JP2006176865A

JP2006176865A - DLC FILM OR SiO2 FILM, VESSEL AND CVD FILM DEPOSITION SYSTEM

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Publication number: JP2006176865A
Application number: JP2004374072A
Authority: JP
Inventors: Koji Abe; 浩二阿部; Yuji Honda; 祐二本多
Original assignee: Universal Technics Co Ltd
Current assignee: Universal Technics Co Ltd
Priority date: 2004-12-24
Filing date: 2004-12-24
Publication date: 2006-07-06
Anticipated expiration: 2024-12-24
Also published as: JP4759263B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition) system capable of depositing a film having light shielding properties to ultraviolet rays and also having transparency. <P>SOLUTION: The CVD film deposition system where a film is deposited on the outer surface of each vessel 2 by a plasma CVD process is provided with: an outer circumferential electrode 14 arranged so as to surround the outside face of the vessel 2; and a raw material feeding mechanism 22 of feeding a starting raw material to the outer surface of each vessel 2. The system is further provided with an electrode 16 arranged at the inside of the neck part 2a of each vessel 2. In this case, the electrode 16 preferably has a surface with a shape almost similar to the inside shape of the neck part 2a or mouth of the vessel 2. It is also preferable that the electrode 16 has a surface at an almost equal distance from the inside face of the neck part 2a or mouth of the vessel 2. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜、容器及びＣＶＤ成膜装置に係わり、特に、遮光性及び透明性を有する膜を成膜することができるＣＶＤ成膜装置に関する。また、遮光性及び透明性を有するＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜に関する。また、遮光性及び透明性を有する膜を成膜した容器に関する。 The present invention relates to a DLC film or SiO ₂ film, a container, and a CVD film forming apparatus, and more particularly, to a CVD film forming apparatus capable of forming a light-shielding and transparent film. The present invention also relates to a DLC film or a SiO ₂ film having light shielding properties and transparency. The present invention also relates to a container in which a film having light shielding properties and transparency is formed.

プラスチック容器は、ＣとＨで形成されたプラスチックであるため、反応性が少なく、薬品及び食品のボトルとして汎用されている。一方で透明であるため遮光性が悪く、内部の薬品等が変質しやすいという欠点もある。そこでプラスチック容器に硬質アモルファスカーボン膜（ＤＬＣ膜）をコーティングする場合がある。これは、ＤＬＣ膜をコーティングするとプラスチック容器が褐色に着色され、紫外線を遮断することができるためである。
ＤＬＣ膜は、炭素間のＳＰ^３結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフォロジを有する硬質炭素膜である。ＤＬＣ膜を成膜する出発原料としては炭化水素系ガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬＣ膜を成膜する出発原料としてはＳｉ含有炭化水素系ガスを用いる。 Since plastic containers are plastics formed of C and H, they are less reactive and are widely used as chemical and food bottles. On the other hand, since it is transparent, the light shielding property is poor, and there are also disadvantages that internal chemicals and the like are easily deteriorated. Therefore, there are cases where a plastic container is coated with a hard amorphous carbon film (DLC film). This is because when the DLC film is coated, the plastic container is colored brown and can block ultraviolet rays.
The DLC film is an amorphous carbon mainly composed of SP ³ bonds between carbons, and is a hard carbon film that is very hard, excellent in insulation, and has a high refractive index and a very smooth morphology. A hydrocarbon-based gas is used as the starting material for forming the DLC film, and a Si-containing hydrocarbon-based gas is used as the starting material for forming the Si-containing DLC film.

プラスチック容器へＤＬＣ膜をコーティングする場合には、ＣＶＤ成膜装置が用いられる。図３は、従来のＣＶＤ成膜装置の一例を示す概略図である。このＣＶＤ成膜装置は真空チャンバー１０６を備え、この真空チャンバー１０６は外部電極１０３を有している。この外部電極１０３の内部には空間が形成されており、この空間はコーティング対象のプラスチック容器であるペットボトルを収容するためのものである。外部電極１０３はマッチングボックス（インピーダンス整合器）１１４に接続されており、マッチングボックス１１４は同軸ケーブルを介してＲＦ電源（高周波電源）１１５に接続されている。 When coating a plastic container with a DLC film, a CVD film forming apparatus is used. FIG. 3 is a schematic view showing an example of a conventional CVD film forming apparatus. The CVD film forming apparatus includes a vacuum chamber 106, and the vacuum chamber 106 has an external electrode 103. A space is formed inside the external electrode 103, and this space is for accommodating a plastic bottle that is a plastic container to be coated. The external electrode 103 is connected to a matching box (impedance matching device) 114, and the matching box 114 is connected to an RF power source (high frequency power source) 115 via a coaxial cable.

外部電極１０３内の空間には内部電極１０９が差し込まれており、内部電極１０９の先端は外部電極１０３内の空間に収容されたペットボトル１０７の内部に配置される。内部電極１０９は、その内部が中空からなる管形状を有している。内部電極１０９の先端にはガス吹き出し口１０９ａが設けられている。内部電極１０９の基端は三方弁１１６を介してマスフローコントローラー１１９の一方側に接続されている。マスフローコントローラー１１９の他方側は出発原料発生源１２０に接続されている。この出発原料発生源１２０は炭化水素ガス等を発生させるものである。 An internal electrode 109 is inserted into the space inside the external electrode 103, and the tip of the internal electrode 109 is disposed inside the PET bottle 107 accommodated in the space inside the external electrode 103. The internal electrode 109 has a tube shape whose inside is hollow. A gas outlet 109 a is provided at the tip of the internal electrode 109. The proximal end of the internal electrode 109 is connected to one side of the mass flow controller 119 via a three-way valve 116. The other side of the mass flow controller 119 is connected to the starting material generation source 120. This starting material generation source 120 generates hydrocarbon gas and the like.

内部電極１０９は接地されている。外部電極１０３内の空間は真空バルブ１２８を介して大気に接続している。また、外部電極１０３内の空間は真空ポンプ１２１に接続されている。 The internal electrode 109 is grounded. A space in the external electrode 103 is connected to the atmosphere via a vacuum valve 128. The space in the external electrode 103 is connected to the vacuum pump 121.

次に、上記ＣＶＤ成膜装置を用いて容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。 Next, a method for forming a DLC film inside the container using the CVD film forming apparatus will be described.

まず、真空バルブ１２８を開いて真空チャンバー１０６内を大気開放する。これにより、空気が外部電極１０３内の空間に入り、真空チャンバー１０６内が大気圧にされる。次に、外部電極１０３内の空間にペットボトル１０７を収容する。この際、内部電極１０９はペットボトル１０７内に挿入された状態になる。 First, the vacuum valve 128 is opened to open the vacuum chamber 106 to the atmosphere. Thereby, air enters the space in the external electrode 103, and the inside of the vacuum chamber 106 is brought to atmospheric pressure. Next, the PET bottle 107 is accommodated in the space inside the external electrode 103. At this time, the internal electrode 109 is inserted into the PET bottle 107.

この後、真空バルブ１２８を閉じた後、真空ポンプ１２１を作動させることにより、ペットボトル１０７内を含む真空チャンバー１０６内が排気され、外部電極１０３内の空間が真空となる。 Thereafter, the vacuum valve 128 is closed and then the vacuum pump 121 is operated, whereby the vacuum chamber 106 including the inside of the PET bottle 107 is evacuated, and the space in the external electrode 103 is evacuated.

次に、出発原料発生源１２０において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガスをマスフローコントローラー１１９によって流量制御する。この後、この流量制御された炭化水素ガスをアース電位の内部電極１０９を通してガス吹き出し口１０９ａから吹き出す。これにより、炭化水素ガスがペットボトル１０７内に導入される。そして、真空チャンバー１０６内とペットボトル１０７内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力に保たれる。 Next, a hydrocarbon gas is generated in the starting material generation source 120, and the flow rate of this hydrocarbon gas is controlled by the mass flow controller 119. Thereafter, the flow-controlled hydrocarbon gas is blown out from the gas outlet 109a through the internal electrode 109 at the ground potential. Thereby, hydrocarbon gas is introduced into the PET bottle 107. The inside of the vacuum chamber 106 and the inside of the PET bottle 107 are maintained at a pressure suitable for DLC film formation by controlling the balance between the gas flow rate and the exhaust capacity.

この後、外部電極１０３にマッチングボックス１１４を介してＲＦ電源１１５からＲＦ出力を供給する。これにより、外部電極１０３と内部電極１０９間にプラズマが発生する。このとき、マッチングボックス１１４は、外部電極１０３と内部電極１０９のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これによって、ペットボトル１０７内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜がペットボトル１０７の内側に成膜される。このときの成膜時間は数秒程度と短いものである。
特開２００１−３３５９４７号公報（図１） Thereafter, an RF output is supplied from the RF power source 115 to the external electrode 103 via the matching box 114. Thereby, plasma is generated between the external electrode 103 and the internal electrode 109. At this time, the matching box 114 is matched with the impedance of the external electrode 103 and the internal electrode 109 by the inductance L and the capacitance C. As a result, hydrocarbon-based plasma is generated in the PET bottle 107 and a DLC film is formed inside the PET bottle 107. The film formation time at this time is as short as several seconds.
JP 2001-335947 A (FIG. 1)

ＤＬＣ膜と反応する物質をプラスチック容器に収容する場合、ＤＬＣ膜をプラスチック容器の外側に成膜することになる。上記したようにプラスチック容器に収容される物質が紫外線等の光によって変質する場合、ＤＬＣ膜には遮光性が要求される。また、透明な膜でなければ、プラスチック容器に収容された物質を容器外部から人の目で確認することができないので不便である。従来は、ＤＬＣ膜の遮光性を維持しつつ透明性を十分に確保することは難しかった。また、プラスチック容器の外側に成膜する膜としては、遮光性及び透明性を有する膜であればＤＬＣ以外の材質を用いることも考えられる。 When the substance that reacts with the DLC film is accommodated in the plastic container, the DLC film is formed outside the plastic container. As described above, when the substance contained in the plastic container is altered by light such as ultraviolet rays, the DLC film is required to have a light shielding property. Moreover, if it is not a transparent film | membrane, since the substance accommodated in the plastic container cannot be visually confirmed from the outside of a container, it is inconvenient. Conventionally, it has been difficult to ensure sufficient transparency while maintaining the light shielding properties of the DLC film. Moreover, as a film | membrane formed into a film outside a plastic container, it is also considered to use materials other than DLC, as long as it is a film | membrane which has light-shielding property and transparency.

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、紫外線に対する遮光性を有し且つ透明性を有する膜を成膜することができるＣＶＤ成膜装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、紫外線に対する遮光性及び透明性を有するＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜を提供することにある。また、本発明の他の目的は、紫外線に対する遮光性及び透明性を有する膜を成膜した容器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a CVD film forming apparatus capable of forming a film having light shielding properties against ultraviolet rays and having transparency. It is in. Another object of the present invention is to provide a DLC film or SiO ₂ film having a light shielding property and transparency against ultraviolet rays. Another object of the present invention is to provide a container in which a film having a light shielding property and transparency against ultraviolet rays is formed.

上記課題を解決するため、本発明に係るＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜は、容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the DLC film or the SiO ₂ film according to the present invention has an outer peripheral electrode disposed so as to surround the outer surface of the container, and the plasma CVD method supplies the starting material to the outer surface of the container. The film is formed on the outer surface of the container.

本発明に係るＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜は、容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とする。 In the DLC film or the SiO ₂ film according to the present invention, an outer peripheral electrode is disposed so as to surround an outer surface of the container, an electrode is disposed inside the mouth or neck of the container, and a starting material is supplied to the outer surface of the container. The film was formed on the outer surface of the container by plasma CVD.

本発明に係る容器は、容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする。 The container according to the present invention is characterized in that an outer peripheral electrode is disposed so as to surround an outer surface of the container, and a film is formed on the outer surface by a plasma CVD method while supplying a starting material to the outer surface of the container. To do.

本発明に係る容器は、容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする。 In the container according to the present invention, an outer peripheral electrode is disposed so as to surround the outer surface of the container, an electrode is disposed inside the mouth or neck of the container, and a plasma CVD method is performed while supplying a starting material to the outer surface of the container. Thus, the film is formed on the outer surface.

本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。 The CVD film forming apparatus according to the present invention is a CVD film forming apparatus for forming a film on the outer surface of a container by a plasma CVD method,
An outer peripheral electrode disposed so as to surround the outer surface of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
It is characterized by comprising.

このＣＶＤ成膜装置によれば、外周電極が容器の外側面を囲んでいるため、容器の側面にバイアスを均等に加えることができる。従って、容器の近傍でプラズマ密度が高くかつ均一になり、紫外線に対する遮光性を有し且つ透明性を有する膜を容器の外表面に成膜することができる。 According to this CVD film forming apparatus, since the outer peripheral electrode surrounds the outer side surface of the container, a bias can be evenly applied to the side surface of the container. Therefore, a plasma density becomes high and uniform in the vicinity of the container, and a film having light shielding properties against ultraviolet rays and transparency can be formed on the outer surface of the container.

本発明に係る他のＣＶＤ成膜装置は、首部を有する容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の首部の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。 Another CVD film forming apparatus according to the present invention is a CVD film forming apparatus for forming a film on the outer surface of a container having a neck by a plasma CVD method,
An electrode disposed inside the neck of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
It is characterized by comprising.

本発明に係る他のＣＶＤ成膜装置は、容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の口の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。 Another CVD film forming apparatus according to the present invention is a CVD film forming apparatus for forming a film on the outer surface of a container by a plasma CVD method,
An electrode disposed inside the mouth of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
It is characterized by comprising.

これらのＣＶＤ成膜装置によれば、容器の口又は首部の内側に電極が配置されているため、容器の表面全体にバイアスを均等に加えることができる。従って、容器の近傍でプラズマ密度が高くかつ均一になり、紫外線に対する遮光性を有し且つ透明性を有する膜を容器の外表面に成膜することができる。 According to these CVD film forming apparatuses, since the electrodes are arranged inside the mouth or neck of the container, a bias can be applied uniformly to the entire surface of the container. Therefore, a plasma density becomes high and uniform in the vicinity of the container, and a film having light shielding properties against ultraviolet rays and transparency can be formed on the outer surface of the container.

これらのＣＶＤ成膜装置において、電極は、容器の首部又は口の内面形状に略相似形の表面を有することが好ましい。また、容器の首部又は口の内面から略等距離の表面を有することが好ましい。 In these CVD film forming apparatuses, the electrode preferably has a surface substantially similar to the inner shape of the neck or mouth of the container. Moreover, it is preferable to have the surface of substantially equal distance from the neck part of the container or the inner surface of the mouth.

また、容器の外側面を囲むように配置された外周電極をさらに具備してもよい。
また、出発原料は、トルエン、ＴＭＳ、ＴＥＯＳ又はＨＭＤＳ−Ｏを用いることも可能である。この場合、容器の外表面に、紫外線に対する遮光性及び透明性を有するＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜を成膜することが可能となる。 Moreover, you may further comprise the outer periphery electrode arrange | positioned so that the outer surface of a container may be enclosed.
Moreover, toluene, TMS, TEOS, or HMDS-O can also be used as a starting material. In this case, it becomes possible to form a DLC film or SiO ₂ film having a light shielding property and transparency against ultraviolet rays on the outer surface of the container.

以上説明したように本発明によれば、紫外線に対する遮光性を有し且つ透明性を有する膜を成膜することができるＣＶＤ成膜装置を提供することができる。また、他の本発明によれば、紫外線に対する遮光性及び透明性を有するＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜を提供することができる。また、他の本発明によれば、紫外線に対する遮光性及び透明性を有する膜を成膜した容器を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a CVD film forming apparatus capable of forming a film having light shielding properties against ultraviolet rays and having transparency. According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a DLC film or a SiO ₂ film having light shielding properties and transparency with respect to ultraviolet rays. In addition, according to another aspect of the present invention, it is possible to provide a container in which a film having light shielding properties and transparency with respect to ultraviolet rays is formed.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す構成図であり、図２は、図１に示すＣＶＤ成膜装置の上部電極を、一部を分解して示す斜視図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a CVD film forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a partially exploded view showing an upper electrode of the CVD film forming apparatus shown in FIG. It is a perspective view.

図１に示すＣＶＤ成膜装置は硬質アモルファスカーボン膜（ＤＬＣ膜）をプラスチック容器２の外表面に成膜する装置である。プラスチック容器２は例えば薬品ボトル（バイアル）である。このＣＶＤ成膜装置は図示しない真空チャンバーを有しており、この真空チャンバーは図示しないリーク弁及び真空ポンプに接続している。真空ポンプと真空チャンバーの間には図示しない真空バルブが取り付けられている。 The CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 is an apparatus for forming a hard amorphous carbon film (DLC film) on the outer surface of the plastic container 2. The plastic container 2 is a chemical bottle (vial), for example. This CVD film forming apparatus has a vacuum chamber (not shown), and this vacuum chamber is connected to a leak valve and a vacuum pump (not shown). A vacuum valve (not shown) is attached between the vacuum pump and the vacuum chamber.

真空チャンバーの内部には上部電極１０及び対向アース電極（下部電極）２０が配置されている。上部電極１０と対向アース電極２０の間隔は０ｍｍ〜９０ｍｍの範囲で調整可能である。上部電極１０はＲＦ整合器３４に接続されており、ＲＦ整合器３４は同軸ケーブルを介して高周波電源３２に接続されている。対向アース電極２０は接地されており、また原料供給機構のシャワーヘッド（図示せず）が取り付けられている。このシャワーヘッドからは、上部電極１０と対向アース電極２０の間の空間に出発原料がシャワー状に供給され、これにより出発原料がプラスチック容器２の外表面近傍に供給される。なお上記した原料供給機構は、シャワーヘッドの他に、シャワーヘッドに出発原料を導入する配管２２、真空チャンバー外部の図示しないマスフローコントローラー及び出発原料供給源を有している。出発原料としてはトルエンが好適である。また、本実施の形態では、高周波電源を用いているが、低周波やマイクロ波による電源を用いることも可能であり、ｋＨｚ〜ＧＨｚの周波数電源を用いることも可能である。 An upper electrode 10 and a counter earth electrode (lower electrode) 20 are disposed inside the vacuum chamber. The distance between the upper electrode 10 and the counter ground electrode 20 can be adjusted in the range of 0 mm to 90 mm. The upper electrode 10 is connected to an RF matcher 34, and the RF matcher 34 is connected to a high frequency power source 32 via a coaxial cable. The counter earth electrode 20 is grounded, and a shower head (not shown) of the raw material supply mechanism is attached. From this shower head, the starting material is supplied in the form of a shower in the space between the upper electrode 10 and the counter earth electrode 20, whereby the starting material is supplied near the outer surface of the plastic container 2. In addition to the shower head, the above-described raw material supply mechanism has a pipe 22 for introducing the starting raw material into the shower head, a mass flow controller (not shown) outside the vacuum chamber, and a starting raw material supply source. Toluene is preferred as the starting material. In this embodiment, a high-frequency power source is used. However, a power source using a low frequency or a microwave can be used, and a frequency power source of kHz to GHz can also be used.

上部電極１０は、図１及び図２に示すようにＲＦ整合器３４に接続されているＲＦ印加電極１２を備えている。ＲＦ印加電極１２は略円板状の部分を有している。この部分のうち対向アース電極２０と対向する面には外周電極１４及び内部電極１６それぞれが取り付けられている。なおＲＦ印加電極１２には、外周電極１４が取り付けられている面とは反対側の面及び側面に、ＲＦシールド１９が絶縁材１９ａを介して取り付けられている。 The upper electrode 10 includes an RF application electrode 12 connected to an RF matcher 34 as shown in FIGS. The RF application electrode 12 has a substantially disk-shaped portion. Each of the outer electrode 14 and the internal electrode 16 is attached to the surface of the portion facing the counter earth electrode 20. Note that an RF shield 19 is attached to the RF application electrode 12 via an insulating material 19a on the surface and the side opposite to the surface on which the outer peripheral electrode 14 is attached.

外周電極１４はプラスチック容器２の外側面を囲むための電極であり、ボルト１５によりＲＦ印加電極１２に着脱可能に取り付けられている。外周電極１４の平面形状はＲＦ印加電極１２の略円板状の部分と略同じである。
また外周電極１４における対向アース電極２０と向き合う面には略円柱状の貫通穴１４ａが複数設けられている。貫通穴１４ａは内部電極１６、容器固定リング１７及びプラスチック容器２を内部に配置するためのものであり、その深さはプラスチック容器２の高さより例えば５０ｍｍほど深く、また水平方向の断面の大きさはプラスチック容器２の横断面より大きい。 The outer peripheral electrode 14 is an electrode for enclosing the outer surface of the plastic container 2, and is detachably attached to the RF application electrode 12 by a bolt 15. The planar shape of the outer peripheral electrode 14 is substantially the same as the substantially disk-shaped portion of the RF application electrode 12.
A plurality of substantially cylindrical through holes 14 a are provided on the surface of the outer peripheral electrode 14 facing the counter earth electrode 20. The through-hole 14a is for arranging the internal electrode 16, the container fixing ring 17 and the plastic container 2 therein, and the depth thereof is, for example, about 50 mm deeper than the height of the plastic container 2, and the size of the horizontal section. Is larger than the cross section of the plastic container 2.

内部電極１６はプラスチック容器２の内部に挿入される電極であり、プラスチック容器２の口及び首部２ａならびにその近傍に位置している。内部電極１６の側面は、プラスチック容器２の口及び首部２ａならびにその近傍の内面に略沿う形状を有している。すなわち、プラスチック容器２の口及び首部２ａならびにその近傍の内面から略等距離の表面を有する。内部電極１６の表面はプラスチック容器２の口及び首部２ａならびにその近傍の内面形状に略相似形であっても良い。
なお内部電極１６は内部電極１６の底面及びＲＦ印加電極１２それぞれに形成されている雌ネジ孔（図示せず）にビスを通すことにより、ＲＦ印加電極１２に固定されている。 The internal electrode 16 is an electrode inserted into the plastic container 2 and is located in the mouth and neck 2a of the plastic container 2 and in the vicinity thereof. The side surface of the internal electrode 16 has a shape substantially along the mouth and neck 2a of the plastic container 2 and the inner surface in the vicinity thereof. That is, it has a surface that is substantially equidistant from the mouth and neck 2a of the plastic container 2 and the inner surface in the vicinity thereof. The surface of the internal electrode 16 may be substantially similar to the mouth and neck 2a of the plastic container 2 and the inner surface shape in the vicinity thereof.
The internal electrode 16 is fixed to the RF application electrode 12 by passing screws through female screw holes (not shown) formed in the bottom surface of the internal electrode 16 and the RF application electrode 12, respectively.

容器固定リング１７は、中心部に位置する空洞部１７ｂにプラスチック容器２の首部２ａを嵌め込んだ状態で、貫通穴１４ａ内部に差し込まれてＲＦ印加電極１２に取り付けられる。詳細には、図２に示すように、容器固定リング１７は２つのリング分割材１７ａから構成される。それぞれのリング分割材１７ａはリングを略２等分した形状であるが、２つのリング分割材１７ａを組み合わせたときにはリングを形成しつつ該リングの側面に隙間１７ｃが形成されるようになっている。この隙間１７ｃを介して空洞部１７ｂは容器固定リング１７側面から外部に開放されている。 The container fixing ring 17 is inserted into the through hole 14a and attached to the RF application electrode 12 with the neck 2a of the plastic container 2 fitted in the cavity 17b located in the center. Specifically, as shown in FIG. 2, the container fixing ring 17 is composed of two ring dividing members 17a. Each of the ring dividing members 17a has a shape obtained by dividing the ring into approximately two equal parts. When the two ring dividing members 17a are combined, a gap 17c is formed on the side surface of the ring while forming the ring. . The cavity 17b is opened to the outside from the side surface of the container fixing ring 17 through the gap 17c.

またリング分割材１７ａの内周面には凸部１７ｄが設けられている。リング分割材１７ａの内周面がプラスチック容器２を挟み込む際、凸部１７ｄは首部２ａに嵌る。このため、プラスチック容器２は貫通穴１４ａから抜けなくなる。なおリング分割材１７ａをＲＦ印加電極１２に取り付ける際にはボルト１８を用いている。 Further, a convex portion 17d is provided on the inner peripheral surface of the ring dividing member 17a. When the inner peripheral surface of the ring dividing member 17a sandwiches the plastic container 2, the convex portion 17d fits into the neck portion 2a. For this reason, the plastic container 2 cannot be removed from the through hole 14a. A bolt 18 is used when attaching the ring dividing member 17 a to the RF application electrode 12.

次に、図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて容器の外表面にＤＬＣ膜を成膜する方法の一例について説明する。本例において上部電極１０の外周電極１４と対向アース電極２０の間隔は例えば３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。
まず真空ポンプと真空チャンバーの間に位置する真空バルブを閉じ、リーク弁を開くことにより真空チャンバーを大気開放する。次いでボルト１８及び容器固定リング１７をＲＦ印加電極１２から取り外す。そして容器固定リング１７のリング分割材１７ａの内側面でプラスチック容器２を挟み込み、プラスチック容器２の首部２ａに凸部１７ｄを嵌め込んだ状態で、容器固定リング１７及びボルト１８をＲＦ印加電極１２に取り付ける。このとき内部電極１６は空洞部１７ｂに挿通され、プラスチック容器２の内部に挿入され、口及び首部２ａならびにその近傍に位置する。 Next, an example of a method for forming a DLC film on the outer surface of the container using the CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 will be described. In this example, the distance between the outer peripheral electrode 14 of the upper electrode 10 and the counter earth electrode 20 is, for example, 30 mm or more and 50 mm or less.
First, the vacuum valve located between the vacuum pump and the vacuum chamber is closed, and the leak chamber is opened to open the vacuum chamber to the atmosphere. Next, the bolt 18 and the container fixing ring 17 are removed from the RF application electrode 12. Then, the plastic container 2 is sandwiched by the inner surface of the ring dividing member 17a of the container fixing ring 17, and the container fixing ring 17 and the bolt 18 are attached to the RF application electrode 12 in a state where the convex portion 17d is fitted into the neck 2a of the plastic container 2. Install. At this time, the internal electrode 16 is inserted into the hollow portion 17b, inserted into the plastic container 2, and located in the mouth and neck portion 2a and in the vicinity thereof.

次いでリーク弁を閉じて真空バルブを開くことにより、真空チャンバーの内部を排気する。このとき容器固定リング１７の隙間１７ｃを介して空洞部１７ｂ及びプラスチック容器２の内部も排気される。そして、真空チャンバー内部が０．２Torr程度の真空状態になったとき、出発原料であるトルエンを気化させ、この気化したトルエンをマスフローコントローラーによって流量制御して配管２２及び対向アース電極２０のシャワーヘッドに流す。これにより、外周電極１４と対向アース電極２０の間にトルエンが導入され、プラスチック容器２の外表面近傍にトルエンが供給される。そして真空チャンバー内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、数秒程度で定常状態となり、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０５〜０．２Torr程度）に保たれる。 Next, the inside of the vacuum chamber is evacuated by closing the leak valve and opening the vacuum valve. At this time, the cavity 17 b and the inside of the plastic container 2 are also exhausted through the gap 17 c of the container fixing ring 17. When the inside of the vacuum chamber is in a vacuum state of about 0.2 Torr, the starting material toluene is vaporized, and the flow rate of this vaporized toluene is controlled by the mass flow controller to the pipe 22 and the shower head of the counter earth electrode 20. Shed. Thereby, toluene is introduced between the outer peripheral electrode 14 and the counter earth electrode 20, and toluene is supplied near the outer surface of the plastic container 2. The inside of the vacuum chamber becomes a steady state in about several seconds due to the balance between the controlled gas flow rate and the exhaust capability, and is maintained at a pressure suitable for DLC film formation (for example, about 0.05 to 0.2 Torr).

この後、高周波電源３２からＲＦ整合器３４を介して上部電極１０のＲＦ印加電極１２にＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。ＲＦ出力は例えば５００Ｗ以上２０００Ｗ以下である。このＲＦ出力はＲＦ印加電極１２から外周電極１４及び内部電極１６に伝達する。これにより、外周電極１４及び内部電極１６と対向アース電極２０の間の空間にプラズマが発生し、プラスチック容器２の外表面に硬質アモルファスカーボン膜（ＤＬＣ膜）が成膜される。このとき、ＲＦ整合器３４は、上部電極１０及び対向アース電極２０のインピーダンスを、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによって調整している。 Thereafter, an RF output (for example, 13.56 MHz) is supplied from the high frequency power supply 32 to the RF application electrode 12 of the upper electrode 10 via the RF matching unit 34. The RF output is, for example, 500 W or more and 2000 W or less. This RF output is transmitted from the RF application electrode 12 to the outer peripheral electrode 14 and the internal electrode 16. Thereby, plasma is generated in the space between the outer peripheral electrode 14 and the internal electrode 16 and the counter earth electrode 20, and a hard amorphous carbon film (DLC film) is formed on the outer surface of the plastic container 2. At this time, the RF matching unit 34 adjusts the impedance of the upper electrode 10 and the counter earth electrode 20 by the inductance L and the capacitance C.

成膜時にプラスチック容器２の外表面にかかるバイアスが不十分だと、外表面近傍のプラズマ密度が低くなるため、成膜したＤＬＣ膜の色は薄くなり、遮光性が悪くなる。バイアスが十分にかかると、外表面近傍のプラズマ密度が高くなるため、成膜したＤＬＣ膜は濃い茶色になり、紫外線を十分に遮光する。 If the bias applied to the outer surface of the plastic container 2 is insufficient at the time of film formation, the plasma density in the vicinity of the outer surface is lowered, so that the color of the formed DLC film becomes light and the light shielding property is deteriorated. When the bias is sufficiently applied, the plasma density in the vicinity of the outer surface is increased, so that the formed DLC film is dark brown and sufficiently shields the ultraviolet rays.

これに対し、本実施の形態では、プラスチック容器２の外側面は外周電極１４によって囲まれているため、プラスチック容器２の外表面（特に外側面）にはバイアスが均一かつ十分にかかりやすくなる。特に本実施の形態においてはプラスチック容器２の内部に内部電極１６を挿入しているため、バイアスはプラスチック容器２の外表面にさらに均一かつ十分にかかりやすくなる。このため、プラスチック容器２の外表面の近傍においてプラズマは広がらずに密度が高く且つ均一になる。従って、成膜したＤＬＣ膜は紫外線を十分に遮光し、透明性も有する。また、成膜したＤＬＣ膜は、均一性が増すと共に、Ｏ_２又はＨ_２Ｏに対するバリア性を有する。 On the other hand, in the present embodiment, since the outer surface of the plastic container 2 is surrounded by the outer peripheral electrode 14, the outer surface (particularly the outer surface) of the plastic container 2 is easily and uniformly biased. In particular, in the present embodiment, since the internal electrode 16 is inserted into the plastic container 2, the bias is more easily and sufficiently applied to the outer surface of the plastic container 2. For this reason, the plasma does not spread in the vicinity of the outer surface of the plastic container 2, and the density becomes high and uniform. Therefore, the formed DLC film sufficiently shields ultraviolet rays and has transparency. Further, the formed DLC film has a higher uniformity and a barrier property against O ₂ or H ₂ O.

ここで外周電極１４及び内部電極１６それぞれとプラスチック容器２の距離が近すぎるとプラスチック容器２にバイアスがかかりすぎるため、ＤＬＣ膜は硬くなって剥がれやすくなる。また、内部電極１６とプラスチック容器２の距離が遠すぎるとプラスチック容器２にバイアスがかかりにくくなるため、ＤＬＣ膜の遮光性は低下する。このため外周電極１４及び内部電極１６それぞれとプラスチック容器２の距離は適宜調節するのが好ましい。例えば外周電極１４とプラスチック容器２の距離は、例えば１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下が好ましい。 Here, if the distance between the outer peripheral electrode 14 and the inner electrode 16 and the plastic container 2 is too close, the plastic container 2 is excessively biased, so that the DLC film becomes hard and easily peeled off. In addition, if the distance between the internal electrode 16 and the plastic container 2 is too long, the plastic container 2 is hardly biased, so that the light shielding property of the DLC film is lowered. For this reason, it is preferable that the distance between the outer peripheral electrode 14 and the inner electrode 16 and the plastic container 2 is appropriately adjusted. For example, the distance between the outer peripheral electrode 14 and the plastic container 2 is preferably 10 mm or more and 20 mm or less, for example.

なお、プラスチック容器２の温度が上昇することを防ぐためには、成膜を間欠的に繰り返し行うのが好ましい。例えば上部電極１０にＲＦ出力を１０〜３００秒間入力して成膜を行った後、１〜５分ほどＲＦ出力を停止する。これを必要回数（例えば１０〜５０回）繰り返すことにより、必要な膜厚のＤＬＣ膜を成膜することができる。 In order to prevent the temperature of the plastic container 2 from rising, it is preferable to repeat the film formation intermittently. For example, after RF film is input to the upper electrode 10 for 10 to 300 seconds to form a film, the RF power is stopped for about 1 to 5 minutes. By repeating this a required number of times (for example, 10 to 50 times), a DLC film having a required thickness can be formed.

成膜が終了すると、真空ポンプと真空チャンバーの間の真空バルブを閉じ、リーク弁を開いて真空チャンバーを大気開放する。そして前述した成膜方法を繰り返すことにより、複数のプラスチック容器２の外表面にＤＬＣ膜が成膜される。 When film formation is completed, the vacuum valve between the vacuum pump and the vacuum chamber is closed, the leak valve is opened, and the vacuum chamber is opened to the atmosphere. Then, the DLC film is formed on the outer surfaces of the plurality of plastic containers 2 by repeating the film forming method described above.

このようにして成膜されたＤＬＣ膜は、紫外線に対する遮光性及び及び透明性の双方が良くなる。また、このＤＬＣ膜は、Ｏ_２又はＨ_２Ｏに対するバリア性を有し、プラスチックへの密着性も良い。具体的には、成膜されたＤＬＣ膜において、波長４５０ｎｍの光が透過する透過率は２．０％以下であり、厚さが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となる。この膜は、プラスチック容器２にオートクレープ処理（１２１℃，３０分間）を行っても剥離しない。 The DLC film thus formed improves both the light shielding property and the transparency to ultraviolet rays. In addition, this DLC film has a barrier property against O ₂ or H ₂ O and has good adhesion to plastic. Specifically, in the formed DLC film, the transmittance of light having a wavelength of 450 nm is 2.0% or less, and the thickness is 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. This film does not peel even if the plastic container 2 is subjected to autoclave treatment (121 ° C., 30 minutes).

以上のとおり上記実施の形態１によれば、プラスチック容器２の外側面を外周電極１４で囲み、かつプラスチック容器２の口及び首部２ａの内部に内部電極１６を位置させ、外周電極１４及び内部電極１６にＲＦ出力を入力して、トルエンを出発原料としたプラズマを発生させることにより、波長４５０ｎｍの光が透過する透過率は２．０％以下であり、厚さが０．５μｍ以上５．０μｍ以下のＤＬＣ膜を成膜することができる。このＤＬＣ膜は、濃い茶色であるため紫外線に対する遮光性がよく、透明性も有する。また、厚さも必要以上に厚くないため、プラスチックへの密着性もよい。 As described above, according to the first embodiment, the outer surface of the plastic container 2 is surrounded by the outer peripheral electrode 14, and the inner electrode 16 is positioned inside the mouth and neck 2 a of the plastic container 2. By inputting an RF output to 16 and generating plasma using toluene as a starting material, the transmittance of light having a wavelength of 450 nm is 2.0% or less, and the thickness is 0.5 μm or more and 5.0 μm. The following DLC films can be formed. Since this DLC film is dark brown, it has a good light shielding property against ultraviolet rays and also has transparency. Moreover, since the thickness is not thicker than necessary, the adhesion to the plastic is good.

図４は、上記実施の形態１による成膜装置を用いて外表面にＤＬＣ膜を成膜したプラスチック容器を示す外観写真である。この図からも実施の形態１による成膜装置で前述したようなＤＬＣ膜を成膜できることが確認された。 FIG. 4 is an external photograph showing a plastic container in which a DLC film is formed on the outer surface using the film forming apparatus according to the first embodiment. Also from this figure, it was confirmed that the DLC film as described above can be formed by the film forming apparatus according to the first embodiment.

（実施の形態２）
本実施の形態は、図１及び図２に示すＣＶＤ成膜装置を用いてＳｉＯ_２膜をプラスチック容器の外表面に成膜するものである。なお、ＣＶＤ成膜装置の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。 (Embodiment 2)
In this embodiment, a SiO ₂ film is formed on the outer surface of a plastic container using the CVD film forming apparatus shown in FIGS. Note that the structure of the CVD film forming apparatus is the same as that in Embodiment 1, and thus the description thereof is omitted.

以下、図１及び図２に示すＣＶＤ成膜装置を用いて容器の外表面にＳｉＯ_２膜を成膜する方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of a method for forming a SiO ₂ film on the outer surface of the container using the CVD film forming apparatus shown in FIGS. 1 and 2 will be described.

真空チャンバーの内部を排気するまでの操作は実施の形態１と同様である。次いで、真空チャンバー内部が０．２Torr程度の真空状態になったとき、出発原料であるＨＭＤＳ−Ｏ(HexaMethylDiSiloxiane)を気化させ、この気化したＨＭＤＳ−Ｏをマスフローコントローラーによって流量制御して配管２２及び対向アース電極２０のシャワーヘッドに流す。これにより、外周電極１４と対向アース電極２０の間にＨＭＤＳ−Ｏが導入され、プラスチック容器２の外表面近傍にＨＭＤＳ−Ｏが供給される。そして真空チャンバー内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、数秒程度で定常状態となり、ＳｉＯ_２膜の成膜に適した圧力（例えば０．０５〜０．２Torr程度）に保たれる。なお、ＨＭＤＳ−Ｏの化学式は下記のとおりである。 The operation until the inside of the vacuum chamber is evacuated is the same as in the first embodiment. Next, when the inside of the vacuum chamber is in a vacuum state of about 0.2 Torr, the starting material HMDS-O (HexaMethylDiSiloxiane) is vaporized, and the flow rate of the vaporized HMDS-O is controlled by the mass flow controller to face the piping 22 and the opposite side. It flows through the shower head of the ground electrode 20. Thereby, HMDS-O is introduced between the outer peripheral electrode 14 and the counter earth electrode 20, and HMDS-O is supplied near the outer surface of the plastic container 2. The inside of the vacuum chamber becomes a steady state in about several seconds due to the balance between the controlled gas flow rate and the exhaust capacity, and is maintained at a pressure suitable for the deposition of the SiO ₂ film (for example, about 0.05 to 0.2 Torr). . The chemical formula of HMDS-O is as follows.

なお、本実施の形態では、出発原料としてＨＭＤＳ−Ｏを用いているが、これに限定されるものではなく、他の出発原料、例えばＴＭＳ(TriMethoxySilane)又はＴＥＯＳ(TetraEthoxySilane)を用いることも可能である。ＴＭＳ及びＴＥＯＳそれぞれの化学式は下記のとおりである。 In this embodiment, HMDS-O is used as a starting material. However, the present invention is not limited to this, and other starting materials such as TMS (TriMethoxySilane) or TEOS (TetraEthoxySilane) can also be used. is there. The chemical formulas of TMS and TEOS are as follows.

この後、高周波電源３２からＲＦ整合器３４を介して上部電極１０のＲＦ印加電極１２にＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。このＲＦ出力はＲＦ印加電極１２から外周電極１４及び内部電極１６に伝達する。これにより、外周電極１４及び内部電極１６と対向アース電極２０の間の空間にプラズマが発生し、プラスチック容器２の外表面にＳｉＯ_２膜が成膜される。ＣＶＤ成膜時の反応は下記のとおりである。 Thereafter, an RF output (for example, 13.56 MHz) is supplied from the high frequency power supply 32 to the RF application electrode 12 of the upper electrode 10 via the RF matching unit 34. This RF output is transmitted from the RF application electrode 12 to the outer peripheral electrode 14 and the internal electrode 16. As a result, plasma is generated in the space between the outer peripheral electrode 14 and the internal electrode 16 and the counter earth electrode 20, and a SiO ₂ film is formed on the outer surface of the plastic container 2. The reaction during the CVD film formation is as follows.

(1)ＭＮＤＳ−Ｏが出発原料の場合
Si₂(CH₃)₆O＋24N₂O→2SiO₂＋6CO₂＋9H₂O＋24N₂
Si₂(CH₃)₆O＋12O₂→2SiO₂＋6CO₂＋9H₂O

(2)ＴＭＳが出発原料の場合
Si(OCH₃)₃H＋10N₂O→SiO₂＋3CO₂＋5H₂O＋10N₂
Si(OCH₃)₃H＋10O₂→SiO₂＋3CO₂＋5H₂O

(3)ＴＥＯＳが出発原料の場合
Si(OC₂H₅)₄＋24N₂O→SiO₂＋8CO₂＋10H₂O＋24N₂
Si(OC₂H₅)₄＋12O₂→SiO₂＋8CO₂＋10H₂O (1) When MNDS-O is the starting material
_{_{_{Si 2 (CH 3) 6 O}}} + 24N 2 O → 2SiO 2 + 6CO 2 + 9H 2 O + 24N 2
_{_{_{Si 2 (CH 3) 6 O}}} + 12O 2 → 2SiO 2 + 6CO 2 + 9H 2 O

(2) When TMS is the starting material
Si (OCH ₃ ) ₃ H + 10N ₂ O → SiO ₂ + 3CO ₂ + 5H ₂ O + 10N ₂
Si (OCH ₃ ) ₃ H + 10O ₂ → SiO ₂ + 3CO ₂ + 5H ₂ O

(3) When TEOS is the starting material
Si (OC ₂ H ₅ ) ₄ + 24N ₂ O → SiO ₂ + 8CO ₂ + 10H ₂ O + 24N ₂
Si (OC ₂ H ₅ ) ₄ + 12O ₂ → SiO ₂ + 8CO ₂ + 10H ₂ O

成膜時にプラスチック容器２の外表面にかかるバイアスが不十分だと、外表面近傍のプラズマ密度が低くなるため、成膜したＳｉＯ_２膜の紫外線に対する遮光性が悪くなる。バイアスが十分にかかると、外表面近傍のプラズマ密度が高くなるため、成膜したＳｉＯ_２膜は紫外線を十分に遮光する。 If the bias applied to the outer surface of the plastic container 2 during film formation is insufficient, the plasma density in the vicinity of the outer surface is lowered, so that the light shielding property against ultraviolet rays of the formed SiO ₂ film is deteriorated. When the bias is sufficiently applied, the plasma density in the vicinity of the outer surface is increased, so that the formed SiO ₂ film sufficiently shields ultraviolet rays.

これに対し、本実施の形態においても実施の形態１と同様の理由により、プラスチック容器２の外表面（特に外側面）にはバイアスが均一かつ十分にかかりやすくなる。このため、プラスチック容器２の外表面の近傍においてプラズマは広がらずに密度が高く且つ均一になる。従って、成膜したＳｉＯ_２膜は紫外線を十分に遮光し、透明性も有する。また、成膜したＤＬＣ膜は、均一性が増すと共に、Ｏ_２又はＨ_２Ｏに対するバリア性を有する。 On the other hand, even in the present embodiment, for the same reason as in the first embodiment, the outer surface (particularly the outer surface) of the plastic container 2 is easily and sufficiently biased. For this reason, the plasma does not spread in the vicinity of the outer surface of the plastic container 2, and the density becomes high and uniform. Therefore, the formed SiO ₂ film sufficiently shields ultraviolet rays and has transparency. Further, the formed DLC film has a higher uniformity and a barrier property against O ₂ or H ₂ O.

また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の理由により、外周電極１４及び内部電極１６それぞれとプラスチック容器２の距離は適宜調節するのが好ましい。例えば外周電極１４とプラスチック容器２の距離は、例えば１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下が好ましい。 Also in the present embodiment, for the same reason as in the first embodiment, it is preferable to appropriately adjust the distances between the outer peripheral electrode 14 and the inner electrode 16 and the plastic container 2. For example, the distance between the outer peripheral electrode 14 and the plastic container 2 is preferably 10 mm or more and 20 mm or less, for example.

なお、プラスチック容器２の温度が上昇することを防ぐためには、成膜を間欠的に繰り返し行うのが好ましい。例えば上部電極１０にＲＦ出力を１０〜３００秒間入力して成膜を行った後、１〜５分ほどＲＦ出力を停止する。これを必要回数（例えば１０〜５０回）繰り返すことにより、必要な膜厚のＳｉＯ_２膜を成膜することができる。 In order to prevent the temperature of the plastic container 2 from rising, it is preferable to repeat the film formation intermittently. For example, after RF film is input to the upper electrode 10 for 10 to 300 seconds to form a film, the RF power is stopped for about 1 to 5 minutes. By repeating this a required number of times (for example, 10 to 50 times), a SiO ₂ film having a required thickness can be formed.

成膜が終了すると、真空ポンプと真空チャンバーの間の真空バルブを閉じ、リーク弁を開いて真空チャンバーを大気開放する。そして前述した成膜方法を繰り返すことにより、複数のプラスチック容器２の外表面にＳｉＯ_２膜が成膜される。 When film formation is completed, the vacuum valve between the vacuum pump and the vacuum chamber is closed, the leak valve is opened, and the vacuum chamber is opened to the atmosphere. Then by repeating the film forming method described above, SiO ₂ film is formed into a plurality of outer surface of the plastic container 2.

このようにして成膜されたＳｉＯ_２膜は、紫外線に対する遮光性及び及び透明性の双方が良くなる。また、このＳｉＯ_２膜は、Ｏ_２又はＨ_２Ｏに対するバリア性を有し、プラスチックへの密着性も良い。具体的には、成膜されたＤＬＣ膜において、波長４５０ｎｍの光が透過する透過率は２．０％以下であり、厚さが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となる。この膜は、プラスチック容器２にオートクレープ処理（１２１℃，３０分間）を行っても剥離しない。 The SiO ₂ film thus formed improves both the light shielding property against ultraviolet rays and the transparency. Further, this SiO ₂ film has a barrier property against O ₂ or H ₂ O and has good adhesion to plastic. Specifically, in the formed DLC film, the transmittance of light having a wavelength of 450 nm is 2.0% or less, and the thickness is 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. This film does not peel even if the plastic container 2 is subjected to autoclave treatment (121 ° C., 30 minutes).

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、原料供給機構の構成は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更して実施することも可能である。
また、上記実施の形態では、内部電極をプラスチック容器の口及び首部の内部に位置させているが、内部電極はプラスチック容器の首部内の一部又は口の内部に位置するものであっても良い。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. For example, the configuration of the raw material supply mechanism is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with appropriate modifications.
Moreover, in the said embodiment, although the internal electrode is located inside the opening | mouth and neck part of a plastic container, an internal electrode may be located in a part in the neck part of a plastic container, or the inside of a mouth | mouth. .

実施の形態に用いるＣＶＤ成膜装置を模式的に示す構成図である。It is a block diagram which shows typically the CVD film-forming apparatus used for embodiment. ＣＶＤ成膜装置の上部電極を、一部を分解して示す斜視図である。It is a perspective view which decomposes | disassembles and shows the upper electrode of a CVD film-forming apparatus. 従来のＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the conventional CVD apparatus. 実施の形態１による成膜装置を用いて外表面にＤＬＣ膜を成膜したプラスチック容器を示す外観写真である。2 is an appearance photograph showing a plastic container in which a DLC film is formed on the outer surface by using the film forming apparatus according to the first embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

２…プラスチック容器、２ａ…首部、１０…上部電極、１２…ＲＦ印加電極、１４…外周電極、１４ａ…貫通穴、１５…ボルト、１６…内部電極、１７…容器固定リング、１７ａ…リング分割材、１７ｂ…空洞部、１７ｃ…隙間、１７ｄ…凸部、１８…ボルト、１９…ＲＦシールド、１９ａ…絶縁材、２０…対向アース電極（下部電極）、２２…配管、３２…高周波電源、３４…ＲＦ整合器、１０３…外部電極、１０６…真空チャンバー、１０８…ペットボトル、１０９…内部電極、１０９ａ…ガス吹き出し口、１１４…マッチングボックス、１１５…ＲＦ電源、１１６…三方弁、１１９…マスフローコントローラー、１２０…出発原料発生源、１２１…真空ポンプ、１２８…真空バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Plastic container, 2a ... Neck part, 10 ... Upper electrode, 12 ... RF application electrode, 14 ... Peripheral electrode, 14a ... Through-hole, 15 ... Bolt, 16 ... Internal electrode, 17 ... Container fixing ring, 17a ... Ring division material , 17b ... hollow part, 17c ... gap, 17d ... convex part, 18 ... bolt, 19 ... RF shield, 19a ... insulating material, 20 ... opposing ground electrode (lower electrode), 22 ... piping, 32 ... high frequency power supply, 34 ... RF matching unit 103 ... external electrode 106 ... vacuum chamber 108 ... plastic bottle 109 ... internal electrode 109a ... gas outlet 114 ... matching box 115 ... RF power source 116 ... three-way valve 119 mass flow controller 120 ... Starting material generation source, 121 ... Vacuum pump, 128 ... Vacuum valve

Claims

容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とするＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜。 An outer peripheral electrode is disposed so as to surround the outer surface of the container, and a DLC film or SiO ₂ film is formed on the outer surface of the container by a plasma CVD method while supplying a starting material to the outer surface of the container. film.

容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とするＤＬＣ膜又はＳｉＯ_２膜。 An outer peripheral electrode is disposed so as to surround the outer surface of the container, an electrode is disposed on the inner side of the mouth or neck of the container, and a starting material is supplied to the outer surface of the container by plasma CVD method on the outer surface of the container. A DLC film or a SiO ₂ film characterized by being formed.

容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする容器。 A container, wherein an outer peripheral electrode is disposed so as to surround an outer surface of the container, and a film is formed on the outer surface by a plasma CVD method while supplying a starting material to the outer surface of the container.

容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマＣＶＤ法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする容器。 An outer peripheral electrode is arranged so as to surround the outer surface of the container, an electrode is arranged inside the mouth or neck of the container, and a film is formed on the outer surface by plasma CVD while supplying starting materials to the outer surface of the container. A container characterized by being filmed.

容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 A CVD film forming apparatus for forming a film on the outer surface of a container by a plasma CVD method,
An outer peripheral electrode disposed so as to surround the outer surface of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
A CVD film forming apparatus comprising:

首部を有する容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の首部の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 A CVD film forming apparatus for forming a film by plasma CVD on an outer surface of a container having a neck,
An electrode disposed inside the neck of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
A CVD film forming apparatus comprising:

前記電極は、前記容器の前記首部の内面形状に略相似形の表面を有することを特徴とする請求項６に記載のＣＶＤ成膜装置。 The CVD film forming apparatus according to claim 6, wherein the electrode has a surface substantially similar to an inner surface shape of the neck of the container.

前記電極は、前記容器の前記首部の内面から略等距離の表面を有することを特徴とする請求項６に記載のＣＶＤ成膜装置。 The CVD film forming apparatus according to claim 6, wherein the electrode has a surface that is substantially equidistant from the inner surface of the neck of the container.

容器の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、
前記容器の口の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 A CVD film forming apparatus for forming a film on the outer surface of a container by a plasma CVD method,
An electrode disposed inside the mouth of the container;
A raw material supply mechanism for supplying a starting raw material to the outer surface of the container;
A CVD film forming apparatus comprising:

前記電極は、前記容器の前記口の内面形状に略相似形の表面を有することを特徴とする請求項９に記載のＣＶＤ成膜装置。 10. The CVD film forming apparatus according to claim 9, wherein the electrode has a surface that is substantially similar to an inner surface shape of the mouth of the container.

前記電極は、前記容器の前記口の内面から略等距離の表面を有することを特徴とする請求項９に記載のＣＶＤ成膜装置。 The CVD film forming apparatus according to claim 9, wherein the electrode has a surface substantially equidistant from an inner surface of the mouth of the container.

前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極をさらに具備する請求項６乃至１１のいずれか一項に記載のＣＶＤ成膜装置。 The CVD film-forming apparatus as described in any one of Claims 6 thru | or 11 further equipped with the outer periphery electrode arrange | positioned so that the outer surface of the said container may be enclosed.