JP3513409B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッサ
やパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手
帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えた
カメラ一体型ＶＴＲなどに用いられる液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
やパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手
帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えた
カメラ一体型ＶＴＲなどに用いられる液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電
力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、スチル
カメラ、車載モニター、携帯ＯＡ機器、携帯ゲーム機な
どに広く用いられている。
力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、スチル
カメラ、車載モニター、携帯ＯＡ機器、携帯ゲーム機な
どに広く用いられている。
【０００３】このような液晶表示装置には、画素電極に
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透
明電極を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電極に金
属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置とがあ
る。
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透
明電極を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電極に金
属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置とがあ
る。
【０００４】本来、液晶表示装置はＣＲＴ（ブラウン
管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などとは異な
り、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透
過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に
蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、
そこから入射される光によって表示を行っている。ま
た、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射
光を反射電極によって反射させることによって表示を行
っている。
管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などとは異な
り、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透
過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に
蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、
そこから入射される光によって表示を行っている。ま
た、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射
光を反射電極によって反射させることによって表示を行
っている。
【０００５】ここで、透過型の液晶表示装置の場合は、
上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、
周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高
コントラストを有する表示を行うことができるという利
点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装
置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、
消費電力が大きくなってしまうという問題も有してい
る。
上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、
周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高
コントラストを有する表示を行うことができるという利
点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装
置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、
消費電力が大きくなってしまうという問題も有してい
る。
【０００６】また、反射型の液晶表示装置の場合は、上
述のようにバックライトを使用しないために、消費電力
を極めて小さくすることができるという利点を有してい
るものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条
件によって表示の明るさやコントラストが左右されてし
まうという問題も有している。
述のようにバックライトを使用しないために、消費電力
を極めて小さくすることができるという利点を有してい
るものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条
件によって表示の明るさやコントラストが左右されてし
まうという問題も有している。
【０００７】このように、反射型の液晶表示装置におい
ては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場
合には視認性が極端に低下するという欠点を有してお
り、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、こ
れとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下など
での視認性が低下してしまうというような問題を有して
いた。
ては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場
合には視認性が極端に低下するという欠点を有してお
り、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、こ
れとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下など
での視認性が低下してしまうというような問題を有して
いた。
【０００８】こうした問題点を解決するための手段とし
て、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶
表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号などによ
り提案されている。この特許出願により提案された液晶
表示装置は、１つの表示画素に外光を反射する反射部と
バックライトからの光を透過する透過部とを作り込むこ
とにより、周囲が真っ暗の場合には、バックライトから
の透過部を透過する光を利用して表示を行なう透過型液
晶表示装置として、また、外光が暗い場合には、バック
ライトからの透過部を透過する光と光反射率の比較的高
い膜により形成した反射部により反射する光との両方を
利用して表示を行う両用型液晶表示装置として、さら
に、外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜に
より形成した反射部により反射する光を利用して表示を
行う反射型液晶表示装置として用いることができるとい
うような構成の反射透過両用型の液晶表示装置である。
て、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶
表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号などによ
り提案されている。この特許出願により提案された液晶
表示装置は、１つの表示画素に外光を反射する反射部と
バックライトからの光を透過する透過部とを作り込むこ
とにより、周囲が真っ暗の場合には、バックライトから
の透過部を透過する光を利用して表示を行なう透過型液
晶表示装置として、また、外光が暗い場合には、バック
ライトからの透過部を透過する光と光反射率の比較的高
い膜により形成した反射部により反射する光との両方を
利用して表示を行う両用型液晶表示装置として、さら
に、外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜に
より形成した反射部により反射する光を利用して表示を
行う反射型液晶表示装置として用いることができるとい
うような構成の反射透過両用型の液晶表示装置である。
【０００９】このような構成の液晶表示装置は、外光の
明るさに関わらず、常に視認性が優れた液晶表示装置の
提供を可能にしたものであるが、透過型と反射型との両
方で明るく色純度の高いカラー表示を実現するために
は、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直
な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そ
のためには、最適な反射特性を有する反射板を作製する
ことが必要であり、ガラスなどからなる基板の表面に、
最適な反射特性を有するために制御された凹凸を形成
し、その上に、金属膜などからなる薄膜を形成した反射
板を形成する必要がある。
明るさに関わらず、常に視認性が優れた液晶表示装置の
提供を可能にしたものであるが、透過型と反射型との両
方で明るく色純度の高いカラー表示を実現するために
は、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直
な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そ
のためには、最適な反射特性を有する反射板を作製する
ことが必要であり、ガラスなどからなる基板の表面に、
最適な反射特性を有するために制御された凹凸を形成
し、その上に、金属膜などからなる薄膜を形成した反射
板を形成する必要がある。
【００１０】実施されている方法としては、例えば、基
板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列され
た遮光手段を介して感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成する。そ
して、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜
を形成し、その絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射
板を形成する方法である。
板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列され
た遮光手段を介して感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成する。そ
して、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜
を形成し、その絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射
板を形成する方法である。
【００１１】また、反射板を基板の外側（液晶層とは反
対側）に形成することで問題となるガラス厚みの影響に
よる二重映りの発生は、反射板を基板の内部に形成して
画素電極と兼ねる構造、つまり反射電極とすることで解
決している。
対側）に形成することで問題となるガラス厚みの影響に
よる二重映りの発生は、反射板を基板の内部に形成して
画素電極と兼ねる構造、つまり反射電極とすることで解
決している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
反射光を利用して表示を行う液晶表示装置においては、
反射電極としては反射率が高い材料で構成することが好
ましいのは勿論であり、その意味からはＡｇが最適であ
るが、ＡｇはＳｉ層への拡散率が高い材料であるため、
下地への拡散および反応の問題が大きい。
反射光を利用して表示を行う液晶表示装置においては、
反射電極としては反射率が高い材料で構成することが好
ましいのは勿論であり、その意味からはＡｇが最適であ
るが、ＡｇはＳｉ層への拡散率が高い材料であるため、
下地への拡散および反応の問題が大きい。
【００１３】これに対して、Ａｌは下地への拡散および
反応の可能性が小さく、また、集積回路におけるメタラ
イゼーションに広く用いられ、エッチング条件などの特
性も良いことから反射電極にはＡｌが用いられることが
多い。そして、この様なＡｌによる反射電極膜をエッチ
ングして反射電極を形成する場合には、硝酸＋酢酸＋リ
ン酸＋水からなるエッチング液をエッチャントとするウ
ェットエッチング法が適用されている。
反応の可能性が小さく、また、集積回路におけるメタラ
イゼーションに広く用いられ、エッチング条件などの特
性も良いことから反射電極にはＡｌが用いられることが
多い。そして、この様なＡｌによる反射電極膜をエッチ
ングして反射電極を形成する場合には、硝酸＋酢酸＋リ
ン酸＋水からなるエッチング液をエッチャントとするウ
ェットエッチング法が適用されている。
【００１４】また、上述した従来の技術における透明な
電極部分などにはＩＴＯが多く用いられており、このと
きのフォトリソグラフィー技術で使用されるフォトレジ
スト（レジスト）を除去するためには、アミン系の剥離
液が使用されている。
電極部分などにはＩＴＯが多く用いられており、このと
きのフォトリソグラフィー技術で使用されるフォトレジ
スト（レジスト）を除去するためには、アミン系の剥離
液が使用されている。
【００１５】ここで、上述したような反射透過両用型の
液晶表示装置における透明電極と反射電極との境界領域
について、図面を用いて簡単に説明する。図９および図
１０は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との境界領域を示した断面図である。
液晶表示装置における透明電極と反射電極との境界領域
について、図面を用いて簡単に説明する。図９および図
１０は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との境界領域を示した断面図である。
【００１６】この従来の液晶表示装置の画素部分におけ
る透明電極と反射電極との境界領域は、図９に示すよう
に、基板１上に形成された透明電極であるＩＴＯ２と反
射電極であるＡｌ４とが電気的に接触した状態となって
いるか、または、図１０に示すように、透明電極である
ＩＴＯ２と反射電極であるＡｌ４とがさらに他の金属膜
５（例えば、Ｍｏ：モリブデンなど）を介して電気的に
接触した状態となっているのが一般的である。
る透明電極と反射電極との境界領域は、図９に示すよう
に、基板１上に形成された透明電極であるＩＴＯ２と反
射電極であるＡｌ４とが電気的に接触した状態となって
いるか、または、図１０に示すように、透明電極である
ＩＴＯ２と反射電極であるＡｌ４とがさらに他の金属膜
５（例えば、Ｍｏ：モリブデンなど）を介して電気的に
接触した状態となっているのが一般的である。
【００１７】しかしながら、上述したようにＩＴＯとＡ
ｌとが電気的に接続してしまうと、以下に示すような問
題が生じてしまうことが分かった。
ｌとが電気的に接続してしまうと、以下に示すような問
題が生じてしまうことが分かった。
【００１８】それは、反射電極を形成する際のレジスト
を除去するためのアミン系剥離液→水洗という処理工程
の水洗工程において、ＩＴＯとＡｌとの間に生じる電食
反応である。この電食反応は、剥離槽において基板に付
着したアミン系の剥離液が、水洗槽で水と混ざることに
よってアルカリ性が強くなるために生じる反応である。
すなわち、ＩＴＯとＡｌとが隣接または接触した状態で
アルカリ性溶液の中に浸けられた状態になるためであ
り、その結果、反射電極であるＡｌや透明電極であるＩ
ＴＯ２の表面が腐食されたり（電食）、透明電極である
ＩＴＯ２が還元されて黒化してしまうという問題が生じ
てしまう。
を除去するためのアミン系剥離液→水洗という処理工程
の水洗工程において、ＩＴＯとＡｌとの間に生じる電食
反応である。この電食反応は、剥離槽において基板に付
着したアミン系の剥離液が、水洗槽で水と混ざることに
よってアルカリ性が強くなるために生じる反応である。
すなわち、ＩＴＯとＡｌとが隣接または接触した状態で
アルカリ性溶液の中に浸けられた状態になるためであ
り、その結果、反射電極であるＡｌや透明電極であるＩ
ＴＯ２の表面が腐食されたり（電食）、透明電極である
ＩＴＯ２が還元されて黒化してしまうという問題が生じ
てしまう。
【００１９】このように、従来の液晶表示装置では、画
素部分における透明電極と反射電極との境界領域におい
てＩＴＯとＡｌとが腐食、溶解されてしまい、この電食
反応により液晶表示装置の製造歩留まりを大幅に低下さ
せてしまうという問題を有していた。
素部分における透明電極と反射電極との境界領域におい
てＩＴＯとＡｌとが腐食、溶解されてしまい、この電食
反応により液晶表示装置の製造歩留まりを大幅に低下さ
せてしまうという問題を有していた。
【００２０】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、その目的とするところは、反
射透過両用型の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との電食反応を防止することにより製造歩
留まりを容易に向上させることができる反射透過両用型
の液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
みなされたものであって、その目的とするところは、反
射透過両用型の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との電食反応を防止することにより製造歩
留まりを容易に向上させることができる反射透過両用型
の液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置において、前記反射部と透過部とはそ
れぞれ電極材料により構成されてなり、これらの電極材
料は互いの境界領域において層間膜を介して一部または
全部を重畳して形成されていることを特徴としている。
ための本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置において、前記反射部と透過部とはそ
れぞれ電極材料により構成されてなり、これらの電極材
料は互いの境界領域において層間膜を介して一部または
全部を重畳して形成されていることを特徴としている。
【００２２】即ち、本発明の液晶表示装置によれば、透
過部と反射部との境界領域において、透過部を構成する
電極材料と反射部を構成する電極材料とが互いに接触し
た状態または他の金属膜等を介して電気的に接続した状
態とならないように、それらの間に層間膜を介した構造
としていることにより、電極材料の電食による腐食や還
元による黒化の問題を解決している。これは、層間膜を
介した構造としていることで透過部を構成する電極材料
と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くな
り、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起
こりにくくすることが可能となっている。
過部と反射部との境界領域において、透過部を構成する
電極材料と反射部を構成する電極材料とが互いに接触し
た状態または他の金属膜等を介して電気的に接続した状
態とならないように、それらの間に層間膜を介した構造
としていることにより、電極材料の電食による腐食や還
元による黒化の問題を解決している。これは、層間膜を
介した構造としていることで透過部を構成する電極材料
と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くな
り、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起
こりにくくすることが可能となっている。
【００２３】また、上述した目的を達成するための本発
明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置の製造方法において、前記少なくとも
透過部を構成する領域を含む一方側の基板上に、透明電
極材料をパターニングして形成する工程と、前記少なく
とも反射部を構成する領域を含む前記透明電極上に、層
間膜をパターニングして形成する工程と、前記層間膜上
の反射部を構成する領域に、反射電極材料をパターニン
グして形成する工程と、を有することを特徴としてい
る。
明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置の製造方法において、前記少なくとも
透過部を構成する領域を含む一方側の基板上に、透明電
極材料をパターニングして形成する工程と、前記少なく
とも反射部を構成する領域を含む前記透明電極上に、層
間膜をパターニングして形成する工程と、前記層間膜上
の反射部を構成する領域に、反射電極材料をパターニン
グして形成する工程と、を有することを特徴としてい
る。
【００２４】即ち、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、透過部と反射部との境界領域において、層間膜
や電極材料のパターニングの際にフォトマスクなどの位
置合わせずれが発生しても、層間膜上に反射電極材料を
形成していることにより、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料とが層間膜を介した状態で、
アミン系剥離液→水洗などのレジストを除去する工程を
経ることになるので、電解溶液中に浸した場合において
も電食や還元による問題を起こりにくくすることが可能
となっている。
よれば、透過部と反射部との境界領域において、層間膜
や電極材料のパターニングの際にフォトマスクなどの位
置合わせずれが発生しても、層間膜上に反射電極材料を
形成していることにより、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料とが層間膜を介した状態で、
アミン系剥離液→水洗などのレジストを除去する工程を
経ることになるので、電解溶液中に浸した場合において
も電食や還元による問題を起こりにくくすることが可能
となっている。
【００２５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明に
おける実施の形態１について図面に基づいて説明する。
おける実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００２６】図１は、本実施の形態１における液晶表示
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図２
（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）は、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図２
（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）は、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。
【００２７】本実施の形態１における液晶表示装置の画
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
【００２８】次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態１では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態１では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。
【００２９】次に、チャネル層１１（アモルファスＳ
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。
【００３０】その後、図２（ｂ）に示すように、スパッ
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。
【００３１】次に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＮな
どの絶縁膜をＣＶＤ法にて３０００Å積層した後、パタ
ーニングして層間膜７を形成する。
どの絶縁膜をＣＶＤ法にて３０００Å積層した後、パタ
ーニングして層間膜７を形成する。
【００３２】次に、図２（ｄ）に示すように、この層間
膜７上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
膜７上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
【００３３】次に、図３（ｅ）に示すように、層間膜７
および感光性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成す
る電極材料としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング
法により１０００／５００Åの膜厚により成膜する。
および感光性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成す
る電極材料としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング
法により１０００／５００Åの膜厚により成膜する。
【００３４】そして、図３（ｆ）に示すように、反射部
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。
【００３５】また、このとき、次の工程で反射部を構成
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図１の
断面図に示すように、層間膜７と反射電極４との位置合
わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と反射
部を構成する電極材料との境界領域における前記フォト
レジスト１６の端部が、前記層間膜７の端部よりも反射
部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光現像す
る。
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図１の
断面図に示すように、層間膜７と反射電極４との位置合
わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と反射
部を構成する電極材料との境界領域における前記フォト
レジスト１６の端部が、前記層間膜７の端部よりも反射
部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光現像す
る。
【００３６】次に、図３（ｇ）に示すように、硝酸＋酢
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。
【００３７】最後に、図３（ｈ）に示すように、フォト
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分は完成する。
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分は完成する。
【００３８】ここで、前記フォトリソグラフィーにより
形成されたフォトレジスト１６を除去するために用いた
バッチ式の剥離装置について図４を用いて説明する。図
４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態１におけるバッチ式
のフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図であ
る。
形成されたフォトレジスト１６を除去するために用いた
バッチ式の剥離装置について図４を用いて説明する。図
４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態１におけるバッチ式
のフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図であ
る。
【００３９】図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、上述し
たような工程を経た基板２０は、アミンとしてＭＥＡ
（モノエタノールアミン）を６０ｗｔ％含有する剥離液
２１に浸けられ、その後、基板２０表面の剥離液２１を
取り除くために水２２に浸けられて水洗される。この
時、図４（ｂ）に示すような基板２０が剥離槽から水洗
槽へ搬送される過程においては、基板２０表面には剥離
液２１が付着した状態となっており、この基板２０を水
洗槽に浸けることにより、基板２０表面でＭＥＡ２１と
水２２とが混ざりアルカリ性が強くなる。
たような工程を経た基板２０は、アミンとしてＭＥＡ
（モノエタノールアミン）を６０ｗｔ％含有する剥離液
２１に浸けられ、その後、基板２０表面の剥離液２１を
取り除くために水２２に浸けられて水洗される。この
時、図４（ｂ）に示すような基板２０が剥離槽から水洗
槽へ搬送される過程においては、基板２０表面には剥離
液２１が付着した状態となっており、この基板２０を水
洗槽に浸けることにより、基板２０表面でＭＥＡ２１と
水２２とが混ざりアルカリ性が強くなる。
【００４０】したがって、従来のような構成の液晶表示
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまう。
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまう。
【００４１】しかしながら、本実施の形態１では、上述
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。
【００４２】なお、透過部において液晶層にかかる電荷
が多少減少しても支障が無い場合には、層間膜７を透過
部を構成する電極材料であるＩＴＯ上全面に形成しても
構わない。このような構成の場合には、層間膜７の膜厚
を制御することにより透過部と反射部とのリタデーショ
ンを最適値に設定することが可能になるという利点を有
することになる。
が多少減少しても支障が無い場合には、層間膜７を透過
部を構成する電極材料であるＩＴＯ上全面に形成しても
構わない。このような構成の場合には、層間膜７の膜厚
を制御することにより透過部と反射部とのリタデーショ
ンを最適値に設定することが可能になるという利点を有
することになる。
【００４３】以上のようにして製造された画素部分を有
するＴＦＴ基板と、透明電極が形成された透明な対向基
板（図示せず）とのそれぞれに配向膜を塗布して焼成す
る。そして、この配向膜にラビング処理を施し、スペー
サーを散布してからシール樹脂でこれらの両基板を貼り
合せ、真空注入法により液晶を注入して、液晶表示素子
を作成する。なお、本実施の形態１では、水平配向の液
晶モードで動作させるために、それぞれのラビング方向
が平行となるように設定し、誘電率異方性が正のネマチ
ック液晶を注入した。最後に、偏光板と位相差板とをそ
れぞれ液晶表示素子の両側に１枚ずつ設置し、背面にバ
ックライトを設置して本実施の形態１における反射透過
両用型の液晶表示装置は完成する。
するＴＦＴ基板と、透明電極が形成された透明な対向基
板（図示せず）とのそれぞれに配向膜を塗布して焼成す
る。そして、この配向膜にラビング処理を施し、スペー
サーを散布してからシール樹脂でこれらの両基板を貼り
合せ、真空注入法により液晶を注入して、液晶表示素子
を作成する。なお、本実施の形態１では、水平配向の液
晶モードで動作させるために、それぞれのラビング方向
が平行となるように設定し、誘電率異方性が正のネマチ
ック液晶を注入した。最後に、偏光板と位相差板とをそ
れぞれ液晶表示素子の両側に１枚ずつ設置し、背面にバ
ックライトを設置して本実施の形態１における反射透過
両用型の液晶表示装置は完成する。
【００４４】（実施の形態２）上述した実施の形態１で
は、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジ
スト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去する方法に
ついて説明したが、本実施の形態２では、フォトリソグ
ラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を枚葉式
の剥離装置を用いて除去する方法について説明する。
は、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジ
スト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去する方法に
ついて説明したが、本実施の形態２では、フォトリソグ
ラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を枚葉式
の剥離装置を用いて除去する方法について説明する。
【００４５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態２に
おけるフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図で
ある。なお、本実施の形態２における液晶表示装置の製
造工程は、フォトレジスト１６の剥離工程以外は、上述
した実施の形態１と同様のフローにより行うことにな
る。
おけるフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図で
ある。なお、本実施の形態２における液晶表示装置の製
造工程は、フォトレジスト１６の剥離工程以外は、上述
した実施の形態１と同様のフローにより行うことにな
る。
【００４６】図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、実施の
形態１における図２および図３の工程を経た基板２０
は、アミンとしてＭＥＡ（モノエタノールアミン）を６
０ｗｔ％含有する剥離液２１に浸けられ、その後、基板
２０表面の剥離液２１を取り除くために水２２に浸けら
れて水洗される。この時、図５（ｃ）に示すような基板
２０が剥離槽から水洗槽へ搬送される過程においては、
基板２０表面には剥離液２１が付着した状態となってお
り、この基板２０を水洗槽に浸けことにより、基板２０
表面でＭＥＡ２１と水２２とが混ざるりアルカリ性が強
くなる。
形態１における図２および図３の工程を経た基板２０
は、アミンとしてＭＥＡ（モノエタノールアミン）を６
０ｗｔ％含有する剥離液２１に浸けられ、その後、基板
２０表面の剥離液２１を取り除くために水２２に浸けら
れて水洗される。この時、図５（ｃ）に示すような基板
２０が剥離槽から水洗槽へ搬送される過程においては、
基板２０表面には剥離液２１が付着した状態となってお
り、この基板２０を水洗槽に浸けことにより、基板２０
表面でＭＥＡ２１と水２２とが混ざるりアルカリ性が強
くなる。
【００４７】したがって、従来のような構成の液晶表示
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまうが、本実施の形態２においても、上述
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまうが、本実施の形態２においても、上述
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。
【００４８】（実施の形態３）以下、本発明における実
施の形態３について図面に基づいて説明する。
施の形態３について図面に基づいて説明する。
【００４９】図６は、本実施の形態３における液晶表示
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図７
（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｇ）は、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図７
（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｇ）は、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。
【００５０】本実施の形態３における液晶表示装置の画
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。
【００５１】次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態３では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態３では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。
【００５２】次に、チャネル層１１（アモルファスＳ
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。
【００５３】その後、図７（ｂ）に示すように、スパッ
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。
【００５４】次に、図７（ｃ）に示すように、このＩＴ
Ｏ２上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
Ｏ２上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。
【００５５】次に、図７（ｄ）に示すように、この感光
性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成する電極材料
としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング法により１
０００／５００Åの膜厚により成膜する。
性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成する電極材料
としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング法により１
０００／５００Åの膜厚により成膜する。
【００５６】そして、図８（ｅ）に示すように、反射部
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。
【００５７】また、このとき、次の工程で反射部を構成
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図６の
断面図に示すように、感光性樹脂３と反射電極４との位
置合わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料との境界領域における前記フ
ォトレジスト１６の端部が、前記感光性樹脂３の端部よ
りも反射部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光
現像する。
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図６の
断面図に示すように、感光性樹脂３と反射電極４との位
置合わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料との境界領域における前記フ
ォトレジスト１６の端部が、前記感光性樹脂３の端部よ
りも反射部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光
現像する。
【００５８】次に、図８（ｆ）に示すように、硝酸＋酢
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。
【００５９】最後に、図８（ｇ）に示すように、フォト
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分は完成する。
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分は完成する。
【００６０】本実施の形態３においても、上述したよう
に透過部と反射部との境界領域において、図６の断面図
に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ
２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５と
が直接接触しないように、感光性樹脂３と反射電極材料
４、７とがパターニングされているので、透明電極材料
であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を
起こすことなくフォトレジスト１６を除去することがで
きる。
に透過部と反射部との境界領域において、図６の断面図
に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ
２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５と
が直接接触しないように、感光性樹脂３と反射電極材料
４、７とがパターニングされているので、透明電極材料
であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を
起こすことなくフォトレジスト１６を除去することがで
きる。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法によれば、透過部と反射部との
境界領域において、透過部を構成する電極材料と反射部
を構成する電極材料とが互いに接触した状態または他の
金属膜等を介して電気的に接続した状態とならないよう
に、それらの間に層間膜を介した構造としていることに
より、電極材料の電食による腐食や還元による黒化の問
題を解決している。これは、層間膜を介した構造として
いることで透過部を構成する電極材料と反射部を構成す
る電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に
浸した場合においても電食や還元を起こりにくくするこ
とが可能となっている。
装置およびその製造方法によれば、透過部と反射部との
境界領域において、透過部を構成する電極材料と反射部
を構成する電極材料とが互いに接触した状態または他の
金属膜等を介して電気的に接続した状態とならないよう
に、それらの間に層間膜を介した構造としていることに
より、電極材料の電食による腐食や還元による黒化の問
題を解決している。これは、層間膜を介した構造として
いることで透過部を構成する電極材料と反射部を構成す
る電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に
浸した場合においても電食や還元を起こりにくくするこ
とが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における液晶表
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
【図３】図３（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１
におけるバッチ式のフォトレジストの剥離工程を示した
概略図である。
におけるバッチ式のフォトレジストの剥離工程を示した
概略図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２
における枚葉式のフォトレジスト剥離工程を示した概略
図である。
における枚葉式のフォトレジスト剥離工程を示した概略
図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態３における液晶表
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
【図８】図８（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態３
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。
【図９】図９は、従来の液晶表示装置の画素部分におけ
る透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図であ
る。
る透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図であ
る。
【図１０】図１０は、従来の液晶表示装置の画素部分に
おける透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図
である。
おける透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図
である。
１ ガラス基板
２ 透明電極材料（ＩＴＯ）
３ 感光性樹脂膜
４ 反射電極材料（Ａｌ）
５ 反射電極材料（Ｍｏ）
６ 透過部
７ 絶縁膜
８ ゲート電極
９ 陽極酸化膜
１０ ゲート絶縁膜
１１ チャネル層
１２ 電極コンタクト層
１３ ソース電極（ＩＴＯ）
１４ ソース電極（Ｔａ）
１５ ドレイン電極（Ｔａ）
１６ フォトレジスト
２０ 基板
２１ 剥離液
２２ 水
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1335
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶層を挟んで互いに対向して配置され
る一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射す
る反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画
素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置
において、 前記反射部はＡｌによって構成され、前記透過部はＩＴ
Ｏにより構成されてなり、前記Ａｌと前記ＩＴＯとは層
間膜を介して前記ＩＴＯが前記一方側の基板側に形成さ
れ、前記層間膜は前記透過部には形成されておらず、前
記Ａｌと前記ＩＴＯとは前記反射部と前記透過部との境
界領域において前記層間膜を介して一部または全部を重
畳して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶層を挟んで互いに対向して配置され
る一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射す
る反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画
素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置
の製造方法において、 前記透過部を構成する領域及び前記反射部と前記透過部
との境界領域を含む一方側の基板上に、ＩＴＯをパター
ニングして形成する工程と、 前記反射部を構成する領域及び前記反射部と前記透過部
との境界領域を含む領域に形成し、前記透過部を構成す
る領域には形成しないように、層間膜をパターニングし
て形成する工程と、 前記層間膜上の反射部を構成する領域及び前記反射部と
前記透過部との境界領域に、Ａｌをパターニングして形
成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35583298A JP3513409B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35583298A JP3513409B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003372136A Division JP2004126612A (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
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