JP2006216583A - 静電気除去方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 板状の基板1を基板載置台2から剥離する際にイオンを放出し基板1に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、基板1を複数の昇降ピン3により基板載置台2から持ち上げて剥離させる際に、昇降ピン3による剥離中心部分からイオンまたはイオン化気体を放出し、基板載置台2と基板1との間に発生する静電気を除去する。
【選択図】 図3
Description
前者は、加熱装置のヒータプレートに載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンにより押し上げられた基板の外周部と基板載置台との隙間にイオン化気体を供給し、基板に生ずる静電気の除電が可能とされている(例えば、特許文献1参照。)。
一方、後者は、基板載置台に載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンから離れた位置に設けられた放出孔から基板の裏面にイオン化気体を供給することで、基板裏面の除電が可能とされている(例えば、特許文献2参照。)。
この基板載置台2は、矩形盤状に形成されており、厚さ方向に貫通される貫通口2bが複数分散配置されている。この貫通口2bには、図示せぬ駆動手段に接続されて、基板載置台2の上面2aに対して出没可能とされた複数の昇降ピン3が挿通されている。この昇降ピン3は、基板載置台2の上面2aに載置され上面2aに貼りつき状態となった板状の基板1の裏面1bを、例えば外観検査などの処理を終えた段階で押圧し、基板載置台2から基板1を剥離させるためのものである。また、昇降ピン3は、基板1の裏面1bに対して上下動可能(昇降可能)とされており、基板載置台2上で基板1が処理されているときには、その先端3aが貫通口2b内に位置されて基板1の裏面1bには当接されていない状態で保持されている。さらに、基板載置台2の上面2aには、基板載置台2と基板1との間に発生する静電気の電荷を計測するための静電気測定センサ4が複数分散配置されている。
ちなみに、基板1と基板載置台2との貼りつき現象は、例えば基板1の裏面1bと基板載置台2の上面2aとの接触によって各面2a、1bに帯電(静電気)が生じ、基板1と基板載置台2との互いが引き付け合うことなどが要因とされるものである。
本実施形態では、図1から図3に示すように、基板載置台2に載置された基板1に対して、例えば外観検査などの処理を終えた段階で、昇降ピン3に接続された駆動手段を駆動し、昇降ピン3を基板1の裏面1b側に移動する。このとき、昇降ピン3の先端3aが基板1の裏面1bに当接される段階で、窒素ガス供給源8及びイオナイザ7からイオン化気体を供給し、通気孔3dからイオン化気体を放出させる。さらに、昇降ピン3の移動を継続し、昇降ピン3の先端3aを基板1の裏面1bに押圧させ、昇降ピン3で押圧された部分およびその周辺部分の基板1を基板載置台2から剥離させる。これと同時に、通気孔3dから放出されたイオン化気体が、直接もしくは貫通口2bを介して、昇降ピン3や昇降ピン3と貫通口2bとの隙間(昇降ピン3の周辺部)の剥離中心部分から剥離部分6全体に送風され供給される。剥離部分6に入り込んだイオン化気体は、そのイオンにより基板載置台2の上面2aおよび基板1の裏面1bの静電気を消失させ、基板1と基板載置台2との間に生じる電位差を、剥離と同時に解消させる。また、イオナイザ7により送風されたイオン化気体が剥離部分6に供給される際には、その送風圧によって基板1の剥離が促進され、静電気を除電しながら基板1が剥離されてゆく。ここで、基板1と基板載置台2との間の電荷は、基板載置台2の上面2a側に分散配置された静電気測定センサ4によって計測されており、イオン化気体による静電気の除去効果が確認されている。さらに昇降ピン3の移動を継続することで、昇降ピン3の押上力とイオン化気体の送風圧とにより剥離部分6が拡大されてゆくとともに、この拡大された剥離部分6に送られたイオン化気体により、静電気が除電されてゆく。最終的には、基板載置台2から基板1が完全に剥離されて、昇降ピン3で基板1が支持される。
溝20は、各貫通口2bを中心に大きさの異なる円形形状で環状の複数の円形溝20a(環状溝)と、貫通口2bを頂点とする方形形状で環状の複数の方形溝20b(環状溝)と、方形溝20bの基板載置台2の外側方に向けて延設された部分と一部の円形溝20aとを繋げる楕円形溝20c(環状溝)とから構成されている。また、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとは、それぞれが繋がり連通された1つの溝20を形成しているとともに、全ての貫通口2bとも連続して繋げられている。さらに、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとからなる1つの溝20は、基板載置台2上に載置される基板1の直下に位置するように形成されている。
1a 基板表面
1b 基板裏面
2 基板載置台
3 昇降ピン
3a 先端
3b 流通路
3c 先端部分
3d 通気孔
3e 側面
6 剥離部分
7 イオナイザ
10 昇降ピン
10a ピン本体部
10b ヘッド部
10c 流通路
10f 先端
10h 大径部
10i 小径部
10j 通気溝
20 溝
20a 円形溝(環状溝)
20b 方形溝(環状溝)
20c 楕円形溝(環状溝)
21 放出孔
Claims (13)
- 板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、
前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分から前記イオンを放出し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する静電気除去方法。 - 板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、
前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分からイオン化気体を供給し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する静電気除去方法。 - 前記イオン化気体を前記基板載置台と前記基板の間に送風し、前記イオン化気体の送風圧により前記基板を前記基板載置台から前記静電気を除電しながら剥離することを特徴とする請求項2記載の静電気除去方法。
- 板状の基板を載置する基板載置台と、この基板載置台の複数箇所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、該昇降ピン又は該昇降ピンの周辺部から前記基板載置台と前記基板との間に生ずる静電気を除去可能なイオン化気体を供給するイオナイザとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
- 前記イオナイザは、前記イオン化気体を前記基板載置台と前記基板との間に送風し、該イオン化気体の送風圧により前記静電気を除電しながら前記基板載置台上の前記基板を剥離可能とされていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記昇降ピンは、前記イオン化気体を供給する流通路が内部に形成され、前記イオナイザから放出される前記イオン化気体を、該流通路を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記昇降ピンは、先端部分の側面に前記流通路に連通する通気孔が形成され、前記イオン化気体を、該通気孔を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 前記昇降ピンは、前記基板を支持するヘッド部と、前記流通路が形成されているとともに前記ヘッド部を支持するピン本体部とを備え、前記ヘッド部と前記ピン本体部との間には、前記流通路と連通された通気溝が形成されており、前記イオン化気体を、該通気溝を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 前記基板載置台は、前記昇降ピンが挿通され出没可能とされる貫通口を有しており、前記イオナイザから放出される前記イオン化気体を、前記貫通口を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記基板載置台は、前記昇降ピンが挿通され出没可能とされる貫通口を有しており、前記基板載置台の表面には、前記貫通口を中心に前記イオナイザから放出されるイオン化気体を、前記基板載置台と前記基板との間に供給する溝が形成されていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記溝は、前記貫通口に連通する環状溝とされており、前記イオン化気体を前記貫通口から前記環状溝を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 前記溝は、前記貫通口から独立した環状溝とされており、前記基板載置台には、該環状溝と連通するように形成され前記イオン化気体を放出する放出孔が設けられ、前記イオン化気体が前記放出孔と前記環状溝とを介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 前記溝は、前記貫通口を中心に大きさの異なる円形形状又は方形形状、あるいは前記円形形状と前記方形形状の複数の環状溝から構成されていることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の基板処理装置。
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