JP2007142077A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板表面Wfには遮断板5が近接した状態で離間して対向配置される。遮断板5には上下方向に貫通する貫通孔が表面周縁部TRに対向する位置に形成されており、周縁処理ノズル7が離間位置P1から処理位置P2に移動され貫通孔に挿入される。貫通孔の孔径は周縁処理ノズル7の外径よりも大きく形成されており、処理位置P2として表面周縁部TRに薬液を供給可能なエッチング位置P21と、該エッチング位置P21よりも基板Wの径方向内側に位置するリンス位置P22とに周縁処理ノズル7が選択的に位置決めされる。
【選択図】図8
Description
5…遮断板(遮断部材)
5a…当接面
7…周縁処理ノズル(ノズル)
7b…段差面
13…チャック回転駆動機構(基板回転手段)
15…スピンベース(回転部材)
25…ガス供給ユニット(ガス供給手段)
70…ノズル
73…駆動機構(ノズル駆動機構)
501…対向面
502…貫通孔
504…ガス導入部
506…ガス噴出口
703…ノズル先端側の胴部
704…ノズル後端側の胴部
B1…ノズル後端側の胴部径
B2…(ノズル後端側の)貫通孔の孔径
F1〜F12…支持ピン(支持部材)
L1…ノズル先端側の胴部径
L2…(ノズル先端側の)貫通孔の孔径
NTR…非処理領域
P1…離間位置
P2…処理位置
P21…エッチング位置
P22…リンス位置
S1〜S12…支持ピン(支持部材)
TR…(基板の)表面周縁部(処理領域)
W…基板
Wb…基板裏面
Wf…基板表面
Claims (8)
- 処理領域と非処理領域とを有する基板表面の前記処理領域に処理液として薬液を供給して該処理領域に対してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記処理領域に処理液としてリンス液を供給して該処理領域に対してリンス処理を施す基板処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
処理液を吐出して前記基板保持手段に保持された基板の表面の処理領域に処理液を供給するノズルと、
前記基板表面に対向して配置されるとともに、上下方向に貫通する貫通孔を有する遮断部材と、
前記ノズルを駆動することで前記ノズルを前記貫通孔に挿入させて処理液を前記処理領域に供給可能な処理位置と、前記遮断部材から離れた離間位置とに位置決めさせるノズル駆動機構と
を備え、
前記遮断部材では、前記貫通孔の孔径が前記ノズルの外径よりも大きく形成されており、
前記ノズル駆動機構は、前記処理位置として、薬液を前記処理領域に供給可能なエッチング位置と、リンス液を前記処理領域に供給可能であって前記エッチング位置とは水平方向における位置が異なるリンス位置とに前記ノズルを選択的に位置決めさせることを特徴とする基板処理装置。 - 基板表面の周縁部を前記処理領域として該周縁部に薬液を供給してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記基板表面の周縁部にリンス液を供給して該周縁部に対してリンス処理を施す請求項1記載の基板処理装置であって、
前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段をさらに備え、
前記遮断部材では、前記貫通孔が前記処理領域に対向する位置に形成され、
前記ノズル駆動機構は、前記リンス位置として前記ノズルを前記エッチング位置に対して前記基板の径方向内側に位置決めさせる基板処理装置。 - 前記遮断部材が有する前記基板表面と対向する対向面と、前記基板表面との間に形成される空間にガスを供給するガス供給手段をさらに備え、
前記基板保持手段は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の裏面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材とを有し、
前記ガス供給手段は、前記遮断部材の対向面に設けられたガス噴出口を介して前記空間にガスを供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させる請求項2記載の基板処理装置。 - 前記遮断部材は、前記貫通孔の内壁に設けられ、前記貫通孔の内部にガスを導入するガス導入部を有する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ノズルは、ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、前記ノズル先端側の胴部と前記ノズル後端側の胴部との間に段差面を有する一方、
前記遮断部材では、前記貫通孔の内壁に前記ノズルの段差面と当接可能な当接面が設けられており、
前記ノズル駆動機構は、前記ノズルの段差面を前記遮断部材の当接面に押し付けることにより前記ノズルを前記処理位置に位置決めする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記遮断部材では、前記ノズル先端側の胴部径と前記貫通孔の孔径との差が前記ノズル後端側の胴部径と前記貫通孔の孔径との差に比べて大きくなるように前記貫通孔が形成される請求項5記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は、前記貫通孔の内壁に前記当接面に対して前記基板から離間する方向に設けられ、前記貫通孔の内部にガスを導入するガス導入部を有する請求項5または6記載の基板処理装置。
- 処理領域と非処理領域とを有する基板表面の前記処理領域に処理液として薬液を供給して該処理領域に対してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記処理領域に処理液としてリンス液を供給して該処理領域に対してリンス処理を施す基板処理方法において、
上下方向に貫通する貫通孔を有する遮断部材を基板に近接対向させて配置する工程と、
前記貫通孔にノズルを挿入して前記処理領域に薬液を供給可能なエッチング位置に位置決めして前記ノズルから薬液を供給することにより前記処理領域に対してエッチング処理を施す工程と、
前記処理領域にリンス液を供給可能であって前記エッチング位置とは水平方向における位置が異なるリンス位置にノズルを位置決めして該ノズルからリンス液を供給することにより前記エッチング処理が施された前記処理領域に対してリンス処理を施す工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
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