JP5275153B2

JP5275153B2 - 弾性波デバイスの製造方法

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Publication number: JP5275153B2
Application number: JP2009149183A
Authority: JP
Inventors: 高志山下
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2009-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2013-08-28
Anticipated expiration: 2029-06-23
Also published as: JP2011009882A

Description

本発明は弾性波デバイスの製造方法に関し、特に電極膜厚又は材料が異なる複数の弾性波フィルタを有する弾性波デバイスの製造方法に関する。

移動体通信機器等では、高機能化を図るために、マルチバンド対応の機器が開発されている。これに伴い、弾性波デバイスを利用したバンドパスフィルタについても、２つの通過帯域に対応したデュアルフィルタや、３つの通過帯域に対応したトリプルフィルタ等が開発されている。こうしたマルチバンド対応の弾性波デバイスは、通常１つのパッケージに通過帯域の異なる弾性波フィルタを複数個実装することで構成される。しかし、近年のデバイスの小型化や低コスト化に伴い、同一圧電基板上に通過帯域の異なる複数の弾性波フィルタを構成することが求められている。

しかしながら、弾性波フィルタを構成するＩＤＴ（Inter Digital Transducer）の最適な膜厚は、通過帯域によって異なる。従って、同一の圧電基板上にデュアルフィルタやトリプルフィルタ等を形成する場合、各弾性波フィルタが備えるＩＤＴの電極膜厚を最適な膜厚にすることができず、弾性波デバイスの特性が悪化することがあった。

特許文献１には、リフトオフ又はハーフエッチングを用いることにより、同一の圧電基板上に膜厚の異なるＩＤＴを形成する弾性波デバイスの製造方法が開示されている。特許文献２には、リフトオフを用いることにより、同一の圧電基板上に電極膜厚の異なるＩＤＴを形成する弾性波デバイスの製造方法が開示されている。

特開平１０−１９０３９０号公報特開２００１−２６７８６８号公報

しかしながら、リフトオフ法では精度の高い加工が困難となることがある。弾性波デバイスの高周波化に伴い、ＩＤＴの電極幅も細くなっており、リフトオフ法ではＩＤＴの微細化に対応困難となる可能性がある。また、ハーフエッチングでは、エッチングレートの厳密なコントロールが困難となり、やはり精度よく加工できない恐れがある

本発明は上記課題に鑑み、同一圧電基板上に複数の弾性波フィルタを精度よく形成し、かつ特性の改善が可能な弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、圧電基板上に第１金属膜を形成する工程と、前記第１金属膜をドライエッチングすることにより、前記圧電基板上に前記第１金属膜から第１ＩＤＴを形成する工程と、前記第１ＩＤＴ上にレジストを形成する工程と、前記レジスト上、及び前記圧電基板上に、前記第１金属膜とは膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる第２金属膜を形成する工程と、前記レジスト上に形成された前記第２金属膜をリフトオフにより除去する工程と、前記レジスト上の前記第２金属膜を除去する工程の後に、前記第２金属膜をドライエッチングすることにより、前記圧電基板上に、前記第２金属膜から第２ＩＤＴを形成する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、ドライエッチングを行うため、同一圧電基板上に、ＩＤＴの電極膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる複数の弾性波フィルタを精度よく形成することが可能となる。また、弾性波フィルタの特性に応じて、最適膜厚または最適材料を有するＩＤＴを形成できるため、弾性波デバイスの特性の改善が可能となる。

上記構成において、前記第２ＩＤＴを形成する工程のドライエッチングと同時に、前記レジスト上に形成された第２金属膜をドライエッチングすることにより、前記レジスト上に形成された第２金属膜を除去する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、工程を簡略化することが可能となる。

上記構成において、前記第１金属膜と前記第２金属膜とでは、構成する金属の種類、又は構成する金属の膜厚が異なる構成とすることができる。この構成によれば、第１ＩＤＴ及び第２ＩＤＴにおいて、金属膜の構成を弾性波デバイスの特性に応じて最適化することができる。

上記構成において、前記第１金属膜及び前記第２金属膜の少なくとも一方は、Ｔｉからなる金属膜、及びＡｌからなる金属膜の２層構造である構成とすることができる。この構成によれば、圧電基板とＩＤＴとの密着性を向上させることができる。

上記構成において、前記圧電基板上に、第１配線と第２配線とからなる配線を形成する工程をさらに有し、前記配線を形成する工程は、前記第１金属膜をドライエッチングすることにより前記圧電基板上に前記第１金属膜から前記第１配線を形成する工程と、前記第１配線上に前記第２金属膜から前記第２配線を形成する工程とを含み、前記第１配線を形成する工程のドライエッチングは、前記第１ＩＤＴを形成する工程のドライエッチングと同時に行われ、前記第２配線を形成する工程は、前記第２金属膜を形成する工程と同時に行われる構成とすることができる。この構成によれば、配線を厚膜化できるため、配線の電気抵抗が低減され、弾性波デバイスの特性の改善が可能となる。また、工程を追加することなく厚膜化した配線を形成することができる。

本発明によれば、同一圧電基板上に複数の弾性波フィルタを精度よく形成し、かつ特性の改善が可能な弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。

図１（ａ）から図１（ｅ）は比較例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図２（ａ）から図２（ｆ）は比較例２に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）は比較例３に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図４は実施例１に係る弾性表面波デバイスを例示する平面図である。図５（ａ）から図５（ｅ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図６（ａ）から図６（ｃ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図８（ａ）から図８（ｅ）は実施例３に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図９（ａ）から図９（ｃ）は実施例３に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。図１０（ａ）から図１０（ｄ）は実施例４に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。

実施例の説明の前に、まず比較例について説明する。図１（ａ）から図１（ｅ）は比較例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。

図１（ａ）に示すように、例えばＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３等の圧電体からなる圧電基板２上に金属膜３を形成する。続いて、図１（ｂ）に示すように、金属膜３上にレジスト６を形成する。その後、パターニングを行うことでレジスト６の一部を除去する。これにより、金属膜３の一部が露出する。

図１（ｃ）に示すように、金属膜３の露出している領域にハーフエッチングを行う。金属膜３のレジスト６に保護されている領域は、エッチングされない。つまり、金属膜３の露出している領域の膜厚は、露出していない領域よりも薄くなる。ハーフエッチング後、レジスト６を除去する。金属膜３のハーフエッチングされた領域を金属膜３ａ、ハーフエッチングされていない領域を金属膜３ｂとする。

図１（ｄ）に示すように、レジスト６を除去した後、別のレジスト１０を金属膜３ａ上、及び金属膜３ｂ上に形成する。その後、パターニングを行うことでレジスト１０の一部を除去する。このとき、金属膜３ａであって第１ＩＤＴ８の電極指となる領域、及び金属膜３ｂであって第２ＩＤＴ１６の電極指となる領域が、レジスト１０で保護されるように、レジスト１０のパターニングを行う。

図１（ｅ）に示すように、金属膜３ａ及び３ｂに対してエッチングを行う。このとき、金属膜３ａ及び３ｂの露出している領域が除去される。すなわち、金属膜３ａのレジスト１０で保護された領域が第１ＩＤＴ８の電極指となり、金属膜３ｂのレジスト１０で保護された領域が第２ＩＤＴ１６の電極指となる。

比較例１によれば、図１（ｃ）に示すように、ハーフエッチングを行うため、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とでは、電極膜厚を異ならせることができる。しかしながら、ハーフエッチングはエッチングレートのコントロールが困難であり、所望の電極膜厚を得られないことがある。

次に、比較例２について説明する。図２（ａ）から図２（ｆ）は、比較例２に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。

図２（ａ）に示すように、まず圧電基板２上にレジスト６を形成し、レジスト６のパターニングを行う。レジスト６は、圧電基板２上であって、第１ＩＤＴ８が形成される領域が露出するように、パターニングされる。

図２（ｂ）に示すように、圧電基板２上、及びレジスト６上に第１金属膜４を形成する。図２（ｃ）に示すように、リフトオフすることにより、レジスト６及びレジスト６上の第１金属膜４を除去する。圧電基板２の露出した領域に形成された第１金属膜４が、第１ＩＤＴ８となる。

図２（ｄ）に示すように、レジスト６を除去した後、圧電基板２上、及び第１ＩＤＴ８上にレジスト１０を形成する。その後、レジスト１０は、圧電基板２上であって第２ＩＤＴ１６が形成される領域が露出するように、パターニングされる。

図２（ｅ）に示すように、圧電基板２上、及びレジスト１０上に第１金属膜４と異なる膜厚の第２金属膜１２を形成する。図２（ｆ）に示すように、リフトオフすることにより、レジスト１０及びレジスト１０上の第２金属膜１２を除去する。圧電基板２が露出した領域に形成された第２金属膜１２が、第２ＩＤＴ１６となる。

次に、比較例３について説明する。図３（ａ）から図３（ｃ）は、比較例３に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。

図３（ａ）に示すように、圧電基板２上に第１金属膜４を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、第１金属膜４上にレジスト６を形成し、さらにレジスト６のパターニングを行う。このとき、第１金属膜４であって、第１ＩＤＴ８の電極指となる領域がレジスト６に保護されるように、レジスト６のパターニングを行う。

図３（ｃ）に示すように、第１金属膜４に対してエッチングを行う。エッチングにより、第１金属膜４の露出している領域が除去され、第１ＩＤＴ８が形成される。図３（ｃ）から後の工程は、図２（ｄ）から図２（ｆ）に示したものと同じなので、説明を省略する。

比較例２及び３によれば、図２（ｅ）に示すように、異なる膜厚の第１金属膜４と第２金属膜１２とを形成するため、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とで、電極膜厚を異ならせることができる。しかしながら、図２（ｃ）、及び図２（ｆ）に示したようなリフトオフ法では、加工の精度を高めることが難しい。このため、ＩＤＴを精度よく形成することが困難となる可能性がある。特に、第１ＩＤＴ８や第２ＩＤＴ１６の電極幅が細くなった場合に、より難しくなる。

次に、図面を用いて、本発明の実施例について説明する。

まず、実施例１に係る弾性表面波デバイス１００の構成について説明する。図４は、実施例１に係る弾性表面波デバイス１００を例示する平面図である。図中に太線の網掛けで示した領域はＩＤＴを、細線の網掛けで示した領域は電極を、各々表す。

図４に示すように、弾性表面波デバイス１００は、同一の圧電基板である圧電基板２上に、弾性表面波フィルタ１１０、及び弾性表面波フィルタ１２０の２つの弾性表面波フィルタを有している。弾性表面波フィルタ１１０は第１ＩＤＴ８、配線２２、及び電極２４を備える。弾性表面波フィルタ１２０は第２ＩＤＴ１６、配線２２、及び電極２４を備える。

第１ＩＤＴ８及び第２ＩＤＴ１６は、例えばＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３等の圧電体からなる同一の圧電基板２上に形成されている。第１ＩＤＴ８及び第２ＩＤＴ１６は、それぞれ対向する櫛型電極から構成されており、電圧が印加されることにより弾性表面波を励振する。励振される弾性表面波の周波数は、ＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指間のピッチに依存する。

弾性表面波フィルタ１１０は、第１ＩＤＴ８が励振する弾性表面波の周波数に対応した信号を通過させる。弾性表面波フィルタ１２０は、第２ＩＤＴ１６が励振する弾性表面波の周波数に対応した信号を通過させる。弾性表面波フィルタ１１０と弾性表面波フィルタ１２０とでは、通過帯域が異なっている。弾性表面波フィルタ１１０の通過帯域の中心周波数は例えば１９６０ＭＨｚであり、弾性表面波フィルタ１２０の通過帯域の中心周波数は例えば８８１．５ＭＨｚである。

また、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とでは、櫛型電極を構成する金属の種類、及び電極膜厚が異なっている。第１ＩＤＴ８は、例えばＡｌ等の金属からなる金属膜により構成され、膜厚は例えば１６０ｎｍである。第２ＩＤＴ１６は、圧電基板２に近い方から順に、例えば膜厚が１０ｎｍのＴｉからなる金属膜、及び例えば膜厚が３２０ｎｍのＡｌからなる金属膜の２層構造である。

電極２４は入力端子、出力端子、又は接地端子として機能する。配線２２は第１ＩＤＴ８同士、第２ＩＤＴ１６同士、電極２４と第１ＩＤＴ８、及び電極２４と第２ＩＤＴ１６と、を接続する。さらに、第１ＩＤＴ８の両側、及び第２ＩＤＴ１６の両側には、反射器が設けられていてもよい。

次に、弾性表面波デバイス１００の製造方法について説明する。図５（ａ）から図６（ｃ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を例示する断面図である。なお、図５（ａ）から図７（ｂ）においては、図４の破線Ａ−Ａに沿った断面を例示する。また、電極指の本数は省略して図示している。

図５（ａ）に示すように、まず圧電基板２上に、膜厚Ｔ１が例えば１６０ｎｍである、例えばＡｌ等の金属からなる第１金属膜４を、例えばスパッタリング法により形成する。

図５（ｂ）に示すように、第１金属膜４上にレジスト６を形成し、その後レジスト６のパターニングを行う。このとき、第１金属膜４であって、第１ＩＤＴ８の電極指となる領域がレジスト６で保護されるように、レジスト６を例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングする。

図５（ｃ）に示すように、第１金属膜４をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に、第１金属膜４から第１ＩＤＴ８を形成する。つまり、第１金属膜４の露出した領域がエッチングされ、レジスト６で保護された領域が第１ＩＤＴ８の電極指となる。第１ＩＤＴ８の電極幅Ｗ１は例えば６１３ｎｍである。ドライエッチングは、例えばＣｌ_２、ＢＣｌ_３をエッチャントとして用いたＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）ドライエッチング法により行われる。

図５（ｄ）に示すように、圧電基板２上及び第１ＩＤＴ８上にレジスト１０を形成し、第１ＩＤＴ８上にレジスト１０が残存するようにパターニングを行う。すなわち、第１ＩＤＴ８上にレジスト１０を形成する。第１ＩＤＴ８の電極指の上面及び側面は、レジスト１０に覆われる。また、圧電基板２上であって、第２ＩＤＴ１６が形成される領域が暴露されるように、レジスト１０はパターニングされる。

図５（ｅ）に示すように、圧電基板２上及びレジスト１０上に、第１金属膜４とは膜厚の異なる第２金属膜１２を形成する。第２金属膜１２の形成は、圧電基板２上に例えば膜厚１０ｎｍであるＴｉからなる金属膜を、例えばスパッタリング法により形成した後、例えば膜厚３２０ｎｍのＡｌからなる金属膜を、例えばスパッタリング法により形成することにより行われる。つまり、第２金属膜１２は、例えばＴｉとＡｌとの２層構造であり、膜厚Ｔ２は例えば３３０ｎｍである。

図６（ａ）に示すように、リフトオフにより、レジスト１０及びレジスト１０上に形成された第２金属膜１２を除去する。言い換えれば、第１ＩＤＴ８上に形成された第２金属膜１２をリフトオフすることにより除去する。圧電基板２上の第２金属膜１２は残存する。

図６（ｂ）に示すように、第１ＩＤＴ８上、及び第２金属膜１２上にレジスト１４を形成する。その後、第２金属膜１２であって第２ＩＤＴ１６の電極指となる領域がレジスト１４で保護されるように、レジスト１４のパターニングを行う。このとき、第１ＩＤＴ８上のレジスト１４は残存し、第１ＩＤＴ８の電極指の上面及び側面はレジスト１４により覆われる。

図６（ｃ）に示すように、第２金属膜１２をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に、第２金属膜１２から第２ＩＤＴ１６を形成する。つまり、第２金属膜１２の露出した領域がエッチングされ、レジスト１４で保護された領域が第２ＩＤＴ１６の電極指となる。第２ＩＤＴ１６の電極幅Ｗ２は、例えば１５６５ｎｍである。ドライエッチングは、例えばＣｌ_２、ＢＣｌ_３をエッチャントとして用いたＥＣＲドライエッチング法により行われる。第１ＩＤＴ８は、レジスト１４で保護されているためエッチングされない。その後、第１ＩＤＴ８上のレジスト１４を除去する。以上の工程により、実施例１に係る弾性表面波デバイス１００が完成する。

実施例１によれば、図５（ｃ）及び図６（ｃ）に示すように、電極膜厚が異なる第１ＩＤＴ８及び第２ＩＤＴ１６を、ドライエッチングにより形成することができる。ドライエッチングによる加工は、リフトオフによる加工よりも、精度よく行うことができる。また、実施例１においては、比較例１のようなハーフエッチングを行わなくてよい。従って、実施例１によれば、同一の圧電基板２上に、ＩＤＴの電極膜厚が異なる複数の弾性表面波フィルタ１１０及び１２０を、精度よく形成することが可能となる。これによれば、電極幅またはスペース幅が０．５μｍ以下であっても、ＩＤＴを精度よく形成することができる。

また、弾性表面波フィルタ１１０及び１２０それぞれの特性に対して最適膜厚になるように、第１ＩＤＴ８及び第２ＩＤＴ１６の電極膜厚を調節することが可能となる。これにより、弾性表面波デバイス１００の特性の改善が可能となる。

第１金属膜４、すなわち第１ＩＤＴ８はＡｌとし、第２金属膜１２、すなわち第２ＩＤＴ１６はＡｌ及びＴｉの２層構造としたが、これに限定されない。つまり、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とで、同じ構造を有していてもよい。しかし、弾性表面波フィルタ１１０及び１２０それぞれの特性に最適化したＩＤＴを形成するためには、第１金属膜４と第２金属膜１２とでは、構成する金属の種類、又は構成する金属の膜厚、若しくはその両方を自由に設計できることが好ましい。

また、第２金属膜１２のように、圧電基板２上に接触してＴｉからなる金属膜が形成されることで、圧電基板２とＩＤＴの密着性を向上させることができる。ただし、ＩＤＴは単層構造でもよいし、３層以上の多層構造であってもよい。

次に実施例２について説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は実施例２に係る弾性表面波デバイス１００の製造方法を例示する断面図である。実施例２においても、図５（ａ）から図５（ｅ）に示した工程は実施例１と同様なので、説明を省略する。

図７（ａ）に示すように、第２金属膜１２上にレジスト１４を形成する。その後、第２金属膜１２であって、第２ＩＤＴ１６の電極指となる領域がレジスト１４で保護されるように、レジスト１４のパターニングを行う。このとき、第１ＩＤＴ８上にはレジスト１０が残存しており、レジスト１０上には第２金属膜１２が露出している。

図７（ｂ）に示すように、第２金属膜１２をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に第２金属膜１２から第２ＩＤＴ１６を形成する。また、レジスト１０上に形成された第２金属膜１２も同時にエッチングされる。すなわち、第２ＩＤＴ１６を形成するドライエッチングと同時に、レジスト１０上に形成された第２金属膜１２をドライエッチングすることにより、レジスト１０上の第２金属膜１２を除去する。第２ＩＤＴ１６を形成した後、レジスト１０及び１４を除去する。以上の工程により、実施例２に係る弾性表面波デバイス１００が完成する。

実施例２によれば、実施例１の図６（ａ）に示したリフトオフ工程を省略し、第２ＩＤＴ１６を形成するとともに、レジスト１０上の第２金属膜１２を除去するドライエッチングを行うため、工程を簡略化することができる。

次に実施例３について説明する。図８（ａ）から図９（ｃ）は実施例３に係る弾性表面波デバイス１００の製造方法を例示する断面図であり、一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った断面を例示している。

図８（ａ）に示すように、圧電基板２上に第１金属膜４を形成する。この工程は、図５（ａ）に示したものと同じである。

図８（ｂ）に示すように、第１金属膜４上にレジスト６を形成し、その後パターニングを行う。このとき、第１金属膜４であって、第１ＩＤＴ８の電極指となる領域、及び第１配線１８となる領域がレジスト６で保護されるように、レジスト６を例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングする。

図８（ｃ）に示すように、第１金属膜４をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に、第１金属膜４から第１ＩＤＴ８及び第１配線１８を形成する。すなわち、第１配線１８を形成するドライエッチングと、第１ＩＤＴ８を形成するドライエッチングとは、同時に行われる。

図８（ｄ）に示すように、圧電基板２上、第１ＩＤＴ８上、及び第１配線１８上に、レジスト１０を形成する。その後、圧電基板２上であって第２ＩＤＴ１６が形成される領域、及び第１配線１８の上面が露出するように、レジスト１０のパターニングを行う。

図８（ｅ）に示すように、圧電基板２上、レジスト１０上、及び第１配線１８上に、第１金属膜４とは膜厚の異なる第２金属膜１２を形成する。このとき、第１配線１８の上面に接触するように、第２金属膜１２が形成される。すなわち、第１配線１８上に、第２金属膜１２からなる第２配線２０が設けられ、厚膜化された配線２２が形成される。言い換えれば、配線２２は、第１配線１８と第２配線２０とからなる。このように、第２配線２０を形成する工程は、第２金属膜１２を形成する工程と同時に行われる。配線２２の膜厚Ｔ３は、第１配線１８の膜厚Ｔ１と、第２配線２０の膜厚Ｔ２とを合わせた厚さとなる（図９（ａ）参照）。

図９（ａ）に示すように、レジスト１０を除去する。これにより、第１ＩＤＴ８が露出する。

図９（ｂ）に示すように、第１ＩＤＴ８上、第２金属膜１２上、及び配線２２上に、レジスト１４を形成する。その後、第２金属膜１２であって第２ＩＤＴ１６の電極指となる領域が、レジスト１４で保護されるように、レジスト１４のパターニングを行う。このとき、第１ＩＤＴ８の電極指の上面及び側面、並びに配線２２の上面及び側面は、レジスト１４に覆われる。

図９（ｃ）に示すように、第２金属膜１２をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に、第２金属膜１２から第２ＩＤＴ１６を形成する。第２ＩＤＴ１６を形成した後、レジスト１４を除去する。これにより、実施例３に係る弾性表面波デバイス１００が完成する。

このように、圧電基板２上に配線２２を形成する工程は、第１金属膜４から第１配線１８を形成する工程（図８（ｃ））と、第１配線１８上に第２金属膜１２から第２配線２０を形成する工程（図８（ｅ））と、を含む。従って、実施例３によれば、配線２２が厚膜化され、配線２２の電気抵抗を低減することができるため、弾性表面波フィルタ１１０の特性を改善することができる。

また、第１配線１８を形成するドライエッチングと第１ＩＤＴ８を形成するドライエッチングとは同時に行われ、かつ第２配線２０を形成する工程は、第２金属膜１２を形成する工程と同時に行われる。従って、工程を追加することなく厚膜化した配線２２を形成することができ、工程の簡略化が可能となる。

なお、実施例３では弾性表面波フィルタ１１０の配線２２についてのみ説明したが、弾性表面波フィルタ１２０の配線２２においても、実施例３に係る工程は適用可能である。また、第１ＩＤＴ８を形成する工程や第２ＩＤＴ１６を形成する工程と同時に、電極２４を形成する工程を行ってもよい（図４参照）。これにより、工程がより簡略化される。

次に実施例４について説明する。図１０（ａ）から図１０（ｄ）は実施例４に係る弾性表面波デバイス２００の製造方法を例示する断面図である。弾性表面波デバイス２００の上面図は図４に例示したものと同じであり、図１０（ａ）から図１０（ｄ）は図４の破線Ａ−Ａに沿った断面を例示している。また、実施例４においても、図５（ａ）から図５（ｅ）に示した工程は実施例１と同様なので、説明を省略する。

図１０（ａ）に示すように、圧電基板２上、及びレジスト１０上に第２金属膜１２を形成する。実施例４においては、第１金属膜４、つまり第１ＩＤＴ８はＡｌ合金の１層からなり、膜厚Ｔ１は例えば１６０ｎｍである。第２金属膜１２はＣｒ／Ａｌ合金／Ｔｉの３層からなり、Ｔ２は例えば１６０ｎｍである。すなわち、第１金属膜４と第２金属膜１２とは、材料が異なり、膜厚は等しい。

図１０（ｂ）に示すように、リフトオフにより、レジスト１０及びレジスト１０上に形成された第２金属膜１２を除去する。次に、図１０（ｃ）に示すように、第１ＩＤＴ８上、及び第２金属膜１２上にレジスト１４を形成する。その後、第２金属膜１２であって第２ＩＤＴ１６の電極指となる領域がレジスト１４で保護されるように、レジスト１４のパターニングを行う。

図１０（ｄ）に示すように、第２金属膜１２をドライエッチングすることにより、圧電基板２上に、第２金属膜１２から第２ＩＤＴ１６を形成する。つまり、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とでは、電極膜厚が等しく、材料が異なる。

実施例４によれば、弾性表面波フィルタの特性に応じて、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とで材料を異ならせることができるため、弾性表面波フィルタ１１０及び１２０それぞれの特性に応じて、最適な材料を選択することができる。従って、弾性表面波デバイス２００の特性を改善することができる。また、第１ＩＤＴ８と第２ＩＤＴ１６とで電極膜厚を等しくすることができるため、通過帯域が重なる複数の弾性表面波フィルタを圧電基板２上に構成し、かつ弾性表面波デバイス２００の特性の改善をすることができる。

実施例１のように、第１金属膜４と第２金属膜１２とで膜厚及び材料を異ならせてもよい。また、実施例４のように、第１金属膜４と第２金属膜１２とで、膜厚を同一とし、材料を異ならせてもよい。さらに、第１金属膜４と第２金属膜１２とで、材料を同一とし、膜厚を異ならせてもよい。すなわち、第１金属膜４と第２金属膜１２とでは、膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる。

実施例１から４では、弾性表面波フィルタが２つであるデュアルフィルタについて説明したが、弾性表面波フィルタは３つ以上でもよい。また、弾性表面波デバイスについて説明したが、本発明は弾性境界波デバイスについても適用可能である。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

圧電基板２
第１金属膜４
レジスト６、１０、１４
第１ＩＤＴ８
第２金属膜１２
第２ＩＤＴ１６
第１配線１８
第２配線２０
配線２２
電極２４
弾性表面波デバイス１００、２００
弾性表面波フィルタ１１０、１２０

Claims

圧電基板上に第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜をドライエッチングすることにより、前記圧電基板上に前記第１金属膜から第１ＩＤＴを形成する工程と、
前記第１ＩＤＴ上にレジストを形成する工程と、
前記レジスト上、及び前記圧電基板上に、前記第１金属膜とは膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる第２金属膜を形成する工程と、
前記レジスト上に形成された前記第２金属膜をリフトオフにより除去する工程と、
前記レジスト上の前記第２金属膜を除去する工程の後に、前記第２金属膜をドライエッチングすることにより、前記圧電基板上に、前記第２金属膜から第２ＩＤＴを形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
前記第１金属膜と前記第２金属膜とでは、構成する金属の種類、又は構成する金属の膜厚が異なることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の少なくとも一方は、Ｔｉからなる金属膜、及びＡｌからなる金属膜の２層構造であることを特徴とする請求項１又は２記載の弾性波デバイスの製造方法。
前記圧電基板上に、第１配線と第２配線とからなる配線を形成する工程をさらに有し、
前記配線を形成する工程は、前記第１金属膜をドライエッチングすることにより前記圧電基板上に前記第１金属膜から前記第１配線を形成する工程と、前記第１配線上に前記第２金属膜から前記第２配線を形成する工程とを含み、
前記第１配線を形成する工程のドライエッチングは、前記第１ＩＤＴを形成する工程のドライエッチングと同時に行われ、
前記第２配線を形成する工程は、前記第２金属膜を形成する工程と同時に行われることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。