 and JP-A-6-92797 are also disclosed. Similarly, a manufacturing method is disclosed in which zinc vapor is oxidized in a gas phase supplied with zinc vapor to obtain zinc oxide whiskers.
以上のように酸化亜鉛ウイスカそれ自体およびその製造技術は周知であるが、そのほとんどが、テトラポット形状であり、また、上記特開２００４−２９９９２０のようにナノチューブ状のものでは青色や紫外領域の発光ダイオードやダイオードレーザのような光学デバイスへの応用や複合材料の強化材として有用な単結晶のチューブ状酸化亜鉛ウィスカであり、電界電子放出用のものはない。 As described above, the zinc oxide whisker itself and the manufacturing technique thereof are well known, but most of them are in the shape of a tetrapot, and in the case of a nanotube like the above-mentioned JP-A No. 2004-299920, the blue and ultraviolet regions. It is a single crystal tubular zinc oxide whisker that is useful as an application to optical devices such as light emitting diodes and diode lasers and as a reinforcing material for composite materials, and there is no one for field electron emission.
本発明のナノウイスカは、電界電子放出させて、照明ランプに必要な高輝度で蛍光体を励起発光させることができる上に、その構造は極めて簡易な熱処理装置で製造することができる。 The nanowhisker of the present invention can emit a field electron to excite a phosphor with high brightness necessary for an illumination lamp, and the structure can be manufactured by a very simple heat treatment apparatus.
上記熱処理は亜鉛の融点以上の温度での熱処理であることが好ましい。 The heat treatment is preferably a heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point of zinc.
特開昭５０−６５９７号公報は、亜鉛とこれより沸点の高い金属からなる合金または混合物を、酸素を含有する雰囲気下において加熱し、下地物質上に酸化亜鉛のウイスカを成長せしめる方法を開示する。しかしながら、同公報は、Ｚｎ−Ｃｕ合金を加熱する方法において、直径３０〜８０μｍ、長さ１０〜３０ｍｍのウイスカが得られることが開示されたものであり、酸化亜鉛ウイスカの直径が太すぎることにより、電界電子放出することができるナノウイスカではない。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 50-6597 discloses a method of growing zinc oxide whiskers on a base material by heating an alloy or mixture made of zinc and a metal having a higher boiling point in an atmosphere containing oxygen. . However, the publication discloses that whisker having a diameter of 30 to 80 μm and a length of 10 to 30 mm is obtained in the method of heating a Zn—Cu alloy, and the zinc oxide whisker has a too large diameter. It is not a nano whisker that can emit field electrons.
本発明によれば、ワイヤ状の陰極ベース表面にほぼ均一な高さで電界放射することが可能な形状でナノウイスカを備えた冷陰極電子源を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cold cathode electron source provided with the nano whisker in the shape which can radiate an electric field with a substantially uniform height on a wire-like cathode base surface can be provided.
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係る冷陰極電子源とその製造方法を説明する。 Hereinafter, a cold cathode electron source and a manufacturing method thereof according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
実施の形態の冷陰極電子源は、陰極ベースとその表面の電子放出層とから構成されている。図１（ａ）に冷陰極電子源の陰極ベースの断面構成を示し、図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面構成を示す。冷陰極電子源２を構成する陰極ベース４は、亜鉛と該亜鉛よりも融点が高い金属との合金材料からワイヤ状に作ったものである。図２に図１の陰極ベース４を用いた冷陰極電子源２の断面構成を示す。この冷陰極電子源２は、陰極ベース４と、この陰極ベース４の表面の電子放出層６とから構成されている。冷陰極電子源２と電子放出層６とを実際のサイズ比率関係で図示することができないが、理解のため、図２でその表面層の一部を引き出した円で囲む部分に電子放出層６を拡大して示している。 The cold cathode electron source according to the embodiment includes a cathode base and an electron emission layer on the surface thereof. FIG. 1A shows a cross-sectional configuration of the cathode base of the cold cathode electron source, and FIG. 1B shows a cross-sectional configuration along the line AA in FIG. The cathode base 4 constituting the cold cathode electron source 2 is made in the shape of a wire from an alloy material of zinc and a metal having a melting point higher than that of the zinc. FIG. 2 shows a cross-sectional configuration of a cold cathode electron source 2 using the cathode base 4 of FIG. The cold cathode electron source 2 includes a cathode base 4 and an electron emission layer 6 on the surface of the cathode base 4. Although the cold cathode electron source 2 and the electron emission layer 6 cannot be illustrated in an actual size ratio relationship, for the sake of understanding, the electron emission layer 6 is surrounded by a circle surrounded by a part of the surface layer shown in FIG. Is shown enlarged.
陰極ベース４を構成する金属材料は例えば真鍮である。真鍮を構成する亜鉛は空気中で酸化すると容易に燃焼し、融点は約４２０℃であり、銅は、融点が約１０８４℃である。そして、この銅合金である真鍮は、その融点が約９００℃である。この真鍮の性質は銅と亜鉛との割合で変化する。銅に対して亜鉛の含有率が３５％のものが一般的で、その他には、銅６０％、亜鉛４０％のものを 六・四真鍮、銅７０％、亜鉛３０％のものを七・三真鍮である。実施の形態ではいずれも含み、その割合に限定されない。 The metal material constituting the cathode base 4 is, for example, brass. Zinc constituting brass easily burns when oxidized in air, and has a melting point of about 420 ° C., and copper has a melting point of about 1084 ° C. And the brass which is this copper alloy has the melting point of about 900 degreeC. The properties of this brass vary with the ratio of copper and zinc. In general, the content of zinc is 35% with respect to copper. Other than that, 60% copper and 40% zinc are used. Six or four brass, 70% copper and 30% zinc are used. It is brass. In the embodiment, any of them is included, and the ratio is not limited.
電子放出層６は、多数のナノウイスカから構成されており、陰極ベース４を亜鉛の融点以上の温度で所要時間加熱することにより当該陰極ベース４表面に形成されている。ナノウイスカは、電界放射を行うのに適した鋭利な針状に突出している。実施の形態のナノウイスカでは陰極ベース４の表面全体に比較的均等な分布密度で存在している。このナノウイスカは亜鉛の融点以上の温度に加熱することにより生成することができるものであり、亜鉛単独では、その温度に加熱することができず、電界電子放出に適した形状に生成することができない。実施の形態では、真鍮を用いたものであり、亜鉛が銅と合金しているので、亜鉛の融点以上の温度に加熱することができることにより、ナノウイスカを生成したものである。 The electron emission layer 6 is composed of a large number of nanowhiskers, and is formed on the surface of the cathode base 4 by heating the cathode base 4 at a temperature equal to or higher than the melting point of zinc for a required time. Nano whiskers protrude in a sharp needle shape suitable for performing field emission. In the nano whisker of the embodiment, the entire surface of the cathode base 4 is present with a relatively uniform distribution density. This nanowhisker can be generated by heating to a temperature higher than the melting point of zinc. Zinc alone cannot be heated to that temperature and cannot be formed into a shape suitable for field electron emission. . In the embodiment, brass is used, and since zinc is alloyed with copper, nanowhiskers are generated by heating to a temperature equal to or higher than the melting point of zinc.
図３に上記冷陰極電子源２を用いた電界放射型ランプ８を示す。この電界放射型ランプ８においては、ワイヤ状の冷陰極電子源２が内部に空中架設されている。ガラス管１０は真空に封止されており、このガラス管１０の内面に電子線照射型の蛍光体１２付きの陽極１４が形成されている。冷陰極電子源２はこの陽極１４とガラス管１０内部で管軸方向に平行に対向配置している。陽極１４に高電圧を印加することにより冷陰極電子源２の電子放出層６を構成するナノウイスカの先端から電界放射により電子放出が起こり、この放出した電子が蛍光体１２に衝突し、蛍光体１２が励起発光する。 FIG. 3 shows a field emission lamp 8 using the cold cathode electron source 2. In this field emission lamp 8, a wire-like cold cathode electron source 2 is installed in the air. The glass tube 10 is sealed in a vacuum, and an anode 14 with an electron beam irradiation type phosphor 12 is formed on the inner surface of the glass tube 10. The cold cathode electron source 2 is disposed opposite to the anode 14 and the glass tube 10 so as to be parallel to the tube axis direction. When a high voltage is applied to the anode 14, electron emission is caused by electric field emission from the tip of the nanowhisker constituting the electron emission layer 6 of the cold cathode electron source 2, and the emitted electrons collide with the phosphor 12. Emits excited light.
本出願人は、上記冷陰極電子源２を用いて十分な発光輝度で発光することができる電界放射型ランプを製作することができた。この電界放射型ランプに用いた冷陰極電子源のＳＥＭ写真を以下に示して説明する。この冷陰極電子源では陰極ベース４の金属材料に真鍮を代表的に用いた。 The present applicant has been able to produce a field emission lamp capable of emitting light with sufficient emission brightness using the cold cathode electron source 2. An SEM photograph of the cold cathode electron source used in this field emission lamp will be described below. In this cold cathode electron source, brass is typically used as the metal material of the cathode base 4.
図４はその冷陰極電子源２における電子放出層６のＳＥＭ写真である。このＳＥＭ写真で示す電子放出層６は、電気炉内に真鍮製のワイヤを陰極ベース４として配置し、その陰極ベース４を５００℃で１時間連続加熱して得られたものである。この電子放出層６では陰極ベース４表面から長さ数μｍから数μｍで、直径が数ｎｍで、その先端が電界放射を行うのに適した鋭利な針状になったナノウイスカ６ａが多数形成されている。 FIG. 4 is an SEM photograph of the electron emission layer 6 in the cold cathode electron source 2. The electron emission layer 6 shown in the SEM photograph is obtained by arranging a brass wire as the cathode base 4 in an electric furnace and continuously heating the cathode base 4 at 500 ° C. for 1 hour. The electron emission layer 6 is formed with a number of nanowhiskers 6a each having a length of several μm to several μm from the surface of the cathode base 4 and a diameter of several nanometers, and a sharp needle shape suitable for electric field emission at the tip. ing.
図５はさらに別の冷陰極電子源２における電子放出層６のＳＥＭ写真を示す。このＳＥＭ写真で示す電子放出層６は、電気炉内で真鍮製のワイヤを陰極ベース４として配置し、その陰極ベース４を６００℃で１時間連続加熱した場合の電子放出層６を示す。この電子放出層６では陰極ベース４表面から長さ１０数μｍで、直径が数ｎｍで、その先端が電界放射を行うのに適した鋭利な針状になったナノウイスカ６ａが多数形成されている。 FIG. 5 shows an SEM photograph of the electron emission layer 6 in still another cold cathode electron source 2. The electron emission layer 6 shown in this SEM photograph shows the electron emission layer 6 when a brass wire is arranged as the cathode base 4 in the electric furnace and the cathode base 4 is continuously heated at 600 ° C. for 1 hour. The electron emission layer 6 has a number of nanowhiskers 6a each having a length of several tens of μm from the surface of the cathode base 4 and a diameter of several nanometers, and having a sharp needle shape suitable for electric field emission at the tip. .
図６は、さらに別の冷陰極電子源２における電子放出層６のＳＥＭ写真を示す。このＳＥＭ写真で示す電子放出層６は、電気炉内で真鍮製のワイヤを陰極ベース４として配置し、その陰極ベース４を７００℃で１時間連続加熱した場合の電子放出層６を示す。この電子放出層６では陰極ベース４表面からはナノウイスカ６ａが短くなりその結晶構造が崩されて粒子化して電子放出層として機能することができにくくなっている。 FIG. 6 shows an SEM photograph of the electron emission layer 6 in still another cold cathode electron source 2. The electron emission layer 6 shown in this SEM photograph shows the electron emission layer 6 when a brass wire is disposed as the cathode base 4 in an electric furnace and the cathode base 4 is continuously heated at 700 ° C. for 1 hour. In the electron emission layer 6, the nanowhisker 6 a is shortened from the surface of the cathode base 4, and its crystal structure is broken to form particles, making it difficult to function as an electron emission layer.
図７は図６の電子放出層６の表面を示すＳＥＭ写真である。ナノウイスカ６ａが崩れ粒子化している様子を確認することができる。 FIG. 7 is an SEM photograph showing the surface of the electron emission layer 6 of FIG. It can be confirmed that the nanowhiskers 6a have collapsed and become particles.
以上から実施の形態の冷陰極電子源２は、陰極ベース４を亜鉛の融点である約４００℃以上、約７００℃以下で約１０分から数時間程度連続加熱した場合に、陰極ベース４表面に電界電子放出に適したナノウイスカからなる電子放出層６が形成される。 From the above, the cold cathode electron source 2 of the embodiment has an electric field applied to the surface of the cathode base 4 when the cathode base 4 is continuously heated at about 400 ° C. or higher and about 700 ° C. or lower, which is the melting point of zinc, for about 10 minutes to several hours. An electron emission layer 6 made of nanowhiskers suitable for electron emission is formed.
以上説明した冷陰極電子源２では陰極ベース４を電気炉内で加熱したが、実施の形態の製造方法は、この加熱に限定されるものではなく、陰極ベース４を通電加熱することによっても陰極ベース４表面に電子放出層６であるナノウイスカを形成することができる。 In the cold cathode electron source 2 described above, the cathode base 4 is heated in an electric furnace. However, the manufacturing method of the embodiment is not limited to this heating, and the cathode base 4 can also be heated by energization heating. Nanowhiskers that are the electron emission layers 6 can be formed on the surface of the base 4.
上記通電加熱は２５Ａないし３０Ａ程度、数十秒から数十分である。 The energization heating is about 25 A to 30 A, for several tens of seconds to several tens of minutes.
図８は陰極ベース４に対して２５Ａの電流を２０秒間陰極ベース４に流すことにより当該陰極ベース４を通電加熱した場合の電子放出層６のＳＥＭ写真を示す。この図８のＳＥＭ写真で示すように、陰極ベース４表面からは長さ数μｍで、先端が電界放射を行うのに適した鋭利な針状になったナノウイスカ６ａが多数形成されて電子放出層６が構成されている。 FIG. 8 shows an SEM photograph of the electron emission layer 6 when the cathode base 4 is energized and heated by flowing a current of 25 A through the cathode base 4 for 20 seconds. As shown in the SEM photograph of FIG. 8, a plurality of nanowhiskers 6a each having a length of several μm from the surface of the cathode base 4 and having a sharp needle shape suitable for field emission are formed on the electron emission layer. 6 is configured.
図９はさらに別の陰極ベースに２５Ａ、３分間通電加熱した場合の電子放出層６のＳＥＭ写真を示す。このＳＥＭ写真で示すように、陰極ベース表面からは長さ数μｍで、先端が電界放射を行うのに適した鋭利な針状になったナノウイスカが多数形成されて電子放出層６が構成されている。 FIG. 9 shows an SEM photograph of the electron emission layer 6 when another cathode base is heated and energized at 25 A for 3 minutes. As shown in this SEM photograph, the electron emission layer 6 is formed by forming a large number of sharp whisker-like nano whiskers that are several μm long from the surface of the cathode base and suitable for field emission. Yes.
なお、他の実施の形態として図１０（ａ）（ｂ）で示すように、亜鉛よりも高融点の金属材料、例えば、銅材料４ａの周囲に亜鉛膜４ｂを備えた金属材料をワイヤ状に作ったものを陰極ベース４として用いることができる。図１０（ａ）は陰極ベース４の縦断断面構成を示し、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面構成を示す。図１０で示す陰極ベース４を用いて上記と同様に電気炉内で加熱したり、通電加熱することにより、その陰極ベース４表面にナノウイスカからなる電子放出層６を形成することができる。なお、陰極ベース４において亜鉛膜４ｂの膜厚等は適宜に設定することができる。加熱すると、亜鉛膜４ｂの亜鉛は、内部に拡散して真鍮フェーズになり、その表面にナノウイスカを生成することができる。 As another embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, a metal material having a melting point higher than that of zinc, for example, a metal material having a zinc film 4b around a copper material 4a is formed into a wire shape. The prepared one can be used as the cathode base 4. FIG. 10A shows a vertical cross-sectional configuration of the cathode base 4, and FIG. 10B shows a cross-sectional configuration along line BB in FIG. The electron emission layer 6 made of nanowhiskers can be formed on the surface of the cathode base 4 by heating in an electric furnace using the cathode base 4 shown in FIG. In the cathode base 4, the film thickness of the zinc film 4b can be set as appropriate. When heated, the zinc in the zinc film 4b diffuses into the brass phase to form nanowhiskers on the surface.
以上の実施の形態では亜鉛と合金を作ったり、あるいは、陰極ベース４の内部に設ける金属としては銅で説明したが、実施の形態では、この金属としては銅に限定されず、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＳＵＳ等の亜鉛よりも高融点の金属材料を用いることができる。 In the above embodiment, the alloy of zinc and the metal provided in the cathode base 4 is described as copper. However, in the embodiment, the metal is not limited to copper, and NiCr, Ni, A metal material having a melting point higher than that of zinc such as W or SUS can be used.
２ 冷陰極電子源
４ 陰極ベース
６ 電子放出層
６ａ ナノウイスカ
2 Cold cathode electron source 4 Cathode base 6 Electron emission layer 6a Nano whisker
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2006173444A JP2008004412A (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Cold-cathode electron source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008004412A true JP2008004412A (en) | 2008-01-10 |
Family
ID=39008625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006173444A Pending JP2008004412A (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Cold-cathode electron source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008004412A (en) |
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|
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|
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|
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