JP2006216583A - 静電気除去方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板載置台から基板を剥離させる際に生ずる静電気を確実に除電する静電気除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 板状の基板１を基板載置台２から剥離する際にイオンを放出し基板１に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、基板１を複数の昇降ピン３により基板載置台２から持ち上げて剥離させる際に、昇降ピン３による剥離中心部分からイオンまたはイオン化気体を放出し、基板載置台２と基板１との間に発生する静電気を除去する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、例えば液晶ガラス基板や半導体ウェハなどの基板と、この基板が載置される基板載置台との間に生ずる静電気を除去する静電気除去方法および基板処理装置に関する。

従来、例えば液晶ガラス基板や半導体ウェハなどの基板の製造工程において、基板を支持する基板載置台から、この上面に面接触状態で載置された基板を持ち上げて剥離させた際に、剥離部分にいわゆる剥離帯電と呼ばれる静電気が発生することがある。この剥離帯電は、基板への塵埃付着をもたらすばかりか、剥離部分の拡大とともに帯電された電荷が大きくなって放電を起こし、基板に損傷を与えることもある。このため、基板の剥離時に、剥離部分の電荷を消失させることが求められる。

この基板の除電を行う手法としては、例えば基板載置台に載置された基板の外周部から、基板と基板載置台との間に向けてイオン化気体を噴出させる方法や、基板載置台に基板裏面に直交する放出孔を設け、この放出孔から基板の裏面に向けてイオン化気体を放出させる方法などがある。
前者は、加熱装置のヒータプレートに載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンにより押し上げられた基板の外周部と基板載置台との隙間にイオン化気体を供給し、基板に生ずる静電気の除電が可能とされている（例えば、特許文献１参照。）。
一方、後者は、基板載置台に載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンから離れた位置に設けられた放出孔から基板の裏面にイオン化気体を供給することで、基板裏面の除電が可能とされている（例えば、特許文献２参照。）。
特開平７−３２６５９８号公報 特開２０００−２１６２２８号公報

しかしながら、特許文献１に開示されているような方法では、昇降ピンで基板の裏面を押圧した段階で、基板の外周部と基板載置台との間にイオン化気体が供給可能な隙間が生じず、剥離部分にイオン化気体が供給されないまま、剥離部分が拡大されてしまう場合がある。この場合には、剥離部分の剥離帯電が放電されてしまい、基板が損傷されるという問題があった。

特に、液晶ディスプレイのマザーガラス基板は、０．５〜０．７ｍｍと非常に薄く、且つ基板サイズも２０００ｍｍを超えるものが生産されている。この大型化と薄肉化によって基板の剛性が小となるため、昇降ピンで基板の裏面を押し上げても基板が撓みやすく、基板を少し押し上げただけでは基板の外周部が基板載置台面に貼りついて隙間が生じない。この特許文献１の場合は、基板を押し上げる初期段階で基板載置台と基板の外周部との間に隙間がないために基板裏面にイオン化気体を供給することができない。このため、この除電方法では、基板をある程度高く押し上げた状態で除電が開始されるため、上記の問題が多発する傾向にある。また、基板の外周部に隙間を生じさせる目的で、昇降ピンの押上力を大きくした場合には、急激に剥離が進行するため、剥離帯電が生じやすくなるばかりか、基板載置台面に貼りついた状態で昇降ピンにより基板を押し上げると、基板の裏面に集中応力が作用し、基板を損傷させるという問題が生じる。

一方、特許文献２に開示されているような方法では、昇降ピンが挿通される貫通口と、イオン化気体を供給する放出孔とがそれぞれ個別に、且つ離れた位置に設けられているため、剥離部分が放出孔に到達するまでイオン化気体は剥離部分に供給されず、この間に、剥離部分に剥離帯電が生じて放電され、基板が損傷される恐れがあった。特に、特許文献２の図２に示されるように、昇降ピンに対して基板の短辺側に放出孔が設けられていないため、基板の短辺側にイオン化気体が充分に供給されず、剥離放電が生じやすくなる。

本発明は、上記事情を鑑み、基板載置台から基板を剥離させる際に生ずる静電気を確実に除電する静電気除去方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。

本発明の静電気除去方法では、板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分から前記イオンを放出し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する。

また、本発明の静電気除去方法では、板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分からイオン化気体を供給し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する。

さらに、本発明の基板処理装置では、板状の基板を載置する基板載置台と、この基板載置台の複数箇所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、該昇降ピン又は該昇降ピンの周辺部から前記基板載置台と前記基板との間に生ずる静電気を除去可能なイオン化気体を供給するイオナイザとを備える。

本発明の静電気除去方法によれば、複数の昇降ピンにより基板を持ち上げ剥離させる際に、昇降ピンによる剥離中心部分からイオンが放出されることで、基板と基板載置台との間に生ずる静電気を除去することができる。このため、剥離部分の剥離帯電を解消することができ、放電を生じさせずに基板を剥離することができる。これにより、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。

また、本発明の静電気除去方法によれば、昇降ピンによる剥離中心部分からイオン化気体を供給することで、昇降ピンにより基板が剥離されるとともに、剥離部分にイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分の剥離帯電を解消することができ、放電を生じさせずに基板を剥離することができるため、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。

また、本発明の基板処理装置によれば、昇降ピン又は昇降ピンの周辺部にイオン化気体を供給するイオナイザが備えられていることによって、昇降ピンにより剥離された基板の剥離部分にイオン化気体を確実に供給することができる。これにより、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。

以下、図１から図４を参照し、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置Ａについて説明する。

本発明の第１実施形態は、図１および図２に示すように、例えばウェハ、液晶ディスプレイ等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用のマザーガラス基板１（以下、基板という）を支持する基板載置台２が１つの構成要素とされ、基板の検査や、基板１に各種処理を行って製造するための基板処理装置Ａに関するものである。上面（表面）２ａに板状の基板１が載置される基板載置台２を１つの構成要素とするこの種の基板処理装置Ａは、基板１の製造工程内で多数用いられており、基板載置台２に載置されることで基板１の平坦性を確保して、基板１表面１ａに形成されたパターンなどの検査を行う外観検査装置がその一例として挙げられる。
この基板載置台２は、矩形盤状に形成されており、厚さ方向に貫通される貫通口２ｂが複数分散配置されている。この貫通口２ｂには、図示せぬ駆動手段に接続されて、基板載置台２の上面２ａに対して出没可能とされた複数の昇降ピン３が挿通されている。この昇降ピン３は、基板載置台２の上面２ａに載置され上面２ａに貼りつき状態となった板状の基板１の裏面１ｂを、例えば外観検査などの処理を終えた段階で押圧し、基板載置台２から基板１を剥離させるためのものである。また、昇降ピン３は、基板１の裏面１ｂに対して上下動可能（昇降可能）とされており、基板載置台２上で基板１が処理されているときには、その先端３ａが貫通口２ｂ内に位置されて基板１の裏面１ｂには当接されていない状態で保持されている。さらに、基板載置台２の上面２ａには、基板載置台２と基板１との間に発生する静電気の電荷を計測するための静電気測定センサ４が複数分散配置されている。
ちなみに、基板１と基板載置台２との貼りつき現象は、例えば基板１の裏面１ｂと基板載置台２の上面２ａとの接触によって各面２ａ、１ｂに帯電（静電気）が生じ、基板１と基板載置台２との互いが引き付け合うことなどが要因とされるものである。

図１から図３に示すように、本実施形態の昇降ピン３は、先端３ａが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成されている。また、その内部に後端から先端３ａに向けて開けられた流通路３ｂが形成されており、昇降ピン３の先端部分３ｃには、内部の流通路３ｂに連通された通気孔３ｄが複数形成されている。この各通気孔３ｄは、流通路３ｂから昇降ピン３の側面３ｅまで連通されており、流通路３ｂとの接続部分３ｆに対して側面３ｅ側が、漸次先端３ａ側に近づくよう斜めに形成されている。また、図２に示すように、昇降ピン３の流通路３ｂには、イオナイザ７を介して窒素ガス供給源８が接続されている。これにより、この昇降ピン３は、窒素ガス供給源８からの窒素ガスがイオナイザ７でイオン化され、イオナイザ７によって送風されたイオン化気体（イオン化窒素ガス）を、流通路３ｂおよび通気孔３ｄを通じて先端部分３ｃから放出可能とされている。

ついで、図１から図４を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Ａにおいて、除電を行い、基板１を剥離させる方法について説明する。

図４に示すように、貼りつき現象を生じた基板１を、先端５ａが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成された昇降ピン５で押圧し、この押圧力のみで基板１を剥離させた場合には、昇降ピン５で押圧された部分を中心として局部的に基板１が基板載置台２から剥離される。このとき、局部的に剥離された基板載置台２と基板１の剥離部分６には、剥離帯電と呼ばれる正と負の異なる電荷がそれぞれに帯電される現象が生じる。このため、剥離部分６に帯電された静電気により基板１と基板載置台２との間に電位差が生じ、これが放電されてスパークした場合には、基板１が損傷されてしまう。
本実施形態では、図１から図３に示すように、基板載置台２に載置された基板１に対して、例えば外観検査などの処理を終えた段階で、昇降ピン３に接続された駆動手段を駆動し、昇降ピン３を基板１の裏面１ｂ側に移動する。このとき、昇降ピン３の先端３ａが基板１の裏面１ｂに当接される段階で、窒素ガス供給源８及びイオナイザ７からイオン化気体を供給し、通気孔３ｄからイオン化気体を放出させる。さらに、昇降ピン３の移動を継続し、昇降ピン３の先端３ａを基板１の裏面１ｂに押圧させ、昇降ピン３で押圧された部分およびその周辺部分の基板１を基板載置台２から剥離させる。これと同時に、通気孔３ｄから放出されたイオン化気体が、直接もしくは貫通口２ｂを介して、昇降ピン３や昇降ピン３と貫通口２ｂとの隙間（昇降ピン３の周辺部）の剥離中心部分から剥離部分６全体に送風され供給される。剥離部分６に入り込んだイオン化気体は、そのイオンにより基板載置台２の上面２ａおよび基板１の裏面１ｂの静電気を消失させ、基板１と基板載置台２との間に生じる電位差を、剥離と同時に解消させる。また、イオナイザ７により送風されたイオン化気体が剥離部分６に供給される際には、その送風圧によって基板１の剥離が促進され、静電気を除電しながら基板１が剥離されてゆく。ここで、基板１と基板載置台２との間の電荷は、基板載置台２の上面２ａ側に分散配置された静電気測定センサ４によって計測されており、イオン化気体による静電気の除去効果が確認されている。さらに昇降ピン３の移動を継続することで、昇降ピン３の押上力とイオン化気体の送風圧とにより剥離部分６が拡大されてゆくとともに、この拡大された剥離部分６に送られたイオン化気体により、静電気が除電されてゆく。最終的には、基板載置台２から基板１が完全に剥離されて、昇降ピン３で基板１が支持される。

したがって、上記の基板処理装置Ａによれば、イオン化気体を先端部分３ｃから放出させる流通路３ｂと通気孔３ｄとが昇降ピン３に形成されていることによって、昇降ピン３で基板１を押圧し、基板載置台２から剥離させるとともに、剥離部分６にイオン化気体を供給することができ、剥離部分６の静電気を速やかに消失させることができる。これにより、剥離帯電の放電による基板１の損傷を防止することが可能となる。

また、上記の基板処理装置Ａによれば、イオン化気体がイオナイザ７により剥離部分６に送風され、このとき、イオン化気体の送風圧によって、基板１の剥離を促進させることができるとともに、剥離部分６の拡大と同時に静電気を除電することが可能となる。

さらに、上記の基板処理装置Ａによれば、基板載置台２に昇降ピン３が挿通される貫通口２ｂが形成され、昇降ピン３の通気孔３ｄから直接もしくは貫通口２ｂを介してイオン化気体を剥離部分６に供給できるため、基板１の剥離中心部分とイオン化気体の供給位置とをほぼ同位置とすることができ、昇降ピン３によって剥離された剥離部分６に確実にイオン化気体を供給することが可能となる。

なお、本発明は、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、昇降ピン３は、先端３ａが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成されているものとしたが、特にその形状が限定されるものではない。また、昇降ピン３に形成された通気孔３ｄは、先端部分３ｃにのみ形成されているものとされ、且つ内部に形成された流通路３ｂとの接続部分３ｆに対して側面３ｅ側が漸次先端３ａ側に近づくように斜めに形成されているものとしたが、通気孔３ｄの形成位置やその形状は、特に限定を必要とするものではない。さらに、本実施形態では、イオン化気体がイオン化窒素ガスであるものとしたが、例えばコンプレッサーから送られた空気をイオナイザ７でイオン化してもよいものであり、イオン化される気体の種類が限定されるものではない。また、イオン化した気体が流通路３ｂと通気孔３ｄを介して基板１の裏面１ｂに供給されるものとしたが、イオンそのものが基板１の裏面１ｂに放出されて供給されてもよいものである。さらに、通気孔３ｄからのイオン化気体の放出は、昇降ピン３の先端３ａが基板１の裏面１ｂに当接される段階から行われるものとしたが、例えば昇降ピン３を移動する前からイオン化気体の放出が行われてもよく、また、剥離部分６が顕在化した時点で行われてもよいものである。さらに、基板１の剥離は、昇降ピン３の押上力とイオナイザ７からのイオン化気体の送風圧の双方により進行するものとしたが、特にイオンを放出させて除電する場合には、昇降ピン３の押上力が基板１の剥離に寄与する。また、イオナイザ７からの送風圧で基板１の剥離を達成できる場合には、昇降ピン３の押上力を使用せずに基板１が剥離されてもよいものである。

さらに、本実施形態では、昇降ピン３に流通路３ｂと通気孔３ｄとを形成し、この流通路３ｂと通気孔３ｄとを通じて基板１裏面１ｂの剥離中心部分にイオン化気体を供給する構成としているが、例えば図５に示すように、昇降ピン５を上下動自在とする貫通口２ｂの内面に通じる通気口９ａを形成し、この通気口９ａからイオン化気体が貫通口２ｂを介して剥離部分６に供給されてもよいものである。このとき、図５に示すように、貫通口２ｂの内面近傍に位置する通気口９ａが基板１の裏面１ｂ側に傾斜されて形成されていてもよく、また、通気口９ａと貫通口２ｂとが接続される位置よりも下方の貫通口２ｂ内に、貫通口２ｂの内面に外周面が固定されたリング状の弁９ｂが設けられていてもよく、このような構成とした場合には、通気口９ａを通じて貫通口２ｂ内に放出されるイオン化気体を、確実に基板１裏面１ｂの剥離部分６に供給することが可能となる。

ついで、図１から図２および図６を参照し、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第１実施形態に係る基板処理装置Ａと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。

本発明の第２実施形態に係る基板処理装置Ｂは、第１実施形態と同様、例えばウェハ、液晶ディスプレイ等に使用されるＦＰＤ用のマザーガラス基板１（以下、基板という）を支持する基板載置台２が１つの構成要素とされるものである。基板載置台２の構成は、第１実施形態とほぼ同様とされる一方、図６に示すように、貫通口２ｂ内で上下動可能とされる昇降ピン１０が、ピン本体部１０ａとヘッド部１０ｂとから構成されている。ピン本体部１０ａは、円筒状に形成されており、この内孔が流通路１０ｃとされ、この流通路１０ｃは、第１実施形態と同様に、イオナイザ７を介して窒素ガス供給源８に接続されている。また、ピン本体部１０ａの基板１側に位置する上端面１０ｄには、流通路１０ｃの外周に沿うように環状の突出部１０ｅが取り付けられており、この突出部１０ｅは、その外周面が曲面形状とされている。一方、ヘッド部１０ｂは、適度な弾性を有する例えばゴム材で形成されており、基板１側に位置する先端１０ｆが上側に凸となる球形の略円柱状とされるとともに、後端１０ｇ側に小径の円柱部分が延設されている。ここで、先端１０ｆが球形とされた円柱部分が大径部１０ｈとされ、後端１０ｇ側の径が小とされた円柱部分が小径部１０ｉとされている。また、大径部１０ｈと小径部１０ｉとは、軸線Ｏ１が一致するように形成されている。さらに、ピン本体部１０ａの流通路１０ｃの径は、ヘッド部１０ｂの小径部１０ｉの径よりも若干大とされており、ヘッド部１０ｂの小径部１０ｉがピン本体部１０ａの上端面１０ｄ側の流通路１０ｃに挿入されることにより、１つの昇降ピン１０とされている。このとき、流通路１０ｃに挿入された小径部１０ｉと流通路１０ｃとの間には、若干の隙間が画成され、この流通路１０ｃに連通された隙間が通気溝１０ｊとされる。

ついで、図６を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Ｂにおいて、除電を行い、基板を剥離させる方法について説明する。

基板載置台２に載置された基板１に対して、例えば外観検査などの処理を終えた段階で、昇降ピン１０に接続された駆動手段を駆動し、昇降ピン１０を基板１の裏面１ｂ側に移動する。このとき、昇降ピン１０のヘッド部１０ｂは、その小径部１０ｉがピン本体部１０ａの流通路１０ｃに納まり、大径部１０ｈの後端１０ｇがピン本体部１０ａの上端面１０ｄに形成された突出部１０ｅに当接されている。さらに昇降ピン１０の移動を継続し、先端１０ｆが基板１の裏面１ｂに当接されて押圧した段階で、窒素ガス供給源８及びイオナイザ７からイオン化気体を供給する。この段階では、ヘッド部１０ｂの先端１０ｆが基板１の裏面１ｂを押圧する反力によって押さえ込まれる。これと同時に、通気溝１０ｊから、加圧されたイオン化気体が剥離部分６に付勢されて供給される。剥離部分６に送風されて入り込んだイオン化気体は、そのイオンにより基板載置台２の上面２ａおよび基板１の裏面１ｂの静電気を消失させ、基板１と基板載置台２との間に生じる電位差を解消させる。また、剥離部分６にイオン化気体が供給される際に、イオン化気体が付勢されているため、供給と同時にイオン化気体の付勢された送風圧で剥離部分６が拡大されて、除電されつつ基板１の剥離が促進される。ついで、さらに昇降ピン１０の移動を継続することで、剥離部分６が拡大されてゆくとともに、拡大された剥離部分６にイオン化気体が入り込み、静電気が除電されてゆく。最終的には、基板載置台２から基板１が完全に剥離されて、昇降ピン１０のヘッド部１０ｂで基板１が支持される。

したがって、上記の基板処理装置Ｂによれば、ヘッド部１０ｂの小径部１０ｉと流通路１０ｃとの隙間に通気溝１０ｊが画成され、この通気溝１０ｊから、剥離部分６にイオン化気体を供給することができる。また、イオン化気体が放出される初期段階で、イオン化気体が流通路１０ｃと通気溝１０ｊ内で加圧されているため、剥離部分６に付勢された送風圧をもってイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分６の静電気を除去しつつ、送風圧により剥離部分６を拡大させることができ、且つ基板１の剥離を促進させることができる。よって、基板１を損傷させずに、確実且つ速やかに剥離させることが可能となる。

なお、本発明は、上記の第２実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、イオン化気体がヘッド部１０ｂの小径部１０ｉとピン本体部１０ａの流通路１０ｃとの隙間（通気溝１０ｊ）から供給されるものとしたが、例えば小径部１０ｉに流通路１０ｃと連通する内孔とこの内孔から小径部１０ｉの外周面に連通する孔とを設け、ヘッド部１０ｂがピン本体部１０ａに対して上方に移動するとともに、イオン化気体が小径部１０ｉの内孔と側面に連通する孔とから供給されてもよいものである。よって、ヘッド部１０ｂとピン本体部１０ａとからなる昇降ピン１０において、イオン化気体が放出される位置及びこれを行う構成については、特に限定されなくてもよいものである。また、ヘッド部１０ｂは適度な弾性を有するゴム材により形成されているものとしたが、この限りではなく、特にその材質が限定されるものではない。

ついで、図２から図３および図７から図８を参照し、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第１実施形態に係る基板処理装置Ａと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。

本実施形態は、図７に示すように、イオン化気体を基板載置台２と基板１との間（基板１の裏面１ｂ）に供給するための溝２０が上面（表面）２ａに形成された基板載置台２を備える基板処理装置Ｃに関するものである。この基板載置台２は、第１実施形態と同様に、複数の貫通口２ｂが形成されている。また、ここでは、基板載置台２に載置された基板１を剥離させるための昇降ピンとして、第１実施形態に示した昇降ピン３が設けられているものとする。
溝２０は、各貫通口２ｂを中心に大きさの異なる円形形状で環状の複数の円形溝２０ａ（環状溝）と、貫通口２ｂを頂点とする方形形状で環状の複数の方形溝２０ｂ（環状溝）と、方形溝２０ｂの基板載置台２の外側方に向けて延設された部分と一部の円形溝２０ａとを繋げる楕円形溝２０ｃ（環状溝）とから構成されている。また、円形溝２０ａと方形溝２０ｂと楕円形溝２０ｃとは、それぞれが繋がり連通された１つの溝２０を形成しているとともに、全ての貫通口２ｂとも連続して繋げられている。さらに、円形溝２０ａと方形溝２０ｂと楕円形溝２０ｃとからなる１つの溝２０は、基板載置台２上に載置される基板１の直下に位置するように形成されている。

ついで、図７から図８を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Ｃにおいて、除電を行い、基板１を剥離させる方法について説明する。

第１実施形態に示したように、基板載置台２に載置された基板１の裏面１ｂに向けて、昇降ピン５を移動させた段階で、窒素ガス供給源８及びイオナイザ７からイオン化気体を供給し、通気孔３ｄからイオン化気体を放出させる。放出されたイオン化気体は、図８に示すように、貫通口２ｂに繋げられた方形溝２０ｂに流れ、さらには、方形溝２０ｂに繋げられた円形溝２０ａへと流れてゆく。昇降ピン３の移動を継続し、先端３ａが基板１の裏面１ｂを押圧して、基板載置台２から基板１を剥離させる段階で、剥離部分６の基板１直下に位置する溝２０にイオン化気体が供給されているため、静電気が除電され、剥離部分６に剥離帯電は生じない。また、この段階で剥離された剥離部分６には、昇降ピン３の流通路３ｂと通気孔３ｄを介して多量のイオン化気体が供給され、これに伴い、未だ剥離を生じていない基板１の裏面１ｂの直下に位置する方形溝２０ｂや円形溝２０ａにイオン化気体が流れてゆく。最終的には、楕円形溝２０ｃにイオン化気体が流れ、溝２０全体にイオン化気体が供給される。よって、昇降ピン３の移動を継続し、剥離部分６を拡大した場合においても、溝２０を介してイオン化気体が基板１の裏面１ｂに供給されているため、静電気が除電され、剥離部分６に剥離帯電は生じないものとされる。これにより、昇降ピン３で順次剥離部分６を拡大した場合においても剥離帯電が生じることはなく、最終的には、基板載置台２から基板１が完全に剥離されて、昇降ピン３で基板１が支持される。

したがって、上記の基板処理装置Ｃによれば、円形溝２０ａと方形溝２０ｂと楕円形溝２０ｃとからなる１つの連続した溝２０が基板載置台２の上面２ａに形成され、且つ基板載置台２に形成された全ての貫通口２ｂとこの溝２０が連続して繋げられていることによって、イオン化気体を、溝２０を通じて基板１の裏面１ｂに供給することができ、静電気を除去することができる。これにより、昇降ピン３で基板１を基板載置台２から剥離させた場合においても、剥離部分６に剥離帯電が生じることがなく、基板１の損傷を防止することが可能となる。

なお、本発明は、上記の第３実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、方形溝２０ｂが貫通口２ｂを頂点として形成されるものとしたが、この方形溝２０ｂに限らず、円形溝２０ａや楕円形溝２０ｃは、貫通口２ｂを中心として複数形成されてもよいものである。また、溝２０は、円形溝２０ａと方形溝２０ｂと楕円形溝２０ｃとから構成され、それぞれ環状の溝２０とされるものとしたが、この限りではなく、溝２０は、例えば貫通口２ｂから放射状に形成されていてもよく、特にその形状が限定されるものではない。また、溝２０は、連続の溝であっても不連続の溝であってもよく、連続、不連続の溝が混在されていてもよいものである。

ついで、図４および図９から図１０を参照し、本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第３実施形態に係る基板処理装置Ｃと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。

本実施形態は、第３実施形態で示した溝２０が上面２ａに形成された基板載置台２を備える基板処理装置Ｄに関するものである。但し、第３実施形態の図７から図８に示したものと異なり、本実施形態では、図９に示すように、溝２０が貫通口２ｂと独立した環状溝とされている。また、図９から図１０に示すように、基板載置台２には、基板１裏面１ｂに向けてイオン化気体を供給可能な複数の放出孔２１が貫通口２ｂに近接して形成されており、この放出孔２１が貫通口２ｂと独立して形成された溝２０に繋げられて連通されている。さらに、ここでは、基板載置台２に載置された基板１を剥離させるための昇降ピンとして、図４に示した昇降ピン５が設けられているものとする。

ついで、図９から図１０を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Ｄにおいて、除電を行い、基板１を剥離させる方法について説明する。

基板載置台２に載置された基板１の裏面１ｂに向けて、昇降ピン５を移動させた段階で、放出孔２１からイオン化気体を放出させる。放出されたイオン化気体は、矢印で示すように、溝２０に流れてゆき基板１の裏面１ｂに供給される。また、放出孔２１が貫通口２ｂに近接して設けられているため、昇降ピン５により剥離された基板１の剥離部分６は、剥離とほぼ同時に、放出孔２１および溝２０に到達する。剥離部分６が放出孔２１および溝２０に到達された段階で、剥離部分６にイオン化気体が入り込み、静電気が除電される。また、さらに昇降ピン５の移動を継続し剥離部分６を拡大した場合においても、放出孔２１から放出されたイオン化気体が溝２０に供給されているため、静電気が除電され、剥離部分６に剥離帯電は生じないものとされる。最終的には、基板載置台２から基板１が完全に剥離されて、昇降ピン５で基板１が支持される。

したがって、上記の基板処理装置Ｄによれば、貫通口２ｂと独立して設けられた溝２０に、イオン化気体を放出する放出孔２１が連通されていることにより、イオン化気体を、溝２０を通じて基板１の裏面１ｂに供給することができる。また、放出孔２１が貫通口２ｂに近接して設けられていることにより、昇降ピン５によって基板１が剥離されるとほぼ同時に剥離部分６が放出孔２１および溝２０に到達され、剥離部分６にイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分６に剥離帯電が生じることがなく、基板１の損傷を防止することが可能となる。

なお、本発明は、上記の第４実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、放出孔２１が貫通口２ｂに近接して複数設けられているものとしたが、放出孔２１は、貫通口２ｂの近接位置に加えて、基板１と面接触される基板載置台２の上面２ａに分散配置されていてもよいものである。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１に示した基板処理装置の断面図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の昇降ピンの構成を示す図である。 従来の昇降ピンを用いて基板を剥離した場合の剥離帯電の状態を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の変形例を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の昇降ピンの構成を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の基板載置台を示す平面図である。 図７の基板載置台に形成された溝を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の基板載置台に形成された溝および放出孔を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の断面図である。

符号の説明

１ 基板
１ａ 基板表面
１ｂ 基板裏面
２ 基板載置台
３ 昇降ピン
３ａ 先端
３ｂ 流通路
３ｃ 先端部分
３ｄ 通気孔
３ｅ 側面
６ 剥離部分
７ イオナイザ
１０ 昇降ピン
１０ａ ピン本体部
１０ｂ ヘッド部
１０ｃ 流通路
１０ｆ 先端
１０ｈ 大径部
１０ｉ 小径部
１０ｊ 通気溝
２０ 溝
２０ａ 円形溝（環状溝）
２０ｂ 方形溝（環状溝）
２０ｃ 楕円形溝（環状溝）
２１ 放出孔

Claims (13)

1. 板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、
   前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分から前記イオンを放出し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する静電気除去方法。
2. 板状の基板を基板載置台から剥離する際にイオンを放出し前記基板に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、
   前記基板を複数の昇降ピンにより前記基板載置台から持ち上げて剥離させる際に、前記昇降ピンによる剥離中心部分からイオン化気体を供給し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する静電気除去方法。
3. 前記イオン化気体を前記基板載置台と前記基板の間に送風し、前記イオン化気体の送風圧により前記基板を前記基板載置台から前記静電気を除電しながら剥離することを特徴とする請求項２記載の静電気除去方法。
4. 板状の基板を載置する基板載置台と、この基板載置台の複数箇所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、該昇降ピン又は該昇降ピンの周辺部から前記基板載置台と前記基板との間に生ずる静電気を除去可能なイオン化気体を供給するイオナイザとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. 前記イオナイザは、前記イオン化気体を前記基板載置台と前記基板との間に送風し、該イオン化気体の送風圧により前記静電気を除電しながら前記基板載置台上の前記基板を剥離可能とされていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記昇降ピンは、前記イオン化気体を供給する流通路が内部に形成され、前記イオナイザから放出される前記イオン化気体を、該流通路を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
7. 前記昇降ピンは、先端部分の側面に前記流通路に連通する通気孔が形成され、前記イオン化気体を、該通気孔を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記昇降ピンは、前記基板を支持するヘッド部と、前記流通路が形成されているとともに前記ヘッド部を支持するピン本体部とを備え、前記ヘッド部と前記ピン本体部との間には、前記流通路と連通された通気溝が形成されており、前記イオン化気体を、該通気溝を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
9. 前記基板載置台は、前記昇降ピンが挿通され出没可能とされる貫通口を有しており、前記イオナイザから放出される前記イオン化気体を、前記貫通口を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
10. 前記基板載置台は、前記昇降ピンが挿通され出没可能とされる貫通口を有しており、前記基板載置台の表面には、前記貫通口を中心に前記イオナイザから放出されるイオン化気体を、前記基板載置台と前記基板との間に供給する溝が形成されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
11. 前記溝は、前記貫通口に連通する環状溝とされており、前記イオン化気体を前記貫通口から前記環状溝を介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記溝は、前記貫通口から独立した環状溝とされており、前記基板載置台には、該環状溝と連通するように形成され前記イオン化気体を放出する放出孔が設けられ、前記イオン化気体が前記放出孔と前記環状溝とを介して前記基板載置台と前記基板との間に供給可能とされていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
13. 前記溝は、前記貫通口を中心に大きさの異なる円形形状又は方形形状、あるいは前記円形形状と前記方形形状の複数の環状溝から構成されていることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
    
    

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