JPH07147200A - 高周波マグネトロンプラズマ装置 - Google Patents
高周波マグネトロンプラズマ装置Info
- Publication number
- JPH07147200A JPH07147200A JP5282723A JP28272393A JPH07147200A JP H07147200 A JPH07147200 A JP H07147200A JP 5282723 A JP5282723 A JP 5282723A JP 28272393 A JP28272393 A JP 28272393A JP H07147200 A JPH07147200 A JP H07147200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic shield
- plasma
- high frequency
- electrode
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
高めると共に、プラズマを精密に制御することが可能な
高周波マグネトロンプラズマ装置を提供することを目的
とする。 【構成】 本発明に係る高周波マグネトロンプラズマ装
置は、真空室101内に設けたプラズマ励起電極102
とこれに対向する電極109とを設け、プラズマ励起電
極の周囲に磁気シールド体105を配設し、さらにプラ
ズマ励起電極と対向電極との間のプラズマ励起周波数に
対するインピーダンスに比べ、プラズマ励起電極から磁
気シールド体を経て接地に至るプラズマ励起周波数に対
するインピーダンスを高くしたものであり、高周波電力
の磁気シールド体を介した漏洩を抑制することができ
る。
Description
ラズマ装置に係わり、詳細には、高周波マグネトロンプ
ラズマ装置に配置される磁気シールドの構成に関する。
の一例を図5に示す。図5の装置を用いてプラズマを励
起する場合、ガス導入管512及びガス排気口513を
有する真空室501にガスを導入し、高周波電源508
からマッチングボックス507を介して高周波電力をプ
ラズマ励起電極502に印加し、プラズマ励起電極50
2とサセプタ電極509間にプラズマを励起する。
め、プラズマ励起電極内部には磁石504が設置され、
さらに、磁界がプラズマ励起電極周辺部まで漏れプラズ
マがプラズマ励起電極周辺部に拡がるのを防ぐ目的で、
高透磁率材料からなる漏れ磁界防止用の磁気シールド5
05が設けられている。なお、サセプタ電極509はバ
ンドパスフィルタ510を介しアースされ、その途中に
サセプタ電流測定用の高周波電流計511が設けてあ
る。また、506は真空室501と上記電極間を絶縁す
る絶縁体である。
装置を用いてプラズマの精密制御を検討する過程で、本
発明者らは、ある圧力条件でサセプタ電極に流れる電流
が著しく減少することを発見した。即ち、RFパワーが
プラズマ空間に供給されず、プラズマを正確に制御でき
ないことを発見した。
ものであり、プラズマ装置のエネルギー効率を高めると
共に、プラズマを精密に制御することが可能な高周波マ
グネトロンプラズマ装置を提供することを目的とする。
ロンプラズマ装置は、サセプタ電極と、プラズマ励起電
極と、前記プラズマ励起電極に取り付けられた磁石と、
前記プラズマ励起電極の周囲に配置された磁気シールド
と、を真空室内に有する高周波マグネトロンプラズマ装
置であって、前記磁気シールドは高周波に対しては高い
インピーダンスを有することを特徴とする。
いるのが望ましく、また、インダクタンスを介して接地
されていることが望ましい。
されているため、プラズマ励起電極(スパッタの場合
は、更にターゲット)と磁気シールド間に形成される容
量を介して高周波電力がアースに漏れるという現象が起
こるが、磁気シールドを高周波に対してフローティング
状態に近づけることにより、高周波電力の磁気シールド
を介した漏洩を抑制することが可能となる。その結果、
高周波エネルギーの利用効率を大幅に改善できると共
に、外部から高周波電流を正確にモニタでき、プラズマ
を精密に制御することが可能となる。
ィング状態とすると、磁気シールド板が負の電位に自己
バイアスされることになり、その結果、磁気シールド材
がスパッタされ、プラズマ雰囲気及び基板等が汚染され
るため、直流的にはアースに落とすのが好ましい。しか
し、かかる汚染が特に問題とならない場合は、磁気シー
ルド板を直流及び高周波に対してフローティング状態と
しても良いことは言うまでもない 本発明の磁気シールドは、アース間との高周波インピー
ダンスが高いものであればいずれの構造のものを用いる
ことができる。望ましいインピーダンスは、装置の構造
によって異なるが、一般的には、1KΩ以上である。
に対して高インピーダンスとするには、例えば磁気シー
ルド自体を図4に示すように、切り欠きを入れた構造ま
たはメッシュ構造等とするか、あるいは磁気シールド板
をコイルを介して接地する方法、あるいはこれらを組み
合わせた構造とすれば良い。磁気シールドの材料として
は、透磁率の高い材料が好適に用いられ、例えばパーマ
ロイ、純鉄等が挙げられる。
としては、例えばスパッタ装置が挙げられるが、これに
限らず例えばエッチング装置、プラズマCVD装置等に
ついても同様の効果が得られる。
説明するが、本発明がこれら実施例に限定されることは
ない。 (実施例1)図1に示した高周波マグネトロンスパッタ
装置を用いて、高周波電力とサセプタ電極に流れる電流
との関係について調べた。
及び排気口113を有する真空室、102はプラズマ励
起電極、103は4インチ径ターゲット、104は磁
石、105は磁気シールド、106は絶縁体、107は
マッチングボックス、108は高周波電源である。10
9はサセプタ電極であり、高周波に対するバンドパスフ
ィルタ110を介してアースに接続されている。またサ
セプタ電極を流れる電流を測定するため高周波電流計
(Royal社製Royal−RF20)111を配置
した。
=1cm)のついた円筒状磁気シールド板(パーマロイ
製)105’を真空室101の上壁から所定の距離(t
=1cm)離して取り付け、コイル105”を介して真
空室101の上壁(アース)と接続されている。この構
造では、磁気シールド板と真空室上壁と間の容量Cはほ
ぼ3pFとなる。コイルのインダクタンスLは、並列共
振条件を満足するように決定した。即ち、高周波の周波
数13.56MHzに対して L=1/Cω2 =45μH とした。
を介してArガスを真空室101に導入し、真空室内部
に圧力を10mTorrに保った。次に高周波電源10
8から13.56MHzの高周波を種々の電力値でプラ
ズマ励起電極102に印加してプラズマを励起し、サセ
プタ電極109に流れる高周波電流を電流計111で測
定した。結果を図2に実線で示す。
に直接取り付け、直流及び高周波的にもアースとした図
5の装置を用いた従来例についても、同様にサセプタ電
流と高周波電力の関係を測定した。結果を図2に破線で
示す。図2が示すように、実施例及び従来例ともに、高
周波電力の増加に伴いサセプタ電流は増加するが、本実
施例では電流値は従来例に比べ明らかに大きな値となっ
ている。これは、本実施例の構造は、高周波電力が磁気
シールドを介して漏洩するのを抑制する効果があること
を示している。
ゲット103として4インチTa2O5を取り付け、Ta
2O5膜を200nm成膜した(試料1)。また、磁気シ
ールドとして、図1の磁気シールドのコイルを取り去
り、磁気シールド板と真空室壁間に石英板を挿入して、
直流及び高周波的にフローティングとした磁気シールド
を用いて、同様にしてTa2O5膜を200nm形成した
(試料2)。
絶縁耐圧を測定した。絶縁耐圧とその頻度を示すヒスト
グラムを図3に示す。ここで、絶縁耐圧は、膜間に電圧
を印加したとき,1A/cm2の電流が流れる電圧値で
定義した。図3が示すように、絶縁耐圧は、磁気シール
ドを直流及び高周波的にフローティングとした場合(図
3(b))よりも、直流的にはアースに落とした場合
(図3(a))の方が、絶縁耐圧は高くなることが分か
る。これは直流的にもフローティングになっていると、
磁気シールドが負のバイアス電位となり、スパッタされ
てTa2O5膜中に混入し、耐圧を下げたものと考えられ
る。
して13.56MHzを用いたが、本発明はこれに限る
ことはなく、1MHz〜3GHzの周波数でも、コイル
のインダクタンス等を適当に選択することにより、同様
な効果を得ることができる。
ピーダンスが高いので、磁気シールド板を通る高周波電
力の漏れを防止することができる。したがって、エネル
ギの使用効率が改善できる。また、外部からの高周波電
力を正確にモニタできることになり、プラズマ装置の精
密制御、膜の高品質化が可能となる。
示す概念図である。
フである。
る。
概念図である。
ラズマ装置に係わり、詳細には、高周波マグネトロンプ
ラズマ装置に配置される磁気シールド体の構成に関す
る。
の一例を図5に示す。図5の装置を用いてプラズマを励
起する場合、ガス導入管512及びガス排気口513を
有する真空室501にガスを導入し、高周波電源508
からマッチングボックス507を介して高周波電力をプ
ラズマ励起電極502に印加し、プラズマ励起電極50
2とサセプタ電極509間にプラズマを励起する。
め、プラズマ励起電極内部には磁石504が設置され、
さらに、磁界がプラズマ励起電極周辺部まで漏れプラズ
マがプラズマ励起電極周辺部に拡がるのを防ぐ目的で、
高透磁率材料からなる漏れ磁界防止用の筒状の磁気シー
ルド体505が設けられている。なお、プラズマ励起電
極502の対向電極としてのサセプタ電極509はバン
ドパスフィルタ510を介しアースされ、その途中にサ
セプタ電流測定用の高周波電流計511が設けてある。
また、506は真空室501と上記電極間を絶縁する絶
縁体である。
装置を用いてプラズマの精密制御を検討する過程で、本
発明者らは、ある圧力条件で発生したプラズマからサセ
プタ電極に流れる電流が著しく減少することを発見し
た。即ち、高周波パワーがプラズマ空間に供給されず、
プラズマを正確に制御できないことを発見した。
ものであり、プラズマ装置のエネルギー効率を高めると
共に、プラズマを精密に制御することが可能な高周波マ
グネトロンプラズマ装置を提供することを目的とする。
に、本発明に係る高周波マグネトロンプラズマ装置は、
真空室内にプラズマ励起電極とこれに対向する電極とを
設け、プラズマ励起電極の周囲に磁気シールド体を配設
し、プラズマ励起電極と対向電極との間のプラズマ励起
周波数に対するインピーダンスに比べ、プラズマ励起電
極から磁気シールド体を経て接地に至るプラズマ励起周
波数に対するインピーダンスを高くしたものである。
ることが望ましい。
ルド体を経て接地に至るプラズマ励起周波数に対するイ
ンピーダンスを高くするには、磁気シールド体を真空室
と電気的に絶縁して配設し、磁気シールド体をコイルを
介して真空室に接地する。
ルド体を経て接地に至るプラズマ励起周波数に対するイ
ンピーダンスを高くすることは、磁気シールド体を筒状
に形成し、磁気シールド体に軸線方向に延びる複数の切
り欠きを設けてこれら複数の切り欠き間の部分にインダ
クタンスを持たせることによっても達成できる。また、
これら切り欠きの代わりにメッシュ構造となした磁気シ
ールド体を使用しても良い。
磁気シールド体を真空室と電気的に絶縁させて配設しコ
イルを介して真空室に接地する場合においては、当該コ
イルをもって接地することによって達成できる。また筒
状磁気シールド体に切り欠き又はメッシュ構造を設けた
ものを使用する高周波マグネトロンプラズマ装置にあっ
ては、磁気シールド体が真空室に直接接地されているこ
とによって、あるいは磁気シールド体がコイルを介して
真空室に接地しても達成できる。
装置における磁気シールド体は透磁率の高い材料が好適
に用いられ、例えばパーマロイ、純鉄等が挙げられる。
室自体に直接接地されているため、プラズマ励起電極
(スパッタの場合は、更にターゲット)と磁気シールド
体との間に形成される容量を介して高周波電力がアース
に漏れるという現象が起こるが、本発明に係るプラズマ
装置においては磁気シールド体を高周波に対して電気的
にフローティング状態に近づけ、プラズマ励起電極から
磁気シールド体を経て接地に至るプラズマ励起周波数に
対するインピーダンスをプラズマ励起電極とその対向電
極との間のプラズマ励起周波数に対するインピーダンス
より高くすることにより、高周波電力の磁気シールド体
を介した漏洩を抑制することが可能となる。その結果、
高周波エネルギーの利用効率を大幅に改善でき、プラズ
マを精密に制御することが可能となる。
ィング状態、すなわち発生したプラズマが正の電位に、
一方磁気シールド体が負の電位になる状態になると、磁
気シールド体が負の電位に自己バイアスされることにな
り、その結果、磁気シールド材がスパッタされ、プラズ
マ雰囲気及び基板等が汚染されるため、直流的にはアー
スに落とすのが好ましい。従って上記本発明のように磁
気シールド材を直流的に接地すれば、磁気シールド体の
電位がゼロとなり、それ自体のスパッタを防止できる。
しかし、かかる汚染が特に問題とならない場合は、磁気
シールド体を直流及び高周波に対してフローティング状
態としても良いことは言うまでもない。
において、プラズマ励起電極から磁気シールド体を経て
接地に至るインピーダンスの望ましい値は、装置の構造
によって異なるが、一般的には1KΩ以上である。
としては、例えばスパッタ装置が挙げられるが、これに
限らず例えばエッチング装置、プラズマCVD装置等に
ついても同様の効果が得られる。
説明するが、本発明がこれら実施例に限定されることは
ない。 (実施例1)図1に示した高周波マグネトロンスパッタ
装置を用いて、高周波電力とサセプタ電極に流れる電流
との関係について調べた。
及び排気口113を有する真空室、102はプラズマ励
起電極、103は4インチ径ターゲット、104は磁
石、105は磁気シールド体、106は絶縁体、107
はマッチングボックス、108は高周波電源である。1
09はサセプタ電極であり、高周波に対するバンドパス
フィルタ110を介してアースに接続されている。また
サセプタ電極を流れる電流を測定するため高周波電流計
(Royal社製Royal−RF20機種)111を
配置した。
(d=1cm)のついた円筒状磁気シールド板(パーマ
ロイ製)であり、真空室101の上壁に不図示の石英板
等からなる絶縁体を介して所定の距離(t=1cm)離
して取り付けられ、コイル114を介して真空室101
の上壁(アース)と接続されている。この構造では、磁
気シールド体と真空室上壁と間の容量Cはほぼ3pFと
なる。コイルのインダクタンスLは、並列共振条件を満
足するように決定した。即ち、高周波の周波数13.5
6MHzに対して L=1/Cω2 =45μH とした。
を介してArガスを真空室101に導入し、真空室内部
に圧力を10mTorrに保った。次に高周波電源10
8から13.56MHzの高周波を種々の電力値でプラ
ズマ励起電極102に印加してプラズマを励起し、サセ
プタ電極109に流れる高周波電流を電流計111で測
定した。結果を図2に実線で示す。
空室上壁に直接取り付け、直流及び高周波的にもアース
とした図5の装置を用いた従来例についても、同様にサ
セプタ電流と高周波電力の関係を測定した。結果を図2
に破線で示す。図2が示すように、実施例及び従来例と
もに、高周波電力の増加に伴いサセプタ電流は増加する
が、本実施例では電流値は従来例に比べ明らかに大きな
値となっている。これは、本実施例の構造は、高周波電
力が磁気シールド体を介して漏洩するのを抑制する効果
があることを示している。
状態とした磁気シールド体を用いた場合との比較も行っ
た。
として4インチTa2O5を取り付け、Ta2O5膜を20
0nm成膜した(試料1)。また、図1のコイルを取り
去り、図1と同じ磁気シールド体と真空室壁間に石英板
を挿入して、直流及び高周波的にフローティングとした
磁気シールド体を用いて、同様にしてTa2O5膜を20
0nm形成した(試料2)。
絶縁耐圧を測定した。絶縁耐圧とその頻度を示すヒスト
グラムを図3に示す。ここで、絶縁耐圧は、膜間に電圧
を印加したとき,1A/cm2の電流が流れる電圧値で
定義した。
ルド体を直流及び高周波的にフローティングとした場合
(図3(b))よりも、直流的にはアースに落とした本
実施例の場合(図3(a))の方が、絶縁耐圧は高くな
ることが分かる。これは直流的にもフローティングにな
っていると、磁気シールドが負のバイアス電位となり、
スパッタされてTa2O5膜中に混入し、耐圧を下げたも
のと考えられる。
して13.56MHzを用いたが、本発明はこれに限る
ことはなく、1MHz〜3GHzの周波数でも、コイル
のインダクタンス等を適当に選択することにより、同様
な効果を得ることができる。
グネトロンプラズマ装置は、図4(a)または図4
(b)に示される円筒状の磁気シールド体401を図1
のようにプラズマ励起電極102の周りに配設し、直接
これら磁気シールド体をボルト等により真空室101の
上壁に取り付けた構造となっている。これら磁気シール
ド体はそれぞれ、軸線方向に延びる複数の切り欠き40
2を磁気シールド体401の周方向に並設し、これら複
数の切り欠き間に形成した磁気シールド体の部分がイン
ダクタンスを持つことにより、プラズマ励起電極102
から磁気シールド体401を経て接地に至るプラズマ励
起周波数に対するインピーダンスを高めることができ
る。
マ装置においては、プラズマ励起電極から磁気シールド
体を経てアースまでの間のプラズマ励起周波数に対する
インピーダンスがプラズマ励起電極とその対向電極との
間のプラズマ励起周波数に対するインピーダンスに比べ
て高いので、磁気シールド体を通る高周波電力の漏れを
防止することができる。その結果、エネルギの使用効率
が改善できる。
ニタできることになり、プラズマ装置の精密制御、膜の
高品質化が可能となる。また、磁気シールド体が直流的
に接地されているので、磁気シールド体が負の電位に自
己バイアスされることを防ぎ、磁気シールド材がスパッ
タ化されるのを防止できる。
示す概念図である。
フである。
る。
用いた磁気シールド体を示す概念図である。
概念図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 サセプタ電極と、プラズマ励起電極と、
前記プラズマ励起電極に取り付けられた磁石と、前記プ
ラズマ励起電極の周囲に配置された磁気シールドと、を
真空室内に有する高周波マグネトロンプラズマ装置であ
って、前記磁気シールドは、高周波に対して高いインピ
ーダンスを有することを特徴とする高周波マグネトロン
プラズマ装置。 - 【請求項2】 前記磁気シールドは、直流に対して接地
されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波マ
グネトロンプラズマ装置。 - 【請求項3】 前記磁気シールドは、インダクタンスを
介して接地されていることを特徴とする請求項2に記載
の高周波マグネトロンプラズマ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5282723A JP2592217B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
KR1019940028855A KR0137323B1 (ko) | 1993-11-11 | 1994-11-04 | 고주파 마그네트론 플라즈마 장치 |
US08/336,631 US5605576A (en) | 1993-11-11 | 1994-11-09 | High frequency magnetron plasma apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5282723A JP2592217B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07147200A true JPH07147200A (ja) | 1995-06-06 |
JP2592217B2 JP2592217B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17656210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5282723A Expired - Fee Related JP2592217B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5605576A (ja) |
JP (1) | JP2592217B2 (ja) |
KR (1) | KR0137323B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345337A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極装置及びスパッタリング装置 |
JP2006137966A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
US7323081B2 (en) | 2001-02-02 | 2008-01-29 | Canon Anelva Corporation | High-frequency plasma processing apparatus |
US7767056B2 (en) | 2003-01-14 | 2010-08-03 | Canon Anelva Corporation | High-frequency plasma processing apparatus |
JP2019052342A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
KR20230100969A (ko) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 피에스케이 주식회사 | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19540543A1 (de) * | 1995-10-31 | 1997-05-07 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens |
US6712019B2 (en) * | 1996-02-08 | 2004-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus having electrically insulated element that introduces power of 20-450MHz |
US6000360A (en) * | 1996-07-03 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5900284A (en) * | 1996-07-30 | 1999-05-04 | The Dow Chemical Company | Plasma generating device and method |
US5911832A (en) * | 1996-10-10 | 1999-06-15 | Eaton Corporation | Plasma immersion implantation with pulsed anode |
US6835279B2 (en) * | 1997-07-30 | 2004-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Plasma generation apparatus |
US6055929A (en) * | 1997-09-24 | 2000-05-02 | The Dow Chemical Company | Magnetron |
US6125789A (en) * | 1998-01-30 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor |
US6677711B2 (en) * | 2001-06-07 | 2004-01-13 | Lam Research Corporation | Plasma processor method and apparatus |
US6899787B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
TW200300649A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-01 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus, its driving method, matching circuit design system, and plasma processing method |
TW200300650A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-01 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus |
TWI239794B (en) * | 2002-01-30 | 2005-09-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
US6846396B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
KR100653073B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 기판처리장치와 기판처리방법 |
CN101970713B (zh) * | 2008-03-04 | 2012-08-29 | 国立大学法人东北大学 | 旋转磁铁溅射装置 |
US9567666B2 (en) * | 2009-01-12 | 2017-02-14 | Guardian Industries Corp | Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry |
KR20200098737A (ko) * | 2013-03-15 | 2020-08-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 챔버에서 튜닝 전극을 사용하여 플라즈마 프로파일을 튜닝하기 위한 장치 및 방법 |
US10032608B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for tuning electrode impedance for high frequency radio frequency and terminating low frequency radio frequency to ground |
US20230282466A1 (en) * | 2022-03-06 | 2023-09-07 | Scion Plasma Llc | Sputter magnetron for operating with other plasma sources |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269671A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Matsushita Electronics Corp | イメ−ジセンサ |
JPS6353264A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4155825A (en) * | 1977-05-02 | 1979-05-22 | Fournier Paul R | Integrated sputtering apparatus and method |
JPS58141433A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法 |
DE3852430T2 (de) * | 1987-06-16 | 1995-05-04 | Hitachi Ltd | Magnetron-Zerstäubungsgerät und Verfahren zur Anwendung desselben zur Schichtenherstellung. |
US4957605A (en) * | 1989-04-17 | 1990-09-18 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for sputter coating stepped wafers |
US5376211A (en) * | 1990-09-29 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus and processing method |
DE4230290A1 (de) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5282723A patent/JP2592217B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-04 KR KR1019940028855A patent/KR0137323B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-09 US US08/336,631 patent/US5605576A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269671A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Matsushita Electronics Corp | イメ−ジセンサ |
JPS6353264A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345337A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極装置及びスパッタリング装置 |
JP4489868B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | カソード電極装置及びスパッタリング装置 |
US7323081B2 (en) | 2001-02-02 | 2008-01-29 | Canon Anelva Corporation | High-frequency plasma processing apparatus |
US7767056B2 (en) | 2003-01-14 | 2010-08-03 | Canon Anelva Corporation | High-frequency plasma processing apparatus |
JP2006137966A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP4614220B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2019052342A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
KR20230100969A (ko) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 피에스케이 주식회사 | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2592217B2 (ja) | 1997-03-19 |
KR950016458A (ko) | 1995-06-17 |
KR0137323B1 (ko) | 1998-06-01 |
US5605576A (en) | 1997-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07147200A (ja) | 高周波マグネトロンプラズマ装置 | |
US20200312681A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100715070B1 (ko) | 재료 처리용 rf 플라즈마 소스 | |
US6124003A (en) | Film depositing method and film depositing apparatus | |
US6027603A (en) | Inductively coupled planar source for substantially uniform plasma flux | |
EP0788654B1 (en) | Inductively coupled plasma sputter chamber with conductive material sputtering capabilities | |
US6297595B1 (en) | Method and apparatus for generating a plasma | |
KR100642157B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 그리고 플라즈마 생성용전극판 | |
KR100652983B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
JP3426382B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20050264218A1 (en) | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies | |
US20020084035A1 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
US20130220548A1 (en) | Plasma processing device | |
JPH07169590A (ja) | 電子密度の測定方法及びその装置及び電子密度の制御装置及びプラズマ処理装置 | |
JPH0314907B2 (ja) | ||
EP0841683A2 (en) | Active shield for generating a plasma for sputtering | |
WO1999053733A1 (en) | Plasma apparatus for ion energy control | |
JP2872976B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ発生装置 | |
JPH08302464A (ja) | スパッタリングカソード及びスパッタリング装置 | |
JP3037587B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
Spatenka et al. | A new simple method for suppression of influence of rf plasma oscillations during Langmuir probe measurements | |
JP3077144B2 (ja) | 試料保持装置 | |
JPS59161035A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JPH08339991A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2000030893A (ja) | プラズマ発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |