JP2007278720A - 位置検出装置及びシフト装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡素な構成にて任意の複数箇所における被検出体の位置検出が可能な位置検出装置を提供すること。
【解決手段】磁気センサモジュール１１は、同一の基板１５に実装されるとともに被検出体であるシフトレバーに設けられたマグネットにより形成される磁束の方向に応じて出力レベルが変化する複数のセンサエレメント１６を備える。各センサエレメント１６は、２つを一組としてフルブリッジ回路を形成する複数のエレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）を構成し、それぞれ「０」又は「１」の値を有する複数の二値化信号を出力する。そして、コントローラは、各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）が出力する二値化信号の組み合わせに基づいて、マグネットが設けられたシフトレバーの位置を検出し、これにより同シフトレバーに入力されたシフト操作を検知する。
【選択図】図５

Description

本発明は、位置検出装置及びシフト装置に関するものである。

従来、シフト装置には、変速機の接続状態を切り替えるための複数のシフトモードを有するものがある。例えば、特許文献１に記載のシフト装置は、自動変速機の各ポジション（Ｄ：ドライブやＲ：リバース等）の切替が可能な通常モードと、各段の変速ギヤをシーケンシャル（段階的）に切替可能なマニュアルモードとの２つのシフトモードを備えている。そして、そのシフトパターンは、これら両シフトモード及びその切替に対応するＨ型に設定されている。

即ち、このシフト装置において、シフトレバーの配置されたシフトゲートは、上記二つのシフトモードに対応するとともに略平行に延びる第１及び第２ゲートと、これらと直交する第３ゲートとにより形成されており、シフトレバーは、これら各ゲートに沿って移動可能に設けられている。そして、第１及び第２ゲートに沿ったシフトレバーの移動及びその位置を検出することにより、対応する各シフトモードにおけるシフト操作を検知し、第３ゲートに沿ったシフトレバーの移動を検知することにより、両シフトモード間を切り替えるセレクト操作を検知するように構成されている。

また、このシフト装置では、非接触式センサを用いてシフトレバーの位置検出を行うことにより、その高い信頼性を確保するとともにセンサ数を抑えて低コスト化を図るように構成されている。具体的には、このシフト装置は、シフトレバーと連結されそのシフト操作により第１及び第２ゲートの延伸方向に揺動する第１揺動部材と、そのセレクト操作により第３ゲートの延伸方向に揺動する第２揺動部材と、これら第１及び第２揺動部材の揺動をそれぞれ検出する二つの非接触式の回転検出（位置検出）センサとを備えている。そして、第１部材の揺動を検出することにより各シフトモードにおけるシフト操作を検知し、第２部材の揺動を検出することにより上記セレクト操作を検知するように構成されている。
特開２００３−１５４８６９号公報

しかしながら、上記従来の構成では、複雑な機械的構成を必要とするため、そのコスト低減効果は限定的であり、且つ小型化も困難である。加えて、上記従来例のような通常の位置検出センサを用いる限り、シフトレバーの移動方向につき一つ、少なくとも二つのセンサモジュールが必要となるため、現実的に対応可能なシフトパターンが限られてしまうといった課題もある。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、簡素な構成にて任意の複数箇所における被検出体の位置検出が可能な位置検出装置及びそれを用いたシフト装置を提供することにある。

上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、同一平面上に配設されるとともに被検出体により形成される磁束の方向に応じて出力レベルが変化する複数のセンサエレメントと、前記各センサエレメントの出力レベルに基づき生成された複数の二値化信号の組み合わせに基づいて前記被検出体の位置を検出する検出手段と、を備えた位置検出装置であることを要旨とする。

上記構成によれば、複雑な機械的構成なしに複数位置の検出が可能であり、且つ各センサエレメントを一のセンサモジュールに実装することが可能である。従って、簡素な構成にて、平面上を移動する非検出体の位置を検出することができ、これにより小型化及び低コスト化を図ることができる。そして、各センサエレメントの配置を変更することで、多種多様な検出パターンに対応することができる。加えて、非接触且つ可動部の少ない構成であることから高い信頼性を確保することができる。

請求項２に記載の発明は、前記各センサエレメントは、磁気抵抗素子を用いたブリッジ回路を備えてなること、を要旨とする。
上記構成によれば、簡素な構成にて、磁束方向に応じて出力レベルが変化するセンサエレメントを形成することができる。

請求項３に記載の発明は、前記被検出体には、磁束を形成するための磁性体が設けられること、を要旨とする。
上記構成によれば、被検出体の位置に応じて、各センサエレメントの配設された平面上の磁束方向を変化させることができる。

請求項４に記載の発明は、前記各センサエレメントが配設された平面を挟む位置において前記被検出体に設けられた磁性体と対をなす第２の磁性体を備えること、を要旨とする。

上記構成によれば、各センサエレメントを貫く磁束を強化して、より高精度の検出を行うことができる。
請求項５に記載の発明は、前記被検出体は、前記各センサエレメントが配設された平面と平行する平面上に設定された複数の所定位置間を移動可能に設けられ、前記各センサエレメントは、前記二値化信号の組合せが前記各所定位置に対応する特徴を有するように前記配設されること、を要旨とする。

上記構成によれば、より精度良く、設定された所定位置における位置検出が可能になる。
請求項６に記載の発明は、シフトレバーと、前記シフトレバーを被検出体とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の位置検出装置と、前記シフトレバーの検出位置に基づき入力されたシフト操作を検知する検知手段と、を備えたシフト装置であることを要旨とする。

上記構成によれば、構成簡素、小型且つ低コストにて、多種多様なシフトパターンに対応可能なシフト装置を提供することができる。

本発明によれば、簡素な構成にて任意の複数箇所における被検出体の位置検出が可能な位置検出装置及びそれを用いたシフト装置を提供することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１に示すように、本実施形態のシフト装置１は、図示しない変速機の接続状態を切り替えるためのシフト操作が入力されるシフトレバー２と、該シフトレバー２の位置検出を行うことにより入力されたシフト操作を検知する検知装置３とを備えている。

本実施形態では、シフト装置１は、変形Ｈ型（ｈ型）のシフトゲート４を有するシフトパネル５を備えており、シフトレバー２は、そのシフトゲート４に沿って、同シフトゲート４内の複数箇所に設定された各ポジションＡ〜Ｆ（後述するポジションＤを除く）間を移動可能に設けられている。尚、本実施形態では、シフトパネル５は、センターコンソールやインストルメントパネル等、図示しない運転席近傍の意匠面Ｌに設けられている。そして、検知装置３は、シフトパネル５の背面側、上記意匠面Ｌの内側に設けられている。

図２に示すように、シフトゲート４は、略平行に延びる第１及び第２ゲート７，８と、これら第１及び第２ゲート７，８間を接続する第３ゲート９とからなり、同図中左側に位置する第１ゲート７は、第２ゲート８の約半分程度の長手方向長さを有している。そして、第３ゲート９は、第１ゲート７の同図中上側の一端から同第１ゲート７と略直交する方向に延設され、第２ゲート８の略中央部分において同第２ゲート８に接続されている。

本実施形態では、第２ゲート８の同図中上側の端部「２Ｈ」がポジションＡ、その約中央部に位置する第３ゲート９との接続点「２Ｍ」がポジションＢ、同図中下側の端部「２Ｌ」がポジションＣに設定されている。また、第１ゲート７の同図中上側の端部、第３ゲート９との接続点「１Ｍ」がポジションＥ、同図中下側の端部「１Ｌ」がポジションＦに設定されている。尚、本実施形態では、ポジションＥは、ホームポジションとして設定されており、シフトレバー２は、シフト操作により同ポジションＥから各ポジションＡ〜Ｃ，Ｆへ移動した後、再びホームポジションであるポジションＥに復帰するように構成されている。そして、検知装置３は、シフトレバー２が各ポジションＡ〜Ｆの何れにあるかの位置検出を行うことによりシフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する。

また、上記のように、本実施形態のシフトゲート４は、第１ゲート７は第２ゲート８よりも短く設定されており、同第１ゲート７には、第２ゲート８のポジションＡ「２Ｈ」に相当するシフトポジション、即ち図２中仮想線に示すポジションＤ「１Ｈ」は設定されていない。しかしながら、検知装置３自体は、このポジションＤにおける位置検出も可能に構成されている。このため、以下の説明においては、このポジションＤについても他のポジションと同様に言及することとする。

図３及び図４に示すように、検知装置３は、被検出体としてのシフトレバー２に設けられたマグネット１０と、該マグネット１０が形成する磁束の変化を検出するための磁気センサモジュール１１と、該磁気センサモジュール１１の信号出力に基づきシフトレバー２の位置を検出することにより同シフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する検出手段及び検知手段としてのコントローラ１２とを備えている。

本実施形態では、マグネット１０は、シフトゲート４に挿通されたシフトレバー２の基端部に固定されており、シフトレバー２の移動に伴いシフトパネル５の裏側を移動する（図１参照）。また、略平板状に形成された磁気センサモジュール１１は、このマグネット１０の移動平面Ｑ（図３中の仮想線に示すマグネット１０の移動軌跡を含む平面）よりも下方（図３中下側、反シフトレバー側）において同移動平面Ｑと平行に設けられている。具体的には、磁気センサモジュール１１は、第３ゲート９の下方、第１ゲート７と第２ゲート８との中間点、即ちＨ型シフトパターンの略中央に相当する位置に配置されている。そして、本実施形態では、磁気センサモジュール１１よりも更に下方、同磁気センサモジュール１１を挟む位置には、シフトレバー２に設けられたマグネット１０と対をなし、その間に磁束を形成するカウンタマグネット１３が設けられている。

図５に示すように、本実施形態の磁気センサモジュール１１は、略正方形状の実装面Ｒを有する基板１５と、同基板１５上に実装されるとともに、マグネット１０（及びカウンタマグネット１３）により形成される磁束の方向に応じて出力レベルが変化する複数のセンサエレメント１６（１６ａ〜１６ｊ）とを備えてなる。

図６（ａ）（ｂ）に示すように、本実施形態では、各センサエレメント１６は、基板１５上に所定の挟み角（９０°）をなして配置された一対の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）１７ａ，１７ｂを接続してなるブリッジ回路（ハーフブリッジ回路）１８により構成されている。即ち、磁気抵抗素子は、同磁気抵抗素子を貫く磁束の方向が電流方向と平行に近いほど、その抵抗値が高くなる。従って、ブリッジ回路１８の出力端子Ｐoutにおける出力電圧（中間電位）は、基板１５上、センサエレメント１６としてブリッジ回路１８が配置された位置における磁束方向が接地側の磁気抵抗素子１７ｂと平行する方向に近いほど高くなり、その磁束方向が電源側の磁気抵抗素子１７ａと平行する方向に近いほど低くなる（図７参照）。

本実施形態の磁気センサモジュール１１では、２つのセンサエレメント１６を一組としたエレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）により５組のフルブリッジ回路が形成されている。そして、各エレメント対Ｔは、該各エレメント対Ｔを構成する二つのセンサエレメント１６の出力電圧をコンパレータ（図示略）に入力することにより、「０」又は「１」の値を有する複数の二値化信号Ｓを生成するように構成されている。尚、本実施形態では、両者の出力電圧差が「負」である場合に「０」の値を有する二値化信号Ｓが生成されるようになっている。

具体的には、図５に示すように、各センサエレメント１６は、略正方形状をなす実装面Ｒの周縁、その各コーナー部１５ｒ_a〜１５ｒ_d及び各辺１５ｓ_a〜１５ｓ_dの中間部に設けられており、特に第１及び第２ゲート７，８側に位置する辺１５ｓ_a，１５ｓ_cの中間部には、それぞれ二つのセンサエレメント１６が設けられている。

本実施形態では、ポジションＡ方向のコーナー部１５ｒ_aに設けられたセンサエレメント１６ａと第２ゲート８側に位置する辺１５ｓ_aの中間部に設けられた一方のセンサエレメント１６ｂとにより第１エレメント対Ｔ１が、同中間部に設けられた他方のセンサエレメント１６ｃと、ポジションＣ方向のコーナー部１５ｒ_bに設けられたセンサエレメント１６ｄとにより第２エレメント対Ｔ２が形成されている。また、ポジションＤ方向のコーナー部１５ｒ_dに設けられたセンサエレメント１６ｅと第１ゲート７側に位置する辺１５ｓ_cの中間部に設けられた一方のセンサエレメント１６ｆにより第３エレメント対Ｔ３が、同中間部に設けられた他方のセンサエレメント１６ｇと、ポジションＦ方向のコーナー部１５ｒ_cに設けられたセンサエレメント１６ｈとにより第４エレメント対Ｔ４が形成されている。そして、辺１５ｓ_b，１５ｓ_dの各中間部に設けられたセンサエレメント１６ｉ，１６ｊにより第５エレメント対Ｔ５が形成されている。

本実施形態では、各センサエレメント１６は、それぞれが構成する各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）の出力する二値化信号Ｓ１〜Ｓ５の組合せが、図８に示すような各ポジションＡ（２Ｈ）〜Ｆ（１Ｆ）に応じた特徴を有するように、その配置角度（及び対をなすセンサエレメント１６との接続）が設定されている。

即ち、図９（ａ）〜（ｆ）に示すように、各センサエレメント１６が配設された基板１５の実装面Ｒを含む平面の磁束分布は、シフトレバー２の移動に伴い移動平面Ｑを移動するマグネット１０の存在位置、即ちシフトポジション毎に変化し、これにより各センサエレメント１６の配設位置における磁束方向も変化する。そして、図８に示すように、本実施形態では、第１及び第３エレメント対Ｔ１，Ｔ３は、シフトレバー２がポジションＡ，Ｄにある場合に、その出力する各二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」となるように構成されている。同様に、第２及び第４エレメント対Ｔ２，Ｔ４は、ポジションＣ，Ｆにある場合に、その出力する各二値化信号Ｓ２，Ｓ４が「１」となるように構成され、第５エレメント対Ｔ５は、シフトレバー２が第１ゲート７にある場合に、その出力する二値化信号Ｓ５が「１」となるように構成されている。

そして、コントローラ１２は、磁気センサモジュール１１の信号出力として入力される各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）の出力信号、即ち二値化信号Ｓ１〜Ｓ５の組み合わせに基づいて、マグネット１０が設けられたシフトレバー２の位置を検出し、これにより同シフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する。

例えば、各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）の出力する二値化信号Ｓ１〜Ｓ５のうち、第５エレメント対Ｔ５が出力する二値化信号Ｓ５のみが「１」となるのは、シフトレバー２がホームポジションであるポジションＥ（１Ｍ）にある場合のみである。従って、二値化信号Ｓ５のみが「１」である場合には、シフトレバー２がポジションＥにある、即ちシフト操作の入力がないと判定することができる。同様に、第１及び第３エレメント対Ｔ１，Ｔ３の出力する二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」、第２及び第４エレメント対Ｔ２，Ｔ４、並びに第５エレメント対Ｔ５の出力する二値化信号Ｓ２，Ｓ４，Ｓ５が「０」となる組み合わせは、シフトレバー２がポジションＡ（２Ｈ）にある場合のみである。従って、このような組み合わせの場合には、シフトレバー２がポジションＡにあると判定することができる。

尚、第１エレメント対Ｔ１と第３エレメント対Ｔ３、及び第２エレメント対Ｔ２と第４エレメント対Ｔ４は、それぞれ互いに同様の信号出力パターンを有しているが、これは、二値化信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４を生成する際、その出力電圧差が小さいポジション（同図中「（０）」に示すポジション）を相互に補完して判定精度の向上を図るためである。

次に、コントローラによる位置検出の処理手順について説明する。
図１０のフローチャートに示すように、コントローラ１２は、先ず第５エレメント対Ｔ５の出力する二値化信号Ｓ５が「１」であるか否かを判定し（ステップ１０１）、その値が「１」である場合（ステップ１０１：ＹＥＳ）には、続いて第１及び第３エレメント対Ｔ１，Ｔ３の出力する二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」であるか否かを判定する（ステップ１０２）。

次に、このステップ１０２において、二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「０」である場合（ステップ１０２：ＮＯ）、コントローラ１２は、続いて第２及び第４エレメント対Ｔ２，Ｔ４の出力する二値化信号Ｓ２，Ｓ４が「１」であるか否かを判定する（ステップ１０３）。そして、二値化信号Ｓ２，Ｓ４が「１」である場合（ステップ１０３：ＹＥＳ）には、シフトレバー２がポジションＦ（１Ｌ）にあると判定し（ステップ１０４）、その値が「０」である場合（ステップ１０３：ＮＯ）には、シフトレバー２がポジションＥ（１Ｍ）にあるものと判定する（ステップ１０５）。尚、本実施形態のシフト装置１では取り得ないが、ステップ１０２において二値化信号Ｓ５が「１」であると判定した場合（ステップ１０２：ＹＥＳ）、シフトレバー２はポジションＤ（１Ｈ）にあるものと判定する（ステップ１０６）。

また、上記ステップ１０１において、二値化信号Ｓ５が「０」であると判定した場合（ステップ１０１：ＮＯ）、コントローラ１２は、続いて第１及び第３エレメント対Ｔ１，Ｔ３の出力する二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」であるか否かを判定する（ステップ１０７）。そして、二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」である場合（ステップ１０７：ＹＥＳ）には、シフトレバー２がポジションＡ（２Ｈ）にあるものと判定する（ステップ１０８）。

一方、上記ステップ１０７において、二値化信号Ｓ１，Ｓ３が「１」である場合（ステップ１０７：ＮＯ）、コントローラ１２は、続いて第２及び第４エレメント対Ｔ２，Ｔ４の出力する二値化信号Ｓ２，Ｓ４が「１」であるか否かを判定する（ステップ１０９）。そして、二値化信号Ｓ２，Ｓ４が「１」である場合（ステップ１０９：ＹＥＳ）には、シフトレバー２がポジションＣ（２Ｌ）にあると判定し（ステップ１１０）、その値が「０」である場合（ステップ１０９：ＮＯ）には、シフトレバー２がポジションＢ（２Ｍ）にあるものと判定する（ステップ１１１）。

以上、本実施形態によれば、以下のような作用・効果を得ることができる。
（１）磁気センサモジュール１１は、同一の基板１５に実装されるとともに被検出体であるシフトレバー２に設けられたマグネット１０により形成される磁束の方向に応じて出力レベルが変化する複数のセンサエレメント１６を備える。各センサエレメント１６は、２つを一組としてフルブリッジ回路を形成することにより複数のエレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）を構成し、それぞれ「０」又は「１」の値を有する二値化信号Ｓを出力する。そして、コントローラ１２は、各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）が出力する二値化信号Ｓ（Ｓ１〜Ｓ５）の組み合わせに基づいて、マグネット１０が設けられたシフトレバー２の位置を検出し、これにより同シフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する。

上記構成によれば、一の磁気センサモジュール１１にて、複数位置の検出が可能であり、且つ複雑な機械的構成も必要としない。従って、簡素な構成にて、平面上を移動する非検出体（シフトレバー）の位置を検出することができ、これにより製品の小型化及び低コスト化を図ることができる。加えて、非接触且つ可動部の少ない構成であることから高い信頼性を確保することができる。

（２）各センサエレメント１６は、基板１５上に所定の挟み角（９０°）をなして配置された一対の磁気抵抗素子１７ａ，１７ｂを接続してなるブリッジ回路（ハーフブリッジ回路）１８により構成される。このような構成とすれば、簡素な構成にて、磁束方向に応じて出力レベルが変化するセンサエレメント１６を形成することができる。

（３）被検出体であるシフトレバー２にはマグネット１０が設けられる。これにより、シフトレバー２の位置に応じて、各センサエレメント１６の配設された基板１５上の磁束方向を変化させることができる。

（４）マグネット１０との間に磁気センサモジュール１１を挟む位置には、同マグネット１０と対をなすカウンタマグネット１３が設けられる。これにより、各センサエレメント１６を貫く磁束を強化して、より高精度の検出を行うことができる。

（５）各センサエレメント１６は、それぞれが構成する各エレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）の出力する二値化信号Ｓ１〜Ｓ５の組合せが、各ポジションＡ（２Ｈ）〜Ｆ（１Ｆ）に応じた特徴を有するように、その配置角度（及び対をなすセンサエレメント１６との接続）が設定される。このような構成とすれば、より精度良く各シフトポジションにおける位置検出が可能になる。

なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・本実施形態では、シフトレバー２には磁性体としてマグネット１０が設けられ、マグネット１０との間に磁気センサモジュール１１を挟む位置には、同マグネット１０と対をなす第２の磁性体としてカウンタマグネット１３が設けられることとした。しかし、これに限らず、両磁性体のうち何れか一方のみをマグネットとし、他方は鉄等としてもよい。さらに、シフトレバー２にマグネットを設けた場合には、第２の磁性体は設けなくともよい。

・本実施形態では、シフト装置１は、変形Ｈ型（ｈ型）のシフトパターンを有することとした。しかし、これに限らず、Ｈ型シフトパターンのものに適用してもよく、更により複雑なシフトパターンに適用してもよい。尚、Ｈ型シフトパターンについては、本実施形態の構成がそのまま適用可能であり、他のシフトパターンには、その設定された検出位置に対応するように各センサエレメント１６を配置すればよい。

・本実施形態では、２つのセンサエレメント１６を一組としたエレメント対Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）により５組のフルブリッジ回路を形成し、これら各エレメント対Ｔを構成する二つのセンサエレメント１６の出力電圧をコンパレータに入力することにより、「０」又は「１」の値を有する複数の二値化信号Ｓを生成するように構成した。しかし、これに限らず、各センサエレメント１６の出力を閾値と比較することにより二値化信号Ｓを生成する構成としてもよい。

・本実施形態では、第１エレメント対Ｔ１及び第２エレメント対Ｔ２に加え、これらと同様の信号出力パターンを有する第３エレメント対Ｔ３及び第４エレメント対Ｔ４を設けることにより、二値化信号を生成する際の出力電圧差が小さいポジション（同図中「（０）」に示すポジション）を相互に補完して判定精度の向上を図ることとした。しかし、本実施形態のようなＨ型シフトパターンの位置検出については、第３エレメント対Ｔ３及び第４エレメント対Ｔ４（又は第１エレメント対Ｔ１及び第２エレメント対Ｔ２）を設けなくとも可能である。

・センサエレメント１６に用いる磁気抵抗素子（ＭＲＥ）は、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetic Resistance）でもＧＭＲ（Giant Magnetic Resistance）でもよい。また、磁束方向に応じて出力レベルが変化する構成であれば、その他、ホール素子等を用いてもよい。

・本実施形態では、磁気センサモジュール１１は、第３ゲート９の下方、第１ゲート７と第２ゲート８との中間点、即ちＨ型シフトパターンの中央に相当する位置に配置されることとしたが、その配置位置はこれに限るものではない。

シフト装置の概略構成図。 シフトゲートとシフトポジションとの関係を概略的に示す模式図。 検知装置の概略構成を示す斜視図。 検知装置の概略構成を示す模式図。 磁気センサモジュールの構成及び各センサエレメントの配置を示す模式図。 （ａ）（ｂ）センサエレメントの概略構成図。 磁束方向とセンサエレメントの出力レベルとの関係を示すグラフ。 シフトポジションと各エレメント対の出力との関係を示す説明図。 （ａ）〜（ｆ）シフトポジションと各センサエレメントの実装面を含む平面における磁束分布の関係を示す説明図。 位置検出の処理手順を示すフローチャート。

符号の説明

１…シフト装置、２…シフトレバー、３…検知装置、４…シフトゲート、７…第１ゲート、８…第２ゲート、９…第３ゲート、１０…マグネット、１１…磁気センサモジュール、１２…コントローラ、１３…カウンタマグネット、１５…基板、１６（１６ａ〜１６ｊ）…センサエレメント、１７ａ，１７ｂ…磁気抵抗素子、１８…ブリッジ回路、Ｔ（Ｔ１〜Ｔ５）…エレメント対、Ａ〜Ｆ…ポジション、Ｓ（Ｓ１〜Ｓ５）…二値化信号、Ｑ…移動平面、Ｒ…実装面。

Claims (6)

1. 同一平面上に配設されるとともに被検出体により形成される磁束の方向に応じて出力レベルが変化する複数のセンサエレメントと、
   前記各センサエレメントの出力レベルに基づき生成された複数の二値化信号の組み合わせに基づいて前記被検出体の位置を検出する検出手段と、を備えた位置検出装置。
2. 請求項１に記載の位置検出装置において、
   前記各センサエレメントは、磁気抵抗素子を用いたブリッジ回路を備えてなること、
   を備えた位置検出装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の位置検出装置において、
   前記被検出体には、磁束を形成するための磁性体が設けられること、
   を特徴とする位置検出装置。
4. 請求項３に記載の位置検出装置において、
   前記各センサエレメントが配設された平面を挟む位置において前記被検出体に設けられた磁性体と対をなす第２の磁性体を備えること、を特徴とする位置検出装置。
5. 請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の位置検出装置において、
   前記被検出体は、前記各センサエレメントが配設された平面と平行する平面上に設定された複数の所定位置間を移動可能に設けられ、
   前記各センサエレメントは、前記二値化信号の組合せが前記各所定位置に対応する特徴を有するように前記配設されること、を特徴とする位置検出装置。
6. シフトレバーと、
   前記シフトレバーを被検出体とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の位置検出装置と、
   前記シフトレバーの検出位置に基づき入力されたシフト操作を検知する検知手段と、
   を備えたシフト装置。

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