JP2842529B2 - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2842529B2 JP2842529B2 JP24739496A JP24739496A JP2842529B2 JP 2842529 B2 JP2842529 B2 JP 2842529B2 JP 24739496 A JP24739496 A JP 24739496A JP 24739496 A JP24739496 A JP 24739496A JP 2842529 B2 JP2842529 B2 JP 2842529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- layer
- liquid crystal
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関し、特にその薄膜トランジス
タアレイ基板と製造方法に関するものである。
置およびその製造方法に関し、特にその薄膜トランジス
タアレイ基板と製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に発展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行なう反射型液晶
表示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が
低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に発展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行なう反射型液晶
表示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が
低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光
の光強度の１／２が表示に利用されないことになり、表
示が暗くなるという問題がある。この問題に対して、偏
光板を用いず自然光を有効に利用しようとする表示モー
ドが提案されている。このようなモードの例として、相
転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる。このモードで
は、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光
の光強度の１／２が表示に利用されないことになり、表
示が暗くなるという問題がある。この問題に対して、偏
光板を用いず自然光を有効に利用しようとする表示モー
ドが提案されている。このようなモードの例として、相
転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる。このモードで
は、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。
【０００４】図６は、特開平３−２０９２２４号公報に
て提案された従来の相転移方式ゲスト・ホスト型反射型
液晶表示装置（以下、第１の従来例という）を示す断面
図である。同図において、４１はＴＦＴ側ガラス基板、
４２、４３は、スパッタにて成膜されたクロム膜をパタ
ーンニングして形成したゲート電極と補助容量電極、４
４はゲート絶縁膜、４５は島状にパターンニングされた
半導体層、４６は、半導体層とのオーミック接触をとる
ためのコンタクトメタル、４７、４８は、アルミニウム
にて形成されたソース電極と画素電極、２１は対向電極
側ガラス基板、２２は酸化インジウム錫（indium tin o
xide；以下、ＩＴＯと記す）からなる対向電極、２４は
クロムからなるブラックマトリックス、３１はゲスト・
ホスト型液晶である。
て提案された従来の相転移方式ゲスト・ホスト型反射型
液晶表示装置（以下、第１の従来例という）を示す断面
図である。同図において、４１はＴＦＴ側ガラス基板、
４２、４３は、スパッタにて成膜されたクロム膜をパタ
ーンニングして形成したゲート電極と補助容量電極、４
４はゲート絶縁膜、４５は島状にパターンニングされた
半導体層、４６は、半導体層とのオーミック接触をとる
ためのコンタクトメタル、４７、４８は、アルミニウム
にて形成されたソース電極と画素電極、２１は対向電極
側ガラス基板、２２は酸化インジウム錫（indium tin o
xide；以下、ＩＴＯと記す）からなる対向電極、２４は
クロムからなるブラックマトリックス、３１はゲスト・
ホスト型液晶である。
【０００５】この液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板
を製造するには、ゲート電極４２、補助容量電極４３
のパターンニング工程、半導体層４５のパターンニン
グ工程、コンタクトメタル４６のパターンニング工
程、ソース電極４７、画素電極４８のパターンニング
工程、の少なくとも４回のフォトリソグラフィ工程が必
要となる。このようにフォトリソグラフィの回数が多い
と、単に間接部材の使用量、装置使用工数によるコスト
だけではなく、歩留まりの低下なども起こり、製造コス
トが大幅にアップする。
を製造するには、ゲート電極４２、補助容量電極４３
のパターンニング工程、半導体層４５のパターンニン
グ工程、コンタクトメタル４６のパターンニング工
程、ソース電極４７、画素電極４８のパターンニング
工程、の少なくとも４回のフォトリソグラフィ工程が必
要となる。このようにフォトリソグラフィの回数が多い
と、単に間接部材の使用量、装置使用工数によるコスト
だけではなく、歩留まりの低下なども起こり、製造コス
トが大幅にアップする。
【０００６】反射型液晶表示装置用のＴＦＴ基板ではな
いが、特公平６−２２２４４号公報（特開昭６２−８１
０６４）では、より少ないフォトリソグラフィ工程によ
りＴＦＴ基板を作製する製造方法（以下、第２の従来例
という）が提案されている。これは順スタガー構造を採
ることによって工程数を削減したものであって、この方
法により製造したＴＦＴ基板の断面図を図７に示す。図
７に示すように、ガラス基板５１上にスパッタ法により
ＩＴＯ膜を成膜しこれをパターンニングしてドレイン電
極５２とソース電極５３を形成する。次に、ホスフィン
（ＰＨ3 ）ガスを用いたプラズマ雰囲気中にて処理を行
って、ソース電極とドレイン電極の表面にリン含有層５
２ａ、５３ｂを形成する。続いて、アモルファスシリコ
ンからなる半導体層５４、ゲート絶縁膜５５およびゲー
ト電極５６を形成するための金属層を堆積し、この３層
をパターンニングしてゲート電極５６を形成する。この
場合に、半導体層５４をプラズマＣＶＤ法により形成す
る際の熱によりリン含有層中のリンが半導体層側に拡散
することにより、半導体層５４の電極との接触部分にオ
ーミック接触層５４ａが形成される。最後に、窒化シリ
コンなどからなる保護膜５７を形成する。この方法によ
れば、ＴＦＴ基板を作製するためのフォトリソグラフィ
工程を２回にまで削減することができる。
いが、特公平６−２２２４４号公報（特開昭６２−８１
０６４）では、より少ないフォトリソグラフィ工程によ
りＴＦＴ基板を作製する製造方法（以下、第２の従来例
という）が提案されている。これは順スタガー構造を採
ることによって工程数を削減したものであって、この方
法により製造したＴＦＴ基板の断面図を図７に示す。図
７に示すように、ガラス基板５１上にスパッタ法により
ＩＴＯ膜を成膜しこれをパターンニングしてドレイン電
極５２とソース電極５３を形成する。次に、ホスフィン
（ＰＨ3 ）ガスを用いたプラズマ雰囲気中にて処理を行
って、ソース電極とドレイン電極の表面にリン含有層５
２ａ、５３ｂを形成する。続いて、アモルファスシリコ
ンからなる半導体層５４、ゲート絶縁膜５５およびゲー
ト電極５６を形成するための金属層を堆積し、この３層
をパターンニングしてゲート電極５６を形成する。この
場合に、半導体層５４をプラズマＣＶＤ法により形成す
る際の熱によりリン含有層中のリンが半導体層側に拡散
することにより、半導体層５４の電極との接触部分にオ
ーミック接触層５４ａが形成される。最後に、窒化シリ
コンなどからなる保護膜５７を形成する。この方法によ
れば、ＴＦＴ基板を作製するためのフォトリソグラフィ
工程を２回にまで削減することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した第１の従来例
（図６）では、ＴＦＴ基板を作製するのに最低４回のフ
ォトリソグラフィ工程が必要となるため、歩留りを挙げ
ることが困難で、また製造コストの低減を図ることも困
難であった。一方、図７に示す第２の従来例では、フォ
トリソグラフィ工程が削減されているため製造コストは
低減できるものの、ドレインバスラインが比抵抗の高い
ＩＴＯで形成されているため、大画面化に対応すること
はできなかった。また、画素電極（ソース電極５３と一
体的に形成されている電極）も反射率の低いＩＴＯで形
成されているため、反射型の液晶表示装置に適用した場
合には、明るい画面が得られずまたコントラストも低く
なるという欠点があった。したがって、本発明の解決す
べき課題は、第１に、より少ないフォトリソグラフィ工
程により反射型の液晶表示装置を製造しうるようにする
ことであり、第２に、大画面化できかつ明るくコントラ
ストの高い画像の得られる反射型の液晶表示装置を提供
できるようにすることである。
（図６）では、ＴＦＴ基板を作製するのに最低４回のフ
ォトリソグラフィ工程が必要となるため、歩留りを挙げ
ることが困難で、また製造コストの低減を図ることも困
難であった。一方、図７に示す第２の従来例では、フォ
トリソグラフィ工程が削減されているため製造コストは
低減できるものの、ドレインバスラインが比抵抗の高い
ＩＴＯで形成されているため、大画面化に対応すること
はできなかった。また、画素電極（ソース電極５３と一
体的に形成されている電極）も反射率の低いＩＴＯで形
成されているため、反射型の液晶表示装置に適用した場
合には、明るい画面が得られずまたコントラストも低く
なるという欠点があった。したがって、本発明の解決す
べき課題は、第１に、より少ないフォトリソグラフィ工
程により反射型の液晶表示装置を製造しうるようにする
ことであり、第２に、大画面化できかつ明るくコントラ
ストの高い画像の得られる反射型の液晶表示装置を提供
できるようにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題
は、薄膜トランジスタを順スタガー構造に構成するとと
もに、ドレインバスラインおよび画素電極をアルミニウ
ム（Ａｌ）とＩＴＯの２層膜によって形成することによ
り、解決することができる。
は、薄膜トランジスタを順スタガー構造に構成するとと
もに、ドレインバスラインおよび画素電極をアルミニウ
ム（Ａｌ）とＩＴＯの２層膜によって形成することによ
り、解決することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による反射型液晶表示装置
は、薄膜トランジスタをスイッチング素子とするもので
あって、絶縁性基板（１）上に下層からアルミニウム膜
（１１）とＩＴＯ膜（１２）の２層膜からなるドレイン
電極（３）、前記ドレイン電極に接続されたドレインバ
スライン（２）、ソース電極（４）および前記ソース電
極に接続され粗面化された画素電極（５）が形成され、
その上に下層から、トランジスタの活性層を形成する半
導体層（１３）、ゲート絶縁膜を形成する絶縁膜（１
４）、並びに、ゲート電極（７）および前記ゲート電極
に接続されたゲートバスライン（６）を形成する低抵抗
金属膜（１５）のほぼ同一形状の３層膜が形成されてい
る薄膜トランジスタアレイ基板を有することを特徴とし
ている。
は、薄膜トランジスタをスイッチング素子とするもので
あって、絶縁性基板（１）上に下層からアルミニウム膜
（１１）とＩＴＯ膜（１２）の２層膜からなるドレイン
電極（３）、前記ドレイン電極に接続されたドレインバ
スライン（２）、ソース電極（４）および前記ソース電
極に接続され粗面化された画素電極（５）が形成され、
その上に下層から、トランジスタの活性層を形成する半
導体層（１３）、ゲート絶縁膜を形成する絶縁膜（１
４）、並びに、ゲート電極（７）および前記ゲート電極
に接続されたゲートバスライン（６）を形成する低抵抗
金属膜（１５）のほぼ同一形状の３層膜が形成されてい
る薄膜トランジスタアレイ基板を有することを特徴とし
ている。
【００１０】また、本発明による反射型液晶表示装置の
製造方法は、（１）絶縁性基板上に、アルミニウム膜、
酸化インジウム錫膜の順に成膜し、この２層膜をパター
ンニングしてドレイン電極、それに接続されたドレイン
バスライン、ソース電極およびそれに接続された画素電
極を形成する工程と、（２）ｎ型ドーパントを含むプラ
ズマ雰囲気中にて処理を行う工程と、（３）半導体層、
絶縁膜および低抵抗金属膜の３層膜の成膜を行い、これ
をパターニングして、トランジスタの活性領域、ゲート
絶縁膜、並びに、ゲート電極およびそれに接続されたゲ
ートバスラインを形成する工程と、を含み、上記第
（１）の工程において、アルミニウム膜の成膜時にグレ
インサイズが大となる条件において成膜するか、あるい
は、上記第（３）の工程の後に画素電極の表面を粗面化
する処理が付加されることを特徴としている。
製造方法は、（１）絶縁性基板上に、アルミニウム膜、
酸化インジウム錫膜の順に成膜し、この２層膜をパター
ンニングしてドレイン電極、それに接続されたドレイン
バスライン、ソース電極およびそれに接続された画素電
極を形成する工程と、（２）ｎ型ドーパントを含むプラ
ズマ雰囲気中にて処理を行う工程と、（３）半導体層、
絶縁膜および低抵抗金属膜の３層膜の成膜を行い、これ
をパターニングして、トランジスタの活性領域、ゲート
絶縁膜、並びに、ゲート電極およびそれに接続されたゲ
ートバスラインを形成する工程と、を含み、上記第
（１）の工程において、アルミニウム膜の成膜時にグレ
インサイズが大となる条件において成膜するか、あるい
は、上記第（３）の工程の後に画素電極の表面を粗面化
する処理が付加されることを特徴としている。
【００１１】［作用］本発明によれば、ドレイン電極、
ドレインバスライン、ソース電極および画素電極がアル
ミニウムとＩＴＯの２層膜によって構成される。したが
って、ドレインバスラインの低抵抗化と画素電極の高反
射性とを同時に実現することができ、大画面化に対応す
ることが可能になるとともに明るくコントラストの高い
画像を得ることができる。それとともに、ソース・ドレ
イン電極形成後のｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気
での処理を付加することにより半導体層（ｉ−アモルフ
ァスシリコン）とドレイン電極およびソース電極とのオ
ーミック接触が可能になる。
ドレインバスライン、ソース電極および画素電極がアル
ミニウムとＩＴＯの２層膜によって構成される。したが
って、ドレインバスラインの低抵抗化と画素電極の高反
射性とを同時に実現することができ、大画面化に対応す
ることが可能になるとともに明るくコントラストの高い
画像を得ることができる。それとともに、ソース・ドレ
イン電極形成後のｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気
での処理を付加することにより半導体層（ｉ−アモルフ
ァスシリコン）とドレイン電極およびソース電極とのオ
ーミック接触が可能になる。
【００１２】そして、薄膜トランジスタを順スタガー構
造とすることにより、最低２回のフォトリソグラフィ工
程により、ＴＦＴ基板を作製することが可能になり、製
造コストの低減と製造歩留りの向上を図ることができ
る。また、現像液、剥離液等の薬品に対し耐性の低いア
ルミニウムが、すべてのあるいは殆どの製造工程をとお
してＩＴＯ膜により保護されているため、耐プロセス性
の向上を図ることもできる。
造とすることにより、最低２回のフォトリソグラフィ工
程により、ＴＦＴ基板を作製することが可能になり、製
造コストの低減と製造歩留りの向上を図ることができ
る。また、現像液、剥離液等の薬品に対し耐性の低いア
ルミニウムが、すべてのあるいは殆どの製造工程をとお
してＩＴＯ膜により保護されているため、耐プロセス性
の向上を図ることもできる。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 ［第１の実施例］図１〜図３は、本発明の第１の実施例
における、ＴＦＴ基板の製造工程段階での状態を工程順
に示した図であって、それぞれの図の（ａ）は平面図
を、同じく（ｂ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線での断
面図を、同じく（ｃ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線で
の断面図を示している。
て説明する。 ［第１の実施例］図１〜図３は、本発明の第１の実施例
における、ＴＦＴ基板の製造工程段階での状態を工程順
に示した図であって、それぞれの図の（ａ）は平面図
を、同じく（ｂ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ′線での断
面図を、同じく（ｃ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ′線で
の断面図を示している。
【００１４】図１に示すように、ＴＦＴ側ガラス基板１
上にスパッタリング法等により酸化シリコン膜１０を成
膜した後、スパッタリング法にてアルミニウム膜１１、
ＩＴＯ膜１２の順で成膜して２層膜を形成し、この２層
膜をフォトリソグラフィ工程とウェットまたはドライエ
ッチング法によりパターンニングして、ドレインバスラ
イン２、それに接続されたドレイン電極３、ソース電極
４およびそれに接続された画素電極５を形成する。ここ
で、酸化シリコン膜１０は、後に成膜される半導体層の
密着性を改善するために必要となる膜である。次に、プ
ラズマ放電炉内に基板を装着し、ホスフィン（ＰＨ3 ）
を供給しつつプラズマ処理を行って、ＩＴＯの表面にリ
ン処理層を形成する。
上にスパッタリング法等により酸化シリコン膜１０を成
膜した後、スパッタリング法にてアルミニウム膜１１、
ＩＴＯ膜１２の順で成膜して２層膜を形成し、この２層
膜をフォトリソグラフィ工程とウェットまたはドライエ
ッチング法によりパターンニングして、ドレインバスラ
イン２、それに接続されたドレイン電極３、ソース電極
４およびそれに接続された画素電極５を形成する。ここ
で、酸化シリコン膜１０は、後に成膜される半導体層の
密着性を改善するために必要となる膜である。次に、プ
ラズマ放電炉内に基板を装着し、ホスフィン（ＰＨ3 ）
を供給しつつプラズマ処理を行って、ＩＴＯの表面にリ
ン処理層を形成する。
【００１５】次に、図２に示すように、プラズマＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法によりアモルファス
シリコン等からなる半導体層１３、窒化シリコン等から
なる絶縁層１４を連続して成膜し、続いてスパッタリン
グ法によりクロム膜１５を成膜し、フォトリソグラフィ
工程とウェットまたはドライエッチングにより、３層膜
を同一パターンにパターンニングして、ゲートバスライ
ン６およびそれに接続されたゲート電極７を形成する。
（Chemical Vapor Deposition ）法によりアモルファス
シリコン等からなる半導体層１３、窒化シリコン等から
なる絶縁層１４を連続して成膜し、続いてスパッタリン
グ法によりクロム膜１５を成膜し、フォトリソグラフィ
工程とウェットまたはドライエッチングにより、３層膜
を同一パターンにパターンニングして、ゲートバスライ
ン６およびそれに接続されたゲート電極７を形成する。
【００１６】次に、図３に示すように、フォトレジスト
を塗布し、露光・現像を行って、画素電極５上にランダ
ムに３ミクロン角程度の多数の画素電極粗面化用の開口
が設けられ、クロム膜１５とＩＴＯ膜１２との交差部分
のクロム膜のサイド部に“コ”の字状の開口が設けられ
たフォトレジスト膜１６を形成する。次に、ウェット法
またはドライ法によりクロム膜１５をエッチングして交
差部のクロム膜のサイド部を除去する。このエッチング
により、ゲート−ドレイン間、ソース−ドレイン間のシ
ョートの発生率を低下させ、歩留まりを向上させること
ができる。続いて、ＩＴＯ膜１２およびアルミニウム膜
１１のウェットエッチングを行い、画素電極５の表面を
粗面化する。このアルミニウムのウェットエッチングに
おいてはオーバーエッチング時間を調節することにより
粗面化具合を調節する。なお、図３（ｄ）は、図３
（ａ）のＤ−Ｄ線′での断面図である。なお、フォトレ
ジスト膜１６に設ける“コ”の字状のスリットは、ゲー
ト電極７の部分については“Ｌ”字状であってもよい。
を塗布し、露光・現像を行って、画素電極５上にランダ
ムに３ミクロン角程度の多数の画素電極粗面化用の開口
が設けられ、クロム膜１５とＩＴＯ膜１２との交差部分
のクロム膜のサイド部に“コ”の字状の開口が設けられ
たフォトレジスト膜１６を形成する。次に、ウェット法
またはドライ法によりクロム膜１５をエッチングして交
差部のクロム膜のサイド部を除去する。このエッチング
により、ゲート−ドレイン間、ソース−ドレイン間のシ
ョートの発生率を低下させ、歩留まりを向上させること
ができる。続いて、ＩＴＯ膜１２およびアルミニウム膜
１１のウェットエッチングを行い、画素電極５の表面を
粗面化する。このアルミニウムのウェットエッチングに
おいてはオーバーエッチング時間を調節することにより
粗面化具合を調節する。なお、図３（ｄ）は、図３
（ａ）のＤ−Ｄ線′での断面図である。なお、フォトレ
ジスト膜１６に設ける“コ”の字状のスリットは、ゲー
ト電極７の部分については“Ｌ”字状であってもよい。
【００１７】図４は、上記のように製作されたＴＦＴ基
板を用いた反射型液晶表示装置の断面図である。対向電
極側ガラス基板２１上には、ＩＴＯからなる対向電極２
２が形成されており、その上にポリイミド等からなる配
向膜２３が形成されている。また、ＴＦＴ基板側にも配
向膜１７が形成されている。両基板は狭い間隙を隔てて
対向して貼り合わされ、その間隙内に黒色色素を混入し
たゲスト・ホスト型液晶３１が封入されている。本実施
例によれば、ＴＦＴ基板製造工程および対向基板製造工
程をとおして３回のフォトリソグラフィ工程を用いるこ
とにより、液晶表示装置を作製することが可能になる。
板を用いた反射型液晶表示装置の断面図である。対向電
極側ガラス基板２１上には、ＩＴＯからなる対向電極２
２が形成されており、その上にポリイミド等からなる配
向膜２３が形成されている。また、ＴＦＴ基板側にも配
向膜１７が形成されている。両基板は狭い間隙を隔てて
対向して貼り合わされ、その間隙内に黒色色素を混入し
たゲスト・ホスト型液晶３１が封入されている。本実施
例によれば、ＴＦＴ基板製造工程および対向基板製造工
程をとおして３回のフォトリソグラフィ工程を用いるこ
とにより、液晶表示装置を作製することが可能になる。
【００１８】［第２の実施例］図５は、本発明の第２の
実施例を示す断面図である。ここに用いられているＴＦ
Ｔ基板は次のようにして作製される。ＴＦＴ側ガラス基
板１上にスパッタリング法等により酸化シリコン膜１０
を成膜した後、アルミニウムを、グレインサイズが大き
くなる条件下において蒸着し、グレインサイズが大きく
表面に細かな凹凸が設けられたアルミニウム膜１１を成
膜する。続いて、その上にスパッタリング法によりＩＴ
Ｏ膜１２を成膜した後、この２層膜を、フォトリソグラ
フィ工程とウェットまたはドライエッチング法によりパ
ターンニングして、ドレインバスライン２、それに接続
されたドレイン電極３、ソース電極４およびそれに接続
された画素電極５を形成する。
実施例を示す断面図である。ここに用いられているＴＦ
Ｔ基板は次のようにして作製される。ＴＦＴ側ガラス基
板１上にスパッタリング法等により酸化シリコン膜１０
を成膜した後、アルミニウムを、グレインサイズが大き
くなる条件下において蒸着し、グレインサイズが大きく
表面に細かな凹凸が設けられたアルミニウム膜１１を成
膜する。続いて、その上にスパッタリング法によりＩＴ
Ｏ膜１２を成膜した後、この２層膜を、フォトリソグラ
フィ工程とウェットまたはドライエッチング法によりパ
ターンニングして、ドレインバスライン２、それに接続
されたドレイン電極３、ソース電極４およびそれに接続
された画素電極５を形成する。
【００１９】次に、ホスフィンを用いてのプラズマ処理
を行い、その後、第１の実施例の場合と同様に、半導体
層１３、絶縁層１４、クロム膜１５を成膜し、フォトリ
ソグラフィ工程とウェットまたはドライエッチング法に
より、ゲートバスラインおよびそれに接続されたゲート
電極７を形成する。そして、ポリイミド等を用いて配向
膜１７を形成する。
を行い、その後、第１の実施例の場合と同様に、半導体
層１３、絶縁層１４、クロム膜１５を成膜し、フォトリ
ソグラフィ工程とウェットまたはドライエッチング法に
より、ゲートバスラインおよびそれに接続されたゲート
電極７を形成する。そして、ポリイミド等を用いて配向
膜１７を形成する。
【００２０】一方、対向電極側ガラス基板２１上にＩＴ
Ｏからなる対向電極２１、ポリイミドからなる配向膜２
３を形成して対向電極基板を作製する。これら２枚の基
板を、狭い間隙を隔てて対向させて貼り合わせ、その間
隙に黒色色素を混入したゲスト・ホスト型液晶３１を封
入する。本実施例によれば、反射型液晶表示装置を作製
するのに、ＴＦＴ基板および対向電極基板の製造工程を
とおして２回のフォトリソグラフィ工程のみしか必要と
しない。
Ｏからなる対向電極２１、ポリイミドからなる配向膜２
３を形成して対向電極基板を作製する。これら２枚の基
板を、狭い間隙を隔てて対向させて貼り合わせ、その間
隙に黒色色素を混入したゲスト・ホスト型液晶３１を封
入する。本実施例によれば、反射型液晶表示装置を作製
するのに、ＴＦＴ基板および対向電極基板の製造工程を
とおして２回のフォトリソグラフィ工程のみしか必要と
しない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射型液
晶表示装置は、順スタガー構造の薄膜トランジスタを用
い、ドレインバスライン、画素電極等をアルミニウム膜
とＩＴＯ膜の２層膜によって形成するものであるので、
ドレインバスラインの抵抗を下げて大画面化への対応を
可能ならしめることができるとともに画素電極での高反
射性を実現することができる。それとともに、ＩＴＯの
表面にｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気中にて処理
を行うことにより、低抵抗で高反射性のこの２層膜に半
導体層に対するオーミック接触の機能を付与することが
できる。
晶表示装置は、順スタガー構造の薄膜トランジスタを用
い、ドレインバスライン、画素電極等をアルミニウム膜
とＩＴＯ膜の２層膜によって形成するものであるので、
ドレインバスラインの抵抗を下げて大画面化への対応を
可能ならしめることができるとともに画素電極での高反
射性を実現することができる。それとともに、ＩＴＯの
表面にｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気中にて処理
を行うことにより、低抵抗で高反射性のこの２層膜に半
導体層に対するオーミック接触の機能を付与することが
できる。
【００２２】また、本発明によれば、ＴＦＴ基板を２乃
至３回のフォトリソグラフィ工程により作製が可能であ
るため、副資材の使用量の削減、製造装置使用時間の短
縮を図ることができ、製造コストを低減することができ
るとともに、パーティクル等による汚染の可能性を低下
させ歩留まりの向上を図ることができる。さらに、現像
液、剥離液等の薬液に対する耐性の低いアルミニウム
を、全製造工程をとおしてあるいは大部分の製造工程を
とおしてＩＴＯ膜により保護することができ、プロセス
耐性を向上させることができる。
至３回のフォトリソグラフィ工程により作製が可能であ
るため、副資材の使用量の削減、製造装置使用時間の短
縮を図ることができ、製造コストを低減することができ
るとともに、パーティクル等による汚染の可能性を低下
させ歩留まりの向上を図ることができる。さらに、現像
液、剥離液等の薬液に対する耐性の低いアルミニウム
を、全製造工程をとおしてあるいは大部分の製造工程を
とおしてＩＴＯ膜により保護することができ、プロセス
耐性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの一製造工程段階での平面図と断面図。
めの一製造工程段階での平面図と断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの、図１の工程に続く工程段階での平面図と断面図。
めの、図１の工程に続く工程段階での平面図と断面図。
【図３】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの、図２の工程に続く工程段階での平面図と断面図。
めの、図２の工程に続く工程段階での平面図と断面図。
【図４】本発明の第１の実施例の反射型液晶表示装置の
断面図。
断面図。
【図５】本発明の第２の実施例の反射型液晶表示装置の
断面図。
断面図。
【図６】第１の従来例である反射型液晶表示装置の断面
図。
図。
【図７】第２の従来例である順スタガー構造のＴＦＴ基
板の断面図。
板の断面図。
【符号の説明】 １、４１ ＴＦＴ側ガラス基板 ２ ドレインバスライン ３、５２ ドレイン電極 ４、４７、５３ ソース電極 ５、４８ 画素電極 ６ ゲートバスライン ７、４２、５６ ゲート電極 １０ 酸化シリコン膜 １１ アルミニウム膜 １２ 酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜） １３、４５、５４ 半導体層 １４ 絶縁層 １５ クロム膜 １６ フォトレジスト膜 １７、２３ 配向膜 ２１ 対向電極側ガラス基板 ２２ 対向電極 ２４ ブラックマトリクス ３１ ゲスト・ホスト型液晶 ４３ 補助容量電極 ４４、５５ ゲート絶縁膜 ４６ コンタクトメタル ５１ ガラス基板 ５２ａ、５３ａ リン含有層 ５４ａ オーミック接触層 ５７ 保護膜
Claims (6)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタをスイッチング素子と
するアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置に
おいて、絶縁性基板上に下層からアルミニウム膜と酸化
インジウム錫（ＩＴＯ）膜の２層膜からなるドレイン電
極、前記ドレイン電極に接続されたドレインバスライ
ン、ソース電極および前記ソース電極に接続され粗面化
された画素電極が形成され、その上に下層から、トラン
ジスタの活性層を形成する半導体層、ゲート絶縁膜を形
成する絶縁膜、並びに、ゲート電極および前記ゲート電
極に接続されたゲートバスラインを形成する低抵抗金属
膜のほぼ同一形状の３層膜が形成されている薄膜トラン
ジスタアレイ基板を有することを特徴とする反射型液晶
表示装置。 - 【請求項２】 （１）絶縁性基板上に、アルミニウム
膜、酸化インジウム錫膜の順に成膜し、この２層膜をパ
ターンニングしてドレイン電極、それに接続されたドレ
インバスライン、ソース電極およびそれに接続された画
素電極を形成する工程と、 （２）ｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気中にて処理
を行う工程と、 （３）半導体層、絶縁膜および低抵抗金属膜の３層膜の
成膜を行い、これをパターニングして、トランジスタの
活性領域、ゲート絶縁膜、並びに、ゲート電極およびそ
れに接続されたゲートバスラインを形成する工程と、 （４）前記画素電極上に多数の開口を有するフォトレジ
スト膜を形成しこれをマスクとしてエッチングを行って
前記画素電極の表面を粗面化する工程と、を有すること
を特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第（４）の工程において、前記フォ
トレジスト膜に、前記２層膜と前記３層膜との交差部分
の前記低抵抗金属膜の両サイドに“コ”の字型のスリッ
トまたは“コ”の字もしくは“Ｌ”の字型のスリットを
設け、画素電極の粗面化を行う前若しくは後に、前記低
抵抗金属膜の交差部のサイド部分をエッチングすること
を特徴とする請求項２記載の反射型液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項４】 （１）絶縁性基板上に、グレインサイズ
が大となる条件でアルミニウム膜を成膜し、その上に酸
化インジウム錫膜を成膜し、この２層膜をパターンニン
グしてドレイン電極、それに接続されたドレインバスラ
イン、ソース電極およびそれに接続された画素電極を形
成する工程と、 （２）ｎ型ドーパントを含むプラズマ雰囲気中にて処理
を行う工程と、 （３）半導体層、絶縁膜および低抵抗金属膜の３層膜の
成膜を行い、これをパターニングして、トランジスタの
活性領域、ゲート絶縁膜、並びに、ゲート電極およびそ
れに接続されたゲートバスラインを形成する工程と、を
有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記第（２）の工程におけるプラズマ雰
囲気がホスフィン（ＰＨ3 ）を用いて形成されることを
特徴とする請求項２または４記載の反射型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項６】 前記第（１）の工程において、アルミニ
ウム膜を成膜するに先立って全面に下地層となる酸化シ
リコン膜を形成することを特徴とする請求項２または４
記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24739496A JP2842529B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24739496A JP2842529B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090721A JPH1090721A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2842529B2 true JP2842529B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=17162784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24739496A Expired - Lifetime JP2842529B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842529B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306546B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2001-11-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100806887B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2008-02-22 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24739496A patent/JP2842529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1090721A (ja) | 1998-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100714139B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2001201768A (ja) | 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置 | |
| JP2003337338A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US8717530B2 (en) | Array substrate for transreflective liquid crystal display, manufacturing method thereof and liquid crystal display | |
| US6717631B2 (en) | Array substrate for use in LCD device | |
| JP2000275660A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3513409B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH11337961A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US20070188682A1 (en) | Method for manufacturing a display device | |
| US7075603B2 (en) | Method of fabricating a semi-transmission LCD by plasma processing and washing organic film, and LCD fabricated thereby | |
| US7599026B2 (en) | Liquid crystal display substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device having the same | |
| JP2005338388A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2009015199A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000206564A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH11352515A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH1010525A (ja) | 反射型基板およびその製造方法並びに反射型液晶表示装置 | |
| JP2842529B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP4354205B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2004294805A (ja) | 液晶表示装置、表示装置の製造方法、パターニング方法 | |
| JP2000098375A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2004004164A (ja) | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US20020085142A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JP2007121804A (ja) | 薄膜積層基板、及びその製造方法、並びに薄膜積層基板を備える液晶表示装置 | |
| JPH08313890A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| KR100205867B1 (ko) | 액티브매트릭스기판의 제조방법 및 그 방법에 의해제조되는액티브매트릭스기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023 Year of fee payment: 13 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |