JP2006245105A - 酸化亜鉛系トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板2上に酸化亜鉛系チャネル層5、ゲート絶縁膜層6、ゲート電極9、ソース電極7、ドレイン電極8を形成した酸化亜鉛系トランジスタ1である。基板2とチャネル層5間に形成するバッファ層4を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成する。チャネル層5を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層4よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成する。
【効果】 バッファ層中に形成される電子縮退層の影響をなくすることができ、良好な特性を有する電子デバイスを形成できる。また、チャネル層の酸化亜鉛自身の高抵抗化が容易に行え、トランジスタの閾値電圧の制御性が良くなる。
【選択図】 図1
Description
バッファ層中に形成される電子縮退層の影響をなくし、また、チャネル層の酸化亜鉛自身の高抵抗化が容易に行えるようにするために、
基板上に酸化亜鉛系チャネル層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成した酸化亜鉛系トランジスタにおいて、
前記基板とチャネル層間に形成するバッファ層を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成すると共に、
前記チャネル層を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成することを最も主要な特徴としている。
図1はスタガ型の本発明の酸化亜鉛系トランジスタ1の構造を示したものであり、たとえばサファイア基板2の上に、分子線結晶成長法により、二層のバッファ層3,4と、酸化亜鉛系のチャネル層5と、ゲート絶縁膜層6を順に形成している。
2 サファイア基板
3,4 バッファ層
5 チャネル層
6 ゲート絶縁膜層
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9 ゲート電極
Claims (4)
- 基板上に酸化亜鉛系チャネル層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成した酸化亜鉛系トランジスタにおいて、
前記基板とチャネル層間に形成するバッファ層を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成すると共に、
前記チャネル層を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成することを特徴とする酸化亜鉛系トランジスタ。 - 前記チャネル層は、厚さが15nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜層は、高抵抗の酸化亜鉛混晶で形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化亜鉛系トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜層を形成する高抵抗の酸化亜鉛混晶として、酸化亜鉛に擬似格子整合する酸化マグネシウム亜鉛を用いることを特徴とする請求項3に記載の酸化亜鉛系トランジスタ。
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