JP2006295040A - 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 - Google Patents
光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006295040A JP2006295040A JP2005116947A JP2005116947A JP2006295040A JP 2006295040 A JP2006295040 A JP 2006295040A JP 2005116947 A JP2005116947 A JP 2005116947A JP 2005116947 A JP2005116947 A JP 2005116947A JP 2006295040 A JP2006295040 A JP 2006295040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- contact layer
- contact
- inp
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 n型半導体基板と、前記n型半導体基板上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成されたコンタクト層と、前記コンタクト層の直上に形成されたp型電極とを少なくとも備えた光半導体装置であって、前記コンタクト層は、前記p型電極と接する第1界面とは反対側の面である第2界面と接する半導体層と格子整合する層により形成され、前記コンタクト層中の前記第1界面近傍は少なくともp型不純物が存在し、前記コンタクト層中の前記第2界面近傍はp型不純物が存在していないか、若しくは前記第1界面近傍よりp型不純物の濃度が低くなるようにする。
【選択図】図1
Description
そこで、活性層302へのZnの拡散を防ぐために、p−InPクラッド層303aのZnドーピング濃度を低減したり、p−InPクラッド層303aの初期層をノンドープ化する手段が知られている。また、別の方法として、p−InGaAsコンタクト層とp−InPクラッド層の間に、InAsとGaAs、若しくはInAsとGaPからなる超格子中間層を形成し、Zn拡散を抑制する技術が提案されている(特許文献3)。
また、上記特許文献3に記載の技術においては、超格子中間層の膜厚制御を厳密に行うことが必須であるため、生産性が低いという問題があった。厳密な膜厚制御を行わければならない理由は、超格子中間層とInP基板との格子不整合量が大きいため、厳密な膜厚制御を行わないと格子歪が生じて結晶欠陥が生じやすいためである。ひとたび結晶欠陥が生じてしまうと、超格子中間層を設けているにもかかわらず、かえってZn拡散が増大してしまう。
図1は、本実施形態1に係る半導体レーザの斜視図である。本実施形態1に係る埋め込み(BH)構造型の半導体レーザ10は、同図に示すように、n−InP基板1を備えている。n−InP基板1上には、メサ状に形成されたn−InPバッファ層1a、活性層2、p−InPクラッド層3aを備えている。また、活性層2等を備える面(以下、「主面」という)側であって、活性層2等が形成されていないn−InP基板1上には、メサの側壁に接するように、p−InP電流ブロック層5、n−InP電流ブロック層6がこの順に積層されている。また、p−InPクラッド層3a、及びn−InP電流ブロック層6上には、p−InPオーバークラッド層3b、p−InGaAs第1コンタクト層7a、p−InGaAs第2コンタクト層7bがこの順に積層されている。上記p−InGaAs第2コンタクト層7bの上面には、p型電極9aが形成されている。また、n−InP基板1の主面に対して裏側の面(以下「裏面」という)には、n型電極9bが形成されている。
図4(a)は、活性層へZnが拡散する状態を分析するために用いた試料構造50を示す。この試料構造50は、図4(a)に示すように、n−InP基板51上に、n−InPバッファー層51a、MQW構造を有する活性層52、p−InPクラッド層53a、p−InPオーバークラッド層53b、p−InGaAs第1コンタクト層57a、p−InGaAs第2コンタクト層57bを備える。
本実施形態1に係る半導体レーザによれば、上記理由により低しきい値、高効率動作を再現性及び均一性よく実現できる。
次に、上記実施形態1に係る半導体レーザ10とは異なる実施形態について説明する。図5は、本実施形態2に係る半導体レーザの斜視図である。なお、以降の説明において、上記実施形態1と同一の構成部分については、適宜その説明を省略する。
次に、上記実施形態1及び2に係る半導体レーザとは異なる実施形態について説明する。図7は、本実施形態3に係る半導体レーザの斜視図、なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の構成部分については、適宜その説明を省略する。
1a,101a,201a、301a バッファ層
2、102、202、302 活性層
2a、302a ウエル層
2b、302b バリア層
3a、103、203、303 クラッド層
3b オーバークラッド層
3c、303c Zn拡散長
4、104、204 SiO2マスク
5、105、305 電流ブロック層
6、306 電流ブロック層
7a、107a、207a 第1コンタクト層
7b、107b、207b 第2コンタクト層
9a、109a、209a、309a p型電極
9b、109b、209b、309b n型電極
111、211 SiO2マスク
307 コンタクト層
Claims (7)
- n型半導体基板と、
前記n型半導体基板上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたクラッド層と、
前記クラッド層上に形成されたコンタクト層と、
前記コンタクト層の直上に形成されたp型電極とを少なくとも備えた光半導体装置であって、
前記コンタクト層は、前記p型電極と接する第1界面とは反対側の面である第2界面と接する半導体層と格子整合する層により形成され、
前記コンタクト層中の前記第1界面近傍は少なくともp型不純物が存在し、
前記コンタクト層中の前記第2界面近傍はp型不純物が存在していないか、若しくは前記第1界面近傍よりp型不純物の濃度が低い光半導体装置。 - 請求項1に記載の光半導体装置において、
前記第2界面近傍の前記p型不純物のドーピング濃度が、5×1018cm−3以下であることを特徴とする光半導体装置 - 請求項1又は2に記載の光半導体装置において、
前記p型不純物は、Znであることを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1、2又は3に記載の光半導体装置において、
前記n型半導体基板は、InPから構成され、
前記クラッド層は、InPから構成され、
前記コンタクト層は、InGaAs若しくはInGaAsPから構成されていることを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置において、
前記コンタクト層は少なくとも2層以上を積層することにより形成され、
前記コンタクト層のうち少なくとも前記n型半導体基板と最も離間している最上層には、p型不純物が存在し、
前記コンタクト層のうち前記n型半導体基板と最も近接している最下層は、p型不純物が存在しないか、若しくは前記p型不純物の濃度が、前記最上層の前記p型不純物のドーピング濃度に比して少ない光半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置を搭載した光通信装置。
- n型半導体基板上に活性層を形成し、
前記活性層上にクラッド層を形成し、
前記クラッド層上にコンタクト層を形成し、
前記クラッド層の直上にp型電極を形成する光半導体装置の製造方法であって、
前記コンタクト層は、前記p型電極と接する第1界面とは反対側の面である第2界面と接する半導体層と少なくとも格子整合する構成元素により形成し、
前記コンタクト層中の前記第1界面近傍は、少なくともp型不純物をドーピングし、前記第2界面近傍は、p型不純物がドーピングされていないか、若しくは前記第1界面よりp型不純物のドーピング濃度が低くなるように形成する光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116947A JP4913358B2 (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116947A JP4913358B2 (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295040A true JP2006295040A (ja) | 2006-10-26 |
JP4913358B2 JP4913358B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=37415259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116947A Expired - Fee Related JP4913358B2 (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4913358B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014003229A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP7170939B1 (ja) * | 2021-12-01 | 2022-11-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61228684A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1027941A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法 |
JPH11150326A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザの製造方法 |
JP2000244049A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003078213A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-14 JP JP2005116947A patent/JP4913358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61228684A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JPH1027941A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法 |
JPH11150326A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザの製造方法 |
JP2000244049A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2003078213A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014003229A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP7170939B1 (ja) * | 2021-12-01 | 2022-11-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2023100296A1 (ja) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4913358B2 (ja) | 2012-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7522647B2 (en) | Semiconductor laser and method of fabricating the same | |
EP0959540B1 (en) | Semiconductor laser having effective output increasing function | |
US7405421B2 (en) | Optical integrated device | |
JP2004179274A (ja) | 光半導体装置 | |
US20090203161A1 (en) | Semiconductor laser diode with a ridge structure buried by a current blocking layer made of un-doped semiconductor grown at a low temperature and method for producing the same | |
US9257815B1 (en) | Optical semiconductor device | |
JP5027647B2 (ja) | 単一のステップmocvdによって製造される埋め込みヘテロ構造デバイス | |
EP1251610A2 (en) | Semiconductor optical device and the fabrication method | |
JP4057802B2 (ja) | 半導体光素子 | |
JP5170869B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 | |
JP4947778B2 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP4797782B2 (ja) | 半導体光素子 | |
JP4913358B2 (ja) | 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 | |
JP2677232B2 (ja) | 長波長半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2010021430A (ja) | 半導体光素子 | |
JP4983791B2 (ja) | 光半導体素子 | |
JP2001185809A (ja) | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 | |
JP2685720B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP4003250B2 (ja) | 半導体レーザ | |
US20060222032A1 (en) | Optical semiconductor element, method of manufacturing optical semiconductor element and optical module | |
JP2005260109A (ja) | 光半導体素子 | |
JP5025898B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPS6237914B2 (ja) | ||
JPH0823139A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2005286196A (ja) | 光集積素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |