JP2006261527A - ウエーハの平坦加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims description 6
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- -1 curing conditions Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】 サブストレート18に流動性接着剤26を塗布し、その上にインゴットからスライスした反った状態の素地ウエーハ19を乗せ、合体ウエーハ27を得る。そして、流動性接着剤26を硬化させる際に、外的刺激(例えば超音波振動)を与える。流動性接着剤26を硬化させたら、素地ウエーハ19の露呈した面を研削し、平坦化を行う。その後さらに裏面側も研削し、両面を平坦化したウエーハ19bを得る。上記外的刺激を与えることで、流動性接着剤26を素地ウエーハ19の変形状態に馴染んだ状態で硬化させ、素地ウエーハ19の変形を矯正しようとする力が働かないようにする。そして後に、サブストレート18からウエーハ19aを分離する際に、ウエーハ19aが新たに反ってしまう現象を抑えることができる。
【選択図】 図8
Description
以下、本発明を実施する際に利用する研削装置の一例を説明する。図1は、研削装置の一例を示す斜視図である。図1に示す研削装置40は、直方体状のテーブル71および壁部72を有する基台70を備えている。テーブル71の上面には凹所73が形成されており、この凹所73にチャックテーブル77が配置されている。
以下、流動性接着剤を硬化させる際に与える物理的な外的刺激の実行手段について説明する。図4は、合体ウエーハの作製時に超音波振動を与える機構を示す斜視図である。
図5は、合体ウエーハを減圧雰囲気に保持する手段を示す斜視図である。この態様においては、チャックテーブル17上に載置された合体ウエーハ27に円筒形状の密閉カバー52を被せ、排気口53から内部の空気を抜き取ることで、密閉カバー52内を減圧にすることができる。
図6は、合体ウエーハの作製時に揺動を与える手段を示す斜視図である。この態様においては、Y軸方向移動ステージ10とX軸方向移動ステージ14とをそれぞれの可動方向に前後移動させ、さらにチャックテーブル支持台15を回転振動させることで、合体ウエーハ27に揺動を与えることができる。
図7は、合体ウエーハの作製時にウエーハの露呈面に部分的な吸引力を与える手段を示す斜視図である。図7には、部分的な吸引力を与える手段として、複数の吸引パイプ54が示されている。この吸引パイプ54は、先端に吸盤状の吸引部を備え、内部を減圧にすることで、吸引部に接触したウエーハ表面に吸着する。そして、吸引パイプ54を引く力を加減することで、その部分においてウエーハの表面に対して吸引力を与えることができる。
以下、本発明を利用したシリコンウエーハの研削工程の具体例について説明する。この例においては、図4に示す超音波振動を加える手段を用いて、合体ウエーハの作製時に流動性接着剤に物理的な外的刺激を与える。
次に、外的刺激として減圧状態を利用した場合のウエーハ研削の具体例を説明する。この場合、図8(C)に示す工程において、超音波振動ではなく、図5に示す構成を用いた減圧状態を合体ウエーハ27に対して加える。減圧状態の圧力は、大気圧の10%〜50%程度が適当である。
次に、外的刺激として揺動を利用した場合のウエーハ研削の具体例を説明する。この場合、図8(C)に示す工程において、超音波振動ではなく、図6のようにY軸方向移動ステージ10、X軸方向移動ステージ14、およびチャックテーブル支持台15をそれぞれの可動方向に所定の周期で周期運動させる。こうすることで、合体ウエーハ27に対して揺動を与えることができる。揺動の周波数は、数Hz〜数十Hz程度が好ましい。また、揺動の振幅は、数cm程度以下にすることが好ましい。
次に、外的刺激としてウエーハ19に対する部分的な吸引を利用した場合のウエーハ研削の具体例を説明する。この場合、図8(C)に示す工程において、図7に示す構成を利用した部分的な吸引力の付加を行う。
Claims (5)
- インゴットからスライスされたウエーハのスライス面を平坦に加工するウエーハの平坦加工方法であって、
ウエーハの全面を支持するサブストレートに流動性を有する流動性接着剤を介してウエーハを接触させる接触状態を得る接触工程と、
前記接触状態において、外的刺激を与えつつ前記流動性接着剤を硬化させ、前記サブストレートの表面と前記ウエーハの他方の面とを接着させると共に前記流動性接着剤を前記ウエーハのうねりに馴染ませ、合体ウエーハを得る合体工程と、
前記合体ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面を研削する研削手段とを備えた研削装置を用い、前記合体ウエーハの前記サブストレート側を前記チャックテーブルに保持し、前記研削手段で前記ウエーハの一方の面を研削して平坦に加工する第1の平坦加工工程と、
前記サブストレートを他方の面から除去し、研削済の前記ウエーハの一方の面を前記チャックテーブルに保持し、前記研削手段で前記ウエーハの他方の面を研削して平坦に加工する第2の平坦加工工程と
を備えることを特徴とするウエーハの平坦加工方法。 - 前記外的刺激は、超音波振動であることを特徴とする請求項1記載のウエーハの平坦加工方法。
- 前記外的刺激は、前記合体ウエーハを減圧状態に維持することであることを特徴とする請求項1記載のウエーハの平坦加工方法。
- 前記外的刺激は、揺動であることを特徴とする請求項1記載のウエーハの平坦加工方法。
- 前記外的刺激は、前記ウエーハの一方の面に加えられる部分的な吸引力であることを特徴とする請求項1記載のウエーハの平坦加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079265A JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079265A JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261527A true JP2006261527A (ja) | 2006-09-28 |
JP4663362B2 JP4663362B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005079265A Active JP4663362B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | ウエーハの平坦加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4663362B2 (ja) |
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CN115464484A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-12-13 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置 |
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