JP4637196B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜が、無機酸化物で構成されている。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜が原子層堆積(ALD)法で成膜されたものである。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜の材料が金属酸化物を含む。
また、本発明の固体撮像素子は、前記金属酸化物がAl2O3である。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜と前記カラーフィルタの間、又は、前記保護膜と前記上部電極との間に保護膜をもう1つ備え、前記もう1つの保護膜が高分子化合物からなる。
また、本発明の固体撮像素子は、前記高分子化合物がパラキシリレン系樹脂である。
図1に示す固体撮像素子200は、同一平面上の行方向及びこれに直交する列方向に正方格子状に配列された多数の画素部(201r,201g,201b)を備える。多数の画素部は、赤色成分の色信号を得るための画素部201rと、緑色成分の色信号を得るための画素部201gと、青色成分の色信号を得るための画素部201bとの3種類を含んでいる。多数の画素部の配列は、画素部201bと画素部201gとを行方向に交互に配列したbg画素部行と、画素部201gと画素部201rとを行方向に交互に配列したgr画素部行とが、列方向に交互に配列されたものとなっている。
このように、従来の一般的な材料である結晶シリコンでは、光電変換膜厚が3μmを下回ると充分な吸光ができない。一方で、光学系の観点では前述の通りd<pとせざるを得ない。つまり、結晶シリコンでは、充分な光吸収を行わせるために光電変換膜厚を3μm以上にする必要があるため、これに伴ってd>3μmとなり、これに伴ってp>3μmとなるため、画素部の集積率を上げることが難しい。
しかし、吸光係数の高い材料で光電変換膜を作成することによって光電変換膜厚は3μmよりもさらに薄くできる。光電変換膜厚を3μmより薄くできるということは、dの値も3μmより薄くできるということであるため、上述した光電変換素子の配列ピッチpの値もp<3μmとすることができ、結果として、結晶シリコンと同等の吸収率を維持しながら画素部の集積率を上げる事が可能となる。
図5に示す画素部は、図1に示した画素部の下部電極215に斜めに入射してきた光がここで反射してしまい、隣接する画素部の光電変換膜216に侵入してしまうのを防ぐための光侵入防止部として、下部電極215の端部上面に、突起部300を設けた構成となっている。この突起部300は、下部電極215と同じ材料で形成されている。この構成により、下部電極215で反射した光が隣接する画素部の光電変換膜216に侵入することによる混色を防止することができる。
201r,201g,201b 画素部
210 基板
215 下部電極
216 光電変換膜
217 上部電極
218 保護膜
219 カラーフィルタ
Claims (20)
- 1つの色信号を得ることが可能な画素部が同一平面上に複数配列された固体撮像素子であって、
前記画素部は、
基板上方に形成された下部電極、前記下部電極上方に形成された上部電極、及び前記下部電極と前記上部電極に挟まれた複数の前記画素部で共通の一枚構成の光電変換膜を含む光電変換素子と、
前記上部電極上方に形成されたカラーフィルタとを備え、
前記光電変換膜下面から前記カラーフィルタ上面までの距離をdとし、前記光電変換素子の配列ピッチをpとしたときに、d<pとなっており、
前記画素部が、前記上部電極と前記カラーフィルタとの間に前記光電変換素子を保護する無機材料の保護膜を備える固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜が、無機酸化物で構成されている固体撮像素子。 - 請求項2記載の固体撮像素子であって、
前記無機酸化物が金属酸化物である固体撮像素子。 - 請求項3記載の固体撮像素子であって、
前記金属酸化物がAl2O3である固体撮像素子。 - 請求項2〜4のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜が原子層堆積(ALD)法で成膜されたものである固体撮像素子。 - 請求項4又は5記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜と前記カラーフィルタの間、又は、前記保護膜と前記上部電極との間に保護膜をもう1つ備え、
前記もう1つの保護膜が高分子化合物からなる固体撮像素子。 - 請求項6記載の固体撮像素子であって、
前記高分子化合物がパラキシリレン系樹脂である固体撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜が有機光電変換材料を含んで構成される固体撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜が直接遷移型無機結晶性半導体材料を含んで構成される固体撮像素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜の膜厚が3μmよりも小さい固体撮像素子。 - 請求項10記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換素子の配列ピッチpが3μmよりも小さい固体撮像素子。 - 請求項1〜11のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜の波長400nm〜700nmにおける光吸収率が50%以上である固体撮像素子。 - 請求項1〜12のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記上部電極がインジウム錫オキサイド、インジウムオキサイド、錫オキサイド、及び亜鉛オキサイドのいずれかで構成される固体撮像素子。 - 請求項1〜13のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素部に含まれるカラーフィルタが原色カラーフィルタである固体撮像素子。 - 請求項1〜13のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素部に含まれるカラーフィルタが補色カラーフィルタである固体撮像素子。 - 請求項15記載の固体撮像素子であって、
前記画素部を3つ以上有し、
前記補色カラーフィルタが、イエロー,シアン,マゼンタの3種類、イエロー,シアン,透明の3種類、イエロー,透明,マゼンタの3種類、透明,シアン,マゼンタの3種類、及びイエロー,シアン,マゼンタ,透明の4種類のいずれかである固体撮像素子。 - 請求項1〜16のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記カラーフィルタが金属粒子を含んで構成されたものである固体撮像素子。 - 請求項17記載の固体撮像素子であって、
前記金属粒子が金粒子又は銀粒子である固体撮像素子。 - 請求項1〜18のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記下部電極が、入射光が入射して反射した光が隣の前記画素部に侵入するのを防ぐための光侵入防止部を備える固体撮像素子。 - 請求項1〜19のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜の波長400nm〜700nmにおける光透過率が80%以上である固体撮像素子。
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