JP2006137966A - スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ターゲット2の外周端部とアースシールド11Bの間にシールド11Aを設置し、このシールド11Aとアースの間にインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整回路13を設ける。この構成により、プラズマ中よりシールド11Aに流れる電流を制御して、放電を維持しつつ、プラズマの電位差を過剰に大きくすることなく成膜することが可能になり、ターゲット2の外周端部まで効果的に侵食させることができる。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の概略構成図である。
図7は本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置の概略構成図である。なお、図7において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、詳しい説明を省略する。
図8は本発明の実施の形態3におけるスパッタリング装置の概略構成図である。
2 ターゲット
3 バッキングプレート
4 磁気回路
5 基板
6 ガス導入装置
7 排気装置
8 排気口
9 バルブ
10 防着板
11A シールド
11B アースシールド
12 電源
13 インピーダンス調整回路
14 直流電源
15 Vdcモニタ
16 制御回路
17 ターゲット侵食部
Claims (8)
- 容器内にターゲットを設置し、前記容器内部にプラズマを発生させて処理対象物に薄膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲットの周辺に設置され、ターゲットと略平行である面を少なくとも1つ有するシールドに、インピーダンスを制御するための電気回路を接続したことを特徴とするスパッタリング装置。
- 容器内にターゲットを設置し、前記容器内部にプラズマを発生させて処理対象物に薄膜を形成するスパッタリング装置において、インピーダンスを制御するための電気回路が接続されたシールドを前記ターゲットの周辺に設置し、さらに前記シールドより外周側にアースシールドを設置したことを特徴とするスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの周辺に設置されインピーダンスを制御するための電気回路が接続されたシールドの表面を、前記ターゲットの表面よりも該ターゲットを支持するバッキングプレートに近い位置に配設したことを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの周辺に設置されインピーダンスを制御するための電気回路が接続されたシールドの外直径を、前記ターゲットの直径よりも40mm以上大きく設定したことを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの周辺に設置されたシールドのインピーダンスを制御するために接続された電気回路を、可変容量あるいは可変インダクタの少なくとも1つを含む構成としたことを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかに1項記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの周辺に設置されたシールドのインピーダンスを制御するために接続された電気回路に、直流電源を直列に接続したことを特徴とする請求項1〜5いずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記シールドに生じる直流電圧をモニタする手段を備えたことを特徴とする請求項1〜6いずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 請求項7に記載のスパッタリング装置に用いられるスパッタリング方法であって、インピーダンスを制御するための電気回路が接続されたシールドに生じる直流電圧をモニタしながら処理対象物に対する成膜を行い、前記電圧が略一定になるように前記電気回路のインピーダンスを制御することを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326379A JP4614220B2 (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004326379A JP4614220B2 (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006137966A true JP2006137966A (ja) | 2006-06-01 |
JP4614220B2 JP4614220B2 (ja) | 2011-01-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4614220B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101073557B1 (ko) | 2009-11-24 | 2011-10-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 스퍼터링 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016152089A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社アルバック | 高周波スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
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JPH10102234A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-21 | Canon Inc | スパッタ装置及び該装置を用いた成膜方法 |
JP2001035698A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置 |
JP2004277785A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
-
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US9034156B2 (en) | 2009-11-24 | 2015-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4614220B2 (ja) | 2011-01-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |