JP2007242823A - 荷電粒子線描画データの作成方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する本発明の荷電粒子線描画データの作成方法は、複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程(S102)と、入力されたレイアウトデータに基づいて、上述した複数の偏向領域の各偏向領域にかかる跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程(S106、S112)と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、レイアウトデータのデータ量を低減させることができる。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線442を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形用開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料440の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
また、本来であればアレイ構造化できるセルがあった場合、その一部若しくは全要素が別の偏向領域に跨るとわざわざアレイ展開してそれぞれのセル毎に配置されることになる偏向領域に定義する必要があった。そのためセルに関する情報が複数必要となり、結果としてレイアウトデータのデータ量が増加してしまっていた。
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
入力されたレイアウトデータに基づいて、上述した複数の偏向領域の各偏向領域ごとにかかる跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述したパターン生成工程は、
かかる複数の偏向領域のうち、跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写する複写工程と、
跨るパターンが定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除する削除工程と、
を有する構成とすると好適である。
回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域のうちいずれかの偏向領域のパターンとして定義され、前記複数の偏向領域に跨る前記パターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域において、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を分割する分割工程と、
分割された前記パターン部分を跨られた偏向領域における前記部分パターンとして当てはめる当てはめ工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述した跨るパターンは、描画装置のステージの移動が必要な領域間に跨る場合に、上述した各手法により部分パターンを生成することは特に有効である。
図1は、実施の形態1における電子ビーム描画データの作成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図1において、電子線描画データの検証方法は、入力工程(S102)、セル抽出工程(S104)、パターン生成工程の一部となる複写工程(S106)、クラスタ分割工程(S108)、クラスタ分配工程(S110)、パターン生成工程の一部となる削除工程(S112)、描画データ変換工程(S114)という一例の工程を実施する。
描画システム600は、装置入力フォーマット変換装置300と描画装置100とを備えている。
まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ10(設計データ)が生成される。そして、装置入力フォーマット変換装置300は、かかるレイアウトデータ10を入力し、レイアウトデータ10を変換して描画装置100において用いられる描画データ12が生成される。本実施の形態では、さらに、描画データ12に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置100に入力するための装置入力フォーマットデータ14を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ14を描画装置100に出力する。
図2において、装置入力フォーマット変換装置300は、荷電粒子線描画データの作成装置の一例となる描画データ変換装置320と装置入力フォーマット変換回路350とを備えている。描画データ変換装置320は、セル抽出回路322、クラスタ分割回路324、クラスタ分配回路326、セル振分回路328、描画データ変換回路330、メモリ332を備えている。そして、セル振分回路328は、複写回路342、削除回路344を有している。図2では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置300や描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
レイアウトデータ10は、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばy方向に向かって短冊状に分割したフレームの層、ブロックの層、例えば、半導体装置における1つの機能を持つセルの層、かかるセルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
図4は、実施の形態1における描画データの階層構造の一例を示す図である。
描画データ12は、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばy方向に向かって短冊状に分割したストライプの層、ブロックの層、例えば、半導体装置における1つの機能を持つセルの層、クラスタの層、セルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
図5において、レイアウトデータ10上、セル40の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にセル40が定義されている。かかるセル40は、隣接するブロック20(偏向領域2)に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ10の段階では、セル40を分割せず、描画データ変換装置320に入力し、入力されたレイアウトデータ10に基づいて、偏向領域ごとに跨るセル40のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン42,44を生成する。図5では、セル40のデータをブロック20にもコピー(複写)する。そして、ブロック20にセル40を定義する。そして、ブロック22では、セル40のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン44以外を切断して削除する。同様に、ブロック20では、セル40のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン42以外を切断して削除する。このように、跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。その結果、レイアウトデータ10で分割させずに済ますことができる。以下、具体的に説明する。
図6は、実施の形態1における複数の偏向領域に跨ったセルの一例を示す図である。
レイアウトデータ10及び描画データ12に基づいて描画される描画領域は、偏向器で偏向可能な幅Wで短冊上の複数の領域であるフレーム18に分割される。そして、描画装置100で隣接するフレーム18の領域を描画する場合には、描画装置100の偏向器で変更可能な領域を越えているため、描画装置100のステージを移動させることにより偏向器で変更可能な領域まで移動させることになる。そして、図6に示すように、各フレーム18はさらに複数のブロックに分割されている。ここでは、ブロック座標(3,4)のブロック22について自己の領域に定義されたセルを抽出すると、セル40が描画装置100のステージの移動が必要なフレーム18aとフレーム18bとの領域間に跨るようにレイアウトされている場合を示している。具体的には、セル40がフレーム18bの境界に接するブロック22に定義され、隣接するフレーム18aの境界に接するブロック20に跨っている。セル40は、パターン17によって構成されている。
図7は、実施の形態1における跨られた偏向領域に複写されたセルの一例を示す図である。
図7に示すように、ブロック22に定義されたセル40に跨られたブロック20にもセル40をコピーして、ブロック20内のセルとして定義する。コピーすることで、定義されていない領域にも自己の領域内に位置するパターンを認識させることができる。
図8は、実施の形態1におけるセルをクラスタ分割した一例を示す図である。
図8では、ブロック22に定義されたセル40について示している。図8に示すように、ブロック22に定義されたセル40に領域内は、複数のクラスタ16の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置100において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
図9は、図8のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
図9に示すように、クラスタ分割した後、パターン17が存在しないクラスタ16を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
図10では、複写され、ブロック20に定義されたセル40について示している。図10に示すように、ブロック22と同様、ブロック20に定義されたセル40に領域内は、複数のクラスタ16の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置100において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
図11は、図10のセルをクラスタマージン分割した一例を示す図である。
図11に示すように、ブロック22と同様、クラスタ分割した後、パターン17が存在しないクラスタ16を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
図12は、実施の形態1におけるセルを切断した一例を示す図である。
図12に示すように、ブロック22に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン44と偏向できないパターン部分である部分セルパターン42とを生成して、部分セルパターン42を切断する。
図13に示すように、ブロック20に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン42と偏向できないパターン部分である部分セルパターン44とを生成して、部分セルパターン44を切断する。
すなわち、図12に示すように、ブロック22に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン42のデータを削除する。同様に、図13に示すように、ブロック20に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン44のデータを削除する。
図14において、描画システム600は、描画装置100の一例となる露光装置と装置入力フォーマット変換装置300とを備えている。描画装置100は、描画部150、制御回路110、データ処理回路120を備えている。描画部150は、電子鏡筒102、XYステージ105、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、ファラデーカップ209を有している。図14では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
ブロック22に定義されたセル40にブロック20が跨られている場合、偏向領域境界線上を分離位置500(切断位置)として切断するように構成することができる。そして、ブロック22には部分セルパターン44が、ブロック20には部分セルパターン42が、定義される。
図16は、実施の形態1における他の切断位置の一例を示す図である。
偏向領域境界線は、実際に偏向可能な境界線からある程度のマージン幅を残して設定される。よって、ブロック22に定義されたセル40にブロック20が跨られている場合、偏向領域マージン内のいずれかの位置を分離位置500(切断位置)として切断するように構成しても好適である。そして、ブロック22には部分セルパターン44が、ブロック20には部分セルパターン42が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
クラスタ分割により生成されたクラスタ16も基準点座標が位置するセルに定義される。よって、ブロック22に定義されたセル40にブロック20が跨られている場合、偏向領域マージン内で、クラスタ境界線上を分離位置500(切断位置)として切断するように構成しても好適である。そして、クラスタ16が偏向領域境界線上に跨る場合には、跨るクラスタ16が、自己が定義される部分セルパターン側に入るように、クラスタ16の基準点座標を考慮してクラスタ境界で切断するように構成するとなお好適である。そして、ブロック22には部分セルパターン44が、ブロック20には部分セルパターン42が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
図18では、ブロック22に定義されたセル40にブロック20が跨られている場合、偏向領域マージン内で、セル40を構成するパターン17の一部がオーバーラップするように、偏向領域マージン内で2つの分離位置500(分離位置500aと分離位置500b)とで切断するように構成しても好適である。そして、ブロック22にはパターン17bが含まれる部分セルパターン44が、ブロック20にはパターン17aが含まれる部分セルパターン42が、定義される。或いは、以下のように切断してもよい。
レイアウトデータ10には、セルパターンデータが含まれるが、さらに、複数の偏向領域に跨るセルについては、属性情報として切断位置を定義しておくのも好適である。例えば、図19に示すようにプラスマージンとマイナスマージンを持った切断位置情報を属性情報として、かかる切断位置情報による位置を分離位置500として切断するように構成するとよい。そして、ブロック22には部分セルパターン44が、ブロック20には部分セルパターン42が定義される。
図20は、実施の形態1における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図20において、レイアウトデータ10上、セル52とセル54とで構成されるアレイセル50の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にアレイセル50が定義されている。かかるアレイセル50のうち、セル52は、隣接するブロック20(偏向領域2)に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ10の段階では、アレイセル50を分割せず、描画データ変換装置320に入力し、入力されたレイアウトデータ10に基づいて、偏向領域ごとに跨るアレイセル50を構成するセル52のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン56、58を生成する。図20では、アレイセル50のデータをブロック20にもコピー(複写)する。そして、ブロック20にアレイセル50を定義する。そして、ブロック22では、アレイセル50のうち、跨ったセル52について自己の領域で偏向可能な部分セルパターン58以外を切断して削除する。同様に、ブロック20では、アレイセル50のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン56以外を切断して削除する。このように、アレイ構造を保ったまま跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ10で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ10を作成することができる。その結果、レイアウトデータ10で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図1に示す工程と同様であるため説明を省略する。
図21において、レイアウトデータ10上、セル52とセル54とで構成されるアレイセル50の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にアレイセル50が定義されている。かかるアレイセル50のうち、セル52は、隣接するブロック20(偏向領域2)に跨ってレイアウトされている。そして、レイアウトデータ10の段階では、アレイセル50を分割せず、描画データ変換装置320に入力する。ここまでは、上述した図20と同様である。そして、入力されたレイアウトデータ10に基づいて、偏向領域ごとに跨るアレイセル50を構成するセル52のうち自己の領域で偏向可能な部分セルパターン56、58を生成するが、図21では、アレイセル50全体のデータをブロック20にコピー(複写)するのではなく、ブロック20に跨った要素のセル52のデータのみをブロック20にコピー(複写)する。そして、ブロック20にセル52を定義する。そして、ブロック22では、アレイセル50のうち、跨ったセル52について自己の領域で偏向可能な部分セルパターン58以外を切断して削除する。同様に、ブロック20では、セル52のうち、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン56以外を切断して削除する。このように、アレイ構造を保ったまま跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写して、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除することで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ10で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ10を作成することができる。その結果、レイアウトデータ10で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図1に示す工程と同様であるため説明を省略する。
レイアウトデータ10の段階で振り分ける場合と、描画データ12へ変換する際に振り分ける場合とを比較すると、描画データ12を描画データ変換装置320から装置入力フォーマット変換回路350へと送信する時間は同じであるが、レイアウトデータ10を描画データ変換装置320へ入力する(転送する)時間に大きな差が生じる。すなわち、レイアウトデータ10の段階で振り分けてレイアウトデータ10のデータ量を増加させてしまうと、描画データ変換装置320への転送時間が大幅に長くなってしまう。よって、本実施の形態のように描画データ12へ変換する際に跨るパターンを振り分けることで、レイアウトデータ10を描画データ変換装置320へ入力開始してから装置入力フォーマット変換回路350へと送信するまでの時間を短縮することができる。
実施の形態2では、実施の形態1とは異なる手法により、レイアウト上、複数の偏向領域に跨るパターン(例えば、セル)を各偏向領域に振り分ける手法について説明する。実施の形態1と同様、以下、セル単位でパターンを捉えた場合について説明する。
図22において、電子線描画データの検証方法は、入力工程(S102)、セル抽出工程(S104)、クラスタ分割工程(S108)、クラスタ分配工程(S110)、パターン生成工程の一部となる当てはめ工程(S113)、描画データ変換工程(S114)という一例の工程を実施する。
レイアウトデータ10(設計データ)と描画データ12の階層構造等は実施の形態1と同様である。また、装置入力フォーマット変換装置300が、かかるレイアウトデータ10を入力し、レイアウトデータ10を変換して描画装置100において用いられる描画データ12が生成される。そして、描画データ12に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置100に入力するための装置入力フォーマットデータ14を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ14を描画装置100に出力する点は、実施の形態1と同様である。
図23において、セル振分回路328が、図2の複写回路342と削除回路344との代わり、当てはめ回路346を有している点以外は、図2と同様であるため、その他の構成の説明を省略する。図23では、本実施の形態2を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置300や描画装置100を備えた描画システム600にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図24において、レイアウトデータ10上、セル40の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にセル40が定義されている。かかるセル40は、隣接するブロック20(偏向領域2)に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ10の段階では、セル40を分割せず、描画データ変換装置320に入力し、入力されたレイアウトデータ10に基づいて、セル40が定義された側の偏向領域となるブロック22で自己の領域で偏向可能な部分セルパターン44とそれ以外の部分セルパターン42を生成する。そして、跨るセル40が定義された偏向領域となるブロック22において、跨るセル40のうち、自己の領域で偏向できないセルパターン部分である部分セルパターン42を切断して分割する。そして、分割されたセルパターン部分である部分セルパターン42を跨られた偏向領域であるブロック20における部分セルパターンとして当てはめる。このように、跨るパターンのデータのうち、偏向できないセルパターン部分を跨られた偏向領域に先送りすることで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。その結果、レイアウトデータ10で分割させずに済ますことができる。以下、具体的に説明する。
実施の形態2において、実施の形態1と同様、図6に示したように、レイアウトデータ10及び描画データ12に基づいて描画される描画領域は、偏向器で偏向可能な幅Wで短冊上の複数の領域であるフレーム18に分割される。そして、描画装置100で隣接するフレーム18の領域を描画する場合には、描画装置100の偏向器で変更可能な領域を越えているため、描画装置100のステージを移動させることにより偏向器で変更可能な領域まで移動させることになる。そして、各フレーム18はさらに複数のブロックに分割されている。ここでは、ブロック座標(3,4)のブロック22について自己の領域に定義されたセルを抽出すると、セル40が描画装置100のステージの移動が必要なフレーム18aとフレーム18bとの領域間に跨るようにレイアウトされている場合を示している。具体的には、セル40がフレーム18bの境界に接するブロック22に定義され、隣接するフレーム18aの境界に接するブロック20に跨っている。セル40は、パターン17によって構成されている。
図8で示したように、ブロック22に定義されたセル40に領域内は、複数のクラスタ16の領域にクラスタ分割される。クラスタ分割することで、描画装置100において多重露光する場合にその露光位置に使用することができる。
そして、図9に示したように、クラスタ分割した後、パターン17が存在しないクラスタ16については、分割する必要がないので、パターン17が存在しないクラスタ16を省く処理を行なうことでデータ量を低減させることができる。
図25は、実施の形態2におけるセルを切断した一例を示す図である。
図25に示すように、ブロック22に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できるパターン部分である部分セルパターン44と偏向できないパターン部分である部分セルパターン42とを生成して、部分セルパターン42を切断して分割する。
すなわち、図25に示すように、ブロック22に定義されたセル40について、自己の領域で偏向できないパターン部分である切断され分離した部分セルパターン42のデータを先送りしてブロック20のセルパターンとして当てはめ、ブロック20のセルパターンとして定義する。ここで、図25に示すように、部分セルパターン42の基準点は、切断前のセル40の基準点を用いると計算処理上好適である。但し、これに限るものではなく、部分セルパターン42領域に改めて基準点を設けてもよい。
また、セルの切断位置および切断手法についても実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
図26は、実施の形態2における偏向領域を跨ったアレイ構造のセルを振り分ける手法の一例を示す概念図である。
図26において、レイアウトデータ10上、セル62とセル64とセル66とで構成されるアレイセル60の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にアレイセル60が定義されている。かかるアレイセル60のうち、セル62は、隣接するブロック20(偏向領域2)内にレイアウトされ、セル64は、隣接するブロック20(偏向領域2)に跨ってレイアウトされている。上述したように、レイアウトデータ10の段階では、アレイセル60を各要素に細分化した上で分割せず、アレイセル60の構造を保ったまま描画データ変換装置320に入力し、入力されたレイアウトデータ10に基づいて、アレイセル60を構成する跨るセル64のうち、アレイセル60が定義された側の偏向領域となるブロック22で自己の領域で偏向可能な部分セルパターン65とアレイセル60を構成するそれ以外の部分セルパターン63とセル62とを生成する。そして、ブロック22において、跨るセル64のうち、自己の領域で偏向できないセルパターン部分である部分セルパターン63以降を切断して分割する。そして、分割されたセルパターン部分である部分セルパターン63とセル62とを跨られた偏向領域であるブロック20における部分セルパターンとセルとして当てはめる。このように、跨るパターンのデータのうち、偏向できないセルパターン部分を跨られた偏向領域に先送りすることで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分けることができる。このため、レイアウトデータ10で不必要にセルを分割することなく、アレイ構造を保ったままレイアウトデータ10を作成することができる。その結果、レイアウトデータ10で部分セルパターンに振り分けるためのデータ量の増大のほかに、さらにアレイ構造を分解することによるデータ量の増大を低減することができる。各工程は、図22に示す工程と同様であるため説明を省略する。
実施の形態3では、複数の偏向領域のうち、跨るパターン(セル)のデータの一部を切断した後、自己の領域で偏向できないパターン部分を先送りして、跨られた偏向領域に当てはめることで、描画データ変換装置320内で跨るセルを各偏向領域に振り分ける点で実施の形態2と同様である。ここで、実施の形態3では、自己の領域で偏向できない切断したパターン部分のデータを予め用意された跨られた各偏向領域用のバッファーとなる記憶装置に格納する手法を説明する。
図27において、電子線描画データの検証方法は、入力工程(S102)、セル抽出工程(S104)、クラスタ分割工程(S108)、クラスタ分配工程(S110)、格納工程(S111)、パターン生成工程の一部となる当てはめ工程(S113)、描画データ変換工程(S114)という一例の工程を実施する。格納工程(S111)を追加した以外は、図22と同様である。
レイアウトデータ10(設計データ)と描画データ12の階層構造等は実施の形態1と同様である。また、装置入力フォーマット変換装置300が、かかるレイアウトデータ10を入力し、レイアウトデータ10を変換して描画装置100において用いられる描画データ12が生成される。そして、描画データ12に基づいて、実際に電子線をショットするためのショットサイズに図形が分割されるショットデータ等にまで変換し、描画装置100に入力するための装置入力フォーマットデータ14を生成する。そして、かかる装置入力フォーマットデータ14を描画装置100に出力する点は、実施の形態1と同様である。
図28において、描画データ変換装置320は、複数の基板360と、複数のメモリ332と、描画データ変換回路330を備えている。そして、各基板360は、セル抽出回路322、クラスタ分割回路324、クラスタ分配回路326、当てはめ回路346を有している。描画データ変換回路330以外は、図2或いは図23と同様であるため、その他の構成の説明を省略する。図28では、本実施の形態3を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。装置入力フォーマット変換装置300や描画装置100を備えた描画システム600にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図29において、レイアウトデータ10上、セル70の基準点座標は偏向領域の一例となるブロック22(偏向領域1)内に位置しているため、ブロック22にセル70が定義されている。セル70は、隣接する偏向領域の一例となるブロック20(偏向領域2)及びブロック20に隣接する偏向領域の一例となるブロック24(偏向領域3)に跨ってレイアウトされている。セル82及びセル84で構成されるアレイセル80の基準点座標はブロック24内に位置しているため、ブロック24にアレイセル80が定義されている。かかるアレイセル80のうち、セル82は、ブロック24に隣接する偏向領域の一例となるブロック26(偏向領域4)内にレイアウトされる。セル90の基準点座標はブロック20内に位置しているため、ブロック20にセル90が定義されている。
基板360aでブロック22に定義されたセル70について、自己の領域で偏向可能な部分セルパターン72とブロック20に跨る部分セルパターン74とブロック24に跨る部分セルパターン76とを生成して分割する。そして、部分セルパターン72のデータをブロック22用のバッファー1となるメモリ332に格納する。部分セルパターン74のデータをブロック20用のバッファー2となるメモリ332に格納する。部分セルパターン76のデータをブロック24用のバッファー3となるメモリ332に格納する。基板360aでの処理に並列して、基板360bでブロック24に定義されたアレイセル80について、自己の領域で偏向可能なアレイセル80の要素となるセル84の他にブロック26に跨るアレイセル80の要素となるセル82を生成して、セル82を分割する。そして、セル84のデータをブロック24用のバッファー3となるメモリ332に格納する。セル82のデータをブロック26用のバッファー4となるメモリ332に格納する。
そして、基板360が2つの構成の場合、基板360aと基板360bとの処理が終了した後、ブロック20とブロック26について処理を行なう。基板360aでブロック20に定義されたセル90については、他の偏向領域に跨っていないので、そのままセル90のデータをブロック20用のバッファー2となるメモリ332に格納する。基板360bでは、ブロック26に定義されたセルが存在しないので、処理しない。
コンピュータとなるCPU450は、バス474を介して、RAM(ランダムアクセスメモリ)452、ROM454、磁気ディスク(HD)装置462、キーボード(K/B)456、マウス458、外部インターフェース(I/F)460、モニタ464、プリンタ466、FD468、DVD470、CD472に接続されている。ここで、RAM(ランダムアクセスメモリ)452、ROM454、磁気ディスク(HD)装置462、FD468、DVD470、CD472は、記憶装置の一例である。キーボード(K/B)456、マウス458、外部インターフェース(I/F)460、FD468、DVD470、CD472は、入力手段の一例である。外部インターフェース(I/F)460、モニタ464、プリンタ466、FD468、DVD470、CD472は、出力手段の一例である。
12 描画データ
14 装置入力フォーマットデータ
16 クラスタ
17 パターン
18 フレーム
20,22,24,26 ブロック
40,52,54,62,64,66,70,82,84,90 セル
42,44,56,58,63,65,72,74,76 部分セルパターン
50,60,80 アレイセル
100 描画装置
101,440 試料
102 電子鏡筒
105 XYステージ
110 制御回路
120 データ処理回路
150 描画部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
206,420 第2のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
300 装置入力フォーマット変換装置
320 描画データ変換装置
322 セル抽出回路
324 クラスタ分割回路
326 クラスタ分配回路
328 セル振分回路
330 描画データ変換回路
332 メモリ
342 複写回路
344 削除回路
346 当てはめ回路
350 装置入力フォーマット変換回路
360 基板
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
442 電子線
450 CPU
452 RAM
454 ROM
456 K/B
458 マウス
460 I/F
462 HD装置
464 モニタ
466 プリンタ
468 FD
470 DVD
472 CD
474 バス
500 分離位置
600 描画システム
Claims (5)
- 回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域に跨るパターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
入力された前記レイアウトデータに基づいて、前記複数の偏向領域の各偏向領域ごとに前記跨るパターンのうち自己の領域で偏向可能な部分パターンを生成するパターン生成工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。 - 前記跨るパターンは、前記複数の偏向領域のうち、いずれかの偏向領域のパターンとして定義され、
前記パターン生成工程は、
前記複数の偏向領域のうち、前記跨るパターンのデータを跨られた偏向領域に複写する複写工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域と跨られたその他の偏向領域とにおいて、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を削除する削除工程と、
を有することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。 - 回路のレイアウトデータから荷電粒子線を用いて前記荷電粒子線を偏向させながら所定のパターンを描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
複数の偏向領域のうちいずれかの偏向領域のパターンとして定義され、前記複数の偏向領域に跨る前記パターンが含まれるレイアウトデータを入力する入力工程と、
前記跨るパターンが定義された偏向領域において、前記跨るパターンのうち、自己の領域で偏向できないパターン部分を分割する分割工程と、
分割された前記パターン部分を跨られた偏向領域における前記部分パターンとして当てはめる当てはめ工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。 - 前記荷電粒子線描画データの作成方法は、さらに、分割された前記パターン部分のデータを跨られた偏向領域用のバッファーに格納する格納工程を備えたことを特徴とする請求項3記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
- 前記描画データに基づいて描画される描画領域は、短冊上の複数の領域に分割され、隣接する領域を描画する場合に描画装置のステージを移動させることにより移動させ、
前記跨るパターンは、前記描画装置のステージの移動が必要な領域間に跨ることを特徴とする請求項1〜4記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
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