JP2005235945A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この装置は、ウエハWを保持して回転するスピンチャック1と、スピンチャック1の上方に配置された遮断板10とを備えている。遮断板10は、ウエハWの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材32を有している。環状部材32は、ウエハWの上面の周縁部に対向するウエハ対向面45を有する。中心軸ノズル5から、ウエハWの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハWの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面45に接触する液膜50を形成する。この液膜50は、環状部材32の内周縁付近から内方へ入り込むことができない。ウエハWの上方の空間40内の雰囲気は、気体流通路36を介して外部へ排出される。
【選択図】 図1
Description
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの上方においてウエハ上の空間を制限する遮断板と、ウエハの下面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。ウエハの下面に供給されたエッチング液は、遠心力によってウエハの下面を伝わってその回転半径方向外方へと向かい、ウエハの端面を伝ってその上面に回り込み、このウエハの上面の周縁部の不要物をエッチングする。このとき、遮断板は、ウエハの上面に近接して配置され、この遮断板とウエハとの間には、窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
スピンチャックによってウエハが保持されて回転されている期間に、ウエハの下面からエッチング液が供給されることにより、ウエハの上面の周縁部の不要物がエッチング除去され、その後は、ウエハの上下面に対して純水リンス処理が行われた後、スピンチャックが高速回転されて、ウエハの上下面の水滴を振り切る乾燥処理が行われる。
すなわち、ウエハの上面と遮断板との距離が遠いときには、エッチング液は遮断板に接触しないから、ウエハ上面への回り込み量が少なく、また回り込み量の制御を正確に行うことができない。さらに、この場合には、ウエハ上面と遮断板との間の空間と外部空間との間の連通空間が大きいから、外部からのエッチング液の雰囲気または飛散した液滴または霧もしくは蒸気(いわゆるミスト)がウエハ表面の中央部のデバイス形成領域に侵入するという問題もある。
このように、いずれの場合にも、エッチング液の回り込み量を正確に制御することができない。
上記蓋部材は、上記環状部材と一体化されていてもよいし、上記環状部材とは別の部材であってもよい。
環状部材の内周縁は、基板の外周縁に対応する形状を有することになるから、ほぼ円形の基板を処理するときにはほぼ円形形状を有し、角形の基板を処理するときには角形の形状を有することになる。
請求項2記載の発明は、上記基板を一方表面側から保持する基板保持手段(1)をさらに備え、上記蓋部材および環状部材は、上記基板の他方表面側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の基板周縁処理装置である。
たとえば、上記基板保持手段は、基板を下方から保持するものであって、上記環状部材が基板の上面側に近接して配置されるようになっていてもよい。
請求項3に記載のように、上記蓋部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項2記載の基板周縁処理装置であってもよい。
基板がほぼ円形の基板である場合には、上記基板周縁処理装置は、この基板を回転させる基板回転手段(1,2)をさらに含むことが好ましい。そして、上記環状部材の内周縁は、基板の直径以下の内径を有する円形形状を有していることが好ましい。たとえば、基板回転手段は、基板を保持する基板保持手段(1)と、この基板保持手段を回転させる回転駆動機構(2)とを含むものであってもよい。
請求項5記載の発明は、上記気体流通路が上記環状部材に形成されており、上記蓋部材および上記環状部材に包囲された空間内において、上記環状部材における基板との最近接部よりも基板から離れて配置され、上記気体供給手段によって供給される気体を上記気体流通路に向けて整流する整流板(33)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、整流板の縁部と環状部材の内周面との間に形成されるエッチング液通路を介して、気体排出路へとエッチング液を引き出すことができる。これにより、環状部材の内周縁から基板の中央部へと入り込もうとするエッチング液を強制的に排除することができる。また、基板の周縁部に接触する液膜を構成するエッチング液の新液への置換を促進できるから、エッチング液の能力を維持でき、基板の周縁部の処理を効率的に行える。
この構成によれば、オリフィスによって気体が加速されることにより、エジェクタ効果を高めることができるので、基板の中央部にエッチング液が及ぶことをより確実に抑制できるとともに、液膜を構成するエッチング液の新液への置換をさらに促進できる。
この構成によれば、基板と整流板との間の空間が過度に減圧されることを防止できるので、整流板と基板との間の間隙にエッチング液が侵入することを抑制できる。
この構成によれば、基板対向面と基板の周縁部の表面との間のエッチング液を、液排出路を介して環状部材の外方の空間へと排出することができる。すなわち、環状部材に形成された気体流通路を介して気体が流出するときに生じるエジェクタ効果によって、液排出路内が減圧され、基板対向面と基板との間の液膜を形成するエッチング液を吸い出すことができる。これにより、基板の中央領域にエッチング液が入り込むことを抑制でき、また、液膜を構成するエッチング液の新液への置換を促進して、処理の効率化を図ることができる。
請求項11記載の発明は、上記環状部材は、基板に対向する基板対向面を有し、上記気体流通路は、上記基板対向面に刻設された溝(71)によって形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。この構成によれば、基板対向面に形成された溝によって気体流通路を形成できるので、環状部材の構成を簡単にすることができる。
上記エッチング液供給手段は、上記周縁部の表面を含む基板の表面とは反対側の面に向けてエッチング液を供給するノズル(5)を含むものであってもよい。この構成によれば、処理対象領域である基板の周縁部の表面とは反対側の表面からエッチング液が供給され、このエッチング液が基板の端面を回り込んで上記周縁部の表面へと導かれ、ここに上記環状部材と協働して安定した液膜を形成することができる。
上記ノズルは、上記反対側の面の中央部に向けてエッチング液を供給するものであってもよいし、上記反対側の面の周縁部付近に向けてエッチング液を供給するものであってもよい。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面(この実施形態では上面)の周縁部および端面に形成されている薄膜を除去することができるものである。この基板処理周縁装置は、ウエハWをその裏面を下方に向けてほぼ水平に保持するとともに、この保持したウエハWのほぼ中心を通る鉛直軸線回りに回転するスピンチャック1を処理カップ(図示せず)の中に備えている。
エッチング液には、ウエハWの周縁部の表面から除去しようとする薄膜の種類に応じた種類のものが適用される。たとえば、ウエハWの周縁部の表面から銅薄膜等の金属膜を除去するときには、たとえば、塩酸と過酸化水素水との混合液、フッ酸と過酸化水素水との混合液、または硝酸がエッチング液として用いられる。また、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜またはシリコン酸化膜をウエハWから除去するときには、たとえば、フッ酸と硝酸との混合液がエッチング液として用いられる。さらに、ウエハW上の酸化膜または窒化膜を除去するときには、たとえば、DHF(希フッ酸)や50%フッ酸などのフッ酸類がエッチング液として用いられる。
回転軸13は、中空軸とされていて、その内部には、中心軸ノズル14が挿通されている。この中心軸ノズル14には、純水供給源からの純水を純水供給バルブ15を介して供給することができ、薬液(たとえばエッチング液)液供給源からの薬液を薬液供給バルブ16を介して供給できるようになっている。中心軸ノズル14の下端は、遮断板10の中央に形成された貫通孔17に入り込んで、スピンチャック1に保持されたウエハWの上面の中央(回転中心)に臨んでいる。
プロセスガス導入路24には、プロセスガス供給源から、プロセスガス供給バルブ26を介して、プロセスガス(窒素ガス等の不活性ガス)が供給され、シールガス導入路25には、シールガス供給源から、シールガス供給バルブ27を介して、シールガス(乾燥空気等)が供給される。
回転軸13は、内軸13Aと、これを取り囲む外軸13Bとの二重軸構造となっており、内軸13Aの下端付近に形成された外向きのフランジ29によって、外軸13B下端が支持されている。外軸13Bには、ラビリンス部材23の環状溝23bに対向する位置に開口するとともに、その肉厚内で軸方向に延びたプロセスガス通路30が形成されている。このプロセスガス通路30は、フランジ29に形成された貫通孔および遮断板10の上蓋部31に形成された貫通孔を経て、遮断板10の内部空間と連通している。
遮断板10は、円板形状の上蓋部31と、この上蓋部31の周縁部においてその下面に結合された環状部材32と、この環状部材32の内方において、上蓋部31に下方から結合された円板状の整流板33とを備えている。上蓋部31、環状部材32および整流板33によって、遮断板10の内部にはガス空間34が区画されている。このガス空間34には、プロセスガス通路30からのプロセスガスが導かれる。
環状部材32は、上蓋部31の下面の周縁部に固定された上リング32Aと、この上リング32Aに対向するように、この上リング32Aの下方に設けられた下リング32Bとを有している。上リング32Aと下リング32Bとは、周方向に間隔をあけて配置された複数個(たとえば等角度間隔で12個)の支え部材35によって互いに結合されている。これにより、上リング32Aの下面と下リング32Bの上面との間には、上蓋部31と環状部材32とによって包囲された空間と外側の空間とを連通させるスリット開口状の気体流通路36が形成されている。
ウエハ対向面45とウエハWの周縁部との間の隙間には、エッチング液の液膜50が形成され、この液膜50はウエハ対向面45に接触するとともに、ウエハ対向面45の内周縁(内壁面47とウエハ対向面45とが交わる稜線部)によって、それよりもウエハWの内方への移動が規制されることになる。
上リング32Aは、その内周面が、回転半径方向外方に向かうに従って整流板33の上面に近接していき、整流板33の周縁部の上面近傍に至る傾斜面からなるオリフィス形成面40となっている。ガス空間34に供給されるプロセスガスは、整流板33によって、回転半径方向外方側へと流れ、気体流通路36へと向かう気流へと整流される。オリフィス形成面40と整流板33の上面との間では、気体流通路36に向かうに従って気体通路が狭窄されるオリフィスが形成されている。これにより、気体流通路36の入口付近において、プロセスガスが加速されることになる。その結果、エッチング液通路39に対するエジェクタ効果が高められ、下リング32Bのウエハ対向面45よりも内方へと入り込もうとするエッチング液は、気体流通路36を介して外部に排出されることになる。これにより、ウエハWの中央領域に対する不所望なエッチングを抑制できる。また、液膜50を構成するエッチング液の新液への置換が促進されるため、液膜50のエッチング能力を維持することができる。これにより、処理効率を高め、処理時間を短縮することができる。
図1に示されているように、スピンチャック1には、円盤状のスピンベース441と、このスピンベース441上に立設されたチャックピン41を作動させるためのチャックピン駆動機構44が備えられている。このチャックピン駆動機構44は、たとえば、スピンベース441の内部に設けられたリンク機構442と、このリンク機構442を駆動する駆動機構443とを含む。この駆動機構443は、回転軸3とともに回転する回転側可動部材444と、この回転側可動部材444の外周側に軸受け445を介して結合された固定側可動部材446と、この固定側可動部材446を昇降させるためのチャックピン駆動用昇降駆動機構447とを備えている。
この状態で所定時間にわたってウエハWの周縁部の表面のエッチング処理が行われると、エッチング液供給バルブ7が閉じられ、遮断板昇降駆動機構11によって遮断板10が所定の高さ(たとえばウエハ対向面45とウエハW上面との間隔が50mmとなる位置)まで上昇される。その後、純水供給バルブ6が開かれるとともに、プロセスガス供給バルブ26が閉じられて、純水供給バルブ15が開かれる。これにより、ウエハWの上面および下面に純水が供給されて、ウエハWを水洗する純水リンス処理が行われる。
以上のように、この実施形態によれば、ウエハWの周縁部におけるエッチング液の液膜50が、環状部材32によって、ウエハWの内方の領域に侵入しないように規制される。これにより、ウエハWの周縁部におけるエッチング幅を精度よく制御することができ、ウエハWの周縁部に対して、良好な処理を施すことができる。
図3は、この発明の第2の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。この図3において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。
環状部材61は、ウエハWの周縁部の環状の処理対象領域に対応した内周縁を有するウエハ対向面62を有している。すなわち、このウエハ対向面62の内周縁は、ウエハWの径よりも小さな径の円形をなしている。この内周縁がなす円形は、ウエハWの上面の周縁部の処理対象領域の内周縁よりも若干大きい。
このほか、図4に示すように、環状部材61の上下方向中間位置に、環状部材61の内周面および外周面を貫通する貫通孔を形成して気体流通路63とすることもできる。
図7は、この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を拡大して示す断面図である。この図7において、上述の図3に示された各部に対応する部分には、図3の場合と同一の参照符号を付して示す。
この実施形態では、環状部材61には気体流通路は形成されておらず、上蓋部31に、その上下面を貫通する貫通孔からなる気体流通路75が形成されている。この構成によっても、空間65内のエッチング液雰囲気をプロセスガスに置換し、エッチング液雰囲気を外部へと排出できるので、ウエハWの中央領域の腐食を抑制または防止できる。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、上蓋部または環状部材の一方に気体流通路を設けた構成について説明したが、これらの両方に気体流通路を設けてもよい。
さらに、スピンチャック1の側方から、たとえば、環状部材の外周面に沿わせて、ウエハWの上面の周縁部にエッチング液を供給することとしてもよい。また、環状部材に上下方向に貫通するエッチング液供給路を形成し、環状部材の上方から、当該エッチング液供給路を介してウエハWの上面の周縁部にエッチング液を供給するようにしてもよい。これらの場合には、エッチング液の供給時にスピンチャック1を非回転状態としたり、低速回転状態(遠心力によりエッチング液が基板外に飛び出さない状態)としたりして、ウエハWの周縁部にエッチング液を液盛りして、この液盛りされたエッチング液によって、ウエハW表面の周縁部の不要物をエッチング除去することができる。液盛りされたエッチング液の液膜は、環状部材の働きにより、ウエハWの内方へと侵入することが抑制されるので、良好な精度でエッチング幅を規定することができる。また、ウエハW上にエッチング液を液盛りしてその周縁部の処理を行うことにより、エッチング液の消費量を著しく削減することができる。
また、上記の実施形態では、ウエハWの周端面を挟持する構成のスピンチャック1を例示したが、ウエハWの下面を吸着して保持するバキュームチャックや、ウエハWの端面に当接するとともにその状態で回転することによってウエハWを回転させるローラ式のチャックを採用してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 回転駆動機構
3 回転軸
4 処理液供給管
5 中心軸ノズル
5a 吐出口
6 純水供給バルブ
7 エッチング液供給バルブ
8 プロセスガス供給路
9 プロセスガス供給バルブ
10 遮断板
11 遮断板昇降駆動機構
12 モータ
13 回転軸
14 中心軸ノズル
15 純水供給バルブ
16 薬液供給バルブ
17 貫通孔
18 プロセスガス供給路
19 プロセスガス供給バルブ
20 ハウジング
21 軸受け
22 プロセスガス供給機構
23 ラビリンス部材
24 プロセスガス導入路
25 シールガス導入路
26 プロセスガス供給バルブ
27 シールガス供給バルブ
28 吸引口
29 フランジ
30 プロセスガス通路
31 上蓋部
32 環状部材
32A 上リング
32B 下リング
33 整流板
34 ガス空間
35 支え部材
36 気体流通路
37 整流板支え部材
38 周端面
39 エッチング液通路
40 オリフィス形成面
41 チャックピン
42 支持部
43 ガイドピン
44 チャックピン駆動機構
45 ウエハ対向面
46 通気孔
47 内壁面
48 外壁面
50 液膜
55 上面空間
61 環状部材
62 ウエハ対向面
63 気体流通路
65 空間
66 突出部
67 ウエハ対向面
68 内周面
69 傾斜面
70 気体通路
71 溝
73 エッチング液排出路
75 気体流通路
76 ガイド部材
441 スピンベース
442 リンク機構
443 駆動機構
444 回転側可動部材
445 軸受け
446 固定側可動部材
447 チャックピン駆動用昇降駆動機構
E エッチング液
W ウエハ
Claims (12)
- 基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、
上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように配置され、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する環状部材と、
この環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材と、
この蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給手段と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間と外側の空間とを連通させる気体流通路とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。 - 上記基板を一方表面側から保持する基板保持手段をさらに備え、
上記蓋部材および環状部材は、上記基板の他方表面側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の基板周縁処理装置。 - 上記蓋部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項2記載の基板周縁処理装置。
- 上記環状部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項2または3記載の基板周縁処理装置。
- 上記気体流通路が上記環状部材に形成されており、
上記蓋部材および上記環状部材に包囲された空間内において、上記環状部材における基板との最近接部よりも基板から離れて配置され、上記気体供給手段によって供給される気体を上記気体流通路に向けて整流する整流板をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板周縁処理装置。 - 上記整流板の縁部と上記環状部材の内周面との間には、上記整流板から上記気体流通路へと流れ込む気体によるエジェクタ効果によって上記エッチング液を上記気体流通路へと導くエッチング液通路が形成されていることを特徴とする請求項5記載の基板周縁処理装置。
- 上記蓋部材と上記整流板との間に、上記気体流通路に向かうに従って気体通路を狭窄するオリフィスを形成するオリフィス形成部材をさらに含むことを特徴とする請求項6記載の基板周縁処理装置。
- 上記整流板には、その一方表面側と他方表面側との間で気体を流通させる通気孔が形成されていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記整流板には、基板と上記整流板との間の空間に気体を供給するための気体供給孔が形成されていることを特徴とする請求項5ないし8のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記気体流通路は上記環状部材に形成されており、
上記環状部材は、基板に対向する基板対向面において開口するとともに、上記気体流通路と連通した液排出路を有していることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の基板周縁処理装置。 - 上記環状部材は、基板に対向する基板対向面を有し、
上記気体流通路は、上記基板対向面に刻設された溝によって形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板周縁処理装置。 - 基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、
上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、
上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有する環状部材を配置し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する処理幅規定工程と、
上記環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材を配置する工程と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給工程と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間内の気体を、気体流通路を介して外部へ排出させる気体排出工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142076A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2007142077A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2008008154A2 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US7681581B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP2010093190A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
JP2011222965A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
KR101377196B1 (ko) | 2008-07-24 | 2014-03-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 |
US8734593B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
WO2019058774A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置および基板処理装置 |
CN112705364A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-27 | 萍乡宝海锌营养科技有限公司 | 一种硫酸锌生产用高效离心脱水装置 |
-
2004
- 2004-02-18 JP JP2004041753A patent/JP4409312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8544483B2 (en) | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US7681581B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8656936B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-02-25 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP2007142077A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007142076A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4632934B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-02-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4657090B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-03-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US8668778B2 (en) | 2006-07-07 | 2014-03-11 | Tel Fsi, Inc. | Method of removing liquid from a barrier structure |
US8967167B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-03 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US9666456B2 (en) | 2006-07-07 | 2017-05-30 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US8978675B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-17 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
WO2008008154A2 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
WO2008008154A3 (en) * | 2006-07-07 | 2008-05-02 | Fsi Int Inc | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
US8684015B2 (en) | 2008-05-09 | 2014-04-01 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
KR101377196B1 (ko) | 2008-07-24 | 2014-03-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 |
JP2010093190A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011222965A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US9576787B2 (en) | 2010-03-30 | 2017-02-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
US8734593B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
WO2019058774A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置および基板処理装置 |
JP2019057680A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持装置および基板処理装置 |
KR20200021540A (ko) * | 2017-09-22 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 유지 장치 및 기판 처리 장치 |
KR102266363B1 (ko) | 2017-09-22 | 2021-06-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 유지 장치 및 기판 처리 장치 |
US11961757B2 (en) | 2017-09-22 | 2024-04-16 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus |
CN112705364A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-27 | 萍乡宝海锌营养科技有限公司 | 一种硫酸锌生产用高效离心脱水装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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