JP2010153171A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】封止性が向上した信頼性の高い有機ＥＬ装置を得る。
【解決手段】素子基板１０の一方の面に、画像が形成される領域である表示領域１００と表示領域１００を囲む外周部９９とを有し、表示領域１００内に第１の電極２５と、第２の電極２７と、第１の電極２５と第２の電極２７との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層２６と、を備え、発光機能層２６の発光４８を第２の電極２７を介して射出する有機ＥＬ素子２９と、隣り合う有機ＥＬ素子２９間を隔てる隔壁７７と、隔壁７７の上面に形成された、第２の電極２７と電気的に接続された補助配線２０と、隔壁７７及び有機ＥＬ素子２９を覆うパシベーション層８５と、を備える有機ＥＬ装置１であって、隔壁７７の上面には凸部７９が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ装置に関する。

近年、携帯電話機等の電子機器の表示部に用いる表示装置として、表示領域内に規則的に配置された有機ＥＬ素子を発光させて画像を形成する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の実用化が進んでいる。有機ＥＬ素子は、駆動素子が形成された素子基板側に配置された有機ＥＬ素子毎に独立した画素電極（陽極）と、該画素電極と対向する陰極（共通電極）と、の一対の電極と、該一対の電極間に挟持される少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層とからなる。そして、近年、上述の発光を有効に利用して輝度等を向上させるために、陰極側から発光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置の採用が進んでいる。

トップエミッション型の有機ＥＬ装置における問題の一つに、陰極の抵抗がある。陰極は一般的に表示領域全面に形成されている。そして、透光性と導電性を両立させるために、層厚数ｎｍ乃至数十ｎｍの極薄い金属層、あるいは金属に比較して高抵抗のＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等で形成されており、高い面抵抗（シート抵抗）を有している。したがって、表示領域の中央近傍においては、電圧降下により有機ＥＬ素子に対する電流の供給量が低下して表示品質が劣化する現象が生じ得る。そのため、例えば特許文献１では、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁の対向基板側の面に、各々が陰極と導通しており、かつ、互いに平行に延在する複数本の補助配線としての補助陰極配線をマスク蒸着により形成する方法が提示されている。かかる補助陰極配線は、層厚（素子基板の法線方向の寸法）の制限が緩いため上述の面抵抗を低減でき、表示品質の劣化を緩和できる。

特開２００７−２６５７５６号公報

しかしながら、上述の補助陰極配線の形成は信頼性に影響を与えかねないと言う問題がある。マスク蒸着工程は、蒸着マスクを隣り合う画素電極間を絶縁する隔壁に密着させる必要がある。その際、隔壁と蒸着マスクとの間の干渉により生じた欠陥が最終的にパシベーション層にクラック等を発生させることが起こり得る。図７及び図８に、かかるクラックの発生の態様を示す。なお、図７、及び図８は後述する本発明の実施形態における図４及び図５に対応する図であり、各構成要素の名称等は後述する図１〜６の説明で記載されている。そこで、パシベーション層に発生し得るクラックについてのみ説明し、個々の構成要素及び符号等の説明は一部省略する。

図７（ａ）〜（ｅ）は、３原色光のいずれかを発光する発光機能層２６を用いるトップエミッション型の有機ＥＬ装置におけるクラックの発生を示している。本図では、赤色発光機能層２６Ｒと緑色発光機能層２６Ｇとを示している。発光機能層２６は隔壁７７間の凹部（開口部）にのみ形成されており、隔壁７７の上面には形成されていない。なお、各符号の末尾のアルファベットは、それぞれＲ＝赤、Ｇ＝緑、Ｂ＝青を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合、すなわち総称を示す場合にはアルファベットを省略して表記する。また、以下の記載において、基板（素子基板）１０側の反対側を「上面」又は「上層」と表記する。

図７（ａ）は、隔壁７７に密着するように蒸着マスク２１を被せて補助陰極配線２０を形成した状態を示している。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図である。図７（ｃ）は蒸着マスク２１を隔壁７７から離した状態、図７（ｄ）は発光機能層２６上及び隔壁７７上に陰極２７を形成した状態、図７（ｅ）は陰極２７上にパシベーション層８５を形成した状態を、それぞれ示している。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、補助陰極配線２０は有機ＥＬ素子２９間の隔壁７７上に一つおきに形成されている。したがって、隔壁７７の上面のうち補助陰極配線２０が形成されない領域では、隔壁７７と蒸着マスク２１とは面接触している。ここで、かかる接触部において、隔壁７７と蒸着マスク２１との双方が完全な平滑であれば問題はないが、どちらかに突起等が存在する場合、将来的に有機ＥＬ装置の信頼性を低下させることとなる。図７（ｂ）に示すように蒸着マスク２１に局所的にマスク突起２２が存在する場合、図７（ｃ）に示すように隔壁７７の上面に隔壁傷２４が形成される。かかる隔壁傷２４が形成された隔壁７７上に陰極２７を形成すると、図７（ｄ）に示すように該陰極にクラック１７が生じ得る。かかるクラックは、図７（ｅ）に示すように陰極２７の上面に形成されるパシベーション層８５にも同様にクラック１７を生じさせる。そして、かかるクラック１７はパシベーション層８５の封止性能を損ね、水分の滲入経路となる。その結果、該クラック近傍の有機ＥＬ素子２９の発光機能は経時的に失われて、該有機ＥＬ素子の形成位置はいわゆるダークスポットとなる。

図８（ａ）〜（ｅ）は、蒸着マスク２１ではなく隔壁７７が平滑ではない場合におけるクラック１７の発生を示している。本図に示す有機ＥＬ装置は、各有機ＥＬ素子２９間で共通の、白色光を発光する白色発光機能層２６Ｗが基板（素子基板）１０の、隔壁７７の上面を含む全面に形成されている。そして、隔壁７７の上面の平坦性が若干損われており、局所的厚膜部２３が存在している。

図８（ａ）は、隔壁７７上に形成された白色発光機能層２６Ｗに密着するように蒸着マスク２１を被せて補助陰極配線２０を形成した状態を示している。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面図である。図８（ｃ）は蒸着マスク２１を隔壁７７から離した状態、図８（ｄ）は白色発光機能層２６Ｗの上層及び隔壁７７上に陰極２７を形成した状態、図８（ｅ）は陰極２７の上層にパシベーション層８５を形成した状態を、それぞれ示している。

図８（ｂ）に示すように、局所的厚膜部２３が存在する位置では、白色発光機能層２６Ｗは局所的厚膜部２３と蒸着マスク２１とにより強く圧迫されている。したがって、白色発光機能層２６Ｗの一部は蒸着マスク２１に強く密着している。かかる状態から蒸着マスク２１を離すと、図８（ｃ）に示すように、白色発光機能層２６Ｗの一部が隔壁７７から剥離して、隔壁７７の表面が露出する。かかる状態で隔壁７７の上面を含む基板（素子基板）１０の全面に陰極２７を形成すると、図８（ｄ）に示すように該陰極にクラック１７が発生する。そしてかかるクラックは、陰極２７の上層に形成されるパシベーション層８５にも同様のクラック１７を発生させ、最終的にはダークスポットの原因となる。

本発明は、上述の問題、すなわち補助陰極配線２０の形成に起因するクラック１７の発生、そして該クラックによるダークスポットの発生を抑止して信頼性の高い有機ＥＬ装置を得るためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］基板の一方の面に、画像が形成される領域である表示領域と該表示領域を囲む外周部とを有し、上記表示領域内に第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、上記ＥＬ材料層の発光を上記第２の電極を介して射出する有機ＥＬ素子と、隣り合う上記有機ＥＬ素子間を隔てる隔壁と、上記隔壁の上面に形成された、上記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、上記隔壁及び上記有機ＥＬ素子を覆うパシベーション層と、を備える有機ＥＬ装置であって、上記隔壁の上面には凸部が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。

このような構成であれば、上述の補助陰極の形成時において、上記凸部で上記マスクを支持できるため、上記隔壁の上面に局所的に強い圧力がかかることを抑制できる。したがって、第２の電極あるいは発光機能層に損傷が生じることを抑制でき、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。

［適用例２］上述の有機ＥＬ装置であって、上記凸部の頂点は曲面形状を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。

このような構成であれば、上記マスクを支持する際に、隔壁の上面に局所的に強い圧力がかかることを抑制するとともに、上記凸部に加わる圧力を極めて均一にすることができる。したがって、第２の電極あるいは発光機能層に損傷が生じることをより効果的に抑制することが可能となり、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。

［適用例３］上述の有機ＥＬ装置であって、上記凸部は該凸部の頂点に力が加わった時に変形可能な材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。

このような構成であれば、上記マスクを支持する際に、隔壁の上面に局所的に強い圧力がかかることをより効果的に抑制することが可能となる。したがって、第２の電極あるいは発光機能層に損傷が生じることをより効果的に抑制することが可能となり、有機ＥＬ装置の信頼性を向上できる。

［適用例４］上述の有機ＥＬ装置であって、上記外周部には、上記隔壁が上記表示領域を囲むように環状に形成されており、上記凸部の密度は、上記表示領域内における該密度よりも上記外周部内における該密度の方が高いことを特徴とする有機ＥＬ装置。

このような構成であれば、上記外周部における上述の損傷をより一層抑制できる。水分等の滲入は上記外周部からであるため、より一層信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。

以下、図面を参照し、有機ＥＬ装置の実施形態について説明する。以下に記載する実施形態は第１の実施形態と第２の実施形態とがあり、双方共隔壁７７の上面に形成された凸部７９（図２参照）の機能に特徴がある。そこで、まず双方の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の概要について説明し、次に凸部７９の機能及び効果について述べる。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１、及び後述する第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２、そして上述した従来の有機ＥＬ装置にも共通する有機ＥＬ装置の回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と外周部とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０２の中心線で規定される区画毎に有機ＥＬ画素３０が形成されている。

有機ＥＬ画素３０は射出する光の色により、赤色有機ＥＬ画素３０Ｒと緑色有機ＥＬ画素３０Ｇと青色有機ＥＬ画素３０Ｂとに区別されており、かかる３種類の有機ＥＬ画素３０が表示領域１００内に規則的に形成されている。

各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９（図３参照）等からなる。

有機ＥＬ素子２９も、射出する光の色により３種類あり、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０にそれぞれ対応している。本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、上述の射出光の色は、発光機能層２６内の有機ＥＬ層の形成材料によって得られている。ただし、後述するように色純度を向上させるためにカラーフィルタ層８０も備えている。一方で、後述する有機ＥＬ装置２においては、カラーフィルタ層８０（図３参照）により白色光を三原色光のいずれかの光に変えて射出している。したがって、有機ＥＬ素子２９は３種類の有機ＥＬ画素３０間で共通である。なお、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０は、有機ＥＬ素子２９以外の要素は共通である。

表示領域１００の周辺の領域である外周部には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。電源線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。

走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。

図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の模式断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１及び後述する第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、隣り合う有機ＥＬ素子２９の間を区画する隔壁７７の断面形状に特徴がある。そこで、本図では隔壁７７と、該隔壁によって区画される３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２等の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略する。以下、素子基板１０側から順に説明する。

素子基板１０上には、ＴＦＴ１１２が、上述する図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８及び保持容量１１０等とともに形成されている。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうちゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。

ＴＦＴ１１２の対向基板１１側には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と平坦化層７２とが順に積層されている。

平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。有機ＥＬ素子２９の発光は上方向と下方向とに半々に射出される。一方で、本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であり、上方向にのみ表示領域１００（図１参照）を有している。そこで、反射層２８により、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射させて発光を有効に利用している。したがって、反射層２８が形成される領域は、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含む必要がある。

反射層２８の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。有機ＥＬ装置１では、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）を用いている。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、後述する画素電極２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。

反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）層を島状にパターニングしてなる第１の電極としての画素電極２５が形成されている。画素電極２５は個々の有機ＥＬ画素３０（図１参照）毎に形成されており、隣り合う画素電極２５間は隔壁７７で区画されている。

隔壁７７は、層厚（Ｚ方向の寸法）が略２．０μｍ、幅（Ｘ方向の寸法）が略１５．０μｍであり、感光性の樹脂層を、図示するようにテーパーがつくようにパターニングして形成されている。該隔壁により囲まれた領域（符号無し）、すなわち画素電極２５が露出する領域が、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域である。そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、該隔壁の上面が平坦ではなく凸部７９が形成されている。該凸部は断面がお椀型をしている。したがって、有機ＥＬ装置１（及び有機ＥＬ装置２）の備える隔壁７７は、従来の有機ＥＬ装置の隔壁のように平坦な上面は有していない。凸部７９の寸法は厚さ（高さ）方向が略０．１μｍ、幅（Ｘ方向の寸法）が略５．０μｍである。かかる形状は、上述の感光性の樹脂層のパターニングの際に、いわゆるハーフ露光することで得られている。なお、凸部７９の機能については後述する。

上述の隔壁７７で囲まれた領域、すなわち画素電極２５の上層には、３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に夫々異なる発光機能層２６が形成されている。具体的には、赤色有機ＥＬ素子２９Ｒには赤色発光機能層２６Ｒが形成され、緑色有機ＥＬ素子２９Ｇには緑色発光機能層２６Ｇが形成され、青色有機ＥＬ素子２９Ｂには青色発光機能層２６Ｂが形成されている。夫々の発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されており、上述の各々の発光色は、有機ＥＬ層の形成材料により得られている。

隔壁７７の上面には、後述する陰極２７の導電性を補なうための補助陰極配線２０が、凸部７９を覆うように形成されている。補助陰極配線２０の形成材料は、その形成目的上高い導電性すなわち低抵抗性が必要であり、本実施形態の有機ＥＬ装置１においてはＡｌ等で形成されている。そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては補助陰極配線２０は隔壁７７の上面のすべてに形成されているのではなく、Ｙ方向に延在する隔壁７７に対して１本おきに形成されている。したがって、本図のようにＹ方向に対して垂直な断面においては、補助陰極配線２０が形成された隔壁７７の両側には補助陰極配線２０が形成されていない隔壁７７が位置することとなる。

補助陰極配線２０の形成方法は、上述の［背景］で述べたようにマスクを用いた蒸着法が好ましい。蒸着法以外にイオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法等を用いることもできる。上記いずれの方法においてもマスクが必要であり、形成領域を隔壁７７の上面に限定するためにはマスクを隔壁７７に密着させる必要がある。

補助陰極配線２０が形成された発光機能層２６の上面には、第２の電極としての陰極２７が形成されている。有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。したがって、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍの極薄いＡｌあるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成することが好ましい。

陰極２７は素子基板１０の全面に形成されるため、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が、有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である。陰極２７は少なくとも表示領域１００（図１参照）の全域に形成されており、０電位となっている。したがって、画素電極２５に電圧が印加されると該電圧に応じた電流が発光機能層２６に流れる。発光機能層２６に含まれる有機ＥＬ層は、該電流量に応じて発光し、発光４８として射出される。

上述したように陰極２７は極薄い金属材料で形成されているため、高い面抵抗を有している。そのため、表示領域１００の中央近傍においては、電圧降下により画素電極２５との間に印加する電圧が低下し、上述の発光量が低下する現象が発生し得る。補助陰極配線２０はかかる電圧降下を抑制するために形成される要素であり、隔壁７７の上面における陰極２７を実質的に厚膜化して面抵抗を低減する機能を果たしている。

陰極２７の上層には、有機ＥＬ素子２９等を保護するためにパシベーション層８５が形成されている。パシベーション層８５は、無機材料層と有機材料層と無機材料層との３層構造が好ましい。そして、該パシベーション層まで形成された素子基板１０は、接着層７８及び周辺シール材１３（図６参照）を介して対向基板１１と貼り合わされている。対向基板１１の素子基板１０と対向する側の面にカラーフィルタ層８０が配置されており、上記の面の反対側の面には、外光反射を抑制するための円偏光板８８が配置されている。円偏光板８８は直線偏光板と１／４波長補正板（直交する偏光成分間に１／４波長の位相差を与える素子。）との積層体である。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して、上述の反射層等で反射された外光が表示領域１００から射出されることを抑制している。

カラーフィルタ層８０は、３種類（３色）のカラーフィルタ８１（赤色カラーフィルタ８１Ｒと緑色カラーフィルタ８１Ｇと青色カラーフィルタ８１Ｂ）と、各々のカラーフィルタ８１間に形成されたブラックマトリクス８２と、からなる。上述したように本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は発光機能層２６を有機ＥＬ素子２９の発光色毎に個別に形成しているため、カラーフィルタ８１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は必須ではない。しかし、カラーフィルタ８１により色純度を一層向上させて表示品質を向上させることはできる。ブラックマトリクス８２が形成されている領域は平面視で隔壁７７の形成領域と略一致しており、隣り合う有機ＥＬ素子２９間の混色を抑制している。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置について述べる。凸部７９の機能については第１の実施形態と第２の実施形態とを合せて後述する。図３は、有機ＥＬ装置２の模式断面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は有機ＥＬ装置１と同様のトップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、発光機能層２６以外は有機ＥＬ装置１と同様の要素で構成されている。そこで、かかる共通する要素には同一の符号を付与して、説明の記載は一部省略する。

図示するように有機ＥＬ装置２においては、隔壁７７の上面及び画素電極２５が形成された素子基板１０の全面に白色発光機能層２６Ｗが形成されている。したがって、有機ＥＬ素子２９は発光色では区別できず、全て共通である。有機ＥＬ画素３０（図１参照）の種類すなわち３種類の発光色は、カラーフィルタ層８０の働きのみで得られている。したがって、有機ＥＬ装置２のカラーフィルタ層８０、特にブラックマトリクス８２を除く３色のカラーフィルタ８１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、有機ＥＬ装置１の該カラーフィルタとは異なり濃く形成されている。

隔壁７７の上面には、有機ＥＬ装置１の該隔壁の上面と同様に凸部７９が形成されている。したがって、白色発光機能層２６Ｗは、隔壁７７の上面において該凸部を覆うように形成されている。そして補助陰極配線２０は該白色発光機能層の上層に形成されている。

（実施形態にかかる有機ＥＬ装置の凸部の効果）
図４（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１における凸部７９の機能と効果を示す図であり、上述の［背景］の記載で用いた図７に対応する図である。図４（ａ）は、隔壁７７に密着するように蒸着マスク２１を被せて補助陰極配線２０を形成した状態を示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。図４（ｃ）は蒸着マスク２１を隔壁７７から離した状態、図４（ｄ）は発光機能層２６上及び隔壁７７上に陰極２７を形成した状態、図４（ｅ）は陰極２７上にパシベーション層８５を形成した状態を、それぞれ示している。ここで、蒸着マスク２１の隔壁７７側の面の一部の領域には、図示するようにマスク突起２２が存在している。

図４（ａ）に示すように、隣り合う有機ＥＬ素子２９の間の隔壁７７の上面には凸部７９が規則的に形成されている。そして、図４（ｂ）に示すように、補助陰極配線２０の形成に用いる蒸着マスク２１は、凸部７９と密着するように素子基板１０上に配置される。具体的には、蒸着マスク２１はお椀型の断面形状を有する凸部７９の頂点で支えられる。ここで、隔壁７７の上面は素子基板１０の基板面内において完全な平面を有してはおらず、蒸着マスク２１の隔壁７７側の面も同様である。したがって、従来の有機ＥＬ装置における補助陰極配線２０の形成工程では、素子基板１０の面内に分布する隔壁７７の上面の極一部に、蒸着マスク２１による圧力がかかり得る。しかし、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１が備える凸部７９は断面形状がお椀型であり、頂点を有している。すなわち、凸部７９の頂点が曲面形状を有している。そして、該頂点は若干の変形が可能である。したがって、素子基板１０の面内に分布する凸部７９の殆んどが略一様に蒸着マスク２１に接触することとなり、隔壁７７の上面の極一部の領域にのみ強い圧力がかかることが抑制される。

また、マスク突起２２は蒸着マスク２１の隔壁７７側の面内の極一部の領域にのみ存在するため、平面視においてマスク突起２２と凸部７９の頂点とが重なる可能性は少ない。さらに、凸部７９の頂点は従来の有機ＥＬ装置の隔壁７７の上面とは異なり横方向すなわち素子基板１０の面方向に若干の変形が可能である。したがって、たとえマスク突起２２と平面視で重なった場合においても、圧力により隔壁傷２４（図７参照）が生じる可能性が非常に少ない。したがって、図４（ｃ）に示すように補助陰極配線２０を形成した後に素子基板１０から蒸着マスク２１を離した段階において、マスク突起２２の存在にもかかわらず、隔壁７７には隔壁傷２４が生じない。したがって、図４（ｄ）に示すように、マスク突起２２を有する蒸着マスク２１を用いて補助陰極配線２０を形成したにもかかわらず、クラック１７（図７参照）を有しない陰極２７を隔壁７７上に形成できる。

そしてさらに、図４（ｅ）に示すように、陰極２７の上層にクラック１７を有しないパシベーション層８５を形成できる。上述したように、パシベーション層８５にクラック１７が存在する場合、該クラックを透して水分が浸入し得る。そしてかかる水分は、該クラック近傍の有機ＥＬ素子２９の機能を失わせて、いわゆるダークスポットを発生させ得る。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、隔壁７７の上面に凸部７９を形成しているため、補助陰極配線２０をマスク蒸着法により形成しているにもかかわらず、クラック１７を有しないパシベーション層８５を形成できる。その結果、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、補助陰極配線２０による高い表示品質と、クラック１７を有しないパシベーション層８５による高い信頼性を併せ持つことができる。

次に、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２における、凸部７９の機能と効果について説明する。図５（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２における凸部７９の機能と効果を示す図であり、上述の［背景］の記載で用いた図８に対応する図である。

図５（ａ）は、隔壁７７に密着するように蒸着マスク２１を被せて補助陰極配線２０を形成した状態を示している。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。図５（ｃ）は蒸着マスク２１を隔壁７７から離した状態、図５（ｄ）は発光機能層２６上及び隔壁７７上に陰極２７を形成した状態、図５（ｅ）は陰極２７上にパシベーション層８５を形成した状態を、それぞれ示している。

そして、図５（ｂ）に示すように、有機ＥＬ装置２の隔壁７７の上面には、上述の図８において説明した隔壁７７と同様に、局所的厚膜部２３が点在している。白色発光機能層２６Ｗは隔壁７７の上面にも形成されているため、蒸着マスク２１を隔壁７７に密着させた場合、白色発光機能層２６Ｗは蒸着マスク２１と局所的厚膜部２３とによって、上下方向（Ｚ方向）に挟まれることとなる。しかし、有機ＥＬ装置２においては隔壁７７の上面は平坦ではなく、凸部７９が形成されている。したがって、上述の局所的厚膜部２３が該凸部の頂点に位置していない限り、白色発光機能層２６Ｗが蒸着マスク２１と局所的厚膜部２３とにより強く圧迫されることはない。

また、局所的厚膜部２３が凸部７９の頂点に位置している場合においても、凸部７９の弾力性により、蒸着マスク２１と隔壁７７とが局所的に接触することが抑制されるため、白色発光機能層２６Ｗが蒸着マスク２１により強く圧迫されることが抑制される。さらに、凸部７９の頂点近傍においては、局所的厚膜部２３自体が従来の有機ＥＬ装置における局所的厚膜部とは異なり頂点を有するように形成されるため、白色発光機能層２６Ｗに加わる圧力は周囲に逃げることができる。

したがって、図５（ｃ）に示すように、補助陰極配線２０の形成が終了し、蒸着マスク２１を素子基板１０から離した段階において、局所的厚膜部２３の発生箇所における白色発光機能層２６Ｗの剥離等の発生は抑制されている。

したがって、図５（ｄ）に示すように、隔壁７７の上面に局所的厚膜部２３が存在しているにもかかわらず白色発光機能層２６Ｗの上層にクラック１７（図８参照）を有しない陰極２７を形成できる。そしてさらに、図５（ｅ）に示すように、陰極２７の上層にクラック１７を有しないパシベーション層８５を形成できる。

上述したようにクラック１７はダークスポットの原因となり得る。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、隔壁７７の上面に凸部７９を形成しているため、隔壁７７のパターニング時に局所的厚膜部２３が発生していても、クラック１７を有しないパシベーション層８５を形成できる。その結果、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、補助陰極配線２０による高い表示品質と高い信頼性を併せ持つことができる。

次に、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置２とに共通する凸部７９の形成密度について述べる。図６（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置２（以下、単に「有機ＥＬ装置」と表記する。）の表示領域１００と外周部９９とにおける凸部７９の形成密度の違いを示す図である。具体的には、図６（ａ）は素子基板１０に対して垂直な方向の断面図であり、図６（ｂ）は素子基板１０の基板面内における各領域の配置を示す図であり、図６（ｃ）及び図６（ｄ）は、凸部７９の形成密度を示す図である。

図６（ａ）及び上述の図２等に示すように、有機ＥＬ装置は素子基板１０と周辺シール材１３と一方の面に円偏光板８８が貼付された対向基板１１とを備えている。かかる要素で形成される空間内には、カラーフィルタ層８０と内側素子群１４と外側素子群１５と隔壁層１６とが形成されている。内側素子群１４が形成されている領域が表示領域１００であり、外側素子群１５が形成されている領域が外周部９９である。図６（ｂ）に示すように、外周部９９は表示領域１００の周囲を同心円状に囲むように形成されている。なお、外周部９９の周囲の領域は周辺シール材１３の形成領域である。

ここで、内側素子群１４とは表示領域１００内に形成されるスイッチング用ＴＦＴ１０８、保持容量１１０、及び駆動用ＴＦＴ１１２等の総称であり、外側素子群１５とは外周部９９に形成されている走査線駆動回路１２０及び信号線駆動回路１３０等を形成する素子の総称である。隔壁層１６とは、表示領域１００内において有機ＥＬ素子２９間を区画する隔壁７７と、外周部９９において外側素子群１５を覆う樹脂層（符号無し）の総称である。

図６（ｃ）は外周部９９において隔壁層１６上に形成された凸部７９を示しており、図６（ｄ）は表示領域１００おいて隔壁層１６上に形成された凸部７９を示している。外周部９９における凸部７９は表示領域１００における凸部７９に比べて略２倍の密度で形成されている。

かかる密度差により、上述の双方の実施形態にかかる有機ＥＬ装置は凸部７９にかかる圧力を素子基板１０の面内に広く分散させることができ、該凸部の変形を抑制できる。また、ダークスポットの原因となり得る水分は、主として基板（素子基板１０及び対向基板１１）と周辺シール材との界面から滲入する。したがって、外周部９９における凸部７９の形成密度を上げることで、外周部９９におけるクラック等の発生をより一層抑制でき信頼性をより一層向上できる。

第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成を示す図。 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第２の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。 第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置における凸部の機能と効果を示す図。 第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置における凸部の機能と効果を示す図。 凸部の形成密度の違いを示す図。 従来の有機ＥＬ装置におけるクラックの発生を示す図。 従来の有機ＥＬ装置におけるクラックの発生を示す図。

符号の説明

１０…素子基板、１１…対向基板、１３…周辺シール材、１４…内側素子群、１５…外側素子群、１６…隔壁層、１７…クラック、２０…補助陰極配線、２１…蒸着マスク、２２…マスク突起、２３…局所的厚膜部、２４…隔壁傷、２５…第１の電極としての画素電極、２６Ｂ…青色発光機能層、２６Ｇ…緑色発光機能層、２６Ｒ…赤色発光機能層、２６Ｗ…白色発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９…有機ＥＬ素子、２９Ｒ…赤色有機ＥＬ素子、２９Ｇ…緑色有機ＥＬ素子、２９Ｂ…青色有機ＥＬ素子、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８…チャネル領域、４８…発光、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７７…隔壁、７８…接着層、７９…凸部、８０…カラーフィルタ層、８１Ｂ…青色カラーフィルタ、８１Ｇ…緑色カラーフィルタ、８１Ｒ…赤色カラーフィルタ、８２…ブラックマトリクス、８５…パシベーション層、８８…円偏光板、９９…外周部、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線。

Claims (4)

1. 基板の一方の面に、画像が形成される領域である表示領域と該表示領域を囲む外周部とを有し、
   前記表示領域内に、
   第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくともＥＬ材料層を含む発光機能層と、を備え、前記ＥＬ材料層の発光を前記第２の電極を介して射出する有機ＥＬ素子と、
   隣り合う前記有機ＥＬ素子間を隔てる隔壁と、
   前記隔壁の上面に形成された、前記第２の電極と電気的に接続された補助配線と、
   前記隔壁及び前記有機ＥＬ素子を覆うパシベーション層と、
   を備える有機ＥＬ装置であって、
   前記隔壁の上面には凸部が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、前記凸部の頂点は曲面形状を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置であって、前記凸部は該凸部の頂点に力が加わった時に変形可能な材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、前記外周部には、前記隔壁が前記表示領域を囲むように環状に形成されており、
   前記凸部の密度は、前記表示領域内における該密度よりも前記外周部内における該密度の方が高いことを特徴とする有機ＥＬ装置。

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