CN110085625B - 顶发射型显示器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种顶发射型显示器件及其制作方法，该顶发射型显示器件包括具有TFT驱动阵列的衬底、绝缘层、电路层、平坦层以及像素电极层，绝缘层设置在衬底上，电路层埋设在绝缘层中，且电路层的上表面与绝缘层的上表面基本齐平，平坦层设置在绝缘层和电路层上，像素电极层设置在平坦层上。上述顶发射型显示器件及其制作方法，将电路层埋设在绝缘层中，并且电路层的上表面与绝缘层的上表面基本齐平，能够使平坦层平整地设置在绝缘层和电路层上，更好地起到平坦化的作用，从而有效提高像素电极层的平坦性，进而提高顶发射型显示器件子像素内的发光均匀性。

Description

顶发射型显示器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示器件领域，特别是涉及一种顶发射型显示器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，因而成为目前显示器件的两个主要研究方向。采用溶液加工方法制作OLED以及QLED显示器，由于具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
目前，由于OLED显示面板需要采用较为复杂的驱动电路进行补偿，其TFT背板上很大部分都被驱动电路所覆盖，因此导致采用底发射型器件结构的显示面板开口率较小，进而导致功耗增大、器件寿命偏低；而采用顶发射型器件结构时可以大幅提高显示面板的开口率，避免因开口率过小引起的功耗增大以及器件寿命偏低等问题。
然而，采用印刷工艺制备顶发射型显示器件时，对像素电极的平坦性要求远高于蒸镀型器件，而由于顶发射型显示面板的像素电极覆盖了驱动电路，像素电极下端走线复杂，使得像素电极的平坦化困难。此外，对于大尺寸显示面板，由于顶电极导电性不足，还需要再另外引入辅助电极，这将进一步增加像素电极下端的走线复杂性。如图1所示，目前的顶发射型显示器件100，在衬底110上设置绝缘层120，在绝缘层120的上表面设置电路层130，包括TFT的源、漏电极布线(和辅助电极)，虽然通过再在其上设置一层平坦层140但仍难以平坦化，导致设置在该平坦层140上的像素电极层150仍存在几十甚至上百纳米的段差(高度差)。该段差在后续采用印刷工艺制备OLED器件时，会引起器件像素界定层160中子像素(pixel)内部存在明显的发光不均匀现象。
发明内容
基于此，有必要提供一种顶发射型显示器件及其制作方法，以解决传统的顶发射型显示器件像素电极难以平坦化的问题。
一种顶发射型显示器件，包括：
具有TFT驱动阵列的衬底；
绝缘层，设置在所述衬底上；
电路层，埋设在所述绝缘层中，且所述电路层的上表面与所述绝缘层的上表面基本齐平；
平坦层，设置在所述绝缘层和所述电路层上；以及，
像素电极层，设置在所述平坦层上。
一种顶发射型显示器件的制作方法，包括以下步骤：
提供具有TFT驱动阵列的衬底；
在所述衬底上制作绝缘层；
对所述绝缘层进行图案化处理，以在所述绝缘层上形成凹槽；
在所述凹槽中填入导电金属，使所述导电金属的上表面与所述绝缘层的上表面基本齐平，以在所述绝缘层中形成电路层；
在所述绝缘层和所述电路层上制作平坦层；
在所述平坦层上制作像素电极层。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
上述顶发射型显示器件及其制作方法，将电路层埋设在绝缘层中，并且电路层的上表面与绝缘层的上表面基本齐平，能够使平坦层平整地设置在绝缘层和电路层上，更好地起到平坦化的作用，从而有效提高像素电极层的平坦性，进而提高顶发射型显示器件子像素内的发光均匀性。
附图说明
图1为一种传统的顶发射型显示器件的结构示意图；
图2为本发明一实施例的顶发射型显示器件的结构示意图；
图3为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的绝缘层的制作结构示意图；
图4为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的掩膜层的制作结构示意图；
图5为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的绝缘层中凹槽的制作结构示意图；
图6为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的整面沉积导电金属的制作结构示意图；
图7为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的剥离掩膜层的制作结构示意图；
图8为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的平坦层的制作结构示意图；
图9为图2中所示的顶发射型显示器件中的制作过程中的像素电极层的制作结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图2所示，本发明一实施例的顶发射型显示器件200，包括衬底210、绝缘层220、电路层230、平坦层240和像素电极层250。
衬底210上具有TFT驱动阵列，用于驱动发光元器件，实现图像显示。可选地，衬底210可以是刚性衬底或柔性衬底。刚性衬底可以是陶瓷材质或各类玻璃材质等。柔性衬底可以是聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等。TFT驱动阵列可以包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列等。
绝缘层220设置在衬底210上。可选地，绝缘层220由栅极绝缘层或蚀刻阻挡层构成，材料可选用SiOx或SiNx等。
电路层230埋设在绝缘层220中，并且电路层230的上表面与绝缘层220的上表面基本齐平。电路层230由导电金属构成，如Al、Cu/Mo合金或者Al/Mo合金等等。在其中一个实施例中，电路层230包括源、漏电极布线。进一步，在其中一个实施例中，电路层230包括源、漏电极布线和辅助电极布线。需要说明的是，电路层230的上表面以及绝缘层220的上表面，指的是，远离衬底210的一面。电路层230的上表面与绝缘层220的上表面基本齐平，指电路层230的上表面与绝缘层220的上表面高度差不超过绝缘层220厚度的1％，优选地，电路层230的上表面与绝缘层220的上表面齐平。
平坦层240设置在绝缘层220和电路层230上，起平坦作用。在本实施例中，平坦层240为有机掩膜层，同时平坦层240具有用于使电路层230与像素电极层250相连接的连接孔。优选地，平坦层240厚度为1μm～2μm，如1μm、1.5μm。
像素电极层250设置在平坦层240上。在本实施例中，像素电极层250为平坦的反射型导电薄膜，如金属Ag、Al或半导体氧化物ITO等于金属的叠层结构。像素电极层250为图案化的电极层，具有图案区域(即有电极材料的部分)和空白区域(通过蚀刻等方式去除电极材料的部分)。
进一步，顶发射型显示器件200还包括像素界定层260，像素界定层260设置在具有图案化的像素电极层250的平坦层240上。像素界定层260用于限定相邻子像素单元的发光区域，其厚度范围可选为800nm～1500nm。在一个实施例中，像素界定层260的表面呈疏液性，以防止在印刷制程中墨水溢出造成混色。
上述顶发射型显示器件200，将电路层230埋设在绝缘层220中，并且电路层230的上表面与绝缘层220的上表面基本齐平，能够使平坦层240平整地设置在绝缘层220和电路层230上，平坦层240能够更好地起到平坦化的作用，从而有效提高像素电极层250的平坦性，进而提高顶发射型显示器件200子像素内的发光均匀性。
请参看图3～图9，上述顶发射型显示器件200的制作方法，包括以下步骤：
提供具有TFT驱动阵列的衬底210；
在衬底210上制作绝缘层220；
对绝缘层220进行图案化处理，以在绝缘层220上形成凹槽222；
在凹槽222中填入导电金属400，使导电金属400的上表面与绝缘层220的上表面基本齐平，以在绝缘层220中形成电路层230；
在绝缘层220和电路层230上制作平坦层240；
在平坦层240上制作像素电极层250。
其中一具体实施例的顶发射型显示器件200的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1，提供具有TFT驱动阵列的衬底210。
步骤S2，请参见图3，在衬底210上制作绝缘层220。
在本实施例中，通过在具有TFT驱动阵列的衬底210上沉积SiOx或SiNx等材料得到绝缘层220。
步骤S3，请进一步结合图4，在绝缘层220上制作掩膜层300。
在本实施例中，掩膜层300为光阻层。
步骤S4，请参见图4，对掩膜层300进行图案化处理。
在本实施例中，提供包括源、漏电极布线的设计图形，对掩膜层300按照该设计图形进行显影，去除部分掩膜层300形成掩膜开口区232。
对于大尺寸显示器件需要增加辅助电极的情况，提供包括源、漏电极布线和辅助电极布线的设计图形，对掩膜层300按照该设计图形进行显影，去除部分掩膜层300形成掩膜开口区232。
步骤S5，请进一步结合图5，以经图案化处理的掩膜层300为掩膜，对绝缘层220上未被掩膜层300覆盖的部分进行蚀刻形成凹槽222。
在本实施例中，通过激光蚀刻技术，蚀刻掉一部分绝缘层220从而在绝缘层220上形成凹槽222，凹槽222的深度根据设计的源、漏电极布线(和辅助电极布线)的高度进行控制。
步骤S6，请进一步结合图6，在绝缘层220的覆盖有图案化的掩膜层300的一侧，在凹槽222中且至少围绕凹槽222的部分掩膜层300上沉积导电金属400，使沉积在凹槽222中的导电金属400的上表面与绝缘层220的上表面基本齐平，以在绝缘层220中形成电路层230。
在本实施例中，整面进行沉积导电金属400，即在掩膜层300上沉积导电金属400，部分导电金属400落入掩膜开口区232进而进入绝缘层220上的凹槽222中直至将绝缘层220上的凹槽222填平以在绝缘层220中形成电路层230，使得绝缘层220的上表面和电路层230的上表面共同构成一个平坦的表面。可选地，导电金属可选用但不限于Al、Cu/Mo合金或者Al/Mo合金等等。
步骤S7，请进一步结合图7，将掩膜层300剥离，除去围绕凹槽222的多余的导电金属400，保留凹槽222中的导电金属400形成电路层230。
在本实施例中，通过剥离(lift-off)工艺将掩膜层300剥离，包括沉积在掩膜层300上表面的导电金属400也随着一同剥离，露出绝缘层220的上表面和电路层230的上表面。
步骤S8，请进一步结合图8，在绝缘层220和电路层230上制作平坦层240。
在本实施例中，在绝缘层220和电路层230上沉积一层平坦层240，起到平坦的作用。
步骤S9，请进一步结合图9，在平坦层240上制作像素电极层250。
具体地，在本实施例中，在平坦层240上挖孔形成连接孔，并在平坦层240上制作通过连接孔与电路层230电连接的像素电极层250。
在本实施例中，像素电极层250为平坦的反射型导电薄膜，如金属Ag、Al或半导体氧化物ITO等于金属的叠层结构。
在其中一个实施例中，顶发射型显示器件200的制作方法，还包括以下步骤：
对像素电极层250进行图案化处理，在具有图案化的像素电极层250的平坦层240上制作像素界定层260。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种顶发射型显示器件，其特征在于，包括：
具有TFT驱动阵列的衬底；
绝缘层，设置在所述衬底上，所述绝缘层为栅极绝缘层；
电路层，埋设在所述绝缘层中，且所述电路层的上表面与所述绝缘层的上表面基本齐平；
平坦层，直接设置在所述绝缘层和所述电路层上，所述平坦层为有机掩膜层；
像素电极层，直接设置在所述平坦层上使子像素位于所述平坦层上；以及，
像素界定层，设置在具有所述像素电极层的所述平坦层上，所述像素界定层用于限定相邻子像素单元的发光区域。
2.如权利要求1所述的顶发射型显示器件，其特征在于，所述电路层包括源、漏电极布线。
3.如权利要求2所述的顶发射型显示器件，其特征在于，所述电路层还包括辅助电极布线。
4.如权利要求1～3任一项所述的顶发射型显示器件，其特征在于，所述平坦层的厚度为1μm～2μm。
5.一种顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有TFT驱动阵列的衬底；
在所述衬底上制作绝缘层，所述绝缘层为栅极绝缘层；
对所述绝缘层进行图案化处理，以在所述绝缘层上形成凹槽；
在所述凹槽中填入导电金属，使所述导电金属的上表面与所述绝缘层的上表面基本齐平，以在所述绝缘层中形成电路层；
在所述绝缘层和所述电路层上直接制作平坦层，所述平坦层为有机掩膜层；
在所述平坦层上直接制作像素电极层，使子像素位于所述平坦层上；
在具有所述像素电极层的所述平坦层上制作像素界定层，所述像素界定层用于限定相邻子像素单元的发光区域。
6.如权利要求5所述的顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，所述对所述绝缘层进行图案化处理的方法，包括以下步骤：
在所述绝缘层上制作掩膜层；
对所述掩膜层进行图案化处理；
以经图案化处理的所述掩膜层为掩膜，对所述绝缘层上未被所述掩膜层覆盖的部分进行蚀刻形成所述凹槽。
7.如权利要求6所述的顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽中填入导电金属的方法，包括以下步骤：
在所述绝缘层的覆盖有所述图案化的掩膜层的一侧，在所述凹槽中且至少围绕所述凹槽的部分掩膜层上沉积导电金属，使导电金属的上表面与所述绝缘层的上表面基本齐平；
将所述掩膜层剥离，除去围绕所述凹槽的多余的导电金属，保留所述凹槽中的导电金属形成所述电路层。
8.如权利要求6所述的顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，所述对所述掩膜层进行图案化处理的步骤，包括：
提供包括源、漏电极布线的设计图形，对所述掩膜层按照所述设计图形进行显影，去除部分所述掩膜层形成掩膜开口区。
9.如权利要求6所述的顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，所述对所述掩膜层进行图案化处理的步骤，包括：
提供包括源、漏电极布线和辅助电极布线的设计图形，对所述掩膜层按照所述设计图形进行显影，去除部分所述掩膜层形成掩膜开口区。
10.如权利要求5～9任一项所述的顶发射型显示器件的制作方法，其特征在于，所述在所述平坦层上制作像素电极层的步骤，包括：
在所述平坦层上挖孔形成连接孔，并在所述平坦层上制作通过所述连接孔与所述电路层电连接的像素电极层。
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