JP2007193371A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射部を構成する反射電極と、背面光源からの光を透過する透過部を構成する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置であって、前記一方の基板上に形成され、ゲート電極と同一層からなる第1の金属薄膜と、前記第1の金属薄膜と第1の絶縁膜を介して形成され、ソース電極及びドレイン電極と同一層からなる第2の金属薄膜と、前記第1の金属薄膜及び前記第2の金属薄膜よりも上層に有機膜を介して形成される領域を有する前記透過電極を構成する導電性薄膜と、前記導電性薄膜上に絶縁膜を介さずに形成される前記反射電極とを有し、画素部において、前記有機膜の領域にある前記反射電極の端部は前記導電性薄膜以外の下層に接する部分を有する。
【選択図】 図1
Description
図1に本発明の実施の形態1にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、7回の写真工程により半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図2に本発明の参考の形態2にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、6回の写真工程により半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図3に本発明の参考の形態3にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、6枚のマスクを用いて半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図4に本発明の参考の形態4にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、5回の写真工程を用いて半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図8に本発明の実施の形態5にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。この構成は実施の形態1から4のいずれでも実現可能であるが、本実施の形態は、実施の形態1に示すプロセスフローにより形成させた例について示す。
図9に本発明の実施の形態6にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。この構成は、実施の形態1から4のいずれでも実現可能であるが、この実施の形態6では、実施の形態1のプロセスフローにより形成させた例について示す。
このような構成においては、以下の効果を有する。一般的に有機膜上に形成される透過電極(導電性薄膜9)と、その透過電極上に絶縁膜を介さずに形成される金属薄膜の密着力は、有機膜上に直接形成された金属薄膜より低く、以降の製造工程中に有機膜上の透過電極上と、その透過電極上に形成された金属薄膜が剥離する問題が生じる。この課題に対し、本実施の形態のような構成をとることで金属薄膜の剥離が著しく改善する。好適な例としては、透過電極を1μm以上金属薄膜の内側に包含する構成がよい。なお、絶縁基板上の透過電極と、金属薄膜の密着力は良好であり、透過部開口部では透過電極と金属薄膜の剥離の問題は生じない。
3 半導体能動膜 4 オーミックコンタクト膜
5 ソース電極 6 ドレイン電極
7 第2の絶縁膜 8 有機膜
9 導電性薄膜 10,11 第3の金属薄膜
Claims (3)
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射部を構成する反射電極と、
背面光源からの光を透過する透過部を構成する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置であって、
前記一方の基板上に形成され、ゲート電極と同一層からなる第1の金属薄膜と、
前記第1の金属薄膜と第1の絶縁膜を介して形成され、ソース電極及びドレイン電極と同一層からなる第2の金属薄膜と、
前記第1の金属薄膜及び前記第2の金属薄膜よりも上層に有機膜を介して形成される領域を有する前記透過電極を構成する導電性薄膜と、
前記導電性薄膜上に絶縁膜を介さずに形成される前記反射電極とを有し、
画素部において、前記有機膜の領域にある前記反射電極の端部は前記導電性薄膜以外の下層に接する部分を有していることを特徴とする液晶表示装置。 - 画素部において、透過部は有機膜が除去されており、前記透過部と反射部の境界にある反射電極の端部は、前記有機膜が除去される領域にあることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 画素部において、TFT部の半導体膜がソース配線下部まで連続形状で残存させたことを特徴とする請求項1または2記載の液晶表示装置。
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