JP6762824B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
<1.1 基板処理装置1の構成>
図1および図2は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す断面図である。基板処理装置1は、半導体基板9(以下、単に「基板9」という。)を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板保持部31と、基板回転機構33と、カップ部4と、トッププレート5と、対向部材移動機構6と、上部ノズル181を備え、これらの構成はハウジング11の内部に収容される。なお、図1は、対向部材移動機構6によってトッププレート5が上方に移動された状態の基板処理装置1を示し、図2は、対向部材移動機構6によってトッププレート5が下方に移動された状態の基板処理装置1を示している。
図6は、基板処理装置1における基板9の処理の流れの一例を示す図である。図1、図2および図6を用いて基板処理装置1における基板処理の流れを説明する。
以下、本実施形態の基板処理装置1および処理例の効果について説明する。ここでは、第1処理111〜113を含む工程を第1供給工程と呼び、第2処理121を含む工程を第2供給工程と呼び、第3処理131を含む工程を第3供給工程と呼ぶ。さらに、第1供給工程を実行する期間を第1期間と呼び、第2供給工程を実行する期間を第2期間と呼び、第3供給工程を実行する期間を第3期間と呼ぶ。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
9 基板
33 基板回転機構
91 上面
92 下面
5 トッププレート
513 下面
154 テーパ面
312 チャック
181 上部ノズル
111〜113、111A〜115A 第1処理
121、121A、122A 第2処理
131、131A、132A 第3処理
812a〜816a、814b 吐出口
J1 中心軸
S1〜S5 ステップ
t1〜t7、t11〜t22 時刻
Claims (13)
- 基板および前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを有する遮断部を、前記上面に直交する回転軸まわりに回転させる回転工程と、
回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する1以上の第1処理を含む第1供給工程と、
回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する1以上の第2処理を含む第2供給工程と、
を有し、
前記第1供給工程を実行する第1期間と前記第2供給工程を実行する第2期間とが重複する重複期間が存在する、基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記1以上の第1処理は、回転される前記基板の前記上面に向けてリンス液を供給するリンス処理を含み、
前記重複期間は、前記リンス処理を実行する期間と前記第2期間とが重複する期間である、基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記1以上の第1処理は、複数の前記リンス処理を含み、
前記重複期間は、前記複数のリンス処理のうち少なくとも最後のリンス処理を実行する期間と前記第2期間とが重複する期間である、基板処理方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
時間的に互いに重複する前記第1処理と前記第2処理とにおいて、前記第1処理の処理途中で前記第2処理が終了する、基板処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
時間的に互いに重複する前記第1処理と前記第2処理とにおいて、前記第1処理の方が前記第2処理よりも先に開始する、基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法であって、
先に開始された前記第1処理によって前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記第2処理が実行される、基板処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
時間的に互いに重複する前記第1処理と前記第2処理とにおいて、前記第1処理の開始と前記第2処理の開始とが同時である、基板処理方法。 - 請求項1から請求項7のいずれか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
前記回転工程は、前記第1供給工程および前記第2供給工程の後に実行される処理として、前記第1供給工程および前記第2供給工程の際よりも速く前記基板および前記遮断部を回転する処理を有する、基板処理方法。 - 請求項1から請求項8のいずれか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給工程、
をさらに有する、基板処理方法。 - 請求項9に記載の基板処理方法であって、
前記ガス供給工程は、少なくとも、前記第2期間の後で且つ前記基板の前記上面が前記処理液で覆われている期間中に、前記空間に前記不活性ガスを供給する、基板処理方法。 - 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板の上面と対向する下面と前記下面の内周部から中央に向けて斜め上方に伸びたテーパ面とを含む遮断部と、
前記基板の中心を通り鉛直方向に伸びる回転軸まわりに前記基板および前記遮断部を回転させる回転部と、
平面視で前記遮断部の中央に設けられた開口を通じて、回転される前記基板の前記上面に向けて処理液を供給する第1供給部と、
前記遮断部の前記開口を通じて、回転される前記遮断部の中央から前記テーパ面および前記下面に向けて水平方向にリンス液を供給する第2供給部と、
を有し、
前記第1供給部が前記処理液を供給する第1期間と前記第2供給部が前記リンス液を供給する第2期間とが重複する重複期間が存在する、基板処理装置。 - 請求項11に記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間の側方部分を塞ぐ閉塞部、をさらに含む、基板処理装置。 - 請求項11または請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記遮断部の前記開口を通じて、前記基板の前記上面と前記遮断部の前記下面との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給部、
をさらに有する、基板処理装置。
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