JP2006303481A - 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 Download PDF

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Abstract

【課題】センサーパッケージのカバーガラスを適切に保護しながら樹脂封止を行なうことのできる固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トランスファーモールド装置５４の下側モールドダイ５６のキャビティー５６ａに、多数のセンサーパッケージ４が固着された集合配線板４７をセットし、上側モールドダイ５８を下側モールドダイ５６に型合せする。上側モールドダイ５８のキャビティー５８ａ内には、型合せによって各センサーパッケージ４のカバーガラス６の上面に当接する保護シート６５が取り付けられており、カバーガラス６の上面は保護シート６によって隙間が生じないように覆われる。プランジャ６２を作動させて封止用樹脂７をキャビティー５６ａ，５８ａ内に注入すると、カバーガラス６の上面を汚損することなくセンサーパッケージ４の外周を樹脂封止することができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置に関し、更に詳しくは、イメージングチップのイメージセンサをカバー部材で封止したセンサーパッケージを樹脂で封止する固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置に関する。
ＣＣＤやＣＭＯＳタイプ等の固体撮像装置を使用したデジタルカメラやビデオカメラが普及している。また、パーソナルコンピュータや携帯電話、電子手帳等の電子機器に固体撮像装置とメモリとを組み込み、撮影機能を付加することも行なわれている。固体撮像装置は、これが組み込まれる電子機器等の外形サイズに対する影響が大きいため、その小型化が望まれている。
小型化のために、ベアチップと同程度のサイズでパッケージングを行なうことのできるチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰと略称する）を利用した固体撮像装置が発明されている。このＣＳＰタイプの固体撮像装置は、例えば、上面にＣＣＤ等のイメージセンサと入出力パッドとが形成されたイメージングチップと、このイメージングチップの上面にスペーサーを介して接合されてイメージセンサを封止するカバーガラス（カバー部材）と、外部に接続するための外部電極とから構成されている（例えば、特許文献１参照）。
ＣＳＰタイプの固体撮像装置は、例えば次のような手法で作成される。
１．シリコンウエハの上面に多数のイメージセンサと、これらに対応した入出力パッドとを形成する。
２．シリコンウエハ上に、各イメージセンサの外周を取り囲むスペーサーを形成する。
３．シリコンウエハの上面に、スペーサーを介してカバーガラスの基材であるガラス基板を接合し、各イメージセンサを封止する。
４．各イメージセンサに対応する外部電極をシリコンウエハに形成する。
５．シリコンウエハとガラス基板とをダイシング等により個片化する。
ＣＳＰタイプの固体撮像装置は、ベアチップと同程度の非常に小さな外形サイズとなるため、多数の外部電極はイメージングチップの下面に設けられる。そのため、従来のＣＳＰタイプの固体撮像装置では、外部電極の形成工程において、イメージングチップの上面に設けられた入出力パッドと、下面の外部電極とを接続する配線も行なわれている。この配線には、イメージングチップを貫通して形成される貫通配線や、イメージングチップの側面に形成される側面配線が用いられている。
貫通配線を用いた外部電極形成工程は、例えば、次のような手法で形成される（非特許文献１参照）。
１．シリコンウエハに下面から入出力パッドまで達する貫通穴を形成する。
２．貫通穴の内壁面に絶縁膜を形成する。
３．貫通穴内に銅メッキで貫通配線を形成する。
４．シリコンウエハの下面に貫通配線と導通する二次配線を形成する。
５．二次配線上にハンダボールを形成する。
また、側面配線を用いた外部電極形成工程は、例えば、次のような手法で形成される（例えば、特許文献２参照）。
１．シリコンウエハの下面に補強板を接合する。
２．補強板の下面に二次配線を形成する。
３．ダイシング後に固体撮像装置の側面となる部分に、補強板の下面から入出力パッドまで達する切欠を形成する。
４．切欠内に入出力パッドと二次配線とを接続する導電膜を形成する。
５．二次配線上にハンダボールを形成する。
切欠内に設けられた導電膜は、シリコンウエハがダイシングされることにより、固体撮像装置の側面に配置され、側面配線となる。
特開平２００１−２５７３３４号公報 ＵＳ ６，７７７，７６７ Ｂ２ "プレスリリース 半導体チップに貫通電極を設けた次世代実装技術が実用レベルで完成"、［ｏｎｌｉｎｅ］、技術研究組合 超先端電子技術開発機構、［平成１７年２月１５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ；http://www.aset.or.jp/press_release/si_20040218/si_20040218.html＞
上記貫通配線の作成には、多数回のエッチングや洗浄、成膜、メッキなどの作業が必要となり、工数が非常に多い。更に、専用装置（例えば、エッチャー，ＣＶＤ装置，メッキ装置等）が多数必要となるため、高コストであるという問題がある。また、電気特性や信頼性等の品質をクリアするために、貫通穴形状や絶縁膜厚さ、導電ペーストの厚さ等の条件出しや、評価に時間がかかるという問題もある。
側面配線は、上記貫通配線と同じ理由により高コストである。更に、イメージングチップの側面から下面まで配線を引き回すため、入出力パッドのピッチが３５０μｍ以上必要となり、固体撮像装置のサイズも大きくなる。固体撮像装置のサイズが大きくなると、シリコンウエハへのイメージセンサの面付け数が減るため、コストがアップする。
特許文献１には、外部電極の設けられていないＣＳＰタイプの固体撮像装置（以下、センサーパッケージと称する）を配線板上に固着し、センサーパッケージの入出力パッドと配線板の導体パッドとの間をボンディングワイヤで結線し、その後にセンサーパッケージの外周を封止用樹脂で封止する固体撮像装置のパッケージ形態が開示されている。
上記樹脂封止パッケージによれば、パッケージ完了後の固体撮像装置のサイズは若干大きくなるものの、従来の半導体装置の後工程の技術と設備とが利用できるため、ローコストに製造することができ、上記貫通配線及び側面配線の問題点を解消することができる。また、イメージングチップ、スペーサー、カバーガラスで囲まれる空間を封止用樹脂で封止することができるので、この空間内に水分が浸入することにより生じるカバーガラスの曇りや、イメージセンサの電気動作不良等を防止することもできる。
しかし、上記特許文献１には、カバーガラスの上面を保護しながらその外周を樹脂封止する方法が記載されていない。カバーガラスの上面が樹脂により塞がれ、または汚損されると歩留りが悪化し、コストがアップしてしまうため、適切な樹脂封止方法の確立が望まれている。
また、従来は配線板上に個別に実装されていた複数のＩＣチップを１つのパッケージ内に実装してシステム化を図るシステムインパッケージ（以下、ＳＩＰと略称する）の要求が高まっている。上記センサーパッケージを用いてＳＩＰを作成する場合、ガラスカバーを外部に露呈させなければならないため、ＣＰＵやメモリ等のＳＩＰのように外部にチップの一部を露呈させる必要の無いものに比べ、センサーパッケージの配置等に工夫が必要となる。
また、樹脂封止パッケージは、従来から様々な半導体素子に用いられているが、封止用樹脂と配線板との吸湿による問題が知られている。その問題とは、樹脂封止パッケージされた半導体装置をリフロー装置等でハンダ付けする際に、封止用樹脂に吸い込まれた水分が加熱されて水蒸気爆発を起こし、封止用樹脂、または封止用樹脂とセンサーパッケージとの界面にクラックが生じ、封止用樹脂がセンサーパッケージや配線板から剥がれるというものである。
上記問題が特許文献１記載の固体撮像装置に発生した場合、封止用樹脂のクラックや剥がれにより、入出力パッドや導体パッドに接続されたボンディングワイヤが外れ、固体撮像装置が動作不能となる。また、取り込まれた水分によって封止用樹脂からイオン性不純物が溶出し、これがＡｌで形成された入出力パッドの電気化学的な分解反応を促進させて腐食させることもある。更には、封止用樹脂がセンサーパッケージや配線板から剥がれるときに、スペーサーやカバーガラスが封止用樹脂と一緒に動いてイメージングチップから剥がれてしまい、カバーガラスの曇りやイメージセンサの電気動作不良等が発生する。
以上のように、固体撮像装置では、封止用樹脂の吸湿により様々な問題が発生するが、特許文献１には、湿度による問題を解決する手法は何ら開示されておらず、固体撮像装置の適切な耐湿手法の確立が望まれている。
本発明は、上記各問題を解決するためになされたもので、カバーガラスを適切に保護しながら樹脂封止を行ない、かつ湿度による悪影響を防止することができる固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置の製造方法は、イメージセンサをカバー部材で封止したセンサーパッケージを集合配線板上に固着するダイボンド工程と、各センサーパッケージの入出力パッドと、各センサーパッケージに対応して集合配線板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、各カバー部材の上面と集合配線板の下面とを上側モールドダイと下側モールドダイとで挟み込み、上側モールドダイと下側モールドダイとで形成されるキャビティー内に封止用樹脂を充填して各センサーパッケージの外周を封止する封止工程と、集合配線板及び封止用樹脂をセンサーパッケージごとに裁断する個片化工程とから構成している。
上記製造方法によれば、封止工程で上側モールドダイがカバー部材の上面を保護するため、封止用樹脂がカバー部材の上面に付着するのを防止することができる。これにより、封止用樹脂がカバー部材を汚損することによる歩留りの悪化を防止することができ、かつカバー部材の上面以外の部分を適切に封止することができる。また、多数の固体撮像装置を一括して製造できるため、コストを低減することができる。
また、センサーパッケージと、これと協働する少なくとも一つの協働チップとを同じ集合配線板上に固着してＳＩＰを形成する場合には、カバー部材の上面が協働チップによって隠れないようにセンサーパッケージと協働チップとを配線板上に固着するとともに、カバー部材の上面が封止用樹脂で汚損されないように、カバー部材の上面に上側モールドダイを当接させて樹脂封止を行なう。これにより、ＳＩＰを用いた固体撮像装置においても、歩留りの悪化を防止することができ、かつカバー部材の上面以外の部分を適切に封止することができる。また、ＳＩＰを用いた固体撮像装置も多数個を一括して製造できるため、コストを低減することができる。
また、上記センサーパッケージを集合配線板の固着部に固着する際に、フイルム状のダイアタッチ材を使用している。ペースト状または液体状のダイアタッチ材を使用する場合、塗布厚を厳密に管理しないと集合配線板上の各カバー部材の高さ寸法が不均一となり、上側モールドダイとカバーガラスとの間に隙間が生じて、封止用樹脂により汚損される。しかし、厚さ均一性を有するフイルム状のダイアタッチ材を使用することによって、集合配線板上の各カバー部材の高さ寸法にばらつきがなくなるため、各カバー部材の上面をより確実に保護することができ、封止用樹脂のカバー部材への汚損によって歩留りが悪化するのを防止することができる。
また、カバー部材の上面への封止用樹脂の付着をより確実に防止するために、カバー部材の上面を保護シートで覆う保護工程を設けてもよい。これによれば、カバー部材の上面を確実に保護することができ、樹脂封止のカバー部材への汚損による歩留りの悪化を防止することができる。また、弾性及び柔軟性を有する保護シートを使用することにより、カバーガラスの高さバラツキが保護シートにより吸収されるため、モールドダイの加圧力がセンサーパッケージに直接加わるのを防止することができる。
上記保護工程では、イメージセンサの受光面よりも大きく、かつカバー部材の上面よりも小さい外形形状を有する保護シートを使用し、この保護シートの端縁が、イメージセンサの端縁とカバー部材の上面の端縁との間に納まるようにカバー部材の上面に貼付する。保護シートの端縁がカバー部材の外側にはみ出ると、封止用樹脂の充填により保護シートの端部が捲れて封止用樹脂の中に入り込むことがある。このような状態となった保護シートをカバー部材から剥がすと、封止用樹脂には保護シートが入り込んでいた部分に窪みができてしまい、封止性能及び外観品質が低下する。本発明では、保護シートの端部がカバー部材の上面からはみ出ないようにしているため、上記問題は発生しない。また、保護シートの面積をイメージセンサの面積よりも大きくしているため、イメージセンサの性能にも影響しない。
また、カバー部材よりも広い面積を有する保護シートを少なくとも１枚使用し、複数個のセンサーパッケージのカバー部材を一括して覆ってもよい。これにより、保護シートの使用枚数が少なくなるため、貼付工数を削減し、コストの低下に資することができる。
また、集合配線板と同程度の面積を有する保護シートを使用し、集合配線板上に固着された全てのセンサーパッケージのカバー部材を覆うこともできる。これによれば、保護シートの貼付作業が１回で済むため、より工数を削減し、コストを低下させることができる。
上記保護シートは、封止工程で使用される上側モールドダイの内面に保持される。これにより、封止工程において、上側モールドダイと下側モールドダイとでカバー部材の上面と集合配線板の下面とを挟み込む際に、保護シートがカバー部材の上面を覆うので、貼付工程自体を無くすことができる。
集合配線板としては、従来から半導体装置に多用されているサブストレート基板を用いることができ、外部電極としてはハンダボール若しくはハンダペーストを用いることができる。サブストレート基板及び外部電極は、信頼性が高く低コストであるため、固体撮像装置の歩留り向上及び低価格化に資することができる。
また、別の集合配線板としてリードフレームを使用することもできる。リードフレームを使用する場合には、外部電極形成工程において、リードフレームのアウターリードをメッキすることになる。このリードフレームも信頼性が高く低コストであるため、やはり、固体撮像装置の歩留り向上及び低価格化に資することができる。なお、メッキ済みのリードフレームであるＰＰＦ（Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ）を使用する場合には、このメッキ工程は省略することができる。
また、別の集合配線板としては、テープ基板を使用することもできる。特に、テープ基板として超耐熱ポリイミドフイルムを使用する場合、封止用樹脂が吸湿した水分を排出する役割を果たすので、封止用樹脂内での水蒸気爆発による影響を小さくすることができる。
また、ダイボンド工程とワイヤボンド工程との間に、センサーパッケージ、またはセンサーパッケージ及び協働チップと、集合配線板とを洗浄する洗浄工程を設けてもよい。この洗浄工程により、センサーパッケージと封止用樹脂との密着性が向上し、固体撮像装置の信頼性を向上させることができる。なお、洗浄方法としては、ＵＶ洗浄やプラズマ洗浄が適している。
また、封止工程の後に、封止用樹脂を加熱して硬化させるモールドキュア工程を行う場合には、ダイアタッチ材のガラス転位温度は、モールドキュア工程の加熱硬化温度よりも低いことが好ましい。これにより、モールドキュア開始直後のまだ温度が低い状態で、ダイアタッチ材がガラス転位温度に達するため、イメージングチップと集合配線板との熱膨張係数の差を吸収して、封止用樹脂のクラックや剥がれを防止することができる。なお、ダイアタッチ材のガラス転位温度としては、例えば５０〜８０°Ｃ、熱膨張係数は８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃ程度が好ましい。
また、モールドキュア時に、イメージングチップとカバー部材との取り付けに使用される接着剤がガラス転位温度に達して接着力が低下しないように、この接着剤のガラス転位温度がモールドキュア工程の加熱硬化温度以上であることが好ましい。なお、封止用樹脂の熱膨張係数が低く、高温時の熱応力による接着剤へのストレスが小さい場合は、ガラス転位温度以下でもよい。
また、封止用樹脂のクラックや、センサーパッケージ及び配線板からの剥がれ等を防止するために、センサーパッケージ、またはセンサーパッケージ及び協働チップと、集合配線板とに対して高い密着性を有する高密着性樹脂を封止用樹脂として用いるのが好ましい。この高密着性樹脂としては、例えば、ビフェニール系エポキシ樹脂を用いることができる。
また、封止用樹脂をしっかりと流動させてセンサーパッケージを封止するために、封止工程での封止温度は１６５〜１８０°Ｃ、注入圧力は５０〜１００ｋｇ／ｃｍ２程度であることが好ましい。同様に、封止用樹脂のスパイラルフローは、１１０ｃｍ以上であることが好ましい。
また、封止用樹脂と、センサーパッケージ及び配線板との間の熱応力を低下させるため、封止用樹脂の熱膨張係数は２０ｐｐｍ／°Ｃ以下、好ましくは８ｐｐｍ／°Ｃ以下である。同様の理由から、封止用樹脂の曲げ弾性率は２８ＧＰａ以下、成形収縮率は０．１２％以下であることが好ましい。
更に、封止用樹脂に水分が多く吸収されると、クラックや剥がれの原因となるので、封止用樹脂の吸水率は、０．３重量％以下、好ましくは０．１５重量％以下であることが望ましい。また、封止用樹脂の吸水率を更に低下させるために、フィラーの充填率が８０％以上の封止用樹脂を使用してもよい。
また、温度サイクル適性を向上させるために、封止用樹脂のガラス転位温度は１３０°Ｃ以上であることが好ましい。更に、このガラス転位温度を考慮して、硬化工程での加熱硬化温度は、１５０°Ｃ程度であることが好ましい。
更に、固体撮像装置の強度を適性に保って変形を防止するために、封止用樹時の硬度はショアＤで９０以上であることが好ましい。
また、封止用樹脂からの不純物の溶出により入出力パッドが腐食するのを防止するため、ハロゲン及びアルカリ金属の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下の封止用樹脂を使用するのが好ましい。
また、本発明の固体撮像装置は、センサーパッケージと、協働チップと、配線板と、ボンディングワイヤと、外部電極と、センサーパッケージのカバー部材の上面以外を封止する封止用樹脂とから構成することができる。これにより、センサーパッケージと、これの動作に必要な協働チップとからなるＳＩＰタイプの固体撮像装置をローコストに形成することができ、かつ高い信頼性も得ることができる。
上記システムインパッケージを形成するに際し、センサーパッケージのカバー部材の上面を外部に露呈させなければならない。そのため、センサーパッケージと協働チップとは、配線板上に並べて固着する。センサーパッケージと協働チップとを重ねるスタックドＳＩＰを形成することもできるが、この場合には、センサーパッケージを最上部に配置する。
また、本発明の別の固体撮像装置では、封止用樹脂のクラックや剥がれを防止するために、カバー部材の外周面に面取り形状または段差形状を設けてもよい。これによれば、封止用樹脂とセンサーパッケージとの接触面積の増加により固着力が向上し、イメージングチップとスペーサーとカバー部材とで囲まれる空間内の封止性を高めることができる。そのため、前記空間内の圧力が熱で高まったり、イメージングチップとスペーサーと、カバーガラスとの間で熱膨張差が発生したり、封止用樹脂の吸湿で水蒸気爆発が発生しても、十分な固着力を確保することができる。また、面取り形状、段差形状に代えて、イメージングチップとカバー部材とのいずれか一方、または両方の外周面に粗面を設けてもよい。
また、前記イメージングチップとカバー部材とのいずれか一方、または両方の外周面に、前記封止用樹脂との密着性を高める高密着性膜を設けてもよい。これによれば、封止用樹脂とセンサーパッケージとの密着性が向上するので、封止用樹脂の固着力を高めることができる。また、イメージングチップとスペーサーとの密着性も向上するので、これらの間の接着力も高めることができ、イメージングチップとスペーサーとカバー部材とで囲まれる空間内の封止性を高めることができる。そのため、前記空間内の圧力が熱で高まったり、イメージングチップとスペーサーと、カバーガラスとの間で熱膨張差が発生したり、封止用樹脂の吸湿で水蒸気爆発が発生しても、十分な固着力を確保することができる。なお、高密着性膜としては、例えば、ポリイミド膜を用いることができる。
また、イメージングチップとスペーサーとカバー部材とで囲まれる空間内の封止性を高め、封止用樹脂との界面からの水分の浸入を防止するために、これらの外周面に透湿防止膜を設けてもよい。この透湿防止膜としては、例えば、窒化膜を用いることができる。
また、イメージングチップとスペーサーとカバー部材とで囲まれる空間を真空に、または不活性ガスを充填してもよい。これによれば、この空間内の空気の熱膨張による負荷が低減できるので、スペーサーやカバー部材の剥がれを防止することができる。
本発明によれば、ＣＳＰタイプの固体撮像装置が有する小型という特徴を生かしながら、貫通配線や側面配線が有する高コスト，低信頼性，チップサイズの大型化という問題を解決することができる。また、樹脂封止時にセンサーパッケージのカバー部材の上面が汚損されることはないため、歩留りの悪化により固体撮像装置のコストが高くなることもない。更に、システムインパッケージも、信頼性の高い製品をローコストに製造することができる。
更に、封止用樹脂の吸湿によりクラックや剥がれ、動作不能等の様々な問題が発生するが、本発明の種々の改良手法を選択的に、または適宜組み合わせて用いることにより、解決することができる。
図１及び図２は、本発明の第１実施形態を用いた固体撮像装置２の構成を示す外観斜視図及び断面図である。固体撮像装置２は、矩形の配線板３と、この配線板３上に固着されたセンサーパッケージ４と、配線板３とセンサーパッケージ４との間を接続する複数本のボンディングワイヤ５と、センサーパッケージ４のカバーガラス６の外周を封止する封止用樹脂７と、配線板３の下面に形成された外部導体パッド８とから構成されている。この固体撮像装置２は、いわゆるＦｉｎｅ ｐｉｔｃｈ Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ（ＦＬＧＡ）と呼ばれるパッケージ形態を備えている。このＦＬＧＡパッケージは、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置２を製造することができる。
配線板３は、ガラスエポキシ等を基材１１として用いたサブストレート基板（プリント基板）であり、基材１１の上下面には、ボンディングワイヤ５によるセンサーパッケージ４との接続に用いられる複数の内部電極である内部導体パッド１２と、外部電極である外部導体パッド８とがそれぞれ形成されている。これらの内部導体パッド１２と外部導体パッド８は、例えば、Ｃｕを用いて形成されており、基材１１を貫通するスルーホール１３内に形成された導電膜１４によって電気的に接続されている。配線板３の上下面は、内部導体パッド１２及び外部導体パッド８を除いて、ソルダーレジスト１５，１６により覆われている。
センサーパッケージ４は、矩形状のイメージングチップ１９と、このイメージングチップ１９の上面に設けられたＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサ２０とボンディングワイヤ５による配線板３との接続に用いられる複数の入出力パッド２１と、イメージセンサ２０の上方を封止する透明なカバーガラス６と、イメージングチップ１９とカバーガラス６との間に挟み込まれるスペーサー２２とから構成されている。
イメージングチップ１９は、多数のイメージセンサ２０と入出力パッド２１とが形成されたシリコンウエハを矩形状に分割することにより形成されている。イメージセンサ２０は、マトリクス状に配列された多数個の受光素子を有しており、各受光素子の上には、ＲＧＢのカラーフイルタや、多数のマイクロレンズからなるマイクロレンズアレイ２０ａが積層されている。入出力パッド２１は、イメージセンサ２０を挟む２辺に複数個ずつが並んで形成されている。これらの入出力パッド２１は、例えば、ＡｕやＡｌ等を用いて印刷等により形成されており、同じ材質，方法で形成された配線によりイメージセンサ２０に接続されている。
スペーサー２２は、例えば、シリコン等の無機材料を用いて、中央に開口２２ａを設けたロ字形状に形成されている。スペーサー２２は、イメージセンサ２０の外周を囲むようにイメージングチップ１９の上面に接合され、イメージセンサ２０とカバーガラス６との間に空隙を形成する。これにより、マイクロレンズアレイ２０ａがカバーガラス６と干渉するのを防いでいる。
カバーガラス６は、開口２２ａを塞ぐようにスペーサー２２の上面に接合された低α線ガラスからなる。低α線ガラスは、α線の放出が少ないガラスであり、イメージセンサ２０の受光素子がα線によって破壊されるのを防止する。なお、カバーガラス６の上面に赤外線カットフィルタや、光学ローパスフィルタを接合してもよい。
上記センサーパッケージ４は、配線板３の上にダイボンドされている。入出力パッド２１と内部導体パッド１２とを接続するボンディングワイヤ５には、ＡｕやＡｌが用いられる。カバーガラス６の外周を封止する封止用樹脂７には、例えば、従来からＩＣの封止に用いられている熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が用いられている。この封止用樹脂７により、空気中の湿気や酸素による入出力パッド２１及び内部導体パッド１２，ボンディングワイヤ５の酸化や腐食が防止され、かつ固体撮像装置２の機械的強度が向上する。
次に、固体撮像装置２の製造工程について、図３及び図４のフローチャートを参照しながら説明する。なお、フローチャートの両側方には、各工程において使用される材料及び装置を記載する。固体撮像装置２の最初の製造工程は、センサーパッケージ４の製造である。
センサーパッケージの製造工程では、最初にカバーガラス６の基材となるガラス基板と、スペーサー２２の基材となるスペーサー用ウエハとの接合が行なわれる。図５（Ａ）に示すように、ガラス基板２８の下面には、バーコータやブレードコータ、スピンコータ等のコーターを用いて接着剤が塗布される。次いで、ガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０とを平行に保持して移動させることのできる接合装置により、ガラス基板２８の下面にスペーサー用ウエハ３０が接合される。接着剤２９には、常温硬化型接着剤が用いられるが、ＵＶ硬化型接着剤や可視光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤等を使用してもよい。また、接合時にガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０との間に空気が入らないように、真空環境下で接合を行なってもよい。
次の工程では、図５（Ｂ）に示すように、ガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０との厚みを薄くする薄片化工程が実施される。ガラス基板２８及びスペーサー用ウエハ３０は、接合時のハンドリング適正を向上させるため、また、標準ウエハの使用によるコスト低減のために厚めのものが使用されるが、この薄片化工程において薄くされることにより、固体撮像装置２の小型化、エッチング時間の短縮が図られる。この薄片化工程では、例えば、研削・研磨装置が使用される。
次の工程では、スペーサー２２の加工工程が実施される。最初に、図５（Ｃ）に示すように、スペーサー用ウエハ３０の下面にレジスト３３が塗布される。次いで、同図（Ｄ）に示すように、所定のマスクを使用してレジスト３３が露光され、同図（Ｅ）に示すように現像されることにより、スペーサー２２の形態を表すレジストマスク３４が完成する。このレジストマスク３４の作成には、コータデベロッパ、露光装置、現像装置等が使用される。
レジストマスク３４が形成されたスペーサー用ウエハ３０は、ドライエッチャーによってエッチングされ、図５（Ｆ）に示すように、レジストマスク３４によって覆われていない部分が除去される。これにより、ガラス基板２８の下面には多数のスペーサー２２が形成される。エッチング後のレジストマスク３４と接着剤２９は、同図（Ｇ）に示すように、洗浄装置によって除去される。
図７に示すように、次の工程では、多数のスペーサー２２が形成されたガラス基板２８と、多数のイメージセンサ２０と入出力パッド２１とが面付け形成されたシリコンウエハ３７とが接合される。最初の工程では、図６（Ａ）に示すように、各スペーサー２２の上に接着剤４０が塗布される。接着剤４０としては、常温硬化型接着剤が用いられるが、ＵＶ硬化型接着剤や可視光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤等を使用してもよい。
次いで、図６（Ｂ）に示すように、ガラス基板２８上の各スペーサー２２とシリコンウエハ３７とが接合される。この接合には、各イメージセンサ２０とスペーサー２２との位置調整を厳密に行なう必用があるため、両者の平行度や水平方向での位置調整を行なうアライメント機能を備えた接合装置が使用される。シリコンウエハ３７上の各イメージセンサ２０は、スペーサー２２とガラス基板２８とによって封止されるため、以後の工程で生じた塵芥により汚損されることはない。
次の工程では、ガラス基板２８とシリコンウエハ３７とがイメージセンサ２０ごとにダイシングされ、個片化される。まず、図６（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ３７は上面に粘着層４３ａを備えたダイシングテープ４３の上に固着され、ガラス基板２８の上には同様に粘着層４４ａを備えた保護テープ４４が貼着される。
次いで、図６（Ｄ）に示すように、スライサーを用いて、各スペーサー２２の端面に合せてガラス基板２８がダイシングされる。また、同図（Ｅ）に示すように、ダイサーを用いてシリコンウエハ３７がイメージセンサ２０ごとにダイシングされ、多数のセンサーパッケージ４が一括して形成される。保護テープ４４は、出荷時にカバーガラス６を保護するために貼付されたされたままとなる。また、ダイシング時に保護テープを使用しない場合には、ダイシング後に各カバーガラス６に個別に保護テープを貼付する。
次の検査工程では、例えば、プローブ検査装置を用いて各センサーパッケージ４の機能検査が行なわれる。この機能検査にパスしたセンサーパッケージ４は、次の収納工程においてダイシングテープ４３から剥離され、トレイに収納され、またはキャリアテープに貼着されて出荷可能な状態となる。なお、多数のセンサーパッケージ４をダイシングテープ４３上に固着した状態で出荷してもよい。
図３に示すように、完成したセンサーパッケージは、次のダイボンド工程において、集合配線板上にダイボンドされる。図８（Ａ）及び図９に示すように、集合配線板４７は、例えばガラスエポキシ基材によって矩形状に形成されており、上面にはセンサーパッケージ４がマトリクス状にダイボンドされる固着部として、２０個のダイボンド領域４８が設けられている。各ダイボンド領域４８には、予め内部導体パッド１２及び外部導体パッド８等が形成されている。なお、ダイボンド領域４８の数は２０個に限定されず、これより多くても少なくてもよい。
ダイボンド工程で使用されるダイボンダは、集合配線板４７の各ダイボンド領域４８にダイアタッチフイルム５１を貼付する。次いで、ダイボンダは、図８（Ｂ）に示すように、各ダイアタッチフイルム５１の上にセンサーパッケージ４を載置する。このときに、各センサーパッケージ４のカバーガラス６に貼付されている保護テープ４４が剥離される。センサーパッケージ４が載置された集合配線板４７は、オーブン等の加熱装置を用いて加熱され、ダイアタッチフイルム５１が硬化される。これにより、各センサーパッケージ４は集合配線板４７上に固着される。
ペースト状または液体状のダイアタッチ材を使用する場合、塗布厚を厳密に管理しないと集合配線板４７上の各カバーガラス６の高さ寸法が不均一となるため、後述する封止工程で各カバーガラス６の上面が適切に保護されなくなり、封止用樹脂７によって汚損される。しかし、ダイアタッチ材として厚さ均一性を有するダイアタッチフイルム５１を使用することで、集合配線板４７上の各カバーガラス６の高さ寸法がばらつかなくなるので、封止工程でカバーガラス６の上面をより確実に保護することができ、封止用樹脂７のカバーガラスへの汚損によって歩留りが悪化するのを防止することができる。なお、ダイアタッチフイルム５１は、事前に各センサーパッケージ４に貼り合わせておいてもよい。また、カバーガラス６の高さ寸法のばらつきによる問題が生じない場合には、ペースト状のダイアタッチ材を使用することもできる。
次の洗浄工程では、例えば、Ｏ２アッシャーを用いて、各センサーパッケージ４と集合配線板４７の洗浄が行なわれる。この洗浄は、後述するワイヤボンド工程でのワイヤボンド性の向上と、封止工程における樹脂密着性の向上とを図るために行なわれる。
図８（Ｃ）に示すように、次のワイヤボンド工程では、ワイヤボンダを用いて、各センサーパッケージ４の入出力パッド２１と各ダイボンド領域４８の内部導体パッド１２との間が、ボンディングワイヤ５によって接続される。このワイヤボンド工程では、ボンディングワイヤ５がカバーガラス６の上面から上方に飛び出さないように、低ループで行なうとよい。
次の工程では、図８（Ｄ）に示すように、集合配線板４７の上面、及び各センサーパッケージ４の外周が封止用樹脂７によって封止される。この樹脂封止には、実際に封止を行なう封止工程とともに、各カバーガラス６の上面を保護する保護工程が設けられている。
図１０（Ａ）に示すように、封止工程には、トランスファーモールド装置５４が使用される。トランスファーモールド装置５４は、下側モールドダイ５６と、この下側モールドダイ５６に型合せされる上側モールドダイ５８とからなる。下側モールドダイ５６は、集合配線板４７が載置されるキャビティー５６ａと、このキャビティー５６ａ内に封止用樹脂７を供給するゲート５６ｂと、ゲート５６ｂに接続されたカル６０と、このカル６０内で上下動して封止用樹脂７をゲート５６ｂからキャビティー５６ａ内に充填するプランジャ６２とから構成されている。上側モールドダイ５８は、各センサーパッケージ４のカバーガラス６の上面に当接するキャビティー５８ａと、ゲート５６ｂの断面積を小さくして封止用樹脂７の流入圧力を高める突起５８ｂとが設けられている。
図１１に示すように、下側モールドダイ５６及び上側モールドダイ５８は、例えば３枚の集合配線板４７を同時に収納することのできるサイズを備えており、同時に６０個のセンサーパッケージ４を樹脂封止することができる。また、封止用樹脂７の充填ミスを防止するために、ゲート５６ｂ，カル６０，プランジャ６２は、集合配線板４７ごとに設けるとよい。なお、一度にセットできる集合配線板４７の枚数は３枚に限定されず、これより多くても少なくてもよい。
保護工程では、上側モールドダイ５８のキャビティー５８ａ内に、３枚分の集合配線板４７よりも大きな面積を有する保護シート６５が貼付される。保護シート６５には、例えば、厚みが８０〜１００μｍ程度のポリイミド系の柔軟で弾性を有するプラスチックフイルムが用いられ、上側モールドダイ５８内で真空引きされることにより、キャビティー５８ａ内に密着される。
上記封止工程は、例えば次のような手順で実行される。まず、下側モールドダイ５６及び上側モールドダイ５８をヒーターで予備加熱し、下側モールドダイ５６のキャビティー５６ａ内に３枚の集合配線板４７を載置する。次いで、カル６０内に、熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂からなる封止用樹脂７のタブレットを挿入し、同図（Ｂ）に示すように上側モールドダイ５８を下降させて、下側モールドダイ５６と型合せさせる。各カバーガラス６の上面は、保護シート６５に密着して覆われる。
封止用樹脂７は、下側モールドダイ５６の熱によって軟化する。プランジャ６２を上方に移動させると、軟化して粘度の下がった封止用樹脂７は、ゲート５６ｂを通ってキャビティー５６ａ，５８ａ内に注入され、各センサーパッケージ４の外周に充填される。この充填時には、ダイアタッチフイルム５１による厚さ均一性によって各カバーガラス６の高さ寸法にばらつきがなくなり、かつ保護シート６５がその弾性及び柔軟性によって各カバーガラス６の高さ寸法のバラツキを吸収して密着するため、封止用樹脂７がカバーガラス６の上面に付着することはない。なお、保護シート６５は、ポリイミド系に限定されるものではなく、カバーガラス６への密着性、カバーガラス６の高さ寸法のバラツキを吸収する弾性及び柔軟性、封止用樹脂７の充填時の温度に耐えうる耐熱性を備えているものならば、使用することができる。
封止用樹脂７の充填後、型締め圧力を上げて数分間保持すると、封止用樹脂７が重合して硬化する。封止用樹脂７の硬化後、上側モールドダイ５８を上昇させ、樹脂封止された集合配線板４７を下側モールドダイ５６から取り出す。その際に、カル６０やゲート５６ｂ内に残って固まった樹脂であるランナーを除去し、カバーガラス６の上面に付着している保護シート６５を剥離する。
上記エポキシ樹脂としては、例えば、スパイラルフローが１００ｃｍ、曲げ弾性率が２８ＧＰａ、熱膨張係数が８ｐｐｍ／°Ｃという特性を有するものがトランスファーモールドに適している。また、このエポキシ樹脂の充填時には、下側モールドダイ５６及び上側モールドダイ５８の加熱温度を１８０°Ｃとして、３分間で行なうとよい。
なお、モールド直後の封止用樹脂７は、重合が十分でなく特性が安定していない。そのため、次のポストモールドキュア（ＰＭＣ）工程では、トランスファーモールド装置５４から取り出した集合配線板４７をオーブンに収容し、高温で加熱して封止用樹脂７を硬化させる。
封止工程後、マーキング工程において、封止用樹脂７の上にレーザマーカーでメーカー名や製品名、製造番号、ロット番号等が印字される。
次の工程は、集合配線板４７と封止用樹脂７とがセンサーパッケージ４ごとに個片化される個片化工程であるシンギュレーション工程が実施される。まず、図８（Ｅ）に示すように、ダイシングテープ７１の上に、集合配線板４７の上面（カバーガラス６が露呈されている面）を貼着する。次いで、同図（Ｆ）に示すように、ダイサーを使用して、裏面側から封止用樹脂７と集合配線板４７とをセンサーパッケージ４ごとにダイシングする。これにより、多数の固体撮像装置２が一括して形成される。
次の収納工程では、収納装置により各固体撮像装置２がダイシングテープ７１から剥離されてトレイに収納され、またはキャリアテープに貼着されて出荷可能な状態となる。なお、多数の固体撮像装置２をダイシングテープ７１上に固着した状態で出荷してもよい。
なお、上記実施形態では、３枚分の集合配線板４７よりも大きな面積を有する保護シート６５を使用したが、１枚の集合配線板４７と同程度のサイズを有する保護シート６５を３枚使用してもよいし、複数個分のカバーガラス６を保護することができるサイズの保護シートを複数枚使用してもよい。また、カバーガラス６と上側モールドダイ５８との平面度が高い場合には、保護シートを使用しなくてもカバーガラス６の上面への樹脂の付着を防止することができる。
また、各センサーパッケージ４のカバーガラス６を別々の保護シートで保護してもよい。この場合には、例えば、図１２に示すように、イメージセンサ２０の受光面よりも大きな面積を有する相似形で、かつカバーガラス６の上面よりも小さい面積を有する保護シート７５を使用し、この保護シート７５の端縁が、イメージセンサ２０の受光面の端縁とカバーガラス６の上面の端縁との間に納まるように、該カバーガラス６の上面に貼付するとよい。この保護シート７５の貼付は、各カバーガラス６に個々に貼付してもよいし、上側モールドダイ５８を利用して、一括で貼付してもよい。
なお、保護シート７５のサイズをカバーガラス６の上面よりも小さくしているのは、保護シート７５の端縁がカバーガラス６の外側にはみ出ると、封止用樹脂７の充填により保護シート７５の端部が捲れ、封止用樹脂７の中に入り込むためである。このような状態となった保護シート７５をカバーガラス６から剥がすと、封止用樹脂７には保護シート７５が入り込んでいた部分に窪みができてしまい、封止性能及び外観品質が低下する。本実施形態では、保護シート７５の端部がカバーガラス６の上面からはみ出ないようにしているため、上記問題は発生しない。また、保護シート７５の面積をイメージセンサ２０の受光面の面積よりも大きくしているため、イメージセンサ２０の性能にも影響しない。
また、上記実施形態は、ＦＬＧＡパッケージを用いた固体撮像装置の製造方法について説明したが、本発明は、外部電極としてハンダボールを使用するＦｉｎｅ ｐｉｔｃｈ Ｂａｌｌ Ｇｌｉｄ Ａｒｒａｙ（ＦＢＧＡ）パッケージを用いた固体撮像装置にも適用することができる。図１３及び１４に示すように、本発明の第２実施形態を用いた固体撮像装置７８は、センサーパッケージ７９が固着された配線板８０の外部導体パッド８１上に、ハンダボール８２が設けられている。このＦＢＧＡパッケージも、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置７８を製造することができる。
ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置７８を製造する場合は、図１５のフローチャートに示すように、マーキング工程とシンギュレーション工程との間に、ハンダボール８２を形成する工程を設ける。ハンダボール８２の形成方法としては、例えば、ボールマウント方式を用いることができる。このボールマウント方式では、ボールマウント工程において、集合配線板の外部導体パッド８１上にフラックスの塗布と予備ハンダとを行い、マウンターを使用してハンダボール８２を各外部導体パッド８１上に載置する。次のリフロー工程では、リフロー装置により予備ハンダを加熱溶融し、ハンダボール８２を外部導体パッド８１上に固着する。最後に、洗浄装置でフラックスの除去を行なう。
また、上記各実施形態は、集合配線板としてプリント基板を用いたが、テープ基板やリードフレームを用いてもよい。リードフレームは、周知のように、チップが固着されるダイパッドや、チップの入出力パッドとワイヤボンドされるインナーリード、外部電極となるアウターリード等を備えた金属製の枠であり、複数個のダイパッドのそれぞれにセンサーパッケージをダイボンドしてワイヤボンドを行い、樹脂封止後に個片化することで、固体撮像装置を得ることができる。
図１６及び１７は、本発明の第３実施形態を用いた固体撮像装置８５の外観斜視図及び断面図であり、リードフレームを用いて形成された、いわゆるＱｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ（ＱＦＮ）と呼ばれるパッケージ形態を備えている。固体撮像装置８５は、センサーパッケージ８６が固着されるダイパッド８７と、ボンディングワイヤ８８によってセンサーパッケージ８６の入出力パッド８９と接続される内部電極であるインナーリード９０と、封止用樹脂９１の下面から外部に露呈されて外部電極となるアウターリード９２とから構成されている。このＱＦＮパッケージも、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置を製造することができる。なお、ダイパッド８７は、下面まで封止用樹脂９１で封止されているが、センサーパッケージ８６の放熱性を向上させるために、ダイパッド８７の下面を封止用樹脂から露出させてもよい。
このＱＦＮパッケージの固体撮像装置８５を製造する場合には、図１８のフローチャートに示すように、封止工程とマーキング工程との間に、アウターリード９２を封止用樹脂９１から露呈させるバリ除去工程と、露呈されたアウターリード９２をメッキするメッキ工程とを設ける。バリ除去工程をマーキング工程の前に行なうのは、デフラッシャーにより砥粒を吹き付けてバリを除去する際に、マーキングが損傷を受けるのを防止するためである。なお、リードフレームとして、予めパラジウムメッキが施されたＰＤ−ＰＰＦ（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ）を使用する場合には、上記メッキ工程は省略することができる。
また、上記各実施形態では、センサーパッケージを用いたシングルパッケージの固体撮像装置を例に説明したが、図１９の外観斜視図に示すように、センサーパッケージ９５と、このセンサーパッケージ９５と協働する複数個の協働チップとを同じ配線板９６上に固着して封止用樹脂９７で樹脂封止し、システムインパッケージ（ＳＩＰ）の固体撮像装置９８（第４実施形態）を形成することもできる。このＳＩＰを用いた固体撮像装置９８によれば、カバーガラス９９の上に撮影光学系を取り付けるだけで、カメラユニットを構成することができ、各種電子機器への組込適正を向上させることができる。
協働チップとしては、例えば、センサーパッケージ９５から入力されたアナログの撮像信号をデジタル化するＡｎａｌｏｇ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ（ＡＦＥ）チップ１０２や、デジタルの画像データを画像処理するＤｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ（ＤＳＰ）チップ１０３、電源用チップ１０４等を用いることができる。
また、上記固体撮像装置９８のように、配線板９６に各チップを並べて固着してもよいし、図２０に示す固体撮像装置１１０（第５実施形態）のように、配線板１１１上に、電源用チップ１１２、スペーサー１１３、ＤＳＰチップ１１４、ＡＦＥチップ１１５、センサーパッケージ１１６を順に積み重ね、スタックドシステムインパッケージを形成してもよい。いずれの形態をとる場合も、センサーパッケージ１１６のカバーガラス１１７の上面が、封止用樹脂１１８から露呈されるように封止する。
上記ＳＩＰを用いた固体撮像装置９８，１１０を製造する際には、ダイボンド工程及びワイヤボンド工程において、センサーパッケージ９５，１１６とともに他の協働チップにも作業を行なう。封止工程では、センサーパッケージ９５，１１６のカバーガラス９９，１１７の上面以外は封止用樹脂９７，１１８により封止し、シンギュレーション工程では、システムを構成するチップが一つの配線板９６，１１１上に載置されるように、個片化を行なう。
固体撮像装置等の半導体装置は、この半導体装置が組み込まれた機器が、最終ユーザーにおいて所望の期間、所定の機能、性能を発揮できるように、高い信頼性を有している必要がある。そのため、半導体装置には、標準化された信頼性試験が実施される。半導体装置の標準規格として、例えば、ＪＥＤＥＣ規格（Joint Electron Device Engineering Council（米電子部品標準化業界団体））が知られているが、このＪＥＤＥＣ規格においても、半導体装置の信頼性試験が規定されている。
上記ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験は、半導体装置に対し、各種機器に組み込まれる前、及び組み込み時にかかるストレスを付与する「前処理」と、半導体装置の実使用において長期間に渡ってかかるストレスを短期間で加速的に付与する「本試験」とから構成されている。また、「前処理」は、そのストレスの大きさに応じてレベル１〜３が規定されている。以下に、上記信頼性試験の「前処理」及び「本試験」の実施条件を記載する。
ＪＥＤＥＣ規格、信頼性試験条件
１．前処理条件
（１）高温高湿保存条件
レベル１：温度８５°Ｃ、湿度８５％、１６８時間
レベル２：温度８５°Ｃ、湿度６０％、１６８時間
レベル３：温度３０°Ｃ、湿度６０％、１９２時間
（２）リフロー条件
予備加熱：温度１６０°Ｃ、６０秒
本加熱：温度２６０°Ｃ、２０秒
２．本試験
（１）高温高湿保存試験：温度８５°Ｃ、湿度８５％、１０００時間
（２）温度サイクル試験：８５°Ｃ⇔−４０°Ｃ、１０００サイクル
本発明の第１実施形態の固体撮像装置２を製造し、上記ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験を行った結果、様々な問題が発生して信頼性試験をパスすることができなかった。その問題とは、封止用樹脂７に取り込まれた水分の水蒸気爆発により、封止用樹脂７や、封止用樹脂７とセンサーパッケージ４との界面にクラックが生じ、封止用樹脂７がセンサーパッケージ４や配線板３から剥がれ、ボンディングワイヤ５が内部導体パッド１２や入出力パッド２１から外れて動作不良となる、というものである。
また、取り込まれた水分によって封止用樹脂７からイオン性不純物が溶出し、これがＡｌで形成された入出力パッド２１の電気化学的な分解反応を促進させて腐食させる問題もあった。
更に、封止用樹脂７が剥がれるときに、スペーサー２２やカバーガラス６が封止用樹脂と一緒に動いてイメージングチップ１９から剥がれてしまうという問題もある。これによれば、イメージングチップ１９とスペーサー２２とカバーガラス２２とで囲まれる空間が適性に封止されなくなり、この空間内に浸入した水分によりカバーガラス６に曇りが生じ、イメージセンサ２０の電気動作不良等が発生する。
本発明は、信頼性試験をパスすることができる固体撮像装置を得るために、以下で説明する構造変更、各種条件変更、封止用樹脂の変更などを行った。なお、上記各実施形態で説明した構成と同じものについては、詳しい説明は省略する。
本出願人は、封止用樹脂がセンサーパッケージから剥がれる原因の一つが、センサーパッケージに対する封止用樹脂の固着力の弱さにあると考え、この固着力を向上させることができる新規な構造を発明した。
図２１に示す固体撮像装置１３０は、センサーパッケージ１３１のカバーガラス１３２の外周縁に面取り部１３３を設けたものである。この面取り部１３３により、封止用樹脂１３４とセンサーパッケージ１３１との接触面積が増加して封止用樹脂１３４の固着力が向上するため、封止用樹脂１３４がセンサーパッケージ１３１から剥がれにくくなるアンカー効果を得ることができる。また、イメージングチップ１３５と、スペーサー１３６と、カバーガラス１３２とで囲まれる空間の圧力が熱で高くなっても、対抗する反力がカバーガラス１３２に働くので、この空間内の封止性を高めることができる。
また、同様の目的を達成するために、図２２に示す固体撮像装置１４０では、センサーパッケージ１４１のカバーガラス１４２の外周縁に段差部１４３を形成し、封止用樹脂１４４との接触面積を増やしている。これらの面取り部１３３及び段差部１４３は、スペーサーの幅寸法内に収まる大きさで形成すれば、イメージセンサに対する悪影響はない。
上記面取り部及１３３及び段差部１４３は、図６（Ｄ），（Ｅ）に示すガラス基板２８とシリコンウエハ３７とのダイシング時に、スライサーやダイサーを使用して形成することができる。そのため、工程数の大幅な増加はなく、ローコストに採用することができる。
また、上記実施形態では、カバーガラスの外周端縁だけでアンカー効果を得るようにしたが、図２３に示す固体撮像装置１５０のように、センサーパッケージ１５１のカバーガラス１５２、スペーサー１５３、イメージングチップ１５４の側面全周に粗面１５５，１５６を形成し、これらの粗面１５５，１５６で封止用樹脂１５７に対するアンカー効果を得てもよい。この粗面１５５，１５６は、図６（Ｅ）に示すように、ガラス基板２８とシリコンウエハ３７とをダイシングした後、エッチング加工等で容易に形成することができる。
また、封止用樹脂を剥がれにくくする別の手法として、センサーパッケージの外周面に高密着性膜を形成し、封止用樹脂との密着性を高めることも考えられる。例えば、図２４に示す固体撮像装置１７０のように、センサーパッケージ１７１のイメージングチップ１７２の上面に、低欠陥密度という特徴を持つポリイミド膜１７３を形成する。これによれば、封止用樹脂１７４とイメージングチップ１７２との密着性が向上するので、封止用樹脂１７４の固着力が向上して剥がれにくくなる。また、イメージングチップ１７２とスペーサー１７５との密着性も高くなるので、イメージングチップ１７２とスペーサー１７５との接着力が向上し、剥がれにくくなる。
なお、ポリイミド膜１７３の形成は、例えば、シリコンウエハにイメージセンサ１７７及び入出力パッド１７８を形成する工程において、形成することができる。なお、ポリイミド膜１７３は、プラズマエッチング時のパッシベーション膜としても使用される。そのため、前述の粗面１５５とともに採用すれば、プラズマエッチングでカバーガラス１７６、スペーサー１７５、イメージングチップ１７２の側面に粗面を形成する際に、イメージングチップ１７２の上面を保護することができる。
また、イメージセンサが収納される空間の封止性を高める手法として、透湿防止膜を用いることもできる。例えば、図２５に示す固体撮像装置１６０のように、センサーパッケージ１６１のカバーガラス１６２と、スペーサー１６３の外周面と、イメージングチップ１６４との外周面及び上面に窒化膜１６５を蒸着すれば、これらで囲まれる空間内の透湿防止性が高まるので、止性を高めることができ、封止用樹脂１９７との間で剥がれが生じるのを防止することができる。る。この窒化膜１６５の蒸着は、図８（Ｃ）に示すように、集合配線板４７にセンサーパッケージ４をダイボンドし、入出力パッド２１と集合配線板の内部導体パッド１２とをワイヤボンディングした後に行うとよい。なお、イメージングチップ１６４の上面には、シリコンウエハ３７の成膜工程において既に窒化膜が形成されているが、その上からさらに蒸着を行ってもよい。
上述した窒化膜による透湿防止性の向上、及びポリイミド膜による密着性の向上により、封止用樹脂と、センサーパッケージ及び配線板との間に生じた隙間から水分が浸透するのも防止することができるので、水蒸気爆発による封止用樹脂のクラックや剥がれの防止にも効果がある。
また、封止用樹脂の剥がれにより、スペーサーがイメージングチップから剥がれる原因の一つとして、イメージングチップとスペーサーとカバーガラスとで封止された空間内の空気が熱膨張し、接着部分に負荷がかかることが関係していると考えられる。この原因を解消するには、イメージセンサが封止されている空間内を真空にするとよい。また、図２６に示す固体撮像装置１８０のように、センサーパッケージ１８１のカバーガラス１８２、スペーサー１８３、イメージングチップ１８４で囲まれる空間内に、Ｎ２ガス等の不活性ガス１８５を充填するとよい。この空間内を真空にする、または不活性ガス１８５を充填するには、図６（Ｂ）に示すシリコンウエハ３７とガラス基板２８との接合時に、真空、または不活性ガスが充満されているチャンバー内で接合を行えばよい。
また、上記各実施形態では、センサーパッケージに新たな構造等を付加して封止用樹脂を剥がれにくくしたが、イメージングチップの上面に予め設けられている窒化膜の密着性を改善して、封止用樹脂の剥がれを防止してもよい。この密着性の改善には、例えば、ＵＶ洗浄やプラズマ洗浄が用いられる。ＵＶ洗浄では、窒化膜に付着していた有機系不純物を除去し、かつ濡れ性を改善して封止用樹脂の密着性を向上することができる。また、プラズマ洗浄では、入出力パッドに対するワイヤボンド性を向上させることができ、入出力パッドとボンディングワイヤとの結合力を高めることができる。図２７に示すように、これらのＵＶ洗浄またはプラズマ洗浄は、上記第１実施形態の洗浄工程で実施されるＯ２アッシャーに代えて実施するとよい。
また、封止用樹脂に対する水分の浸透は、封止用樹脂の表面から直接浸透する以外に、配線板を通って浸透することも考えられる。配線板の表面積は比較的大きいため、その水分の浸透を少なくすることによる封止用樹脂への水分浸透防止効果は大きい。そこで、本実施形態では、図２８に示す固体撮像装置１９０のように、センサーパッケージ１９４が取り付けられる配線板として、テープ基板１９１を使用し、このテープ基板１９１のベース１９２を超耐熱ポリイミドフイルムで形成している。この超耐熱ポリイミドフイルムは、封止用樹脂１９３が吸湿した水分を排出させることができるので、封止用樹脂１９３内の水分を減少させて水蒸気爆発の発生を抑えることができる。また、ガラスエポキシ基板に比べて薄いため、固体撮像装置１９０の薄型化にも寄与することができる。
なお、超耐熱ポリイミドフイルムとしては、例えば、カプトン（登録商標）フイルム（商品名：米国デュポン社）が知られており、容易に採用することができる。
また、上記各実施形態では、封止用樹脂としてエポキシ樹脂を用いたが、第１の実施形態のセンサーパッケージ４及び配線板３からの封止用樹脂７の剥がれを防止するために、より密着性の高い材質を使用してもよい。この密着性の高い樹脂としては、例えば、ビフェニール系のエポキシ樹脂等の高密着性樹脂を用いることができる。
また、モールド適性等を考慮して、スパイラルフローが１１０ｃｍ以上の封止用樹脂７を用いるとよい。この封止用樹脂７を用いて封止工程を行う場合には、封止温度が１６５〜１８０°Ｃ、注入圧力が５０〜１００ｋｇ／ｃｍ２程度が適している。
また、温度サイクル性を向上させるために、ガラス転位温度（Ｔｇ）が１３０°Ｃ以上の封止用樹脂７を用いることが好ましい。この場合、封止用樹脂７の加熱硬化温度（ＰＭＣ温度）がＴｇよりも高いことが望ましいため、例えば、ＰＭＣ温度を１５０°Ｃ程度とすることが好ましい。
また、封止用樹脂７のクラックや剥がれの原因として、封止用樹脂７と、センサーパッケージ４及び配線板３との間で生じる熱応力の影響が考えられる。例えば、第１実施形態の封止用樹脂（エポキシ樹脂）７の熱膨張係数（α）は、５０ｐｐｍ／°Ｃ程度である。しかし、シリコンで形成されたイメージングチップ１９及びスペーサー２２の熱膨張係数は、３ｐｐｍ／°Ｃ、カバーガラス６の熱膨張係数は６ｐｐｍ／°Ｃ、ガラスエポキシで形成された配線板３の熱膨張係数は１３〜１７ｐｐｍ／°Ｃと、封止用樹脂７の熱膨張係数よりもかなり小さいため、モールド時、リフロー時、ＰＭＣ時、実使用時等の温度サイクル時に、各構成の熱膨張係数の違いによって熱応力が発生し、封止用樹脂７に反りや歪み、剥がれ等が生じることがあった。これを防止するため、封止用樹脂７の熱膨張係数（α）は２０ｐｐｍ／°Ｃ以下、好ましくは８ｐｐｍ／°Ｃ以下にすることが望ましい。
同様に、熱応力を減少させるために、封止用樹脂７の曲げ弾性率は２８ＧＰａ以下、成形収縮率は０．１２％以下が好ましい。なお、固体撮像装置の強度を適性に保って変形を防止するために、封止用樹脂の硬度としては、例えばショアＤが９０以上の硬度を有することが好ましい。
また、ＰＭＣ時に、スペーサー２２の接着に使用される接着剤２９，４０がガラス転位温度に達すると、スペーサー２２やカバーガラス６がイメージングチップ１９から剥がれてしまう可能性がある。そのため、上述のＰＭＣ温度１５０°Ｃに合せて、接着剤２９，４０のＴｇを１５０°Ｃ以上とするのが好ましい。なお、封止用樹脂の熱膨張係数が低く、高温時の熱応力による接着剤へのストレスが小さい場合は、接着剤のガラス転位温度をＰＭＣ温度以下としてもよい。
また、熱膨張係数の差による熱応力は、センサーパッケージ４と配線板３との間でも発生し、やはり封止用樹脂７のクラックや剥がれの原因となる。例えば、ガラスエポキシ製の配線板３の熱膨張係数は１３〜１７ｐｐｍ／°Ｃであり、超耐熱ポリイミドフイルム製の配線板１９１の熱膨張係数は１６〜６０ｐｐｍ／°Ｃであって、イメージングチップ１９の熱膨張係数３ｐｐｍ／°Ｃと比較すると、その差はかなり大きい。
上記問題を解決するために、ＰＭＣ温度よりも低いガラス転位温度を有するダイアタッチフイルム５１を用いるのが好ましい。これにより、ダイアタッチフイルム５１がＰＭＣ時のイメージングチップ１９と配線板３との間の歪みを吸収するので、封止用樹脂７のクラック及び剥がれの発生を防止することができる。なお、ダイアタッチフイルム５１のガラス転位温度としては、ＰＭＣの開始後すぐにガラス転位温度に達するように、例えば、Ｔｇ＝５０〜８０°Ｃ，α＝８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃ程度のものが好ましい。
また、封止用樹脂７の吸湿による水蒸気爆発の発生を少なくするために、吸水率が０．３重量％（飽和蒸気加圧試験：２０時間）以下の封止用樹脂を用いることが好ましい。また、センサーパッケージ４の入出力パッド２１の腐食を防止する場合には、封止用樹脂７の吸水率は０．１５重量％以下であることがより好ましい。
また、封止用樹脂７の吸水率をより低減させる方法としては、吸水率の少ない樹脂を使用する以外に、フィラーの充填率を高めることも効果的である。例えば、第１の実施形態の封止用樹脂７では、シリカ等のフィラーの充填率が７３％であったが、吸水率の改善には至らなかった。そこで、本出願人は、フィラーの充填率を８０％以上とした封止用樹脂を使用して固体撮像装置を製造し、ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験を行った結果、封止用樹脂のクラックや剥がれの減少を確認することができた。よって、フィラーの充填率が８０％以上の封止用樹脂を使用することが好ましい。
また、封止用樹脂としては、低ハロゲン、低アルカリ金属（例えば、それぞれ１０ｐｐｍ以下）の封止用樹脂を用いるのが好ましい。これにより、封止用樹脂から溶出するイオン性不純物の量が少なくなるので、入出力パッドの腐食を防止することができる。
以上で説明した種々の改良により、封止用樹脂のクラックや剥がれが減少し、イメージセンサが収納される空間内の封止性も向上する。また、同時に、ボンディングワイヤのパッドからの外れも防止することができるので、固体撮像装置の動作不良を減少させることができる。例えば、封止用樹脂のフィラー充填率を８０％以上、熱膨張係数を２０ｐｐｍ／°Ｃ以下にした封止用樹脂を使用して第１の実施形態の固体撮像装置を製造し、高温高湿保存試験及び温度サイクル試験を行った結果、５００時間／１０００サイクルを達成することができた。また、配線板として、超耐熱ポリイミドフイルムのテープ基板を使用した固体撮像装置では、レベル１の前処理で信頼性試験をクリアすることができた。
なお、上記実施形態の各改良策は、個別に、または適宜組み合わせて用いることができる。また、第１の実施形態の固体撮像装置への適用を例に説明したが、第２〜第５の実施形態の固体撮像装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態は、ＣＣＤタイプの固体撮像装置を例に説明したが、ＣＭＯＳタイプ等の他の固体撮像装置の製造にも利用することができる。また、ＦＬＧＡ，ＦＢＧＡ，ＱＦＮ，ＳＩＰ等の各種パッケージ形態を用いたが、その他のパッケージ形態の固体撮像装置の製造にも利用することができる。
本発明を用いて製造された固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 固体撮像装置の断面図である。 固体撮像装置の製造手順を示すフローチャートである。 センサーパッケージの製造手順を示すフローチャートである。 センサーパッケージのスペーサー形成工程を示す説明図である。 センサーパッケージの基板接合及びダイシング工程を示す説明図である。 ガラス基板とシリコンウエハとの外観形状を示す斜視図である。 固体撮像装置の製造工程を示す説明図である。 集合配線板の外観形状を示す斜視図である、 トランスファーモールド装置の動作を説明する断面図である。 下側モールドダイの平面図である。 カバーガラスを個別の保護シートで覆う例を示す断面図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置の断面図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置に特有な製造手順を示すフローチャートである。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置の断面図である。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置に特有な製造手順を示すフローチャートである。 システムインパッケージを用いた固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 スタックドシステムインパッケージを用いた固体撮像装置の断面図である。 カバーガラスの外周に面取り部を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラスの外周に段差部を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップの側面に粗面を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 イメージングチップの上面にポリイミド膜を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップの外周面に窒化膜を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップにより囲まれた空間内に不活性ガスを充填した固体撮像装置を示す断面図である。 ＵＶ洗浄またはプラズマ洗浄を実施するタイミングを示すフローチャートである。 配線板として超耐熱ポリイミドフイルムからなるテープ基板を用いた固体撮像装置を示す断面図である。
符号の説明
２，７８，８５，９８，１１０，１３０，１３７，１５０，１６０，１７０，１８０，１９０ 固体撮像装置
３，８０，９６，１１１，１９１ 配線板
４，７９，８６，９５，１１６，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９４ センサーパッケージ
５，８８ ボンディングワイヤ
６，９９，１１７，１３２，１４２，１５２，１６２，１７６，１８２ カバーガラス
７，９１，９７，１１８，１３４，１４４，１５７，１６７，１７４，１９３ 封止用樹脂
８，８１ 外部導体パッド
１２ 内部導体パッド
１９，１５６，１６４，１７２，１８４ イメージングチップ
２０ イメージセンサ
２１，８９ 入出力パッド
２２，１５３，１６３，１７５，１８３ スペーサー
４７ 集合配線板
５１ ダイアタッチフイルム
５４ トランスファーモールド装置
５６ 下側モールドダイ
５８ 上側モールドダイ
６５，７５ 保護シート
８２ ハンダボール
９２ アウターリード
１０２，１１５ ＡＦＥチップ
１０３，１１４ ＤＳＰチップ
１０４，１１２ 電源用チップ
１３３ 面取り部
１４３ 段差部
１５５，１５６粗面
１７３ ポリイミド膜
１６５ 窒化膜
１８５ 不活性ガス
１９１ テープ基板

Claims (42)

  1. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージを、集合配線板に設けられた複数の固着部のそれぞれに固着するダイボンド工程と、
    各入出力パッドと、各センサーパッケージに対応して集合配線板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、
    各カバー部材の上面と集合配線板の下面とを上側モールドダイと下側モールドダイとで挟み込み、該上側モールドダイと下側モールドダイとの間に形成されるキャビティー内に封止用樹脂を充填してセンサーパッケージの外周を封止する封止工程と、
    集合配線板及び封止用樹脂をセンサーパッケージごとに裁断する個片化工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、このセンサーパッケージと協働する少なくとも一つの協働チップとを、該カバー部材の上面が協働チップによって隠れないように、集合配線板に設けられた複数の固着部のそれぞれに固着するダイボンド工程と、
    各センサーパッケージ及び協働チップの入出力パッドと、各センサーパッケージ及び協働チップに対応して集合基板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、
    各カバー部材の上面と集合配線板の下面とを上側モールドダイと下側モールドダイとで挟み込み、該上側モールドダイと下側モールドダイとの間に形成されるキャビティー内に封止用樹脂を充填して各センサーパッケージと協働チップの外周を封止する封止工程と、
    集合配線板及び封止用樹脂を各センサーパッケージ及び協働チップごとに裁断する個片化工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記ダイボンド工程は、センサーパッケージを集合配線板の固着部に固着する際に、フイルム状のダイアタッチ材を使用することを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記封止工程の前に、各カバー部材の上面を保護シートで覆う保護工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記保護工程は、イメージセンサよりも大きく、かつカバー部材の上面よりも小さい外形形状を有する保護シートを使用し、この保護シートの端縁がイメージセンサの端縁とカバー部材の上面の端縁との間に納まるように、該カバー部材の上面に保護シートを貼付することを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記保護工程は、カバー部材よりも広い面積を有する保護シートを少なくとも１枚使用し、複数個のセンサーパッケージのカバー部材を覆うことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記保護工程は、集合配線板と同程度以上の面積を有する保護シートを使用し、該集合配線板上に固着された全てのセンサーパッケージのカバー部材の上面を覆うことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記保護シートは、保護工程において上側モールドダイのキャビティー内に保持され、封止工程において上側モールドダイと下側モールドダイとでカバー部材の上面と集合配線板の下面とを挟み込む際に、該保護シートがカバー部材の上面を覆うことを特徴とする請求項４ないし７いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記個片化工程の前に、前記集合配線板の外側に内部電極と接続された外部電極を形成する外部電極形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし８いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 前記集合配線板は、サブストレート基板であり、前記外部電極形成工程は、サブストレート基板の配線上にハンダボールを形成するボール形成工程を含むことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記集合配線板は、リードフレームであり、前記外部電極形成工程は、リードフレームのアウターリードをメッキするメッキ工程を含むことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
  12. 前記集合配線板は、テープ基板であることを特徴とする請求項１ないし９いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  13. 前記テープ基板は、超耐熱ポリイミドフイルムで形成されていることを特徴とする請求項１２記載の固体撮像装置の製造方法。
  14. 前記ダイボンド工程とワイヤボンド工程との間に、センサーパッケージ、またはセンサーパッケージ及び協働チップと、集合配線板とを洗浄する洗浄工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし１３いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  15. 前記洗浄工程は、ＵＶ洗浄を用いることを特徴とする請求項１４記載の固体撮像装置の製造方法。
  16. 前記洗浄工程は、プラズマ洗浄を用いることを特徴とする請求項１４記載の固体撮像装置の製造方法。
  17. 前記封止工程の後に、封止用樹脂を加熱して硬化させるモールドキュア工程を有する固体撮像装置の製造方法であって、
    前記ダイアタッチ材のガラス転位温度は、前記モールドキュア工程の加熱硬化温度よりも低くしたことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置の製造方法。
  18. 前記ダイアタッチ材は、ガラス転位温度が５０〜８０°Ｃ、熱膨張係数が８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃであることを特徴とする請求項１７記載の固体撮像装置の製造方法。
  19. 前記封止工程の後に、封止用樹脂を加熱して硬化させるモールドキュア工程を有する固体撮像装置の製造方法であって、
    前記センサーパッケージにおいて、イメージングチップとカバー部材との取り付けに使用される接着剤のガラス転位温度は、該モールドキュア工程の加熱硬化温度以上であることを特徴とする請求項１ないし１８いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  20. 前記封止用樹脂は、センサーパッケージ、またはセンサーパッケージ及び協働チップと、集合配線板とに対して高い密着性を有する高密着性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし１９いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  21. 前記高密着性樹脂として、ビフェニール系のエポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項２０記載の固体撮像装置の製造方法。
  22. 前記封止工程は、封止温度が１６５〜１８０°Ｃ、注入圧力が５０〜１００ｋｇ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１ないし２２いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  23. 前記封止用樹脂のスパイラルフローは、１１０ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし２２いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  24. 前記封止用樹脂の熱膨張係数は、２０ｐｐｍ／°Ｃ以下、好ましくは８ｐｐｍ／°Ｃ以下であることを特徴とする請求項１ないし２３いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  25. 前記封止用樹脂の曲げ弾性率は、２８ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１ないし２４いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  26. 前記封止用樹脂の成形収縮率は、０．１２％以下であることを特徴とする請求項１ないし２５いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  27. 前記封止用樹脂の吸水率は、０．３重量％以下、好ましくは０．１５重量％以下であることを特徴とする請求項１ないし２６いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  28. 前記封止用樹脂は、フィラーの充填率が８０％以上であることを特徴とする請求項１ないし２７いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  29. 前記封止用樹脂のガラス転位温度は、１３０°Ｃ以上であることを特徴とする請求項１ないし２８いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  30. 前記封止用樹脂の硬度は、ショアＤで９０以上であることを特徴とする請求項１ないし２９いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  31. 前記封止用樹脂の硬化温度は、１５０°Ｃ程度であることを特徴とする請求項１ないし３０いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  32. 前記封止用樹脂は、ハロゲン及びアルカリ金属の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３１いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  33. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    このセンサーパッケージと協働する少なくとも一つの協働チップと、
    カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージと協働チップとが固着される配線板と、
    センサーパッケージ及び協働チップの入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
  34. 前記センサーパッケージと協働チップは、配線板上に並べて固着されることを特徴とする請求項３３記載の固体撮像装置。
  35. 前記センサーパッケージと協働チップは、該センサーパッケージが上部に配置されてカバー部材の上面が露呈されるように、配線板上に重ねて固着されることを特徴とする請求項３３記載の固体撮像装置。
  36. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    前記カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージが固着される配線板と、
    前記入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備える固体撮像装置において、
    前記カバー部材の外周面に、面取り形状または段差形状を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
  37. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    前記カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージが固着される配線板と、
    前記入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備える固体撮像装置において、
    前記イメージングチップとカバー部材とのいずれか一方、または両方の外周面に粗面を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
  38. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    前記カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージが固着される配線板と、
    前記入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備える固体撮像装置において、
    前記イメージングチップの上面に、前記封止用樹脂との密着性を高める高密着性膜を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
  39. 前記高密着性膜は、ポリイミド膜であることを特徴とする請求項３８記載の固体撮像装置。
  40. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、このイメージングチップに取り付けられてイメージセンサの周囲を囲むスペーサーと、透光性を有し、スペーサーに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    前記カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージが固着される配線板と、
    前記入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備える固体撮像装置において、
    前記イメージングチップとスペーサーとカバー部材との外周面に、封止性を高めるために透湿防止膜を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
  41. 前記透湿防止膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項４０記載の固体撮像装置。
  42. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、このイメージングチップに取り付けられてイメージセンサの周囲を囲むスペーサーと、透光性を有し、スペーサーに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、
    前記カバー部材の上面が露呈されるようにセンサーパッケージが固着される配線板と、
    前記入出力パッドと、配線板の内部電極とを接続するボンディングワイヤと、
    カバー部材の上面を塞がないようにセンサーパッケージの外周を封止する封止用樹脂と、
    前記内部電極と接続され、封止用樹脂から外部に露呈される外部電極とを備える固体撮像装置において、
    前記イメージングチップとスペーサーとカバー部材とで囲まれる空間を真空に、または不活性ガスを充填したことを特徴とする固体撮像装置。
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Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219854A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール
JP2009049973A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサパッケージ
JP2009152481A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 撮像用半導体装置および撮像用半導体装置の製造方法
JP2010027821A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2010153726A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2010119762A1 (ja) 2009-04-15 2010-10-21 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2011035362A (ja) * 2009-07-29 2011-02-17 Kingpak Technology Inc 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ
US7939901B2 (en) 2007-10-15 2011-05-10 Panasonic Corporation Optical device for reducing disturbance light and manufacturing method thereof
JP2012009816A (ja) * 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN102386192A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 佳能株式会社 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
WO2012165647A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US8455902B2 (en) 2007-02-05 2013-06-04 Panasonic Corporation Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device
JPWO2012144070A1 (ja) * 2011-04-22 2014-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
TWI503941B (zh) * 2013-04-19 2015-10-11 Zhen Ding Technology Co Ltd 晶片封裝基板及其製作方法
US9287317B2 (en) 2013-01-25 2016-03-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Image sensor module and method of manufacturing the same
JP2018006760A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2018006759A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2019047103A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2019083276A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 エムテックスマツムラ株式会社 半導体素子パッケージの製造方法
KR102081612B1 (ko) * 2019-11-25 2020-05-15 테라셈 주식회사 반도체 패키지 및 이것의 제조 방법
US10735673B2 (en) 2018-04-27 2020-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device module, imaging system, imaging device package, and manufacturing method
JP2021121098A (ja) * 2016-04-28 2021-08-19 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュール及びそのモールディング感光アセンブリ、モールディング感光アセンブリの半製品及び製造方法並びに電子機器テ
FR3114676A1 (fr) * 2020-09-30 2022-04-01 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Boîtier électronique
CN115831776A (zh) * 2022-12-15 2023-03-21 湖南越摩先进半导体有限公司 芯片封装方法及封装结构
CN116705817A (zh) * 2023-08-08 2023-09-05 积高电子(无锡)有限公司 一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构
JP7414720B2 (ja) 2018-08-21 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器、および半導体装置の製造方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61148824A (ja) * 1984-12-21 1986-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH06236899A (ja) * 1992-09-29 1994-08-23 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH07111254A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10340914A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2003212963A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体装置
JP2004064087A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 General Electric Co <Ge> 可撓性イメージャ及びデジタル画像形成方法
JP2004180243A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 撮像装置及びそれを内蔵した携帯端末
JP2004193600A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、半導体装置用カバー並びに電子機器
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2004304081A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Ltd 半導体チップ、半導体装置及びその製造方法
JP2004363400A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005036218A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 熱硬化性樹脂組成物及びその用途

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61148824A (ja) * 1984-12-21 1986-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH06236899A (ja) * 1992-09-29 1994-08-23 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH07111254A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10340914A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2003212963A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体装置
JP2004064087A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 General Electric Co <Ge> 可撓性イメージャ及びデジタル画像形成方法
JP2004193600A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、半導体装置用カバー並びに電子機器
JP2004180243A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 撮像装置及びそれを内蔵した携帯端末
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2004304081A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Ltd 半導体チップ、半導体装置及びその製造方法
JP2004363400A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005036218A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 熱硬化性樹脂組成物及びその用途

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8455902B2 (en) 2007-02-05 2013-06-04 Panasonic Corporation Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device
JP2008219854A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール
JP2009049973A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサパッケージ
US7939901B2 (en) 2007-10-15 2011-05-10 Panasonic Corporation Optical device for reducing disturbance light and manufacturing method thereof
JP2009152481A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 撮像用半導体装置および撮像用半導体装置の製造方法
JP2010027821A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2010153726A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
US8193024B2 (en) 2008-12-26 2012-06-05 Renesas Electronics Corporation Manufacturing method for semiconductor devices and semiconductor device
EP2421041A1 (en) * 2009-04-15 2012-02-22 Olympus Medical Systems Corp. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN102388455A (zh) * 2009-04-15 2012-03-21 奥林巴斯医疗株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法
WO2010119762A1 (ja) 2009-04-15 2010-10-21 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
EP2421041A4 (en) * 2009-04-15 2013-06-26 Olympus Medical Systems Corp SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2011035362A (ja) * 2009-07-29 2011-02-17 Kingpak Technology Inc 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ
JP2012080129A (ja) * 2009-07-29 2012-04-19 Kingpak Technology Inc 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ
JP2012009816A (ja) * 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US8790950B2 (en) 2010-08-27 2014-07-29 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing optical sensor, optical sensor, and camera including optical sensor
CN102386192A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 佳能株式会社 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
CN102386192B (zh) * 2010-08-27 2015-04-08 佳能株式会社 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
JPWO2012144070A1 (ja) * 2011-04-22 2014-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
US9153512B2 (en) 2011-04-22 2015-10-06 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with an insulating terminal table
JP5847165B2 (ja) * 2011-04-22 2016-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2012165647A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US9275949B2 (en) 2011-06-01 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US9287317B2 (en) 2013-01-25 2016-03-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Image sensor module and method of manufacturing the same
TWI503941B (zh) * 2013-04-19 2015-10-11 Zhen Ding Technology Co Ltd 晶片封裝基板及其製作方法
JP2021121098A (ja) * 2016-04-28 2021-08-19 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュール及びそのモールディング感光アセンブリ、モールディング感光アセンブリの半製品及び製造方法並びに電子機器テ
JP7344924B2 (ja) 2016-04-28 2023-09-14 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュールの製造方法
JP2018006759A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2018006760A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2019047103A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 キングパック テクノロジー インコーポレイテッドＫｉｎｇｐａｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． センサパッケージ構造
JP2019083276A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 エムテックスマツムラ株式会社 半導体素子パッケージの製造方法
US10735673B2 (en) 2018-04-27 2020-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device module, imaging system, imaging device package, and manufacturing method
JP7414720B2 (ja) 2018-08-21 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器、および半導体装置の製造方法
KR102081612B1 (ko) * 2019-11-25 2020-05-15 테라셈 주식회사 반도체 패키지 및 이것의 제조 방법
US11862757B2 (en) 2020-09-30 2024-01-02 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Electronic package
FR3114676A1 (fr) * 2020-09-30 2022-04-01 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Boîtier électronique
CN115831776A (zh) * 2022-12-15 2023-03-21 湖南越摩先进半导体有限公司 芯片封装方法及封装结构
CN116705817A (zh) * 2023-08-08 2023-09-05 积高电子(无锡)有限公司 一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构
CN116705817B (zh) * 2023-08-08 2023-09-29 积高电子(无锡)有限公司 一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构

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