JP2017123388A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1の水素バリア膜と、
前記第1の水素バリア膜上の下部電極と、
前記下部電極上の強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上の上部電極と、
前記上部電極、前記強誘電体膜及び前記下部電極を上方及び側方から覆う第2の水素バリア膜と、
前記第1の水素バリア膜の下方の導電プラグと、
を有し、
前記下部電極の下面は前記第1の水素バリア膜の上面と接し、
前記第1の水素バリア膜に前記導電プラグを露出する開口部が形成されており、前記下部電極は前記開口部に入り込んで前記導電プラグと接していることを特徴とする半導体装置。
前記第2の水素バリア膜は、前記上部電極の上面及び側面、前記強誘電体膜の側面及び前記下部電極の側面と接することを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
前記第2の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
導電プラグ上に第1の水素バリア膜を形成する工程と、
前記第1の水素バリア膜に前記導電プラグを露出する開口部を形成する工程と、
前記第1の水素バリア膜上に前記開口部に入り込んで前記導電プラグと接する下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
前記上部電極、前記強誘電体膜及び前記下部電極を上方及び側方から覆う第2の水素バリア膜を形成する工程と、
を有し、
前記下部電極の下面は前記第1の水素バリア膜の上面と接することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第2の水素バリア膜を、前記上部電極の上面及び側面、前記強誘電体膜の側面及び前記下部電極の側面と接するように形成することを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする付記5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする付記5乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
101:強誘電体キャパシタ
102:スイッチング素子
132:導電プラグ
133、135:水素バリア膜
141:下部電極
142:強誘電体膜
143:上部電極
Claims (8)
- 第1の水素バリア膜と、
前記第1の水素バリア膜上の下部電極と、
前記下部電極上の強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上の上部電極と、
前記上部電極、前記強誘電体膜及び前記下部電極を上方及び側方から覆う第2の水素バリア膜と、
前記第1の水素バリア膜の下方の導電プラグと、
を有し、
前記下部電極の下面は前記第1の水素バリア膜の上面と接し、
前記第1の水素バリア膜に前記導電プラグを露出する開口部が形成されており、前記下部電極は前記開口部に入り込んで前記導電プラグと接していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の水素バリア膜は、前記上部電極の上面及び側面、前記強誘電体膜の側面及び前記下部電極の側面と接することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第2の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 導電プラグ上に第1の水素バリア膜を形成する工程と、
前記第1の水素バリア膜に前記導電プラグを露出する開口部を形成する工程と、
前記第1の水素バリア膜上に前記開口部に入り込んで前記導電プラグと接する下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
前記上部電極、前記強誘電体膜及び前記下部電極を上方及び側方から覆う第2の水素バリア膜を形成する工程と、
を有し、
前記下部電極の下面は前記第1の水素バリア膜の上面と接することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の水素バリア膜を、前記上部電極の上面及び側面、前記強誘電体膜の側面及び前記下部電極の側面と接するように形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の水素バリア膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、酸化チタン膜及び酸化タンタル膜からなる群から選択された少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016001152A JP2017123388A (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016001152A JP2017123388A (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2017123388A true JP2017123388A (ja) | 2017-07-13 |
Family
ID=59305958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016001152A Pending JP2017123388A (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2017123388A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022084795A1 (ja) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 強誘電体デバイス、および半導体装置 |
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2016
- 2016-01-06 JP JP2016001152A patent/JP2017123388A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2022084795A1 (ja) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 強誘電体デバイス、および半導体装置 |
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