JP2007142077A5 - - Google Patents

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  1. 処理領域と非処理領域とを有する基板表面の前記処理領域に処理液として薬液を供給して該処理領域に対してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記処理領域に処理液としてリンス液を供給して該処理領域に対してリンス処理を施す基板処理装置において、
    基板を保持する基板保持手段と、
    処理液を吐出して前記基板保持手段に保持された基板の表面の処理領域に処理液を供給するノズルと、
    前記基板表面に対向して配置されるとともに、上下方向に貫通する貫通孔を有する遮断部材と、
    前記ノズルを駆動することで前記ノズルを前記貫通孔に挿入させて処理液を前記処理領域に供給可能な処理位置と、前記遮断部材から離れた離間位置とに位置決めさせるノズル駆動機構と
    を備え、
    前記遮断部材では、前記貫通孔の孔径が前記ノズルの外径よりも大きく形成されており、
    前記ノズル駆動機構は、前記処理位置として、薬液を前記処理領域に供給可能なエッチング位置と、リンス液を前記処理領域に供給可能であって前記エッチング位置とは水平方向における位置が異なるリンス位置とに前記ノズルを選択的に位置決めさせることを特徴とする基板処理装置。
  2. 基板表面の周縁部を前記処理領域として該周縁部に薬液を供給してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記基板表面の周縁部にリンス液を供給して該周縁部に対してリンス処理を施す請求項1記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段をさらに備え、
    前記遮断部材では、前記貫通孔が前記処理領域に対向する位置に形成され、
    前記ノズル駆動機構は、前記リンス位置として前記ノズルを前記エッチング位置に対して前記基板の径方向内側に位置決めさせる基板処理装置。
  3. 前記遮断部材が有する前記基板表面と対向する対向面と、前記基板表面との間に形成される空間にガスを供給するガス供給手段をさらに備え、
    前記基板保持手段は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の裏面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材とを有し、
    前記ガス供給手段は、前記遮断部材の対向面に設けられたガス噴出口を介して前記空間にガスを供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させる請求項2記載の基板処理装置。
  4. 前記遮断部材は、前記貫通孔の内壁に設けられ、前記貫通孔の内部にガスを導入するガス導入部を有する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記ノズルは、ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、前記ノズル先端側の胴部と前記ノズル後端側の胴部との間に段差面を有する一方、
    前記遮断部材では、前記貫通孔の内壁に前記ノズルの段差面と当接可能な当接面が設けられており、
    前記ノズル駆動機構は、前記ノズルの段差面を前記遮断部材の当接面に押し付けることにより前記ノズルを前記処理位置に位置決めする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記遮断部材では、前記ノズル先端側の胴部径と前記貫通孔の孔径との差が前記ノズル後端側の胴部径と前記貫通孔の孔径との差に比べて大きくなるように前記貫通孔が形成される請求項5記載の基板処理装置。
  7. 前記遮断部材は、前記貫通孔の内壁に前記当接面に対して前記基板から離間する方向に設けられ、前記貫通孔の内部にガスを導入するガス導入部を有する請求項5または6記載の基板処理装置。
  8. 処理領域と非処理領域とを有する基板表面の前記処理領域に処理液として薬液を供給して該処理領域に対してエッチング処理を施すとともに、エッチング処理された前記処理領域に処理液としてリンス液を供給して該処理領域に対してリンス処理を施す基板処理方法において、
    上下方向に貫通する貫通孔を有する遮断部材を基板に近接対向させて配置する工程と、
    前記貫通孔にノズルを挿入して前記処理領域に薬液を供給可能なエッチング位置に位置決めして前記ノズルから薬液を供給することにより前記処理領域に対してエッチング処理を施す工程と、
    前記処理領域にリンス液を供給可能であって前記エッチング位置とは水平方向における位置が異なるリンス位置にノズルを位置決めして該ノズルからリンス液を供給することにより前記エッチング処理が施された前記処理領域に対してリンス処理を施す工程と
    を備えたことを特徴とする基板処理方法。
  9. 基板を回転させながら前記基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
    鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
    前記回転部材を回転させる回転手段と、
    前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の下面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも3個以上の支持部材を有する支持手段と、
    前記基板の上面に気体を供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させて前記基板を前記回転部材に保持させる遮断部材と、
    処理液を吐出して前記基板の処理領域に対して前記処理液を供給するノズルを有する供給機構とを備え、
    前記遮断部材は前記ノズルを挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、
    前記供給機構は、前記ノズルを前記貫通孔に挿入して薬液を前記処理液として供給可能なエッチング位置と、水平方向における位置が前記エッチング位置とは異なりリンス液を前記処理液として供給可能なリンス位置とに前記ノズルを選択的に位置決めすることを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板表面の処理領域に第1処理液を供給して第1処理を施した後に、前記第1処理を受けた処理領域に対して前記第1処理液と異なる第2処理液を供給して該処理領域に対して第2処理を施す基板処理装置において、
    基板を保持する基板保持手段と、
    前記第1処理液および前記第2処理液を選択的に前記基板表面に向けて吐出するノズルと、
    前記基板表面に対向して配置されるとともに、上下方向に貫通する貫通孔を有する遮断部材と、
    前記ノズルを駆動して位置決するノズル駆動機構とを備え、
    前記貫通孔は前記ノズルよりも大きく形成され、前記貫通孔内で前記ノズルが水平方向に移動自在となっており、
    前記ノズル駆動機構は、前記ノズルから吐出する処理液が前記第1処理液であるか前記第2処理液であるかに応じて前記貫通孔内での前記ノズルの位置を水平方向において異ならせることを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記ノズルは、処理液を吐出するノズル先端部と、前記ノズル先端部よりも太く前記ノズル先端部の上方側に形成されたノズル後端部と、前記ノズル先端部と前記ノズル後端部の間に形成された段差面とを有し、
    前記貫通孔では前記段差面に当接可能な段差部が設けられ、
    前記第1処理液の吐出時および前記第2処理液の吐出時に前記段差面が前記段差部に当接して前記貫通孔を塞ぐ請求項10記載の基板処理装置。
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