JP2006176865A - DLC膜又はSiO2膜、容器及びCVD成膜装置 - Google Patents
DLC膜又はSiO2膜、容器及びCVD成膜装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るCVD成膜装置は、容器2の外表面にプラズマCVD法により膜を成膜する装置であって、容器2の外側面を囲むように配置された外周電極14と、容器2の外表面に出発原料を供給する原料供給機構22とを具備する。容器2の首部2aの内側に配置された電極16を更に備えてもよい。この場合、電極16は、容器2の首部2a又は口の内面形状に略相似形の表面を有するのが好ましい。また容器2の首部2a又は口の内面から略等距離の表面を有することも好ましい。
【選択図】 図1
Description
DLC膜は、炭素間のSP3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフォロジを有する硬質炭素膜である。DLC膜を成膜する出発原料としては炭化水素系ガスを用い、Si含有DLC膜を成膜する出発原料としてはSi含有炭化水素系ガスを用いる。
前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。
前記容器の首部の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。
前記容器の口の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とする。
また、出発原料は、トルエン、TMS、TEOS又はHMDS−Oを用いることも可能である。この場合、容器の外表面に、紫外線に対する遮光性及び透明性を有するDLC膜又はSiO2膜を成膜することが可能となる。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるCVD成膜装置を模式的に示す構成図であり、図2は、図1に示すCVD成膜装置の上部電極を、一部を分解して示す斜視図である。
また外周電極14における対向アース電極20と向き合う面には略円柱状の貫通穴14aが複数設けられている。貫通穴14aは内部電極16、容器固定リング17及びプラスチック容器2を内部に配置するためのものであり、その深さはプラスチック容器2の高さより例えば50mmほど深く、また水平方向の断面の大きさはプラスチック容器2の横断面より大きい。
なお内部電極16は内部電極16の底面及びRF印加電極12それぞれに形成されている雌ネジ孔(図示せず)にビスを通すことにより、RF印加電極12に固定されている。
まず真空ポンプと真空チャンバーの間に位置する真空バルブを閉じ、リーク弁を開くことにより真空チャンバーを大気開放する。次いでボルト18及び容器固定リング17をRF印加電極12から取り外す。そして容器固定リング17のリング分割材17aの内側面でプラスチック容器2を挟み込み、プラスチック容器2の首部2aに凸部17dを嵌め込んだ状態で、容器固定リング17及びボルト18をRF印加電極12に取り付ける。このとき内部電極16は空洞部17bに挿通され、プラスチック容器2の内部に挿入され、口及び首部2aならびにその近傍に位置する。
本実施の形態は、図1及び図2に示すCVD成膜装置を用いてSiO2膜をプラスチック容器の外表面に成膜するものである。なお、CVD成膜装置の構成は実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
Si2(CH3)6O+24N2O→2SiO2+6CO2+9H2O+24N2
Si2(CH3)6O+12O2→2SiO2+6CO2+9H2O
(2)TMSが出発原料の場合
Si(OCH3)3H+10N2O→SiO2+3CO2+5H2O+10N2
Si(OCH3)3H+10O2→SiO2+3CO2+5H2O
(3)TEOSが出発原料の場合
Si(OC2H5)4+24N2O→SiO2+8CO2+10H2O+24N2
Si(OC2H5)4+12O2→SiO2+8CO2+10H2O
また、上記実施の形態では、内部電極をプラスチック容器の口及び首部の内部に位置させているが、内部電極はプラスチック容器の首部内の一部又は口の内部に位置するものであっても良い。
Claims (12)
- 容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマCVD法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とするDLC膜又はSiO2膜。
- 容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマCVD法により前記容器の外表面に成膜されたことを特徴とするDLC膜又はSiO2膜。
- 容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマCVD法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする容器。
- 容器の外側面を囲むように外周電極を配置し、前記容器の口又は首部の内側に電極を配置し、前記容器の外表面に出発原料を供給しながらプラズマCVD法により膜が外表面に成膜されたことを特徴とする容器。
- 容器の外表面にプラズマCVD法により膜を成膜するCVD成膜装置であって、
前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするCVD成膜装置。 - 首部を有する容器の外表面にプラズマCVD法により膜を成膜するCVD成膜装置であって、
前記容器の首部の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするCVD成膜装置。 - 前記電極は、前記容器の前記首部の内面形状に略相似形の表面を有することを特徴とする請求項6に記載のCVD成膜装置。
- 前記電極は、前記容器の前記首部の内面から略等距離の表面を有することを特徴とする請求項6に記載のCVD成膜装置。
- 容器の外表面にプラズマCVD法により膜を成膜するCVD成膜装置であって、
前記容器の口の内側に配置された電極と、
前記容器の外表面に出発原料を供給する原料供給機構と、
を具備することを特徴とするCVD成膜装置。 - 前記電極は、前記容器の前記口の内面形状に略相似形の表面を有することを特徴とする請求項9に記載のCVD成膜装置。
- 前記電極は、前記容器の前記口の内面から略等距離の表面を有することを特徴とする請求項9に記載のCVD成膜装置。
- 前記容器の外側面を囲むように配置された外周電極をさらに具備する請求項6乃至11のいずれか一項に記載のCVD成膜装置。
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