JP2006351172A - 連結ノードのカップリング電圧の上昇を緩和する不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト - Google Patents
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Abstract
【課題】カップリングによる電圧の上昇を低減させる不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトを提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトは、左右方向に隣り合って配置される第1および第2レイアウトグループを含む。前記第1および第2レイアウトグループそれぞれは、多数のページバッファと、多数の分離素子と、多数の連結ノードと、多数のビットラインとを備える。前記特定のページバッファに対して最も遠い距離に位置する前記分離素子に対応する前記連結ノードは、最も下方に配置されるページバッファに連結される。隣接するビットラインのキャパシタンスにカップリングされる連結ノードのキャパシタンスの比を大幅増加させる。したがって、カップリングによる連結ノードの電圧の上昇を低減する。これにより、連結ノードに連結される遮断素子が破壊される危険が減少する。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトは、左右方向に隣り合って配置される第1および第2レイアウトグループを含む。前記第1および第2レイアウトグループそれぞれは、多数のページバッファと、多数の分離素子と、多数の連結ノードと、多数のビットラインとを備える。前記特定のページバッファに対して最も遠い距離に位置する前記分離素子に対応する前記連結ノードは、最も下方に配置されるページバッファに連結される。隣接するビットラインのキャパシタンスにカップリングされる連結ノードのキャパシタンスの比を大幅増加させる。したがって、カップリングによる連結ノードの電圧の上昇を低減する。これにより、連結ノードに連結される遮断素子が破壊される危険が減少する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体メモリ装置のレイアウトに係り、特に、不揮発性半導体メモリ装置のビットラインとページバッファの方法によるレイアウトに関する。
一般に、不揮発性半導体メモリ装置は、選択されるメモリセルへ/から入出力されるデータをラッチするページバッファを内蔵する。このようなページバッファは、連結ノードとビットラインを介して、それぞれに対応するメモリセルと電気的に連結される。
図1は従来の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトを示す図である。ページバッファPB1〜PB4、PB5〜PB8は、図1に示すように、それぞれ4つずつ積層されて配置される。各ページバッファPB1〜PB4、PB5〜PB8には、自分のセンシング端子NSEN1〜NSEN4、NSEN5〜NSEN8と連結ノードNCN1〜NCN4、NCN5〜NCN8間の連結を制御する遮断素子TC1〜TC4、TC5〜TC8が含まれる。各ページバッファPB1〜PB4、PB5〜PB8による連結ノードNCN1〜NCN4、NCN5〜NCN8およびビットラインBLe1/Blo1〜BLe4/BLo4、BLe5/BLo5〜BLe8/BLo8は、分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4、DTe5/DTo5〜DTe8/DTo8を介して連結が制御される。この際、ページバッファPB4のビットラインBLo4とページバッファPB5の連結ノードNCN5とが隣接して配置される。
一方、ビットラインのキャパシタンスは、連結ノードのキャパシタンスに比べて、相対的に非常に大きい値を持つ。したがって、不揮発性半導体メモリ装置の動作の際に、特にビットラインが20V程度の高電圧レベルに上昇する消去動作の際に、ビットラインに隣接する連結ノードも所定の電圧幅に上昇する。この際、ビットラインにカップリングされる連結ノードがあまり高い電圧に上昇する場合、低電圧のブレークダウン(break down)電圧を持つ遮断素子が破壊されるおそれがある。よって、不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトの際に、ビットラインにカップリングされる連結ノードがあまり高い電圧レベルに上昇することを防止するようにすることが非常に重要な課題である。
ところが、図1のレイアウトでは、互いにカップリングされるビットラインBLo4と連結ノードNCN5のキャパシタンスを比較すると、連結ノードNCN5に対応するページバッファPB5は、最も上方に配置される。よって、前記連結ノードNCN5のキャパシタンスは、相対的に小さい値を持つ。このため、図1のレイアウトによる不揮発性半導体メモリ装置における連結ノードNCN5の電圧は、消去動作の際に前記ビットラインBLo4にカップリングされて高い電圧に上昇する。その結果、低電圧のブレークダウン電圧を持つ遮断素子TC5が破壊されるおそれがあるという問題点を持つ。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、隣接するビットラインのキャパシタンスにカップリングされる連結ノードのキャパシタンスの比を大きくして、カップリングによる電圧の上昇を低減させる不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトが提供される。本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトは、左右方向に隣り合って配置される第1および第2レイアウトグループを含む。前記第1および第2レイアウトグループそれぞれは、上下方向に積層されて配置される多数のページバッファと、それぞれの前記ページバッファに対応して前記ページバッファの上部に配置され、特定の前記ページバッファに対して順次的な距離上に位置する多数の分離素子と、対応する前記ページバッファと前記分離素子とを連結する多数の連結ノードと、それぞれの前記分離素子に連結され、前記それぞれの連結ノードと反対の方向に延長される多数のビットラインとを備える。前記特定のページバッファに対して最も遠い距離に位置する前記分離素子に対応する前記連結ノードは、最も下方に配置されるページバッファに連結される。
上述した本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトによれば、隣接するビットラインのキャパシタンスにカップリングされる連結ノードのキャパシタンスの比を大幅増加させる。したがって、本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトによれば、カップリングによる連結ノードの電圧の上昇を低減する。これにより、連結ノードに連結される遮断素子が破壊される危険が減少する。
本発明と本発明の動作上の利点および本発明の実施形態によって達成される目的を十分理解するためには、本発明の好適な実施形態を例示する添付図面および添付図面に記載の内容を参照しなければならない。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、各図面において、同一の参照符号は同一の部材を示す。
図2は本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトを示す図である。本発明の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトでは、図2に示される第1及び第2レイアウトグループLAY1、LAY2が左右に繰り返し配置される。そして、前記第1及び第2レイアウトグループLAY1、LAY2は、左右方向に隣り合って配置される。
図2を参照すると、前記第1レイアウトグループLAY1には、4つのページバッファPB1〜PB4、4対の分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4、4つの連結ノードNCN1〜NCN4、および4対のビットラインBLe1/BLo1〜BLe4/BLo4が示される。
前記ページバッファPB1〜PB4は、上下方向(A<--->A’)に積層されて配置され、選択されるそれぞれのメモリセル(図示せず)へ/から入出力されるデータをラッチして格納する。図2の実施形態では、ページバッファPB1が最も下方に位置し、ページバッファPB4が最も上方に位置する。
前記4対の分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4は、それぞれのページバッファPB1〜PB4に対応して配置される。この際、前記4対の分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4は、前記ページバッファPB4の一面(B<--->B’)に対して順次的な距離上に配置される。図2の実施形態では、左から右へ行くほど、分離素子DTe1/DTo1と前記ページバッファPB4の一面(B<--->B’)間の距離は順次短くなる。
前記連結ノードNCN1〜NCN4は、それぞれのページバッファPB1〜PB4と前記分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4とを連結する。図2の本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトでは、前記ページバッファPB4の一面(B<--->B’)に対して最も遠い距離に位置する前記分離素子DTe1/DTo1に対応する前記連結ノードNCN1は、最も下方に配置されるページバッファPB1に連結される。よって、ページバッファPB1と分離素子DTe1/DTo1とを連結する連結ノードNCN1が最も長くなる。
そして、前記4対のビットラインBLe1/BLo1〜BLe4/BLo4は、それぞれの前記分離素子DTe1/DTo1〜DTe4/DTo4と連結されるが、前記それぞれの連結ノードNCN1〜NCN4と反対の方向に延長される。
一方、前記第2レイアウトグループLAY2は、前記第1レイアウトグループLAY1と同一の配置を持つので、本明細書では、それに対する具体的な記述については省略する。
図3は図2の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトにおいて、一つのページバッファに関連する構成要素の機能を説明するための回路図である。図2に示されるページバッファPB1〜PB8は、全て、同一の方法で駆動される。前記ページバッファPB1〜PB8に関連する分離素子DTe1/DTo1〜DTe8/DTo8およびビットラインBLe1/BLo1〜BLe8/BLo8も、全て、同一の方法で駆動される。図3では、各構成要素に対して、参照符号に付加される番号は省略した。ところが、これらが図2の各構成要素にそれぞれ適用できるのは、当業者であれば、容易に理解することができるであろう。
図3にはページバッファPB、分離素子DTe、DTo、およびビットラインBLe、BLoが示される。前記ビットラインBLe、BLoには、多数のメモリセル(図示せず)を含むセルストリングSTe、SToが連結される。よって、前記ビットラインBLe、BLoには実質的に多数のメモリセルの寄生キャパシタンスが全て作用し、相対的に高い実質的キャパシタンス(capacitance)を持つことになる。
前記ページバッファPBは、選択されるメモリセルへ/から入出力されるデータをラッチする。このようなページバッファPBは、連結ノードNCNとビットラインBLe、BLoを介して、セルストリングSTe、SToの選択メモリセルに電気的に連結される。前記ページバッファPBには遮断素子TCが含まれる。前記遮断素子TCは、前記ページバッファPBのセンシング端子NSENと前記連結ノードNCNとの連結を制御する。好ましくは、前記遮断素子TCは、遮断制御信号BLSHFに応答して制御されるMOSトランジスタである。
前記分離素子DTe、DToは、前記連結ノードNCNと前記ビットラインBLe、BLo間の連結を制御する。好ましくは、ビットライン選択信号BLSLTe、BLSLToに応答して制御されるMOSトランジスタである。
一方、本発明の不揮発性半導体メモリ装置における駆動の際に、前記連結ノードNCNは、前記遮断素子TCと前記分離素子DTe、DToによってビットラインBLe、BLoおよびページバッファPBのセンシング端子NSENと電気的に分離できる。すなわち、不揮発性半導体メモリ装置の消去動作の際に、遮断制御信号BLSHFおよび前記ビットライン選択信号BLSLTe、BLSLToが全て「L」になる場合が発生する。この際、遮断素子TCおよび前記分離素子DTe、DToが全て「オフ」になる。そして、前記連結ノードNCNはフロート(floating)される。このように、フロートされた前記連結ノードNCNが隣接ビットラインなどによってカップリングできるのは、従来の技術と関連して記述したとおりである。
再び図2を参照して、第1レイアウトグループLAY1のビットラインBLo4に隣接して配置される第2レイアウトグループLAY2の連結ノードNCN5のキャパシタンスを考察する。
図2の第2レイアウトグループLAY2の連結ノードNCN5は、最も上方に配置される分離素子DTe5/DTo5と、最も下方に配置されるページバッファPB5とを連結する。したがって、図2の連結ノードNCN5の長さは、図1に示される従来の技術に係る不揮発性半導体メモリ装置における連結ノードNCN5に比べて著しく増加する。これにより、図2の連結ノードNCN5のキャパシタンスも、図1の連結ノードNCN5に比べて著しく増加する。
この際、ビットラインBLo4の長さも前記連結ノードNCN5の増加幅分だけ増加する。ところが、前記ビットラインBLo4の長さは、前記連結ノードNCN5の長さに比べて相当長い。よって、前記ビットラインBLo4の長さの増加による影響は相当小さい。
結果的に、図2に示される本発明の不揮発性半導体メモリ装置によれば、ビットラインBLo4のキャパシタンスに対する連結ノードNCN5のキャパシタンスの比が著しく増加する。これにより、ビットラインBLo4にカップリングされて上昇する連結ノードNCN5の電圧は著しく低減する。
図4は本発明の他の一実施形態に係る不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトを示す図である。図4のレイアウトは、図2のレイアウトとほぼ同一である。但し、図2のレイアウトにおける連結ノードの長さが左から右に行くほど長くなるように配置されるが、これに対し、図4のレイアウトにおける連結ノードの長さは右から左に行くほど長くなるように配置されるということが異なるだけである。
そして、図4の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトによる効果は、図2に関連する技術を参照して、当業者であれば容易に理解することができるので、本明細書では、それについての具体的な記述は省略する。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、これらの実施形態は例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、各種の変更例または均等な他の実施形態に想到し得ることは明らかである。例えば、本明細書の図3の回路図と図2および図4のレイアウトでは、一つのページバッファに2本のビットライン、すなわち偶数ビットラインと奇数ビットラインが連結される構造の実施形態が図示、記述された。ところが、本発明の技術的思想は、一つのページバッファに1本のビットラインが連結される構造を持つ不揮発性半導体メモリ装置においても具現できるのは、当業者には自明な事実である。したがって、本発明の真正な技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるべきである。
本発明は、隣接するビットラインのキャパシタンスにカップリングされる連結ノードのキャパシタンスの比を大幅増加させるものであって、不揮発性半導体メモリ装置に適用できる。
BLe、BLo ビットライン
DTe、DTo 分離素子
TC 遮断素子
PB ページバッファ
NCN 連結ノード
NSEN センシング端子
DTe、DTo 分離素子
TC 遮断素子
PB ページバッファ
NCN 連結ノード
NSEN センシング端子
Claims (6)
- 左右方向に隣り合って配置される第1および第2レイアウトグループを含む不揮発性半導体メモリ装置のレイアウトにおいて、
前記第1および第2レイアウトグループそれぞれは、
上下方向に積層されて配置される多数のページバッファと、
それぞれの前記ページバッファに対応して前記ページバッファの上部に配置され、特定の前記ページバッファに対して順次的な距離上に配置される多数の分離素子と、
対応する前記ページバッファと前記分離素子とを連結する多数の連結ノードと、
それぞれの前記分離素子と連結され、前記それぞれの連結ノードと反対の方向に延長される多数のビットラインとを備え、
前記特定のページバッファに対して最も遠い距離に位置する前記分離素子に対応する前記連結ノードは、最も下方に配置されるページバッファに連結されることを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。 - それぞれの連結ノードは、
2つの前記分離素子と連結され、前記2つの分離素子を介して2本のビットラインに対応することを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。 - ページバッファそれぞれは、自分のセンシング端子と対応する連結ノードとを電気的に分離させる遮断素子を含むことを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。
- 上下方向に積層されて配置される第1及び第2ページバッファと、
それぞれの前記ページバッファに対応して前記ページバッファの上部に配置され、前記第2ページバッファに対して相異なる距離上に配置される前記第1及び第2分離素子と、
対応する前記ページバッファと前記分離素子とを連結する第1および第2連結ノードと、
それぞれの前記分離素子に連結され、前記それぞれの連結ノードと反対の方向に延長される第1及び第2ビットラインとを備え、
前記第1分離素子は、前記第2分離素子より上方に位置し、
前記第1ページバッファは、前記第2ページバッファの下方に位置することを特徴とする、不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。 - それぞれの連結ノードは、2つの前記分離素子と連結され、前記2つの分離素子を介して2本のビットラインに対応することを特徴とする、請求項4に記載の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。
- 第1及び第2ページバッファそれぞれは、自分のセンシング端子と対応する連結ノードとを電気的に分離させる遮断素子を含むことを特徴とする、請求項4に記載の不揮発性半導体メモリ装置のレイアウト。
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