JP2007262257A - ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 - Google Patents
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Abstract
Description
低比誘電率の材料としては、アンモニアの存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子とアルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物からなる組成物(特開平5−263045号公報、特開平5−315319号公報)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物をアンモニアの存在下で縮合することにより得られた塗布液(特開平11−340219号公報、特開平11−340220号公報)が提案されている。しかしながら、これらの方法で得られる材料は、反応の生成物の性質が安定せず、塗膜の比誘電率、クラック耐性、機械的強度、密着性などのバラツキも大きいため、工業的生産には不向きであった。
本発明の目的は、ポリマーを構成するSi原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供することにある。
前記ポリマーの製造方法において、前記共縮合を、酸性触媒、塩基性触媒、または金属キレート触媒の存在下で行なうことができる。
本発明のポリマーは、前記ポリマーの製造方法によって得られる。
本発明の絶縁膜形成用組成物は、前記ポリマーおよび有機溶剤を含有する。
本発明の絶縁膜の製造方法は、前記絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、30〜450℃に加熱することを含む。
本発明の絶縁膜の製造方法は、前記絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、高エネルギー線を照射することを含む。
本発明のシリカ系絶縁膜は、前記絶縁膜の製造方法により得られる。
1.1.前記一般式(1)で表されるシラン化合物
前記一般式(1)で表されるシラン化合物(以下、「化合物1」ともいう)において、X1〜X3は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Y1〜Y3は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基であることができる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基などを挙げることができる。アシロキシ基としては、アセトキシ基等を挙げることができる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜5である。これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよい。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基などが挙げられ、好ましくはビニル基である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
前記一般式(2)で表されるシラン化合物(以下、「化合物2」ともいう)において、Rは水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基であることができる。X4〜X6は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基であることができる。
前記一般式(3)で表されるシラン化合物(以下、「化合物3」ともいう)において、R1、R2の少なくとも一つは前記一般式(4)で示される置換基であることができる。R3〜R6は同一または異なり、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基であることができる。ただしnは3〜10000の整数である。
本実施形態のポリマーの製造においては、化合物1あるいは化合物1および化合物2のシラン化合物を、酸性化合物、塩基性化合物、金属キレート化合物のいずれかの存在下で加水分解縮合することによって得られる。
添加する水の量が0.5モル未満であると塗膜の耐クラック性が劣る場合があり、50モルを越えると加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場合がある。さらに、水は断続的あるいは連続的に添加されることが好ましい。また、化合物1、あるいは化合物1および化合物2のシラン化合物を加水分解するときの温度は通常0〜100℃、好ましくは15〜80℃である。
本発明の一実施形態に係るポリマーの製造においては、前記共縮合を触媒(例えば、酸性触媒、塩基性触媒、または金属キレート触媒)の存在下で行なうことが好ましい。
本発明の一実施形態に係るポリマーの製造において、前記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸が挙げられ、有機酸であるのがより好ましく、有機カルボン酸であるのがさらに好ましい。酸性触媒は1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
無機酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸等が挙げられる。
有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、コハク酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸を挙げることができる。
これらの中で、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ギ酸、マロン酸、フタル酸、フマル酸、イタコン酸、コハク酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、マロン酸、グルタル酸、無水マレイン酸が特に好ましい。
本発明の一実施形態に係るポリマーの製造において、前記塩基性触媒の存在下で下記化合物であることが好ましい。前記塩基性触媒は、単独であるいは2種以上を同時に使用してもよい。
例えば、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミン、N−メチルメタノールアミン、N−エチルメタノールアミン、N−プロピルメタノールアミン、N−ブチルメタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−プロピルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−メチルプロパノールアミン、N−エチルプロパノールアミン、N−プロピルプロパノールアミン、N−ブチルプロパノールアミン、N−メチルブタノールアミン、N−エチルブタノールアミン、N−プロピルブタノールアミン、N−ブチルブタノールアミン、N,N−ジメチルメタノールアミン、N,N−ジエチルメタノールアミン、N,N−ジプロピルメタノールアミン、N,N−ジブチルメタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジプロピルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N,N−ジメチルプロパノールアミン、N,N−ジエチルプロパノールアミン、N,N−ジプロピルプロパノールアミン、N,N−ジブチルプロパノールアミン、N,N−ジメチルブタノールアミン、N,N−ジエチルブタノールアミン、N,N−ジプロピルブタノールアミン、N,N−ジブチルブタノールアミン、N−メチルジメタノールアミン、N−エチルジメタノールアミン、N−プロピルジメタノールアミン、N−ブチルジメタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、N−メチルジプロパノールアミン、N−エチルジプロパノールアミン、N−プロピルジプロパノールアミン、N−ブチルジプロパノールアミン、N−メチルジブタノールアミン、N−エチルジブタノールアミン、N−プロピルジブタノールアミン、N−ブチルジブタノールアミン、N−(アミノメチル)メタノールアミン、N−(アミノメチル)エタノールアミン、N−(アミノメチル)プロパノールアミン、N−(アミノメチル)ブタノールアミン、N−(アミノエチル)メタノールアミン、N−(アミノエチル)エタノールアミン、N−(アミノエチル)プロパノールアミン、N−(アミノエチル)ブタノールアミン、N−(アミノプロピル)メタノールアミン、N−(アミノプロピル)エタノールアミン、N−(アミノプロピル)プロパノールアミン、N−(アミノプロピル)ブタノールアミン、N−(アミノブチル)メタノールアミン、N−(アミノブチル)エタノールアミン、N−(アミノブチル)プロパノールアミン、N−(アミノブチル)ブタノールアミン、メトキシメチルアミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミン、エトキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロポキシエチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、N,N−ジメチルアミン、N,N−ジエチルアミン、N,N−ジプロピルアミン、N,N−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチレンジアミン、テトラプロピルエチレンジアミン、テトラブチルエチレンジアミン、メチルアミノメチルアミン、メチルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、メチルアミノブチルアミン、エチルアミノメチルアミン、エチルアミノエチルアミン、エチルアミノプロピルアミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルアミノメチルアミン、プロピルアミノエチルアミン、プロピルアミノプロピルアミン、プロピルアミノブチルアミン、ブチルアミノメチルアミン、ブチルアミノエチルアミン、ブチルアミノプロピルアミン、ブチルアミノブチルアミン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホリン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウムなどを挙げることができる。
本発明の一実施形態に係るポリマーの製造において、前記金属キレート触媒は、下記一般式(5)で表される化合物であることが好ましい。
R8 hM(OR9)j−h ・・・・・(5)
(R8はキレート剤を示し、Mは金属原子を示し、R9はアルキル基またはアリール基を示し、jは金属Mの原子価を示し、hは1〜jの整数を表す。)
上記一般式(5)において、R8で表されるキレート剤としては、例えば、アセチルアセトナート、エチルアセトアセテートが挙げられる。また、Mで表される金属としては、例えば、チタン、ジルコニウム、アルミニウムが挙げられる。
トリエトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−i−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、テトラキス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリス(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物;
トリス(アセチルアセトナート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物;
などを挙げることができる。
これらの金属キレート化合物は1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。これらの中で、チタンキレート化合物が特に好ましい。
金属キレート触媒の使用量は、化合物1、あるいは化合物1および化合物2のシラン化合物の総量1モルに対して通常0.0001〜1モル、好ましくは0.001〜0.1モルである。
本発明の一実施形態に係るポリマーの製造において、有機溶剤中で(A)〜(C)成分の共縮合を行なうことができる。ここで、有機溶剤としては、特に限定されないが、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒および含ハロゲン溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒;
アミド系溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒を挙げることができる。これらのアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
R15O(CHCH3CH2O)γR16 ・・・・・(6)
〔R15およびR16は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO−から選ばれる1価の有機基を示し、γは1〜2の整数を表す。〕
本発明の一実施形態に係る絶縁膜形成用組成物(以下、単に「膜形成用組成物」ともいう。)は、前記製造方法によって得られたポリマーおよび有機溶剤を含有する。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ましくは0.1〜20重量%であり、使用目的に応じて適宜調整される。本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物の全固形分濃度が0.1〜20重量%であることにより、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、より優れた保存安定性を有するものとなる。なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および有機溶剤による希釈によって行われる。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物に用いることができる有機溶剤としては、前述したポリマー製造時に使用される有機溶媒と同じものを挙げることができる。例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒および含ハロゲン溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物は、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、
前記製造方法で得られたポリマーとは別の有機ポリマー(以下、「他の有機ポリマー」という。)、界面活性剤などの成分をさらに含有してもよい。また、これらの添加物は、本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物を製造する前の、各成分が溶解もしくは分散された溶剤中に添加されていてもよい。
コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が5〜30μm、好ましくは10〜20μm、固形分濃度が10〜40重量%程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)製、オスカルなどが挙げられる。
3.2.2.コロイド状アルミナ
コロイド状アルミナとしては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、同100、同200;川研ファインケミカル(株)製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132などが挙げられる。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物で使用可能な他の有機ポリマーは、シリカ系膜中に空孔を形成するための易分解成分として添加することができる。このような有機ポリマーを添加することは、特開2000−290590号公報、特開2000−313612号公報、Hedrick, J.L.,et al. 「Templating Nanoporosity in Thin Film Dielectric Insulators」 Adv. Mater., 10 (13), 1049, 1998.等の参考文献で記述されており、同様な有機ポリマーを添加してもよい。
他の有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体などを挙げることができる。
有機ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることができる。
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などが挙げられる。
−(X’)j−(Y’)k−
−(X’)j−(Y’)k−(X’)1−
(式中、X’は−CH2CH2O−で表される基を、Y’は−CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、jは1〜90、kは10〜99、lは0〜90の数を示す。)
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物で使用可能な界面活性剤としては、たとえば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
界面活性剤の使用量は、膜形成用組成物100重量部に対して、通常、0.0001〜10重量部である。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
界面活性剤の使用量は、化合物1および化合物2を縮合させて得られたポリマーの総量100重量部(完全加水分解縮合物換算)に対して通常0.0001〜10重量部である。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
本発明の一実施形態に係る絶縁膜の製造方法は、前記本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物を基板に塗布し、通常30〜600℃、より好ましくは60〜450℃に加熱することを含む。
また、本発明の一実施形態に係る絶縁膜の製造方法は、前記本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物を基板に塗布し、高エネルギー線照射下で通常25〜500℃、好ましくは30〜450℃、より好ましくは60〜430℃に加熱することができる。
本発明の一実施形態に係る膜形成用組成物を、シリコンウエハ、SiO2ウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。
この際の加熱方法としては、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、例えば、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうことができる。
また、前記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、あるいは窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択したりすることができる。
高エネルギー線としては、電子線、紫外線およびX線から選ばれる少なくとも1種の高エネルギー線であることができる。以下に、一例として電子線を使用した場合の照射条件を記す。
本発明の一実施形態に係るシリカ系絶縁膜は、上記絶縁膜の製造方法により得られる。
本発明の一実施形態に係るシリカ系絶縁膜は、後述する実施例からも明らかであるように、機械的強度、CMP耐性ならびに薬液耐性に優れ、かつ、比誘電率が低い。
具体的には、本発明の一実施形態に係るシリカ系絶縁膜は、その比誘電率が1.2〜3.2、好ましくは1.5〜3.0であり、より好ましくは1.8〜2.7であり、その膜密度が0.35〜1.2g/cm3、好ましくは0.4〜1.1g/cm3であり、より好ましくは0.5〜1.0g/cm3である。膜密度が0.35g/cm3未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、1.2g/cm3を超えると低比誘電率が得られない。
また、本発明によって得られたポリマーは、置換シリルメチル基を有するモノマーを加水分解・縮合することにより、置換シリルメチル基が存在するポリシロキサン系ポリマーである。置換シリルメチル基の立体構造により、膜中にミクロな空孔を形成することが可能であり、比誘電率が小さく、機械的強度、CMP耐性ならびに薬液耐性に優れたポリマー膜を得ることができる。
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」および「%」は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%であることを示している。
各種の評価は、次のようにして行なった。
得られたポリマー膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ、比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP16451B電極およびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて、CV法により室温における当該ポリマー膜の比誘電率を測定した。
Δkは、24℃、40%RHの雰囲気で測定した比誘電率(k@RT)と、200℃、乾燥窒素雰囲気下で測定した比誘電率(k@200℃)との差(Δk=k@RT−k@200℃)である。かかるΔkによって、主に、膜の吸湿による誘電率の上昇分を評価することができる。通常、Δkが0.20以上であると、吸湿性の高いシリカ系絶縁膜であると言える。
MTS社製超微少硬度計(Nanoindentator XP)にバーコビッチ型圧子を取り付け、得られたポリマー膜のユニバーサル硬度を求めた。また、ポリマー膜の弾性率は連続剛性測定法により測定した。
得られたポリマー膜を以下の条件で研磨した。
スラリー:シリカ−過酸化水素系
研磨圧力:280g/cm2
研磨時間:120秒
CMP後の膜の外観を35万ルクスの光源で観察し、以下の基準で評価した。
○:変化無し。
×:膜に傷や剥がれが確認される。
ポリマー膜が形成された8インチウエハーを、室温で0.2%の希フッ酸水溶液中に1分間浸漬し、ポリマー膜の浸漬前後の膜厚変化を観察した。下記に定義する残膜率が99%以上であれば、薬液耐性が良好であると判断する。
残膜率(%)=(浸漬後の膜の膜厚)÷(浸漬前の膜の膜厚)×100
○:残膜率が99%以上。
×:残膜率が99%未満。
6.2.1.実施例1
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、25%テトラメチルアンモニウムハイドライド水溶液を7.85g、超純水を110.5gおよびエタノールを806.8gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。混合溶液中に、(トリメチルシリル)メチルトリメトキシシラン(前記化学式1−1)を74.8gを加え、60℃で2時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、20%シュウ酸水溶液を19.4g、プロピレングリコールモノプロピルエーテルを1019g加えた後、減圧下で固形分濃度が15%になるまで濃縮を行い、膜形成用組成物(A−1)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、トルエンを784.7g、(トリメチルシリル)メチルトリクロロシラン(前記化学式1−3)を157.0gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。混合溶液中に、予め別容器で調整しておいた35%塩酸水溶液を0.36gと調純水58.0gの混合水溶液を加え、激しく撹拌しながら60℃で3時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、反応液を分液ロートに移し、超純水で有機相のpHが中性になるまで水洗した。有機相を回収し、シクロヘキサノンを1000gを加えた後、減圧下で固形分濃度が18%になるまで濃縮を行い、膜形成用組成物(A−2)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノエチルエーテルを(トリメチルシリル)メチルトリエトキシシラン(前記化学式1−2)を269.7gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。混合溶液中に、超純水116.4gおよびテトラキス(アセチルアセトナート)チタンを0.15gを加え、撹拌しながら55℃で4時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、プロピレングリコールモノエチルエーテルを500g加え、減圧下で固形分濃度が20%になるまで濃縮を行い、膜形成用組成物(A−3)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、(トリメチルシリル)メチルトリメトキシシラン(前記化学式1−1)を151.4g、メチルトリメトキシシランを99.0g、プロピレングリコールモノエチルエーテルを631.1gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。混合溶液中に、超純水を115.2gおよび20%シュウ酸水を3.27gを加え、撹拌しながら55℃で6時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、プロピレングリコールモノエチルエーテルを500g加え、減圧下で固形分濃度が20%になるまで濃縮を行い、膜形成用組成物(A−4)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、(トリメチルシリル)メチルトリクロロシラン(前記化学式1−3)を73.9g、メチルトリクロロシランを115.5g、メチルイソブチルケトンを622.0gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。セパラブルフラスコを氷冷バスで冷却した後、混合溶液中に予め別容器で調整した35%塩酸水溶液を17.12gと超純水を171.6gの混合溶液を加え、激しく攪拌しながら4時間反応させた。反応液を分液ロートに移し、超純水で有機相のpHが中性になるまで水洗した。回収した有機相をディーンシュターク型脱水装置を備えた2Lのセパラブルフラスコへ移し、ついで20%水酸化カリウム水溶液を0.76gを加えた後、加熱還流条件下で水分を除去しながら13時間反応した。反応液を室温まで冷却後、反応液をメタノールが4000g入ったビーカーへ注ぎ込み、白色固体を析出させた。この白色固体を桐山ロートで回収し、ついで固形分濃度が15%となるようシクロヘキサノンに溶解させ、膜形成用組成物(A−5)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、メチルトリメトキシシランを304.4g、プロピレングリコールモノエチルエーテルを513.4gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。混合溶液中に、超純水を177.2gおよび20%シュウ酸水を5.03gを加え、撹拌しながら55℃で6時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、プロピレングリコールモノエチルエーテルを500g加え、減圧下で固形分濃度20%になるまで濃縮を行い、膜形成用組成物(B−1)を得た。
冷却管を備えた3Lのセパラブルフラスコ内に、窒素雰囲気下、メチルトリクロロシランを218.2g、メチルイソブチルケトンを532.2gを加え、室温でスリーワンモーターを用いて撹拌し混合溶液とした。セパラブルフラスコを氷冷バスで冷却した後、混合溶液中に予め別容器で調整した35%塩酸水溶液を22.64gと超純水を226.9gの混合溶液を加え、激しく攪拌しながら4時間反応させた。反応液を分液ロートに移し、超純水で有機相のpHが中性になるまで水洗した。回収した有機相をディーンシュターク型脱水装置を備えた2Lのセパラブルフラスコへ移し、ついで20%水酸化カリウム水溶液を1.00g加えた後、加熱還流条件下で水分を除去しながら12時間反応した。反応液を室温まで冷却後、反応液をメタノールが4000g入ったビーカーへ注ぎ込み、白色固体を析出させた。この白色固体を桐山ロートで回収し、ついで固形分濃度15%となるようシクロヘキサノンに溶解させ、膜形成用組成物(B−2)を得た。
膜形成用組成物(A−1)(A−2)(A−3)(A−4)(A−5)(B−1)(B−2)を、それぞれ8インチシリコンウエハ(基板)上に、スピンコート法を用いて塗布し、膜厚0.5μmの塗膜を得た。ホットプレートを用いて、窒素雰囲気において90℃で3分間、ついで200℃で3分間、基板を加熱した。さらに、ホットプレートを用いて、窒素雰囲気において420℃で60分間、基板を加熱し塗膜を焼成した。焼成後に得られたポリマー膜(以下、「シリカ系絶縁膜」という)、前記6.1.のとおり評価した。結果を表1に示す。
膜形成用組成物(A−1)(A−2)(A−4)(B−1)を、それぞれ8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて塗布し、膜厚0.5μmの塗膜を得た。ホットプレートを用いて、窒素雰囲気において、90℃で3分間、ついで200℃で3分間、基板を加熱した。得られた塗膜に加速電圧5keV、照射量100uC/m2、ホットプレート温度100℃、圧力1.33Pa、雰囲気ガスHeの条件で、5分間電子線を照射した。電子線照射後に得られたポリマー膜(以下、「シリカ系絶縁膜」という)を、前記6.1.のとおり評価した。結果を表1に示す。
実施例で得られたシリカ系膜は、薬液耐性試験が良好であり、かつ、吸湿性の目安であるΔkも適当な値であった。これに対して、比較例では、薬液耐性試験が不良であった。
以上の実施例からも明らかであるように、本発明のポリマーを含む絶縁膜形成用組成物を用いることにより、吸湿性および比誘電率が低く、かつ、機械的強度、エッチング耐性、および薬液耐性に優れたシリカ系絶縁膜の形成が可能である。したがって、本発明のシリカ系膜は、機械的強度、エッチング耐性、および薬液耐性に優れ、比誘電率が低いため、半導体装置の層間絶縁膜などとして好適に用いることができる。
Claims (9)
- 請求項1ないし3において、前記縮合を有機溶剤中にて行なう、ポリマーの製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記縮合を、酸性触媒、塩基性触媒、または金属キレート触媒の存在下で行なう、ポリマーの製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載のポリマーおよび有機溶剤を含有する、絶縁膜形成用組成物。
- 請求項6に記載の絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、30〜450℃に加熱することを含む、絶縁膜の製造方法。
- 請求項6に記載の絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、高エネルギー線を照射することを含む、絶縁膜の製造方法。
- 請求項7または8に記載の絶縁膜の製造方法により得られる、シリカ系絶縁膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089986A JP4821404B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089986A JP4821404B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007262257A true JP2007262257A (ja) | 2007-10-11 |
JP4821404B2 JP4821404B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38635546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089986A Active JP4821404B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4821404B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006089986A patent/JP4821404B2/ja active Active
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