JP2007297277A - Carbon nanotube growth method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method for producing carbon nanotubes which are oriented and grown at a low temperature without depending on auxiliary means such as electric fields and plasma which have heretofore been used. <P>SOLUTION: The method where a gaseous starting material is fed and carbon nanotubes are oriented in a vertical direction on a base material 14 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method comprises: a procedure which arranges the substrate 14 in which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber 10; and a procedure in which a filament 12 arranged in the growth chamber 10 is heated in the range of 400-600°C and carbon nanotubes are grown using neither electric fields nor plasma. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、カーボンナノチューブの成長方法に関する。   The present invention relates to a method for growing carbon nanotubes.

カーボンナノチューブの製造法としては、アーク放電法、レーザー蒸発法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などが知られている。アーク放電法、レーザー蒸発法によるカーボンナノチューブでは、良質のカーボンナノチューブが得られるとは言え、カーボンナノチューブの配向や長さを制御することは困難である。   Known methods for producing carbon nanotubes include arc discharge, laser evaporation, thermal CVD, and plasma CVD. Although carbon nanotubes obtained by arc discharge method or laser evaporation method can provide good quality carbon nanotubes, it is difficult to control the orientation and length of the carbon nanotubes.

配向や方向の制御を可能にする方法として、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法が挙げられる。これらの方法では、成長中に電界を印加することで、カーボンナノチューブを配向成長することが可能である。電界を印加しない場合の配向成長が、Ｎａｔｕｒｅ， Ｖｏｌ．４１６， ｐｐ４９５−４９６（２００２）に掲載されているが、成長温度が８００℃以上の高温であるため、この技術により半導体回路上にカーボンナノチューブを成長するのは不可能である。また、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３６０（２００２），ｐｐ２２９−２３４で５５０℃でのカーボンナノチューブの成長が報告されたが、成長方向の制御は実現できない。   Examples of methods that enable control of orientation and direction include thermal CVD and plasma CVD. In these methods, the carbon nanotubes can be oriented and grown by applying an electric field during the growth. Alignment growth when no electric field is applied is described in Nature, Vol. 416, pp 495-496 (2002), it is impossible to grow carbon nanotubes on a semiconductor circuit by this technique because the growth temperature is 800 ° C. or higher. Moreover, although growth of carbon nanotubes at 550 ° C. was reported in Chemical Physics Letters, 360 (2002), pp 229-234, control of the growth direction cannot be realized.

熱ＣＶＤ法を利用したカーボンナノチューブのいろいろな製造方法が特許文献に記載されている。例えば、特開平９−３１７５７号公報には、ＣＶＤ法によりグラファイトナノチューブを低温度で作製する方法が開示されており、グラファイトナノチューブは６５０〜８００℃で作製されている。特開平１０−２０３８１０号公報には、比較的低温で基体上にカーボンナノチューブを成長させる技術が記載されており、この成長には直流グロー放電によるプラズマが必要とされている。特開平１１−１３９８１５号公報には、原料ガスの熱分解反応によるカーボンナノチューブデバイスの製造方法が記載されている。特開２００１−３０３２５０号公報には、熱ＣＶＤ法を使用してカーボンナノチューブを基板上に垂直配向する方法が記載され、この方法では成長時にＤＣ電圧が印加される。   Various methods for producing carbon nanotubes using thermal CVD are described in the patent literature. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-31757 discloses a method of producing a graphite nanotube at a low temperature by a CVD method, and the graphite nanotube is produced at 650 to 800 ° C. Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-203810 describes a technique for growing carbon nanotubes on a substrate at a relatively low temperature, and this growth requires plasma by direct current glow discharge. Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-139815 describes a method of manufacturing a carbon nanotube device by a thermal decomposition reaction of a raw material gas. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-303250 describes a method of vertically aligning carbon nanotubes on a substrate using a thermal CVD method, in which a DC voltage is applied during growth.

これらの熱ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの製造方法で、電界のような補助的手段を用いない場合、一般に５００℃以上の成長温度が使用されている。   In these methods for producing carbon nanotubes by the thermal CVD method, when an auxiliary means such as an electric field is not used, a growth temperature of 500 ° C. or higher is generally used.

一方、ホットフィラメントを利用するＣＶＤ法（ホットフィラメントＣＶＤ法）も知られている。特開２０００−３５３４６７号公報には、冷陰極装置の製造においてホットフィラメントＣＶＤ法によりダイヤモンドあるいはダイヤモンドライクカーボンの電子放出材料を形成することが記載されている。カーボンナノチューブの製造には言及されていない。特表２００２−５１８２８０号公報には、ホットフィラメントＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの成長方法が記載されている。この方法では、成長に際し電界が印加されている。   On the other hand, a CVD method using a hot filament (hot filament CVD method) is also known. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-353467 describes that a diamond or diamond-like carbon electron-emitting material is formed by a hot filament CVD method in manufacturing a cold cathode device. No mention is made of the production of carbon nanotubes. Japanese Patent Publication No. 2002-518280 discloses a carbon nanotube growth method by a hot filament CVD method. In this method, an electric field is applied during growth.

このように、これまでのホットフィラメントＣＶＤ法でのカーボンナノチューブの製造においては、補助的手段として電界の印加が行われている。
一方、ホットフィラメントＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを１６００℃のフィラメント温度で成長することが、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３４２（２００１），ｐｐ２５９−２６４に記載されている。 Thus, in the production of carbon nanotubes by the conventional hot filament CVD method, an electric field is applied as an auxiliary means.
On the other hand, it is described in Chemical Physics Letters, 342 (2001), pp 259-264 that carbon nanotubes are grown at a filament temperature of 1600 ° C. by a hot filament CVD method.

特開平９−３１７５７号公報JP-A-9-31757 特開平１０−２０３８１０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-203810 特開平１１−１３９８１５号公報JP-A-11-139815 特開２００１−３０３２５０号公報JP 2001-303250 A 特開２０００−３５３４６７号公報JP 2000-353467 A 特表２００２−５１８２８０号公報Special table 2002-518280 gazette Ｎａｔｕｒｅ， Ｖｏｌ．４１６， ｐｐ４９５−４９６（２００２）Nature, Vol. 416, pp 495-496 (2002) Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ３６０（２００２），ｐｐ２２９−２３４Chemical Physics Letters, 360 (2002), pp 229-234. Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ３４２（２００１），ｐｐ２５９−２６４Chemical Physics Letters, 342 (2001), pp 259-264.

本発明の目的は、これまで使用されてきた電界（あるいはプラズマ）等の補助的手段に頼ることなく、低い温度で配向成長したカーボンナノチューブを製造できる新しい方法を提供することであり、それにより、例えば、高温処理が許されない半導体回路上へのカーボンナノチューブ成長を可能にすることである。   An object of the present invention is to provide a new method capable of producing carbon nanotubes that are oriented and grown at a low temperature without relying on auxiliary means such as an electric field (or plasma) that has been used so far. For example, enabling carbon nanotube growth on semiconductor circuits where high temperature processing is not allowed.

本発明によるカーボンナノチューブ成長法は、原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる方法であって、
成長室内に遷移金属を含む触媒の形成された基材を配置する工程と、
成長室内に配置したフィラメントを４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
ホットフィラメントを使用することにより、比較的低い温度、具体的には５００℃未満の基材成長面温度でも、カーボンナノチューブを配向成長させることができる。 The carbon nanotube growth method according to the present invention is a method in which a raw material gas is supplied and the carbon nanotubes are oriented in the vertical direction on a substrate by a CVD method,
Disposing a substrate on which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber;
Heating the filament disposed in the growth chamber to 400 to 600 ° C., and growing carbon nanotubes without using any electric field or plasma;
It is the method characterized by including.
By using a hot filament, carbon nanotubes can be oriented and grown at a relatively low temperature, specifically, a substrate growth surface temperature of less than 500 ° C.

本発明のカーボンナノチューブ成長法では、成長室内に配置したフィラメントをＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長のための熱源として使用する。このような加熱用フィラメント（ホットフィラメントと呼ばれる）を利用するＣＶＤ法は、ホットフィラメントＣＶＤ法として知られているが、これをカーボンナノチューブの成長法に使用したものは１６００℃のフィラメント温度を必要としていた（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３４２（２００１），ｐｐ２５９−２６４）。   In the carbon nanotube growth method of the present invention, a filament disposed in a growth chamber is used as a heat source for carbon nanotube growth by a CVD method. A CVD method using such a heating filament (referred to as a hot filament) is known as a hot filament CVD method, but the one used for the carbon nanotube growth method requires a filament temperature of 1600 ° C. (Chemical Physics Letters, 342 (2001), pp 259-264).

ホットフィラメントは、通電により発熱する。カーボンナノチューブ成長時のフィラメント温度は４００℃以上とするのが好ましい。４００℃未満では、原料ガスを分解するエネルギーを供給するのに不十分である。一方、フィラメント温度を不必要に上昇させるのはエネルギーの浪費であり、そのため一般には４００〜１０００℃のフィラメント温度を用いるのが好ましい。フィラメント温度は、より好ましくは４００〜６００℃、更に好ましくは４００〜５００℃である。   The hot filament generates heat when energized. The filament temperature during carbon nanotube growth is preferably 400 ° C. or higher. If it is less than 400 degreeC, it is inadequate to supply the energy which decomposes | disassembles source gas. On the other hand, unnecessarily increasing the filament temperature is a waste of energy, and therefore it is generally preferable to use a filament temperature of 400 to 1000 ° C. The filament temperature is more preferably 400 to 600 ° C, still more preferably 400 to 500 ° C.

ホットフィラメントは、カーボンナノチューブ成長時の高温（４００℃以上）に耐えることができ、且つ原料ガスやその分解生成物と化学反応しないかしにくい材料から製作すべきである。発明者は、炭素源を含む原料ガスからカーボンナノチューブをＣＶＤ法により製造する目的には、レニウム製又はレニウムを主成分とする材料製のフィラメントを用いるのが好適であるのを見いだした。   The hot filament should be manufactured from a material that can withstand the high temperature (400 ° C. or higher) during the growth of the carbon nanotubes and that does not easily react with the raw material gas or its decomposition product. The inventor has found that it is preferable to use a filament made of rhenium or a material mainly composed of rhenium for the purpose of producing carbon nanotubes from a source gas containing a carbon source by the CVD method.

図１に示したように、ホットフィラメント１２は、原料ガスが供給される真空チャンバ（反応チャンバ）１０内に、成長基材１４と対向して配置される。フィラメント１２と基材１４との間隔は、カーボンナノチューブ成長条件（使用原料ガスの種類、成長速度など）に応じて決定される。   As shown in FIG. 1, the hot filament 12 is disposed opposite to the growth substrate 14 in a vacuum chamber (reaction chamber) 10 to which a source gas is supplied. The distance between the filament 12 and the substrate 14 is determined according to the carbon nanotube growth conditions (type of raw material gas used, growth rate, etc.).

成長時には、ホットフィラメント１２が基材１４上を移動するようにして、任意の範囲にカーボンナノチューブを均一に成長させることができる。位置を固定したホットフィラメント１２に対し、基材１４の方を移動させてもよい。あるいは、ホットフィラメント１２と基材１４の双方が相対的に移動するようにしてもよい。移動の様式としては、例えば回転式、往復式などが可能である。例えば図１において、フィラメント１２が水平方向に往復移動し、基材１４が基材ステージ１６の動きにより上下方向に移動するようにすることができる。フィラメント１２は例えば交流電源１８に接続され、基材ステージ１６には一般に基材加熱手段（図示せず）が装備される。   At the time of growth, carbon nanotubes can be uniformly grown in an arbitrary range by moving the hot filament 12 on the base material 14. The substrate 14 may be moved relative to the hot filament 12 whose position is fixed. Or you may make it both the hot filament 12 and the base material 14 move relatively. As a mode of movement, for example, a rotary type or a reciprocating type can be used. For example, in FIG. 1, the filament 12 can reciprocate in the horizontal direction, and the base material 14 can be moved up and down by the movement of the base material stage 16. The filament 12 is connected to, for example, an AC power source 18, and the substrate stage 16 is generally equipped with a substrate heating means (not shown).

カーボンナノチューブ成長の原料には、炭素を含有する炭素源ガスを使用する。炭素源ガスとしては、メタン、エタン、アセチレン、プロパン、ブタンなどの炭化水素ガス、あるいはメタノール、エタノールなどのアルコール類のガスを用いることができる。２種以上の炭素源の混合物も使用可能である。   A carbon source gas containing carbon is used as a raw material for carbon nanotube growth. As the carbon source gas, a hydrocarbon gas such as methane, ethane, acetylene, propane, or butane, or an alcohol gas such as methanol or ethanol can be used. Mixtures of two or more carbon sources can also be used.

原料ガスは、炭素源のほかに、水素のような反応性ガスと、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスの一方又は両方を含んでもよい。   In addition to the carbon source, the source gas may include one or both of a reactive gas such as hydrogen and an inert gas such as helium and argon.

成長室内における原料ガスの全圧は、０．１〜１００ｋＰａ程度でよい。０．１ｋＰａより低い圧力ではカーボンナノチューブの成長速度が低くなり、１００ｋＰａを超えると原料ガスが成長室外に漏れ出す危険がある。原料ガスの全圧は、０．１〜１０ｋＰａがより好ましく、０．３〜１０ｋＰａが更に好ましい。   The total pressure of the source gas in the growth chamber may be about 0.1 to 100 kPa. If the pressure is lower than 0.1 kPa, the growth rate of the carbon nanotubes is lowered, and if it exceeds 100 kPa, the source gas may leak out of the growth chamber. The total pressure of the raw material gas is more preferably 0.1 to 10 kPa, and further preferably 0.3 to 10 kPa.

カーボンナノチューブを成長させる基材表面には、成長反応の触媒となる物質が必要である。触媒としては、遷移金属のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄなどを使用することができ、それらのうちの２種以上のものの合金も使用可能である。そのような触媒となり得る遷移金属と、触媒とならない金属との合金、例えばＦｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｔなどの合金、を用いてもよい。   A substance serving as a catalyst for the growth reaction is required on the surface of the base material on which the carbon nanotubes are grown. As the catalyst, transition metals such as Fe, Ni, Co, and Pd can be used, and alloys of two or more of them can also be used. You may use the alloy of the transition metal which can become such a catalyst, and the metal which cannot become a catalyst, for example, alloys, such as Fe-Pt and Co-Pt.

触媒は、成長基材表面において薄膜を形成してもよく、あるいは基材表面に分散した微粒子であってもよい。微粒子触媒の場合には、微粒子の直径を制御することにより成長するカーボンナノチューブの直径を制御することが可能である。例えば、下記の実施例に示されるように、直径が約７ｎｍ及び４ｎｍの微粒子触媒を使用して、それぞれ直径が約１５ｎｍ及び８ｎｍのカーボンナノチューブを得ることができた。   The catalyst may form a thin film on the growth substrate surface, or may be fine particles dispersed on the substrate surface. In the case of a fine particle catalyst, it is possible to control the diameter of the growing carbon nanotube by controlling the diameter of the fine particle. For example, as shown in the Examples below, carbon nanotubes having a diameter of about 15 nm and 8 nm could be obtained using a particulate catalyst having a diameter of about 7 nm and 4 nm, respectively.

薄膜触媒の形成は、任意の方法で行うことができる。例えば、蒸着やスパッタ法などが使用可能である。薄膜の厚さは任意に選定することができる。一方、微粒子触媒の形成は、レーザーアブレーションや溶液反応などを利用して行うことができる。溶液反応を使用する場合には、形成した微粒子の周りにカーボン等の不純物が付着していることがある。不純物は、一般に５００℃以上の高温で熱処理することにより蒸発して消失するが、この熱処理だけでは不純物を完全に除去できない場合がある。このような場合には、例えば水素などの反応性ガスを使用するアニール処理により、残留不純物を除去することができる。このアニール処理は、成長時の温度圧力条件と同じかあるいはそれらに近い条件で行うことができることから、カーボンナノチューブの成長を始める前に成長室内で行うことができ、そしてそれに続いて同じ成長室内でカーボンナノチューブの成長を行うことができる。   The formation of the thin film catalyst can be performed by any method. For example, vapor deposition or sputtering can be used. The thickness of the thin film can be arbitrarily selected. On the other hand, the fine particle catalyst can be formed by utilizing laser ablation or solution reaction. When solution reaction is used, impurities such as carbon may adhere around the formed fine particles. Impurities generally evaporate and disappear by heat treatment at a high temperature of 500 ° C. or higher, but the impurities may not be completely removed by this heat treatment alone. In such a case, residual impurities can be removed by an annealing process using a reactive gas such as hydrogen. This annealing process can be performed under the same conditions as or close to the temperature and pressure conditions during growth, so that it can be performed in the growth chamber before starting the growth of the carbon nanotubes, and subsequently in the same growth chamber. Carbon nanotubes can be grown.

本発明では、ホットフィラメントの使用によりカーボンナノチューブを比較的低温で配向成長させることができる。本発明の方法によれば、カーボンナノチューブを得るのに基材成長面の温度は６００℃以下で十分であり、５００℃未満の基材成長面温度でも十分である。   In the present invention, carbon nanotubes can be oriented and grown at a relatively low temperature by using hot filaments. According to the method of the present invention, a substrate growth surface temperature of 600 ° C. or lower is sufficient to obtain carbon nanotubes, and a substrate growth surface temperature of less than 500 ° C. is sufficient.

カーボンナノチューブを成長させる基材としては、一例として、シリコンに代表される半導体の基板を用いることができる。上述のように基材表面温度は比較的低くすることができるので、例えばガラス基板などのように従来のＣＶＤ法ではカーボンナノチューブの成長基材として用いることが困難であった材料の基材を採用することも可能である。   As a base material for growing carbon nanotubes, for example, a semiconductor substrate typified by silicon can be used. Since the substrate surface temperature can be made relatively low as described above, a substrate made of a material that has been difficult to use as a growth substrate for carbon nanotubes by conventional CVD methods such as a glass substrate is employed. It is also possible to do.

本発明によりカーボンナノチューブを製造するには、成長基材を収容しそして原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材上にカーボンナノチューブを配向成長させる装置であって、成長室内にホットフィラメントを備えた装置を使用する。   In order to produce carbon nanotubes according to the present invention, a growth base material is accommodated and a raw material gas is supplied to align and grow carbon nanotubes on the base material by a CVD method, which includes a hot filament in the growth chamber. Use equipment.

次に、実施例により本発明を更に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further, this invention is not limited to these examples.

（実施例１）
図２（ａ）に示したように、シリコン基板２０の上に触媒用のＮｉ薄膜２２を蒸着法により形成し、その上に直径２μｍの開口を持つＳｉＮ絶縁膜２４（厚さ５００ｎｍ）を形成した。Ｎｉ薄膜２２の膜厚は任意に決定できるが、ここでは２ｎｍとした。この基板を反応部（真空チャンバ）（図示せず）に導入し、基板温度を５００℃とした。アルゴンとアセチレンを８０対２０の割合で混合した原料ガスを１００ｃｃｍの流量で反応部に供給し、真空ポンプに通じる排気系での制御により反応部の全体ガス圧を１ｋＰａに調整した。基板上にホットフィラメント（レニウム製）を移動し、基板との間隔を約６ｍｍとして、８Ａ程度の電流を流した。これによりホットフィラメント温度は８００℃に上昇する。この状態を１分間維持した後、ホットフィラメントへの通電を停止し、反応部内の残留原料ガスを真空排気して、基板を取り出した。図２（ｂ）に示したように、基板面から垂直方向に約２μｍの長さのカーボンナノチューブ２６が形成された。 Example 1
As shown in FIG. 2A, a catalytic Ni thin film 22 is formed on a silicon substrate 20 by vapor deposition, and a SiN insulating film 24 (thickness 500 nm) having an opening having a diameter of 2 μm is formed thereon. did. The thickness of the Ni thin film 22 can be determined arbitrarily, but here it is 2 nm. This substrate was introduced into a reaction part (vacuum chamber) (not shown), and the substrate temperature was set to 500 ° C. A raw material gas in which argon and acetylene were mixed at a ratio of 80:20 was supplied to the reaction section at a flow rate of 100 ccm, and the total gas pressure in the reaction section was adjusted to 1 kPa by control in an exhaust system that led to a vacuum pump. A hot filament (manufactured by rhenium) was moved onto the substrate, and a current of about 8 A was passed with the distance from the substrate being about 6 mm. As a result, the hot filament temperature rises to 800 ° C. After maintaining this state for 1 minute, energization of the hot filament was stopped, the residual raw material gas in the reaction part was evacuated, and the substrate was taken out. As shown in FIG. 2B, carbon nanotubes 26 having a length of about 2 μm were formed in the vertical direction from the substrate surface.

（実施例２）
図３（ａ）に示したように、シリコン基板３０上に形成したＳｉＮ絶縁膜３４（厚さ５００ｎｍ）の直径２μｍの開口内に、レーザーアブレーション法により直径７ｎｍのＦｅ微粒子膜３２を形成した。この基板を反応部に導入して基板温度を４００℃とした。アルゴンとアセチレンと水素を２４対６対７０の割合で混合した原料ガスを反応部に供給し、反応部の全体圧力を１．３ｋＰａに調整した。基板上に移動したホットフィラメントに０．７Ａ程度通電して、フィラメント温度を４００℃程度にした。この状態を１５分間維持した後通電を停止し、反応部内の残留原料ガスを排気してから基板を取り出した。図３（ｂ）に示したように、基板面から垂直方向に長さ約２μｍ、直径約１５ｎｍのカーボンナノチューブ３６が形成された。 (Example 2)
As shown in FIG. 3A, an Fe fine particle film 32 having a diameter of 7 nm was formed in a 2 μm diameter opening of a SiN insulating film 34 (thickness 500 nm) formed on the silicon substrate 30 by a laser ablation method. This substrate was introduced into the reaction section, and the substrate temperature was set to 400 ° C. A raw material gas in which argon, acetylene, and hydrogen were mixed at a ratio of 24: 6: 70 was supplied to the reaction section, and the total pressure in the reaction section was adjusted to 1.3 kPa. The hot filament moved onto the substrate was energized by about 0.7 A to bring the filament temperature to about 400 ° C. After maintaining this state for 15 minutes, the energization was stopped and the substrate was taken out after exhausting the residual raw material gas in the reaction section. As shown in FIG. 3B, carbon nanotubes 36 having a length of about 2 μm and a diameter of about 15 nm were formed in the vertical direction from the substrate surface.

（実施例３）
図４（ａ）に示したように、ガラス基板４０上に溶液反応法により直径４ｎｍ程度のＦｅＰｔ微粒子の膜４２を形成した。溶液反応であるため、ＦｅＰｔ微粒子の周りはカーボン等の不純物で覆われている。通常５００℃以上の熱処理でほとんどの不純物は蒸発してなくなるが、ＦｅＰｔ微粒子をカーボンナノチューブ成長用の触媒として使用するのには、それだけでは十分でない。そこで、反応部に基板を入れてから水素を導入して圧力を１ｋＰａに制御し、５００℃でアニール処理して、ＦｅＰｔ微粒子を完全にクリーニングした。 (Example 3)
As shown in FIG. 4A, a film 42 of FePt fine particles having a diameter of about 4 nm was formed on a glass substrate 40 by a solution reaction method. Since it is a solution reaction, the periphery of the FePt fine particles is covered with impurities such as carbon. Usually, most impurities are not evaporated by heat treatment at 500 ° C. or higher, but it is not sufficient to use FePt fine particles as a catalyst for growing carbon nanotubes. Therefore, after introducing the substrate into the reaction part, hydrogen was introduced to control the pressure to 1 kPa, and annealing treatment was performed at 500 ° C. to completely clean the FePt fine particles.

次に、水素とアセチレンとアルゴンの９５対１対４の混合ガスを反応部に供給し、反応部の全体圧力を１ｋＰａに設定した。５００℃に加熱した基板上に移動したホットフィラメントに１０Ａ通電して１０分間維持した。図４（ｂ）に示したように、基板面から垂直方向に長さ約２μｍ、直径約８ｎｍのカーボンナノチューブ４４が形成された。   Next, a 95: 1 to 4 mixed gas of hydrogen, acetylene, and argon was supplied to the reaction part, and the total pressure in the reaction part was set to 1 kPa. The hot filament moved onto the substrate heated to 500 ° C. was energized with 10 A and maintained for 10 minutes. As shown in FIG. 4B, carbon nanotubes 44 having a length of about 2 μm and a diameter of about 8 nm were formed in the vertical direction from the substrate surface.

本発明は、以上説明したとおりであるが、その特徴を種々の態様ととも付記すれば、次のとおりである。
（付記１）原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる方法であって、
成長室内に遷移金属を含む触媒の形成された基材を配置する工程と、
前記成長室内に配置したフィラメントを４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ成長方法。
（付記２）前記フィラメントとしてレニウム製又はレニウムを主成分とする材料製のフィラメントを使用する、付記１記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記３）成長室内における前記原料ガスの全圧を０．１〜１００ｋＰａとする、付記１又は２記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記４）基材表面に形成した薄膜又は微粒子状のカーボンナノチューブ成長触媒を使用する、付記１から３までのいずれか一つに記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記５）前記触媒として前記微粒子状の触媒を使用し、その直径により成長するカーボンナノチューブの直径を制御する、付記４記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記６）カーボンナノチューブの成長前に、前記基材上に形成した前記微粒子状の触媒を前記成長室内において反応性ガスの存在下でアニール処理して、微粒子状触媒から不純物を除去する、付記５記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記７）前記触媒が、カーボンナノチューブ成長触媒となり得る遷移金属のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ又はそれらの２種以上の合金である、付記４から６までのいずれか一つに記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記８）前記触媒がカーボンナノチューブ成長触媒となり得る遷移金属と触媒とならない金属との合金である、付記４から６までのいずれか一つに記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記９）前記合金がＦｅ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｐｔ合金である、付記８記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記１０）カーボンナノチューブ成長時に前記フィラメントと前記基材の一方又は両方を相対的に移動させる、付記１から９までのいずれか一つに記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記１１）前記基材が半導体又はガラス基板である、付記１から１０までのいずれか一つに記載のカーボンナノチューブ成長方法。
（付記１２）原料ガスを供給してＣＶＤ法により半導体基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる半導体装置の製造方法であって、
成長室内に遷移金属を含む触媒の形成された半導体基板を配置する工程と、
前記成長室内に配置したフィラメントを４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 The present invention is as described above. The features of the present invention are described as follows along with various aspects.
(Appendix 1) A method of supplying a source gas and orienting carbon nanotubes in a vertical direction on a substrate by a CVD method,
Disposing a substrate on which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber;
Heating the filament disposed in the growth chamber to 400 to 600 ° C. to grow carbon nanotubes without using any electric field or plasma;
A carbon nanotube growth method comprising:
(Supplementary note 2) The carbon nanotube growth method according to supplementary note 1, wherein a filament made of rhenium or a material mainly composed of rhenium is used as the filament.
(Additional remark 3) The carbon nanotube growth method of Additional remark 1 or 2 which sets the total pressure of the said source gas in a growth chamber to 0.1-100 kPa.
(Additional remark 4) The carbon nanotube growth method as described in any one of Additional remark 1 to 3 using the thin film or fine particle-like carbon nanotube growth catalyst formed in the base-material surface.
(Supplementary note 5) The carbon nanotube growth method according to supplementary note 4, wherein the catalyst in the form of fine particles is used as the catalyst, and the diameter of the carbon nanotubes to be grown is controlled by the diameter.
(Appendix 6) Prior to the growth of carbon nanotubes, the particulate catalyst formed on the substrate is annealed in the presence of a reactive gas in the growth chamber to remove impurities from the particulate catalyst. 5. The carbon nanotube growth method according to 5.
(Appendix 7) The carbon nanotube according to any one of appendices 4 to 6, wherein the catalyst is a transition metal Fe, Ni, Co, Pd or an alloy of two or more thereof that can be a carbon nanotube growth catalyst. Growth method.
(Supplementary note 8) The carbon nanotube growth method according to any one of supplementary notes 4 to 6, wherein the catalyst is an alloy of a transition metal that can be a carbon nanotube growth catalyst and a metal that cannot be a catalyst.
(Supplementary note 9) The carbon nanotube growth method according to supplementary note 8, wherein the alloy is an Fe-Pt or Co-Pt alloy.
(Supplementary note 10) The carbon nanotube growth method according to any one of supplementary notes 1 to 9, wherein one or both of the filament and the base material are relatively moved during carbon nanotube growth.
(Additional remark 11) The carbon nanotube growth method as described in any one of additional remark 1 to 10 whose said base material is a semiconductor or a glass substrate.
(Supplementary note 12) A method for manufacturing a semiconductor device, in which a raw material gas is supplied and carbon nanotubes are vertically aligned on a semiconductor substrate by a CVD method,
Placing a semiconductor substrate on which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber;
Heating the filament disposed in the growth chamber to 400 to 600 ° C. to grow carbon nanotubes without using any electric field or plasma;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

以上説明したように、本発明によれば、これまで使用されてきた電界あるいはプラズマ等の補助的手段に頼ることなく、低温で基材上に配向成長したカーボンナノチューブを得ることができる。   As described above, according to the present invention, carbon nanotubes oriented and grown on a substrate at a low temperature can be obtained without relying on auxiliary means such as an electric field or plasma that have been used so far.

本発明のカーボンナノチューブ成長方法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the carbon nanotube growth method of this invention. 実施例１のカーボンナノチューブの成長を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the growth of carbon nanotubes in Example 1. 実施例２のカーボンナノチューブの成長を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the growth of carbon nanotubes in Example 2. 実施例３のカーボンナノチューブの成長を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the growth of carbon nanotubes in Example 3.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 真空チャンバ
１２ ホットフィラメント
１４ 成長基材
１６ 基材ステージ
２０、３０ シリコン基板
２２ Ｎｉ薄膜
２４、３４ ＳｉＮ絶縁膜
２６、３６、４４ カーボンナノチューブ
３２ Ｆｅ微粒子膜
４０ ガラス基板
４２ ＦｅＰｔ微粒子膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum chamber 12 Hot filament 14 Growth base material 16 Base material stage 20, 30 Silicon substrate 22 Ni thin film 24, 34 SiN insulating film 26, 36, 44 Carbon nanotube 32 Fe fine particle film 40 Glass substrate 42 FePt fine particle film

Claims (4)

原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる方法であって、
成長室内に遷移金属を含む触媒の形成された基材を配置する工程と、
前記成長室内に配置したフィラメントを４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ成長方法。 A method of supplying a source gas and orienting carbon nanotubes in a vertical direction on a substrate by a CVD method,
Disposing a substrate on which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber;
Heating the filament disposed in the growth chamber to 400 to 600 ° C. to grow carbon nanotubes without using any electric field or plasma;
A carbon nanotube growth method comprising: カーボンナノチューブ成長時の原料ガスとしてアルゴン、アセチレンを少なくとも含む、請求項１記載のカーボンナノチューブ成長方法。   The method for growing carbon nanotubes according to claim 1, comprising at least argon and acetylene as a raw material gas at the time of carbon nanotube growth. 前記触媒として微粒子状の触媒を使用し、その直径により成長するカーボンナノチューブの直径を制御する、請求項１又は２記載のカーボンナノチューブ成長方法。   The carbon nanotube growth method according to claim 1 or 2, wherein a fine particle catalyst is used as the catalyst, and the diameter of the carbon nanotube grown is controlled by the diameter. 原料ガスを供給してＣＶＤ法により半導体基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる半導体装置の製造方法であって、
成長室内に遷移金属を含む触媒の形成された半導体基板を配置する工程と、
前記成長室内に配置したフィラメントを４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device in which a raw material gas is supplied and carbon nanotubes are vertically aligned on a semiconductor substrate by a CVD method,
Placing a semiconductor substrate on which a catalyst containing a transition metal is formed in a growth chamber;
Heating the filament disposed in the growth chamber to 400 to 600 ° C. to grow carbon nanotubes without using any electric field or plasma;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

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