JP2006344749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006344749A JP2006344749A JP2005168610A JP2005168610A JP2006344749A JP 2006344749 A JP2006344749 A JP 2006344749A JP 2005168610 A JP2005168610 A JP 2005168610A JP 2005168610 A JP2005168610 A JP 2005168610A JP 2006344749 A JP2006344749 A JP 2006344749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interlayer insulating
- insulating film
- forming
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 87
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 18
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 43
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 導電性プラグのコンタクト不良を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板１０上のコンタクトプラグ２２ａの上に酸化防止膜２５を形成する工程と、酸化防止膜２５上にキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第２層間絶縁膜４４を形成する工程と、第１ホール４４ａを第２層間絶縁膜４４に形成する工程と、第２層間絶縁膜４４をブラシスクラバ処理する工程と、第２層間絶縁膜４４をウエット処理する工程と、酸化防止膜２５をストッパにして第２層間絶縁膜４４に第２ホール４４ｃを形成する工程と、第２ホール４４ｃ下の酸化防止膜２５をエッチングして除去すると共に、第１ホール４４ａ下の上部電極３３ａを清浄化する工程と、第１、第２ホール４４ａ、４４ｃ内に第１、第２導電性プラグ５０ａ、５０ｃを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】 図９
【解決手段】 シリコン基板１０上のコンタクトプラグ２２ａの上に酸化防止膜２５を形成する工程と、酸化防止膜２５上にキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第２層間絶縁膜４４を形成する工程と、第１ホール４４ａを第２層間絶縁膜４４に形成する工程と、第２層間絶縁膜４４をブラシスクラバ処理する工程と、第２層間絶縁膜４４をウエット処理する工程と、酸化防止膜２５をストッパにして第２層間絶縁膜４４に第２ホール４４ｃを形成する工程と、第２ホール４４ｃ下の酸化防止膜２５をエッチングして除去すると共に、第１ホール４４ａ下の上部電極３３ａを清浄化する工程と、第１、第２ホール４４ａ、４４ｃ内に第１、第２導電性プラグ５０ａ、５０ｃを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】 図９
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
電源を切っても情報を記憶することができる不揮発性メモリとして、フラッシュメモリや強誘電体メモリが知られている。
このうち、フラッシュメモリは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（IGFET）のゲート絶縁膜中に埋め込んだフローティングゲートを有し、記憶情報を表す電荷をこのフローティングゲートに蓄積することによって情報を記憶する。しかし、このようなフラッシュメモリでは、情報の書き込みや消去の際に、ゲート絶縁膜にトンネル電流を流す必要があり、比較的高い電圧が必要であるという欠点がある。
これに対し、強誘電体メモリは、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)とも呼ばれ、強誘電体キャパシタが備える強誘電体膜のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。その強誘電体膜は、キャパシタの上部電極と下部電極の間に印加される電圧に応じて分極を生じ、その電圧を取り去っても自発分極が残留する。印加電圧の極性を反転すると、この自発分極も反転し、その自発分極の向きを「１」と「０」に対応させることで、強誘電体膜に情報が書き込まれる。この書き込みに必要な電圧はフラッシュメモリにおけるよりも低く、また、フラッシュメモリよりも高速で書き込みができるという利点がFeARMにはある。
上記したFeRAMのキャパシタは層間絶縁膜で覆われ、上部電極や下部電極の上の層間絶縁膜上には、これらの電極と電気的なコンタクトをとるためのホールが開口される。また、キャパシタから離れた部分の層間絶縁膜にも、例えば半導体基板上のMOSトランジスタのソース／ドレイン領域とコンタクトをとる目的でホールが形成される。これらのホール内に異物が存在したり、或いはホール自身が未開口であったりすると、ホール内に形成される導電性プラグとその下の電極等との間でコンタクト不良が発生する。こうなると、キャパシタに所望の電圧を印加することができず、FeRAMが不良となってその歩留まりが低下する。
なお、本発明に関連する技術が下記の特許文献１〜３に開示されている。
そのうち、特許文献１では、プラズマエッチングによって発生したポリマをブラシスクラバ処理により除去している。
また、特許文献２、３では、CMP(Chemical Mechanical Polishing)の後にブラシスクラバ処理をしている。
特開２００１−２３７２３６号公報
特開２００２−３７３８７９号公報
特許第３３３２８３１号公報
本発明の目的は、導電性プラグのコンタクト不良を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、第１ホールの形成時に発生したエッチング生成物がブラシスクラバ処理によって物理的に掻き落とされるので、ウエット処理のように化学的にエッチング生成物を溶解する場合と比較して、エッチング生成物を確実に除去することが可能となる。そのため、第２層間絶縁膜をパターニングして第２ホールを形成する際に、エッチング生成物に起因してパターン不良が発生するのが防止されるので、第２ホールが未開口とならず、その第２ホール内に形成される第２導電性プラグとその下のコンタクトプラグとの間でコンタクト不良が発生するのが抑止され、最終的に完成する半導体装置が不良となるのを防ぐことができる。
しかも、コンタクトプラグの上に酸化防止膜を形成するようにしたので、半導体装置の製造時にコンタクトプラグが酸化するのを防ぐことができ、酸化に伴うコンタクト不良を抑止することができる。
その酸化防止膜は、第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことで除去される。このとき、第１ホールに露出する上部電極の表面が清浄化されるため、第１ホール内に形成される第１導電性プラグと上部電極とを電気的に良好に接続することができる。
上記した第２層間絶縁膜としては、水素等の還元性物質をブロックし、キャパシタ誘電体膜が還元されるのを防止する機能に優れたアルミナ膜を含む積層膜を形成するのが好ましい。
その場合、第１ホール形成時のエッチング生成物にはアルミナが含まれることになる。このアルミナは、ブラシスクラバ処理の後のウエット処理において、第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことにより、温水中に溶解して容易に除去することが可能である。
本発明によれば、層間絶縁膜のホール形成時に発生するエッチング生成物をブラシスクラバ処理によって物理的に掻き落とすので、化学処理によってのみエッチング生成物を除去する場合と比較して、除去の効率が極めて高い。従って、ブラシスクラバ処理の後に層間絶縁膜に別のホールを形成する場合であっても、エッチング生成物に起因してそのホールが未開口となるのを防止できる。これにより、ホール内に形成される導電性プラグと下層とのコンタクト不良を防止でき、ひいては半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。
（１）予備的事項の説明
本発明の実施の形態に先立ち、本発明の予備的事項について説明する。
本発明の実施の形態に先立ち、本発明の予備的事項について説明する。
図１〜図６は、本願発明者が作成したFeRAMの製造途中の断面図である。
このFeRAMは次のようにして作成される。
まず、図１（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程を説明する。
最初に、n型又はp型のシリコン（半導体）基板１０表面に、トランジスタの活性領域を画定するSTI(Shallow Trench Isolation)用の溝を形成し、その中に酸化シリコン等の絶縁膜を埋め込んで素子分離絶縁膜１１とする。なお、素子分離構造はSTIに限られず、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で素子分離絶縁膜１１を形成してもよい。
次いで、シリコン基板１０の活性領域にp型不純物を導入してpウェル１２を形成した後、その活性領域の表面を熱酸化することにより、ゲート絶縁膜１８となる熱酸化膜を形成する。
続いて、シリコン基板１０の上側全面に非晶質又は多結晶のシリコン膜及びタングステンシリサイド膜を順に形成し、これらの膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極１５ａ、１５ｂを形成する。
pウェル１２上には、上記の２つのゲート電極１５ａ、１５ｂが間隔をおいてほぼ平行に配置され、それらのゲート電極１５ａ、１５ｂはワード線の一部を構成する。
次いで、ゲート電極１５ａ、１５ｂをマスクにするイオン注入により、各ゲート電極１５ａ、１５ｂの横のシリコン基板１０にn型不純物を導入し、第１〜第３ソース／ドレインエクステンション１４ａ〜１４ｃを形成する。
その後に、シリコン基板１０の上側全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１５ａ、１５ｂの横に絶縁性サイドウォール１６として残す。その絶縁膜として、例えばCVD法により酸化シリコン膜を形成する。
続いて、絶縁性サイドウォール１６とゲート電極１５ａ、１５ｂをマスクにしながら、シリコン基板１０にn型不純物を再度イオン注入することにより、各ゲート電極１５ａ、１５ｂの側方のシリコン基板１０に第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃを形成する。
ここまでの工程により、シリコン基板１０の活性領域には、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極１５ａ、１５ｂ、及び第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃによって構成される第１、第２MOSトランジスタTR1、TR2が形成されたことになる。
次に、シリコン基板１０の上側全面に、スパッタ法によりコバルト層等の高融点金属層を形成した後、この高融点金属層を加熱してシリコンと反応させ、シリコン基板１０上に高融点金属シリサイド層１７を形成する。その高融点金属シリサイド層１７はゲート電極１５ａ、１５ｂの表層部分にも形成され、それにより各ゲート電極１５ａ、１５ｂが低抵抗化されることになる。
その後、素子分離絶縁膜１１の上等で未反応となっている高融点金属層をウエットエッチングして除去する。
続いて、プラズマCVD法により、窒化シリコン（SiN）膜１９を厚さ約２０nmに形成する。次いで、この窒化シリコン膜１９の上に、シランガスを使用するプラズマCVD法により酸化シリコン膜２０を厚さ約８０nmに形成し、更にその上にTEOSガスを使用するプラズマCVD法により犠牲酸化シリコン膜を約１０００nmに形成する。そして、その犠牲酸化シリコン膜の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により研磨して平坦化し、残された酸化シリコン膜２０と窒化シリコン膜１９とを第１層間絶縁膜２１とする。上記のCMPの結果、第１層間絶縁膜２１の厚さは、シリコン基板１０の平坦面上で約７００nmとなる。
次に、フォトリソグラフィにより第１層間絶縁膜２１をパターニングして、第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃのそれぞれの上に第１〜第３コンタクトホール２１ａ〜２１ｃを形成する。そして、各コンタクトホール２１ａ〜２１ｃの内面と第１層間絶縁膜２１の上面に、スパッタ法により厚さ約３０nmのチタン膜と厚さ約２０nmの窒化チタン膜とをこの順にグルー膜として形成する。更に、六フッ化タングステンガスを使用するCVD法により、上記のグルー膜の上にタングステン膜を形成し、そのタングステン膜でコンタクトホール２１ａ〜２１ｃを完全に埋め込む。その後に、第１層間絶縁膜２１上の余分なタングステン膜とグルー膜とをCMP法により研磨して除去し、上記の膜をコンタクトホール２１ａ〜２１ｃの中に第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃとして残す。これら第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、その下の第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃと電気的に接続されることになる。
ところで、その第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、タングステンを主に構成されるが、タングステンは非常に酸化され易く、プロセス中で酸化されるとコンタクト不良を引き起こす。
そこで、次の工程では、図１（ｂ）に示すように、上記の第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃを酸化雰囲気から保護するための酸化防止膜２５として、プラズマCVD法により酸窒化シリコン(SiON)膜を厚さ約１００nmに形成する。更に、この酸化防止膜２５の上に、TEOSガスを使用するプラズマCVD法により酸化シリコン膜を厚さ約１３０nmに形成し、それを絶縁性密着膜２６とする。
次いで、図１（ｃ）に示すように、後述の強誘電体キャパシタの下部電極の結晶性を高め、最終的にはキャパシタ誘電体膜の結晶性を改善するために、スパッタ法により第１アルミナ膜２７を厚さ約２０nmに形成する。
次に、図２（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、スパッタ法により貴金属膜、例えばプラチナ膜を厚さ約１５０nmに形成し、それを第１導電膜３１とする。
次いで、強誘電体膜３２として、PZT膜をスパッタ法により第１導電膜３１上に厚さ約１５０nmに形成する。その強誘電体膜３２の成膜方法としては、スパッタ法の他に、MOCVD(Metal Organic CVD)法やゾル・ゲル法もある。更に、強誘電体膜３２の材料は上記のPZTに限定されず、SrBi2Ta2O9、SrBi2(Ta, Nb)2O9等のBi層状構造化合物や、PZTにランタンをドープしたPLZT、或いはその他の金属酸化物強誘電体で強誘電体膜３２を構成してもよい。
続いて、酸素が１％でアルゴンが９９％の雰囲気中において、強誘電体膜３２を構成するPZTをRTA(Rapid Thermal Anneal)により結晶化する。そのRTAの条件は、例えば、基板温度７２０℃、処理時間１２０秒、昇温速度１００〜１５０℃／秒である。
その後に、強誘電体膜３２の上に、スパッタ法により酸化イリジウム(IrO2)膜を厚さ約２５０nmに形成し、それを第２導電膜３３とする。なお、第２導電膜３３は貴金属膜又は酸化貴金属膜で構成さればよく、上記の酸化イリジウム膜に代えて、イリジウム膜やプラチナ膜等の貴金属膜を第２導電膜３３として形成してもよい。
次に、図２（ｂ）に示すように、上記した第２導電膜３３、強誘電体膜３２、及び第１導電膜３１をこの順に別々フォトリソグラフィによりパターニングして、上部電極３３ａ、キャパシタ誘電体膜３２ａ、及び下部電極３１ａを形成し、これらで強誘電体キャパシタQを構成する。なお、第１導電膜３１は、下部電極３１ａのコンタクト領域CRがキャパシタ誘電体膜３２ａからはみ出るようにパターニングされる。
次に、図２（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、水素等の還元性雰囲気からキャパシタQを保護し、キャパシタ誘電体膜３２ａの劣化を防止するための第２アルミナ膜４０をシリコン基板１０の上側全面に形成する。その第２アルミナ膜４０は、例えばスパッタ法により厚さ約２０nmに形成する。
そして、エッチングやスパッタリング等によってここまでの工程でキャパシタ誘電体膜３２ａが受けたダメージを回復させるため、ファーネス内の酸素１００%の雰囲気中で基板温度６５０℃、処理時間９０分の条件で回復アニールを行う。
次に、TEOSガスを反応ガスとするプラズマCVD法により、第２アルミナ膜４０の上に酸化シリコン膜４１を厚さ約１５００nmに形成する。その酸化シリコン膜４１の上面には、キャパシタQの形状を反映した凹凸が形成される。そこで、この凹凸を無くすために、酸化シリコン膜４１の上面をCMP法により研磨して平坦化し、第２アルミナ膜４０の平坦面上での酸化シリコン膜４１の厚さを約１０００nmにする。
その後、この酸化シリコン膜４１の脱水処理として、酸化シリコン膜４１の表面をN2Oプラズマに曝す。このようなN2Oプラズマ処理に代えて、炉の中で酸化シリコン膜４１をアニールして脱水してもよい。
次いで、後の工程で発生する水素や水分からキャパシタQを保護するための第３アルミナ膜４２を、酸化シリコン膜４１の上にスパッタ法により厚さ約５０nmに形成する。更に、この第３アルミナ膜４２の上に、プラズマCVD法で酸化シリコン膜４３を厚さ約２００nmに形成する。
ここまでの工程により、キャパシタQの上には、酸化シリコン膜４１、４３と第３アルミナ膜４２とで構成される第２層間絶縁膜４４が形成されたことになる。
続いて、図３（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像することにより、ホール形状の第１、第２窓４５ａ、４５ｂを備えた第１レジストパターン４５を形成する。
次に、図３（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、平行平板型のプラズマエッチングチャンバ内にシリコン基板２０を入れ、基板温度を−１０〜１０℃程度に安定させる。そして、C4F8、Ar、O2、及びCOの混合ガスをエッチングガスとして上記のチャンバ内に導入し、チャンバ内の圧力を約４〜７Paにする。その状態で、周波数が２７．１２MHzでパワーが２２００Wの高周波電力をチャンバ内の上部電極（不図示）に印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる。これにより、第１レジストパターン４５の第１、第２窓４５ａ、４５ｂを通じて第２層間絶縁膜４４とその下の第２アルミナ膜４０とがエッチングされ、上部電極３３ａの上に第１ホール４４ａが形成されると共に、下部電極３１ａのコンタクト領域CR上に第２ホール４４ｂが形成される。
なお、このエッチングにおけるガス流量は特に限定されないが、この例ではC4F8を１０〜２０sccm、Arを３００〜５００sccm、O2を１０〜２０sccm、そしてCOを０〜５０sccmとする。
次に、図４（ａ）に示すように、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸して第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内を洗浄した後、酸素プラズマを用いるアッシングにより第１レジストパターン４５を除去する。そのアッシングの処理時間は、例えば約９０秒である。
ところで、エッチングにより既述の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する際、これらのホール４４ａ、４４ｂが未開口になるのを防ぐため、上記のエッチングはオーバーエッチング気味に行われる。そのため、上記のエッチングの際、各ホール４４ａ、４４ｂの下の上部電極３３ａや下部電極３１ａの上面が僅かに削れ、各電極３３ａ、３１ａの構成材料がエッチング雰囲気中に放出される。
その結果、図４（ａ）に示されるように、上記の材料、例えば酸化イリジウムやプラチナを含んだエッチング生成物３８が、第１レジストパターン４５を除去した後でも、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂの周囲に残ることになる。
図７は、この工程を終了した後における第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM(Scanning Electron Microscope)像を元にして描いた図であり、図７の左側が第２ホール４４ｂ、右側が第１ホール４４ａである。
図７に示されるように、上部電極３３ａが露出する第１ホール４４ａ、及び下部電極３１ａが露出する第２ホール４４ｂのいずれの周囲にも、既述のエッチング生成物３８が発生する。
そこで、このようなエッチング生成物３８を除去するため、図４（ｂ）に示すように、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸す。
ところが、エッチング生成物３８は、上部電極３３ａに由来する反応性に乏しい酸化イリジウムを含んでいるため、上記のような硝酸を用いた化学的なウエット処理ではエッチング生成物３８を完全に溶解して除去することができない。そのため、エッチング生成物３８は、このウエット処理において液中を浮遊し、図４（ｂ）のように第２層間絶縁膜４４上に再び付着する。
なお、このエッチング生成物３８には、第２ホール３８ｂ下に露出する下部電極３１ａの構成材料、例えばプラチナ等の貴金属や、各ホール３８ａ、３８ｂの側面に露出する第３アルミナ膜４２中のアルミナも含まれる。そのアルミナには、各ホール３８ａ、３８ｂの下部の第２アルミナ膜４０に起因するものもある。これらの貴金属やアルミナも、反応性に乏しいため、エッチング生成物３８を化学的に除去するのを困難にしていると考えられる。
図８は、この工程を終了した後の第１ホール４４ａのSEM像を元にして描いた図である。これに示されるように、上記のように硝酸でウエット処理をした後でも、第１ホール４４ａの周囲には一部のエッチング生成物３８が残存する。
次に、図５（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを再び塗布し、それを露光、現像して、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃのそれぞれの上にホール形状の第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを備えた第２レジストパターン４７を形成する。なお、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂは、この第２レジストパターン４７により覆われる。
上記のようにエッチング生成物３８が第２層間絶縁膜４４上に再付着した結果、各窓４７ｃ〜４７ｅの中には、エッチング生成物３８と重なるものが存在する場合がある。図５（ａ）の例では、第３窓４７ｃがエッチング生成物３８と重なって形成されている。
次いで、図５（ｂ）に示すように、第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを通じて第２層間絶縁膜４４、第１、２アルミナ膜２７、４０、及び絶縁性密着膜２６をエッチングすることにより、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上に第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する。このようなエッチングは、C4F8、Ar、O2、及びCOの混合ガスをエッチングガスとする平行平板プラズマエッチング装置で行われ、酸化防止膜２５がこのエッチングにおけるストッパ膜となり、酸化防止膜２５上でエッチングは停止する。なお、このエッチングにおけるガス流量は特に限定されないが、この例ではC4F8を１０〜２０sccm、Arを３００〜５００sccm、O2を１０〜２０sccm、そしてCOを０〜５０sccmとする。また、基板温度は−３０〜０℃、圧力は４〜７Paに設定される。また、チャンバ内の上部電極（不図示）には、周波数が２７．１２MHzでパワーが１５００〜２２００Wの高周波電力が印加され、それにより上記のエッチングガスがプラズマ化される。
このようにして形成された第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅのうち、第４、第５ホール４４ｄ、４４ｅは正常に形成される。
しかし、第３ホール４４ｃは、エッチング生成物３８がマスクとなるためその直径が細くなり、下部での直径が異常に小さくなる。
この後に、第２レジストパターン４７は除去される。
次に、図６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、平行平板プラズマエッチングチャンバ内にシリコン基板１０を入れ、エッチングガスとしてCHF3、Ar、及びO2の混合ガスをそのエッチング装置に供給する。これにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの下の酸化防止膜２５がエッチング雰囲気に曝されて除去され、これらのホールの下に第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃが露出すると共に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内の異物が除去されて、上部電極３３ａと下部電極３１ａの上面が清浄化される。
なお、このエッチングの条件は特に限定されないが、この例では、CHF3、Ar、及びO2の流量をそれぞれ３０〜５０sccm、３００〜５００sccm、及び１０〜２０sccmに設定する。また、基板温度は０〜２０℃に設定され、チャンバ内の圧力は４〜７Paとされる。更に、チャンバ内においてシャワーヘッドを兼ねる上部電極には、周波数が２７．１２MHzの高周波電力が１０００〜１５００Wのパワーで印加される。
このように、この例では、キャパシタQ上の浅い第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する工程とは別の工程において、第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃ上の深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する。
これに対し、全てのホール４４ａ〜４４ｅを同時に形成することも考えられる。しかし、これでは、深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅに合わせてエッチング時間を設定しなければならず、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅよりも浅く短時間で開口する第１ホール４４ａの下の上部電極３３ａがエッチング雰囲気に長時間曝されることになる。これでは、上部電極３３ａの下のキャパシタ誘電体膜３２ａがエッチング雰囲気によって劣化するので好ましくない。
一方、本実施形態では、上記のように浅い第１、第２ホール４４ａ、４４ｂと深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅとを別々に形成し、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する際には第１、第２ホール４４ａ、４４ｂが第２レジストパターン４７で覆われているので、キャパシタ誘電体膜３２ａが劣化するのを抑制することが可能となる。
更に、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、本工程が終了するまで酸化防止膜２５によって覆われているので、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃを構成するタングステンが酸化してコンタクト不良を起こすのが防止される。
次に、図６（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面を清浄化するために、高周波電力でプラズマ化されたアルゴン雰囲気に各ホール４４ａ〜４４ｅの内面を曝し、その内面をスパッタエッチングする。そのエッチング量は、例えば、酸化シリコン膜の膜厚換算で約１０nmとされる。その後に、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面と第２層間絶縁膜４４の上面とに、スパッタ法によりグルー膜として窒化チタン膜を厚さ約７５nmに形成する。
そして、CVD法によりグルー膜の上にタングステン膜を形成し、そのタングステン膜で第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅを完全に埋め込む。
その後に、第２層間絶縁膜４４の上面上の余分なグルー膜とタングステン膜とをCMP法により研磨して除去し、これらの膜を各ホール４４ａ〜４４ｅの中に残す。第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内に残されたこれらの膜は、それぞれ上部電極３３ａと下部電極３１ａコンタクト領域CRに電気的に接続される第１、第２導電性プラグ５０ａ、５０ｂとされる。また、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残されたこれらの膜は、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃと電気的に接続される第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅとされる。
以上により、このFeRAMの基本構造が完成したことになる。
このFeRAMの製造方法によれば、図６（ｂ）に示されるように、エッチング生成物３８によって第３ホール４４ｃの直径が細くなる。そのため、この第３ホール４４ｃ内に形成される第３導電性プラグ５０ｃは、その下の第１コンタクトプラグ２２ａとのコンタクト面積が狭くなり、コンタクト不良となる恐れがある。こうなると、最終的に出来上がったFeRAMが不良となり、FeRAMの歩留まりを低下させることになる。
このような問題点に鑑み、本願発明者は、以下に説明するような本発明の実施の形態に想到した。
（２）本発明の実施の形態
図９〜図１２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図９〜図１２において、図１〜図６で説明した要素にはこれらと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
図９〜図１２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図９〜図１２において、図１〜図６で説明した要素にはこれらと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
まず、予備的事項で説明したように、図１（ａ）〜図３（ｂ）の工程を行う。
次に、図９（ａ）に示すように、本体１０１に複数のブラシ１０２を設けてなるブラシスクラバ１００を第２層間絶縁膜４４に押し当てながら移動させ、エッチング生成物３８を物理的に除去する。このような処理はブラシスクラバ処理と呼ばれる。そのブラシスクラバ処理の条件は特に限定されないが、本実施形態では、ブラシ加重を１０gf/cm2とする。
図１３は、この工程を終了した後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図であり、図１３の左側が第２ホール４４ｂ、右側が第１ホール４４ａである。
図７と図１３とを比較して明らかなように、上記のブラシスクラバ処理によって、エッチング生成物３８の個数が減ると共に、その大きさも小さくなる。
次に、図９（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、第２層間絶縁膜４４に対するウエット処理の第１ステップとして、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸し、上記のブラシスクラバ処理で除去しきれなかったエッチング生成物３８を化学的に溶解して除去する。
図１４は、このようなウエット処理の第１ステップを終了した後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図である。
図１４と先の図１３とを比較すると、硝酸を用いた第１ステップにより、エッチング生成物３８の大部分が消失することが分かる。
ところで、既述のように、エッチング生成物３８には、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内に露出する第２、第３アルミナ膜４０、４２をエッチングしたときに発生したアルミナも含まれる。
そこで、このアルミナ成分を除去するために、上記の第１ステップを終了した後は、ウエット処理の第２ステップとして、温度が４０℃以上７０℃以下、より好ましくは約５０℃の温水中にシリコン基板２０を約１２０秒間浸す。アルミナは温水に溶解するので、エッチング生成物３８中のアルミナ成分がこの第２ステップにより略完全に除去されることになる。
なお、上記の処理温度の下限を４０℃としたのは、温度がこれよりも低いとアルミナが溶解し難くなり、エッチング生成物３８のアルミナ成分を除去するのが困難になるためである。また、処理温度の上限を７０℃としたのは、これよりも高い温度で処理を行うと、アルミナの溶解の効果が高まりすぎ、第２、第３アルミナ膜４０、４２が溶解してしまうためである。
また、上記の温水に代えて、希フッ酸を用いることも考えられる。しかし、希フッ酸を用いたのでは、第２層間絶縁膜４４を構成する酸化シリコン膜４１、４３が溶解し、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂの直径が拡大してしまう。よって、これらのホール４４ａ、４４ｂが拡大するのが望ましくない場合には、希フッ酸ではなく上記の温水を用いるのが好ましい。
ここで、図９（ａ）のブラシスクラバ処理や、図９（ｂ）の２ステップのウエット処理を行っても、第２層間絶縁膜４４上にエッチング生成物３８が未だ残存する場合がある。
そこで、エッチング生成物３８を完全に除去するために、次の工程では、図１０（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４に対して再びブラシスクラバ処理を施す。そのブラシスクラバ処理の条件は特に限定されないが、本実施形態ではブラシ加重を１０gf/cm2とする。
図１５は、このブラシスクラバ処理を行った後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図である。
図１５から明らかなように、ブラシスクラバ処理を再度行ったことにより、各ホール４４ａ、４４ｂの周りのエッチング生成物３８がほぼ完全に除去することが可能となる。
この後は、図１０（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを再び塗布し、それを露光、現像して第２レジストパターン４７を形成する。その第２レジストパターン４７は、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを覆うと共に、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃのそれぞれの上にホール形状の第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを有する。
図９（ａ）のブラシスクラバ処理により、エッチング生成物３８が第２層間絶縁膜４４の上面から除去されているので、第２レジストパターン４７の各窓４７ｃ〜４７ｅの中にエッチング生成物３８と重なるものは存在しない。
次いで、図１１（ａ）に示すように、第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを通じて第２層間絶縁膜４４、第１、２アルミナ膜２７、４０、及び絶縁性密着膜２６をエッチングする。これにより、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂよりも深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅが形成される。なお、このエッチング条件は図５（ｂ）で説明したのと同様なので省略する。
このエッチングでは、マスクとなる第２レジストパターン４７の下にエッチング生成物３８が存在しないので、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅにパターン不良は発生せず、これらのホールの直径は設計通りの値となる。
この後に、第２レジストパターン４７は除去される。
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの下に露出する酸化防止膜２５をエッチングし、コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上面を露出させると共に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのそれぞれに露出する上部電極３３ａと下部電極３１ａの表面を清浄化する。このときのエッチング条件としては、例えば、図５（ｂ）で説明したのと同じ条件を採用し得る。
ところで、既述のように、図９（ａ）のブラシスクラバ処理とその後の図９（ｂ）のウエット処理により、エッチング生成物３８はほぼ完全に除去される。しかし、図１１（ｂ）の点線円内に示すように、そのエッチング生成物３８が除去されずに第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残ることがある。
このような場合でも、上記のように第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝すことで、ホール内のエッチング生成物３８もエッチングされて除去されるので、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残存するエッチング生成物３８に起因してコンタクト不良が発生するのを防止することが可能となる。
続いて、図１２（ａ）に示すように、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅのそれぞれに、図示のように第１〜第５導電性プラグ５０ａ〜５０ｅを形成する。これらの導電性プラグ５０ａ〜５０ｅの形成方法は、図６（ｂ）で説明したのと同じなので、ここでは省略する。
次に、図１２（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、第２層間絶縁膜４４と第１〜第５導電性プラグ５０ａ〜５０ｅのそれぞれの上に、厚さが約６０nmのチタン膜と厚さが約３０nmの窒化チタン膜をこの順にスパッタ法により形成し、これらをバリアメタル層とする。次いで、このバリアメタル層の上に、金属積層膜として、スパッタ法により銅含有アルミニウム膜、チタン膜、及び窒化チタン膜をこの順にそれぞれ厚さ約３６０nm、５nm、７０nmに形成する。
次いで、この金属積層膜の上に、不図示の酸窒化シリコン膜を反射防止膜として形成した後、フォトリソグラフィにより上記の金属積層膜とバリアメタル層とをパターニングして、一層目金属配線５２ａ〜５２ｃと導電性パッド５２ｄとを形成する。
続いて、第３層間絶縁膜５３としてプラズマCVD法により酸化シリコン膜を形成した後、CMP法によりその第３層間絶縁膜５３を平坦化する。その後に、フォトリソグラフィにより第３層間絶縁膜５３をパターニングして導電性パッド５２ｄの上にホールを形成し、そのホール内にタングステン膜を主に構成される第６導電性プラグ５４を形成する。
この後は、２層目〜５層目金属配線や、これらの金属配線の間に層間絶縁膜を形成する工程に移るが、その詳細については省略する。
以上により、本実施形態に係るプレーナ型のFeRAMの基本構造が完成したことになる。
上記した本実施形態によれば、図９（ａ）に示したように、パターニングにより第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成した後の第２層間絶縁膜４４に対しブラシスクラバ処理を行う。このブラシスクラバ処理では、上記のパターニングの際に発生したエッチング生成物３８がブラシ１０２によって物理的に掻き落とされるので、ウエット処理のように化学的にエッチング生成物３８を溶解する場合と比較して、エッチング生成物３８を確実に除去することが可能となる。そのため、図１１（ａ）の工程において層間絶縁膜４４に深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成するときに、エッチング生成物３８によって各ホール４４ｃ〜４４ｅが未開口となるのを防止できる。従って、これらのホール４４ｃ〜４４ｅ内に形成される第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅ（図１２（ｂ）参照）が、その下の第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃと電気的に確実にコンタクトするようになる。その結果、第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅのコンタクト不良を抑止することが可能となり、ひいてはFeRAMの歩留まりを向上させることができる。
更に、上記のブラシスクラバ処理の後に、図９（ｂ）で説明したように、硝酸による表面処理を第１ステップとするウエット処理を第２層間絶縁膜４４に対して行うことで、スクラバ処理によって除去しれなかったエッチング生成物３８が溶解し、エッチング生成物３８をより一層確実に除去することが可能となる。
特に、本実施形態のように、第２、３アルミナ膜４０、４２を貫いて第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する場合には、エッチング生成物３８の中にアルミナが含まれる。この場合、上記の第１ステップの後に、第２層間絶縁膜４４を温水に曝す第２ステップを行うことで、エッチング生成物３８のアルミナ成分を温水中に溶解して除去することができる。
更に、図１１（ｂ）の工程において、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝す工程では、下部電極３１ａと上部電極３３ａの表面の清浄化と共に、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残存するエッチング生成物３８がエッチングされて除去される。これにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内のエッチング生成物３８によって第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅ（図１２（ｂ）参照）にコンタクト不良が発生するのを防止できる。
なお、上記では、下部電極３１ａのコンタクト領域CR上に第２導電性プラグ５０ｂが形成されるプレーナ型のFeRAMについて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、下部電極３１ａと電気的に接続される導電性プラグが下部電極の直下に形成されるスタック型のFeRAMに対しても本発明を適用し得る。
以下に、本発明の特徴を付記する。
（付記１） 半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、
前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、
前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、
前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、
前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、
前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、
前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、
前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、
前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、
前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２） 前記第２層間絶縁膜として、アルミナ膜を含む積層膜を形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３） 前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことを特徴とする付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４） 前記温水の温度を４０℃以上７０℃以下に設定することを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５） 前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を硝酸に曝すことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６） 前記ウエット処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面を再びブラシスクラバ処理することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７） 前記酸化防止膜として、酸窒化シリコン膜を形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８） 前記上部電極として、貴金属膜又は酸化貴金属膜を採用することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９） 前記キャパシタを形成する工程において、前記下部電極のコンタクト領域を前記キャパシタ誘電体膜からはみ出して形成し、
前記第２層間絶縁膜に前記第１ホールを形成する工程において、前記下部電極の前記コンタクト領域に至る深さの第３ホールを前記第２層間絶縁膜に形成すると共に、
前記下部電極と電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２層間絶縁膜に前記第１ホールを形成する工程において、前記下部電極の前記コンタクト領域に至る深さの第３ホールを前記第２層間絶縁膜に形成すると共に、
前記下部電極と電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０） 前記下部電極として貴金属膜を採用することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１） 前記第２ホールを形成する工程において、前記第１ホールをレジストパターンで覆うことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
１０…シリコン基板、１１…素子分離絶縁膜、１２…pウェル、１３ａ〜１３ｃ…第１〜第３ソース／ドレイン領域、１５ａ、１５ｂ…ゲート電極、１６…絶縁性サイドウォール、１７…高融点金属シリサイド層、１８…ゲート絶縁膜、１９…窒化シリコン膜、２０…酸化シリコン膜、２１…第１層間絶縁膜、２２ａ〜２２ｃ…第１〜第３コンタクトプラグ、２５…酸化防止膜、２６…絶縁性密着膜、２７…第１アルミナ膜、３１…第１導電膜、３１ａ…下部電極、３２…強誘電体膜、３２ａ…キャパシタ誘電体膜、３３…第２導電膜、３３ａ…上部電極、３８…エッチング生成物、４０…第２アルミナ膜、４１…酸化シリコン膜、４２…第３アルミナ膜、４３…酸化シリコン膜、４４…第２層間絶縁膜、４４ａ〜４４ｅ…第１〜第５ホール、４５…第１レジストパターン、４５ａ、４５ｂ…第１、第２窓、４７…第２レジストパターン、４７ｃ〜４７ｅ…第３〜第５窓、５０ａ〜５０ｅ…第１〜第５導電性プラグ、５２ａ〜５２ｃ…一層目金属配線、５２ｄ…導電性パッド、５３…第３層間絶縁膜、５４…第６導電性プラグ、１００…ブラシスクラバ、１０１…本体、１０２…ブラシ。
Claims (10)
- 半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、
前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、
前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、
前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、
前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、
前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第２層間絶縁膜として、アルミナ膜を含む積層膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記温水の温度を４０℃以上７０℃以下に設定することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を硝酸に曝すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエット処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面を再びブラシスクラバ処理することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化防止膜として、酸窒化シリコン膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記上部電極として、貴金属膜又は酸化貴金属膜を採用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャパシタを形成する工程において、前記下部電極のコンタクト領域を前記キャパシタ誘電体膜からはみ出して形成し、
前記第２層間絶縁膜に前記第１ホールを形成する工程において、前記下部電極の前記コンタクト領域に至る深さの第３ホールを前記第２層間絶縁膜に形成すると共に、
前記下部電極と電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記下部電極として貴金属膜を採用することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005168610A JP4515333B2 (ja) | 2005-06-08 | 2005-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
| US11/224,996 US20060281210A1 (en) | 2005-06-08 | 2005-09-14 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005168610A JP4515333B2 (ja) | 2005-06-08 | 2005-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006344749A true JP2006344749A (ja) | 2006-12-21 |
| JP4515333B2 JP4515333B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=37524563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005168610A Expired - Fee Related JP4515333B2 (ja) | 2005-06-08 | 2005-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060281210A1 (ja) |
| JP (1) | JP4515333B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859476B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-09-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
| JP2009289919A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| WO2016016761A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2018174227A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 日本電気株式会社 | 銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100983711B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2010-09-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 형성방법 |
| JP6342728B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2018-06-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2018051208A1 (en) | 2016-09-14 | 2018-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| KR20180048327A (ko) | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864580A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09199679A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Nec Corp | 半導体装置の構造およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3645144B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2005-05-11 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE10030444A1 (de) * | 2000-06-22 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Antifuse-Struktur |
| US6737345B1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Scheme to define laser fuse in dual damascene CU process |
| JP3961399B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2007-08-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-06-08 JP JP2005168610A patent/JP4515333B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-14 US US11/224,996 patent/US20060281210A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864580A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09199679A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Nec Corp | 半導体装置の構造およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859476B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-09-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
| JP2009289919A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| WO2016016761A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2018174227A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 日本電気株式会社 | 銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060281210A1 (en) | 2006-12-14 |
| JP4515333B2 (ja) | 2010-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5212358B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4746357B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4515333B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008294194A (ja) | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体キャパシタ | |
| JP2001036026A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005183842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5170101B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2007273899A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4838613B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4580284B2 (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
| JP2005183841A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3795882B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2006302976A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2008186926A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP5239294B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007019276A (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
| JP2004023086A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4809367B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2008300396A (ja) | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体キャパシタ | |
| JP2008159924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006344748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006210436A (ja) | 強誘電体キャパシタの製造方法 | |
| JP5338150B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006100405A (ja) | 強誘電体メモリの製造方法 | |
| JP5549219B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080722 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080731 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100512 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4515333 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |