JP2006225687A - Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】 製造時及び使用時に生じる反り（変形）が小さく、ターゲットを精度良くかつ効率的に製造することができ、また安定した成膜操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在していることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。
【選択図】 図２

Description

本発明は、Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットに関するものであり、殊に大型のスパッタリングターゲットに適用した場合でも、該ターゲットを良好に製造でき、かつ、使用する場合に反りが少なく、安定したスパッタリング操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットに関するものである。

尚、本発明のスパッタリングターゲットは、テレビ、ノートパソコン、モニター、その他のディスプレイの用途で使用される液晶パネル、有機ＥＬパネル等を構成する配線膜や、光記録分野における反射膜や記録膜、半導体分野における配線膜等の形成に使用できるが、下記では、代表的な適用例として液晶パネルに使用する場合について説明する。

例えばアクティブマトリクス型の液晶パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子とし、画素電極（透明導電膜）および走査線、信号線等の配線部を備えたＴＦＴアレイ基板と、該ＴＦＴアレイ基板に対し所定の間隔をおいて対向配置される共通電極を備えた対向基板と、これらＴＦＴアレイ基板と対向基板の間に充填された液晶層で構成される。

上記液晶パネルにおける信号線は、上記画素電極に電気的に接続される部位であり、一般にアルミニウム合金を用いて形成される。しかし、該アルミニウム合金（膜）と画素電極が直接接触すると、その界面に絶縁物質である酸化アルミニウム等が形成され電気抵抗が高まるため、従来は、上記アルミニウム合金と画素電極の間に、バリアメタルとしてＭｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ等の高融点金属からなる膜を介在させることが一般的であった。しかし近年では、前記高融点金属膜を省略し、信号線（アルミニウム合金）と画素電極（透明導電膜）を直接接続させて製造工程を簡略化する試みがなされており、前記アルミニウム合金として、例えばＡｌ−Ｎｉ合金を用いれば、前記酸化アルミニウム等の絶縁物質を低減して電気抵抗を下げることができる旨提案されている（例えば特許文献１）。また前記特許文献１には、更に第三元素としてＮｄ、Ｙ、Ｆｅ等を添加すれば、配線膜の耐熱性を高め得ると共に、組織の結晶粒と金属間化合物が共に微細になり電気特性を向上できる旨示されている。

前記配線膜等の薄膜の形成には、一般にスパッタリング法が採用される。スパッタリング法とは、基板と皮膜材料であるターゲット材との間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化した気体をターゲット材に衝突させて、該ターゲット材の原子をたたき出し基板上に積層させて薄膜を作成する方法であり、真空蒸着法やＡＩＰ法と異なり、ターゲット材と同じ組成の薄膜を形成できるメリットを有する。

前記アルミニウム合金膜の形成に用いるターゲットとしては、これまでに、例えば特許文献２に示される様にアルミニウム合金の結晶粒径を微細化したものや、特許文献３や特許文献４等に示される様に化合物を微細化したものが提案されており、この様に結晶粒や化合物を微細化すれば、成膜時におけるスプラッシュを低減でき、また形成される薄膜の組成及び膜厚の均一化を図ることができるとされている。

ところで、液晶パネル等の大型化が進むにつれて、該液晶パネル形成用ターゲットの大型化も急速に進んでいるが、大型ターゲットを製造する場合、前記スプラッシュの低減や形成される薄膜の特性向上といった課題に加えて、製造時や使用時の加熱により生じるターゲットの反りを如何に抑えるかが課題として挙げられる。

前記ターゲット製造時に生じる反りとして、圧延や矯正時に生じた残留応力に起因する機械加工時の板反りや、冷却板へのボンディング時の熱変形が挙げられるが、これらの変形が著しいと、製品精度が低下するだけでなく生産性も低下する。また使用時に生じる熱変形として、成膜時の加熱・冷却の繰り返しによる変形が挙げられるが、この使用時の変形が著しいと、ターゲットと冷却板を接合しているロウ材に亀裂が生じ、ターゲットの一部が冷却されず、ロウ材が溶融して冷却板から剥離する等の問題が生じる。
特開２００４−２１４６０６号公報 特開平１１−１０６９０５号公報 特開２００１−２１４２６１号公報 特開平１０−１９９８３０号公報

本発明は前記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、製造時及び使用時に生じる変形（反り）が小さく、大型スパッタリングターゲットに適用する場合でも、該ターゲットを精度良くかつ効率的に製造することができ、また安定した成膜操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを提供することにある。

本発明に係るターゲットは、Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット平面に垂直な断面を、倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在しているところに特徴を有する。

また上記スパッタリングターゲットとして、
該ターゲット平面に垂直な断面を、倍率：２０００倍以上で観察したときに、
（ａ）前記化合物のうち、長軸方向がターゲット平面に平行な方向に対して±３０°の範囲内にあるものが８０％以上を占め、かつ
（ｂ）円相当直径が５μｍ超の粗大化合物が５００個／ｍｍ²以下である
ものが好ましい。

前記希土類元素としては、Ｎｄ、Ｙ及びＤｙよりなる群から選択される１種以上を含むものが耐熱性向上の観点から好ましい。尚、上記アスペクト比とは、各化合物の（最大長)／(最大長に直角方向の長さ）をいうものとする。

本発明によれば、大型のスパッタリングターゲットに適用した場合でも、圧延を行う場合や冷却板にボンディングする場合、繰り返し成膜に使用する場合に、該ターゲットの変形（反り）が抑制される。

よって、規定サイズのターゲットを精度良く容易に製造できる。また冷却板へのボンディングを容易に行うことができ、矯正を省略することができる。更には、使用時における加熱・冷却の繰り返しに起因するターゲット材−冷却板間のロウ材の亀裂が抑制され、スパッタリングターゲットの冷却板からの剥離を防止でき、その結果、例えば液晶ディスプレイの製造工程において、Ａｌ合金電極膜等の成膜を長期間にわたり効率よくかつ良好に行うことができる。

尚、本発明は、特に変形の著しい大型のターゲットの問題を解消したものであるが、該大型ターゲットよりも変形量の小さい中・小型ターゲットに適用することも勿論可能である。

本発明者らは、上記有用なＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金薄膜の形成に用いられるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを対象に、大型ターゲットの場合でも、製造時や使用時に生じる変形（反り）が抑えられて、該ターゲットを精度良くかつ効率的に製造でき、かつ良好にスパッタリングすることのできるターゲットを得るべく鋭意研究を行った。その結果、本発明で規定する化合物をターゲット中に存在させればよいことを見出し本発明に想到した。

具体的には、ターゲット平面に垂直な断面を観察したときに、アスペクト比が２．５以上でかつ円相当直径が０．２μｍ以上である化合物を存在させることによって、ターゲットの変形を十分に抑制できることが判明した。

前記化合物のアスペクト比を２．５以上としたのは、上記化合物はＡｌマトリックスよりも強度が高く、ターゲットの強度向上に寄与すると考えられるが、特にその形状が、断面観察したときに棒線状に現れるものが、円形状（球形状）の化合物を存在させる場合より強度を効果的に高められることを確認したからである。比較例としてＡｌ−０．６at％Ｎｄ合金ターゲットの断面組織を観察した顕微鏡写真［ターゲット厚さｔの(1/4)ｔ〜(3/4)ｔにおける任意の３か所を撮影］を図１に示すが、この図１の様に、ターゲット断面を観察した場合に化合物が円形状であると、変形を十分に防止することが難しい。

また化合物のアスペクト比が２．５以上であっても、一定以上の大きさでなければ、ターゲットの強度向上に十分寄与せず、変形防止効果が存分に発揮されない。そこで本発明では、アスペクト比が２．５以上で、かつ円相当直径が０．２μｍ以上の化合物（以下「規定化合物」ということがある）を存在させることとした。

本発明では、上記規定化合物が、ターゲット平面に垂直な断面を、倍率を少なくとも２０００倍以上に高めて観察したときに、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在することを要件とした。これより少ないと、ターゲットの強度を十分に高めることができず、変形を確実に抑制することができないからである。好ましくは上記規定化合物を６．０×１０⁴個／ｍｍ²以上、より好ましくは８．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在させる。

前記規定化合物の個数は、ＳＥＭ装置を用いて、ターゲットの平面に対する垂直な断面を、上記の通り倍率を少なくとも２０００倍に高めて観察・撮影し、得られたＳＥＭ写真の画像解析を行って求めればよい。尚、観察部位は、上記断面において表層部を含まなければよく、ターゲット厚さｔの(1/4)ｔ〜(3/4)ｔを観察することが推奨される。また観察にあたっては、ターゲットの複数箇所（好ましくは３か所以上）を観察し、その平均値をとることとする。

参考までに、上記要件を満たすＡｌ−２at％Ｎｉ−０．６at％Ｎｄ合金ターゲットの断面顕微鏡写真［ターゲット厚さｔの(1/4)ｔ〜(3/4)ｔにおける任意の３か所を撮影］を図２に示す。この図２から、前記図１と異なり線状に現れた化合物が多数存在していることがわかる。尚、図２における灰色の円板状化合物は、上記要件を満たすものでなく、ターゲットの強度向上にほとんど影響を及ぼさないと思われる。しかし該円板状化合物でも粗大なものは、後述する通り、成膜時に悪影響を及ぼすおそれがあると考えられるので、その個数を推奨される範囲内に抑えるのがよい。

前記規定化合物は、ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、長軸方向が圧延方向（即ち、ターゲット平面方向）に配向していることが好ましい。この様にターゲット平面に垂直な断面を観察したときに、規定化合物がターゲット平面と平行な方向に配列していれば、機械加工時の押し込みによる欠陥が浅くなる。またその結果、ターゲットの使用初期における異常放電が抑制され、薄膜の欠陥発生によるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の歩留り低下や、動作性能不良等を防止できる。

具体的には、規定化合物（アスペクト比が２．５以上でかつ円相当直径が０．２μｍ以上の化合物）のうち、長軸方向がターゲット平面と平行な方向に対して±３０°の範囲内にあるものが８０％以上を占めるようにするのがよい。好ましくは上記規定化合物の８５％以上が、上記要件を満たしているのがよく、更に好ましくは上記規定化合物の９０％以上の化合物について、長軸方向がターゲット平面と平行な方向に対して±３０°の範囲内にあるのがよい。

また成膜時の初期異常放電を抑制するには、粗大化合物を存在させないことが推奨される。本発明は、上記一定サイズ以上の規定化合物を存在させる点に特徴があるが、該規定化合物のサイズが大きすぎると、ターゲット使用初期において、スパッタリング時の異常放電の発生の原因となる。また上記規定化合物は硬いため、機械加工時に押し込まれて欠陥を発生させる要因ともなる。更に、上記規定化合物のみならず、前記図２に示す様な円板状化合物も粗大であると成膜時に不具合が生じるおそれがある。よって、化合物の形状（アスペクト比）に関係なく円相当直径が５μｍ超の粗大化合物を５００個／ｍｍ²以下に抑えることが推奨される。より好ましくは３００個／ｍｍ²以下である。

上記化合物の配向性や粗大化合物の個数も、上記ＳＥＭ装置を用いて、ターゲットの平面に対する垂直な断面を、上記の通り倍率を少なくとも２０００倍に高めて観察・撮影し、得られたＳＥＭ写真の画像解析を行って求めればよい。尚、この場合も、ターゲット厚さｔの(1/4)ｔ〜(3/4)ｔにおいて複数箇所を観察・撮影することが推奨される。

本発明は、前記スパッタリングターゲットの製造方法まで規定するものではないが、従来より行われている方法の中でも、スプレイフォーミング法による製造方法を採用することが推奨される。該方法で製造すれば、本発明で規定する化合物を含んだスパッタリングターゲットが得られ易いことに加え、合金元素が母相であるＡｌ中に均一に固溶ないし分散して材質の均一なものが得られるからである。

スプレイフォーミング法を用いた製造方法として次の様な工程が挙げられる。即ち、ノズルから溶解した材料を滴下させ、その滴下途中で例えばＮ₂ガスを吹き付けて材料を粉末化させ、該粉末状の材料が完全に凝固しないうちにプリフォームといわれる中間素材（密度：約５０〜６０％）を成形する。そして該中間素材をカプセルに封入し、脱気した後、ＨＩＰ（Hot Isostatic Pressing，熱間静水圧加圧処理）装置で緻密化し、その後、鍛造して板状の金属材とし、更に板厚がほぼターゲットと同程度となるように圧延した後、焼鈍、機械加工を施すことが挙げられる。

前記規定化合物を形成させるには、特にスプレイフォーミング工程において、ノズル径とスプレイガス圧（以下、ガス圧という）の制御により冷却速度を調節することが推奨される。本発明で規定する化合物は、後述する圧延で引き伸ばされたものではなく、その形状・サイズはスプレイフォーミングの条件により決定することを実験的に確認したからである。

ノズル径及びガス圧は、Ａｌ合金材をスプレイフォーミング法で形成する場合、一般に、ノズル径：φ２．５〜１０ｍｍ、ガス圧：０．３〜１．５ＭＰａの条件が採用される。しかし本発明では、ノズル径をφ３．０〜５．５ｍｍ（望ましくはφ３．３〜４．５ｍｍ）と厳密にコントロールすると共に、ガス圧も０．６〜０．９ＭＰａ（望ましくは０．６５〜０．８５ＭＰａ）と厳密に制御することが重要である。

前記ノズル径が３ｍｍ未満だと、Ａｌ合金の溶湯流量が小さくなり冷却速度が相対的に速くなるので、化合物が丸く小さいままとなり一方向にほとんど成長しないため、規定化合物が得られ難いと考えられる。一方、ノズル径が５．５ｍｍを超える場合には、Ａｌ合金の溶湯流量が大きくなり、冷却速度が相対的に遅くなるため化合物が粗大化する。更に化合物の個数も減少するため、規定化合物を十分確保できなくなる。

また前記ガス圧が０．６ＭＰａ未満だと、冷却速度が遅くなり、前記ノズル径が大きすぎる場合と同様、化合物が粗大化すると共に化合物の個数も減少するので好ましくない。一方、ガス圧が０．９ＭＰａを超えると、冷却速度が速くなるため、前記ノズル径が小さすぎる場合と同様、化合物が球状のままでありアスペクト比の大きな化合物が得られない。

本発明では、上記の通りスプレイフォーミングの条件によって化合物の形状・サイズを制御し、かつ、その後に行う圧延で該化合物の配向性を制御することが推奨される。特に、圧延条件として、加工率を制御することで、前記規定化合物の長軸方向をターゲット平面と平行な方向に配列することができるので望ましい。

圧延におけるＴＯＴＡＬ加工率及び１パス当たりの加工率は、Ａｌ合金製ターゲットを圧延で製造する場合、一般に、ＴＯＴＡＬ加工率：４５〜８５％、１パス当たりの加工率：３〜１０％の条件が採用される。しかし上述の通り化合物の配向性を高めるには、圧延時のＴＯＴＡＬ加工率及び１パス当たりの加工率を高くすることが望ましい。具体的には、ＴＯＴＡＬ加工率を６０％以上とし、かつ１パス当たりの加工率を５％以上とすることが推奨される。

前記ＴＯＴＡＬ加工率が６０％を下回ると、規定化合物の配向性が十分高まらないので好ましくない。該ＴＯＴＡＬ加工率は７０％以上とすることがより好ましい。尚、ＴＯＴＡＬ加工率の上限は、設備負担や生産性の低下防止の観点から、前記一般的条件の通り８５％とすることが好ましい。

また本発明では１パス当たりの加工率を５％以上とするのがよい。これより低いと表層部近辺のみが変形し板厚中心付近はほとんど変形しないため、規定化合物の配向性を十分高めることができない。より好ましくは１パス当たりの加工率を７％以上とする。

前記スプレイフォーミング法で製造したＡｌ合金材の場合、加工時に組織が変化し難いことから、冷間圧延と熱間圧延のどちらでも製造することができるが、上記の通り１パス当たりの加工率を高くするには、Ａｌ合金材を加熱して変形抵抗の低い温度域で加工することが効果的であるので、熱間圧延を採用することが好ましい。加熱温度としては３５０〜４５０℃が推奨される。

また前記スプレイフォーミング、ＨＩＰ、鍛造、圧延等のその他の条件については、一般的な条件を採用することができる（例えば特開平９−２４８６６５号公報参照）。

本発明は、Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金ターゲットを対象とするものであり、Ｎｉ量や希土類元素の種類や量は特に限定されないが、本発明のターゲットを前記表示デバイスにおける電極膜の形成に用いる場合、形成される電極膜（アルミニウム合金膜）と画素電極の界面に生じる絶縁物質を低減するには、Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金ターゲットに占めるＮｉ量を１〜５ａｔ％とすることが推奨される。また希土類元素として特に、Ｎｄ、Ｙ及びＤｙよりなる群から選択される１種以上を添加したターゲットであれば、形成される薄膜の耐熱性を確実に高め得るので好ましい。該効果を発現させるには、Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金ターゲットに占める前記希土類元素量を０．１〜３ａｔ％とすることが推奨される。

本発明は、ターゲットの形状やサイズを限定するものでもなく、四辺形状、円盤状等の様々な形状のものに適用できるが、上述したターゲットの製造時や使用時に生じる反り等の変形は、ターゲットサイズが大きくなるほど顕著になることから、特に、１辺が６００ｍｍ以上の大型ターゲットに本発明を適用すれば、前記変形が著しく抑制され、本発明の効果が存分に発揮される。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。

［実施例１］
表１に示す組成のＡｌ合金材を用い、表１のＮｏ．１〜１０、１４〜１６は、表１の条件でＮ₂ガスを吹き付けてスプレイフォーミングを行い、中間素材（密度：約５０〜６０％）を成形後、該中間素材をカプセルに封入してから脱気し、ＨＩＰ装置で緻密化した。そして、鍛造して板状の金属材とし、更に板厚がほぼ最終製品（ターゲット）と同程度となるよう圧延（ＴＯＴＡＬ加工率：８０％、１パス当たりの加工率：６〜１０％、仕上圧延温度：４００℃）した後、焼鈍（４００℃）、機械加工を施して、８ｍｍｔ×６００ｍｍ×８００ｍｍのＡｌ合金板を製造した。尚、スプレイフォーミングにおける表１以外の条件は下記の通りである。

・スーパーヒート：２００℃
・オーバープレッシャー：初期…０．００３ＭＰａ、終了時…０．０１ＭＰａ
比較例として、表１のＮｏ．１１，１２では、表１に示す組成のＡｌ合金材を、真空誘導溶解炉（アルミナるつぼを使用、炉内雰囲気；Ａｒガス，１００Ｔｏｒｒ）にて、温度：７５０℃（スーパーヒート）で溶解した後、黒鉛鋳型（円筒型）に流し込んで鋳造を行った。そして鍛造、圧延、焼鈍及び機械加工を前記スプレイフォーミング法で製造した場合と同様に行い、上記サイズのＡｌ合金板を得た。また表１のＮｏ．１３では、Ａｌ粉末、Ａｌ−Ｎｄ粉末及びＮｉ粉末を混合した後、ＨＩＰ処理を行って緻密化し、その後、前記スプレイフォーミング法の場合と同様に鍛造、圧延、焼鈍及び機械加工を行って上記サイズのＡｌ合金板を得た。

この様にして得られた各Ａｌ合金板の断面を顕微鏡観察して、規定化合物の個数を求めた。具体的には、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡，フィリップス社製、Quanta 200 FEG）を用いて、倍率：２０００倍、加速電圧：５ｋｖの条件で、各Ａｌ合金板の平面に対して垂直な断面における(1/4)ｔ〜(3/4)ｔの任意の部位を３か所観察（１視野サイズ：約５０μｍ×約６０μｍ）し、反射電子像を撮影した。そして画像解析ソフト：Win ROOF（MITANI CORPORATION製）を用いて、デジタル化したＳＥＭ写真の画像解析を行い、アスペクト比が２．５以上でかつ円相当直径が０．２μｍ以上の化合物の個数を測定し、合計３視野の平均値を求めて１ｍｍ²当たりの個数に換算した。

また、各Ａｌ合金板を２５０℃のホットプレート上で１時間保持した後、反り量の最大値を測定した。そして、反り量が２ｍｍ以下の場合を変形が抑制されている（○）と評価し、反り量が２ｍｍを超える場合を変形量が大きい（×）と評価した。これらの結果を表１に示す。

表１より次の様に考察できる。表１のＮｏ．１〜１０は、本発明で規定するサイズの化合物が規定量存在しているので、加熱後でもＡｌ合金板の反りが小さく、大型スパッタリングターゲットに適用した場合でも、ターゲットの製造時及び使用時の熱変形を抑えることができる。これに対しＮｏ．１１〜１７では、本発明で規定するサイズの化合物が少なく十分確保できていないため、加熱後の反りが大きく、ターゲットの生産性低下や使用時の不具合を招く。

［実施例２］
スプレイフォーミングを推奨される条件で行って得たＡｌ合金材を用いて、圧延を様々な条件で行い、Ａｌ合金板の組織と成膜状況への影響を調べた。詳細には、前記実施例１のＮｏ．１〜１０と同様の条件でスプレイフォーミングを行って中間素材を得た後、該中間素材をカプセルに封入してから脱気し、ＨＩＰ装置で緻密化した。それから鍛造して板状の金属材とした後、圧延を下記表２の条件で行い、焼鈍（４００℃）、機械加工を施して８ｍｍｔ×６００ｍｍ×８００ｍｍのＡｌ合金板を得た。

そして前記実施例１と同様に、得られた各Ａｌ合金板の平面に対して垂直な断面をＳＥＭ観察し、アスペクト比が２．５以上でかつ円相当直径が０．２μｍ以上の化合物の個数を求めた。その結果、いずれの実施例についても、規定化合物が十分存在していることを確認した。

次に上記規定化合物の配向性を上記ＳＥＭ写真から求めた。詳細には、上記規定化合物の全個数から、長軸方向がターゲット平面と平行な方向に対して±３０°を超える規定化合物の個数を差し引いて、上記規定化合物の全個数で除し、長軸方向がターゲット平面と平行な方向に対して±３０°の範囲内にある上記規定化合物の割合（％）を求めた。そして合計３視野の平均値を算出した。

また粗大化合物の個数は、上記ＳＥＭ写真から、円相当直径が５μｍ超のものを測定し、合計３視野の平均値を求めて１ｍｍ²当たりの個数に換算した。

次に、前記Ａｌ合金板から、５ｍｍｔ×φ１０１．６ｍｍのターゲットを採取し、該ターゲットを用いてスパッタリング試験を下記条件で行なった。そしてアークモニターによってスパッタ初期１０分間のアーク発生数を計測した。これらの結果を表２に示す。

・到達真空度：４．０×１０^-4Ｐａ以下
・Ａｒガス圧：０．３Ｐａ
・Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ（５×１０^-7ｍ³／ｓ）
・スパッタパワー：５００Ｗ
・極間距離：５１．６ｍｍ
・基板温度：室温

表２より次の様に考察できる。即ち、本発明で規定する化合物を規定量存在させると共に、表２のＮｏ．１〜６の通り、該規定化合物の長軸方向をターゲット平面とほぼ平行な方向に揃え、かつ粗大化合物の発生を抑制することによって、機械的強度を確保できるのみならず、スパッタリング初期時のアーク発生数が十分に抑えられて、より安定したスパッタリング操業を行えることがわかる。

従来のスパッタリングターゲットの断面を示すＳＥＭ観察写真（倍率：２０００倍）である。 本発明のスパッタリングターゲットの断面を示すＳＥＭ観察写真（倍率：２０００倍）である。

Claims (3)

1. Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、
   該ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在していることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。
2. （ａ）前記化合物のうち、長軸方向がターゲット平面に平行な方向に対して±３０°の範囲内にあるものが８０％以上を占め、かつ
   （ｂ）円相当直径が５μｍ超の粗大化合物が５００個／ｍｍ²以下である
   請求項１に記載のＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。
3. 前記希土類元素が、Ｎｄ、Ｙ及びＤｙよりなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載のＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。