JP2007080343A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、第1のデータ数を有するデータ単位でエラー検査のためのパリティ信号を生成するパリティ生成回路17と、メモリセルアレイ11と、メモリセルアレイ11から読み出された読み出しパリティ信号と、この読み出しパリティ信号に対応しかつメモリセルアレイ11から読み出されかつ第1のデータ数を有する読み出しデータとに基づいて、読み出しデータのエラーを訂正するためのシンドローム信号を生成するシンドローム生成回路15と、シンドローム信号に基づいて、パリティ信号を訂正するパリティ訂正回路18とを具備し、パリティ生成回路18は、第1のデータ数より小さい第2のデータ数を有する入力データと読み出しデータの一部とを含むデータに対してパリティ信号を生成する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、センスアンプ回路12、アドレス制御回路13およびデータ制御回路14を備えている。
第2の実施形態は、エラー検出処理を高速に行うようにしたものである。
第3の実施形態は、シンドローム生成回路15とパリティ生成回路17との一部の回路を共有するようにしたものである。
Claims (5)
- 第1のデータ数を有するデータ単位でエラー検査のためのパリティ信号を生成するパリティ生成回路と、
複数のメモリセルを含み、かつデータを記憶する第1の領域とパリティ信号を記憶する第2の領域とを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイから読み出された読み出しパリティ信号と、この読み出しパリティ信号に対応しかつ前記メモリセルアレイから読み出されかつ第1のデータ数を有する読み出しデータとに基づいて、前記読み出しデータのエラーを訂正するためのシンドローム信号を生成するシンドローム生成回路と、
前記シンドローム信号に基づいて、前記パリティ信号を訂正するパリティ訂正回路と
を具備し、
前記パリティ生成回路は、前記第1のデータ数より小さい第2のデータ数を有する入力データと前記読み出しデータの一部とを含むデータに対してパリティ信号を生成することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記パリティ生成回路は、前記シンドローム生成回路によるシンドローム生成処理に並行して、パリティ生成処理を実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記シンドローム信号に基づいて、前記読み出しデータのエラーの位置を検出して検出信号を生成する検出回路をさらに具備し、
前記パリティ訂正回路は、前記検出信号に基づいて前記パリティ信号を訂正することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。 - 前記読み出しデータは、複数のデータブロックからなり、
前記パリティ信号は、前記複数のデータブロック毎に生成され、かつ前記複数のデータブロックの数に対応した複数のデータ数を有し、
前記パリティ訂正回路は、エラーが存在するデータブロックに対応するパリティ信号を訂正することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記パリティ生成回路および前記シンドローム生成回路はそれぞれ、検査符号に基づいて、前記パリティ信号および前記シンドローム信号を生成し、
前記検査符号は、前記メモリセルアレイにデータを書き込む際の最小の書き込みデータ数と同じ周期を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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