JP2007059834A - 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換領域3および、電荷転送領域4上の遮光膜11を覆うバリア層の第1絶縁膜12Aの屈折率を、その上の平坦化層である第2絶縁膜13Aの屈折率よりも低く設定している。これらの二つの層の界面での光の屈折を利用して、遮光膜11の開口部周辺の端縁部付近に斜めに入射してきた光A1が、バリア層と平坦化層との界面で屈折により内側の光電変換領域3側に曲げられて、従来、遮光膜11の端縁部で反射していた光も光電変換領域3側に入射させてその入射光の光電変換領域3への集光率を向上させる。
【選択図】 図1
Description
2 第1P−層
3 光電変換領域
4 電荷転送領域
5 P+層
6 第2P層
7 ゲート絶縁膜
8 電荷転送電極
9 層間絶縁膜
10 下地密着層
11 遮光膜
12A SiO2膜(第1絶縁膜)
13A SiN膜(第2絶縁膜)
100A 固体撮像装置
Claims (16)
- 半導体基板に入射光を信号電荷にそれぞれ変換する複数の光電変換領域が設けられ、該複数の光電変換領域上方に、少なくとも2層構造の透明な各絶縁膜が設けられ、該各絶縁膜のうち、該光電変換領域に近い側の絶縁膜の屈折率が、該光電変換領域に遠い側の絶縁膜の他方の屈折率よりも低く設定されている固体撮像装置。
- 前記半導体基板に、前記複数の光電変換領域と、該光電変換領域毎に読み出された信号電荷を電荷転送する電荷転送領域とが設けられ、
前記2層構造の透明な各絶縁膜として、該光電変換領域上方および該電荷転送領域上方を覆う第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上を覆う第2絶縁膜とが設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷転送領域上にゲート絶縁膜を介して電荷転送電極が設けられ、該電荷転送電極上に層間絶縁膜を介して遮光膜が設けられ、該遮光膜は、前記光電変換領域上方が開口されており、該光電変換領域上の層間絶縁膜上および、該電荷転送領域上の遮光膜上にわたって前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が設けられている請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記半導体基板に、前記複数の光電変換領域と、該光電変換領域毎に読み出された信号電荷を検出する信号電荷検出部とが設けられ、
前記2層構造の透明な各絶縁膜として、該光電変換領域上方および該信号電荷検出部上方を覆う第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上を覆う第2絶縁膜とが設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記信号電荷検出部上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、該ゲート電極上に層間絶縁膜を介して遮光膜が設けられ、該遮光膜は、前記光電変換領域上方が開口されており、該光電変換領域上の層間絶縁膜上および、該信号電荷検出部上の遮光膜上にわたって前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が設けられている請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜(SiO2)である請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜は、バリア層であり、CVD法により成膜されたシリコン酸化膜から構成されている請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜(SiN)である請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第2絶縁膜は、平坦化層であり、プラズマCVD法により成膜されたシリコン窒化膜から構成されている請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜/前記第2絶縁膜の組合せは、SiO2膜/SiN膜、SiO2膜/SiON膜、およびSiON膜/SiN膜のいずれかの組合せである請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜の膜厚は0.2μm〜0.6μmであり、前記第2絶縁層の膜厚は0.2μm〜1μmである請求項2〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜の膜厚は0.3μm〜0.6μmの膜厚で堆積され、前記第2絶縁層の膜厚は0.3μm〜0.5μmの膜厚で堆積されている請求項11に記載の固体撮像装置。
- 前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜の各材料はそれぞれ、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化ユーロビウム、酸化ハフニウム、酸化インジウム、酸化ランタン、酸化モリブデン、酸化マグネシウム、酸化ネオジム、酸化プラセオジム、酸化サマリウム、酸化アンチモン、酸化ケイ素、一酸化ケイ素、酸化スカンジウム、酸化スズ、酸化チタン、五酸化タンタル、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化亜鉛から、該第2絶縁膜の材料が該第1絶縁膜の材料よりも屈折率が高い材料になるようにそれぞれ選択される請求項2に記載の固体撮像装置。
- 半導体基板の所定領域に電荷転送領域を形成する工程と、
該電荷転送領域上にゲート絶縁膜を介して電荷転送電極を形成し、さらに該電荷転送電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
該層間絶縁膜が形成された半導体基板部に、該電荷転送領域に信号電荷を読み出し可能とする複数の光電変換領域を形成する工程と、
該光電変換領域上を開口した遮光膜を形成する工程と、
該半導体基板上全面にバリア層として透明な第1絶縁膜を形成する工程と、
該第1絶縁膜の屈折率よりも屈折率が高い透明材料を用いて、該バリア層上に平坦化層として第2絶縁膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の所定領域に、信号電荷を検出する信号電荷検出部を形成する工程と、
該信号電荷検出部上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、さらに該ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
該層間絶縁膜が形成された半導体基板部に、該信号電荷検出部に信号電荷を読み出し可能とする複数の光電変換領域を形成する工程と、
該光電変換領域上を開口した遮光膜を形成する工程と、
該半導体基板上全面にバリア層として透明な第1絶縁膜を形成する工程と、
該第1絶縁膜の屈折率よりも屈折率が高い透明材料を用いて、該バリア層上に平坦化層として第2絶縁膜を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1〜13のいずれかに記載の固体撮像装置を撮像部に用いて得た画像データを信号処理した後に記録するメモリと、該画像データを信号処理した後に表示画面上に表示する表示手段と、該画像データを信号処理した後に通信処理する通信手段と、該画像データを信号処理した後に印刷処理する画像出力手段とのうちの少なくともいずれかを有している電子情報機器。
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