JP2007291477A - スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型カソードにおいても放電を維持し、かつ、ターゲット全面を均一に侵食させることを可能とすることを課題とする。
【解決手段】ターゲットが、概略箱型形状をなすように構成されているスパッタリング装置において、誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側に設置されたアンテナに電力を供給することによってプラズマを生成し、更に、ターゲットに供給されたバイアス電圧によってスパッタリングを生じさせることにより、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能である。
【選択図】図1
【解決手段】ターゲットが、概略箱型形状をなすように構成されているスパッタリング装置において、誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側に設置されたアンテナに電力を供給することによってプラズマを生成し、更に、ターゲットに供給されたバイアス電圧によってスパッタリングを生じさせることにより、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能である。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマを利用したスパッタリング装置に関するものである。
真空中でプラズマを発生させて基板に成膜を行う技術として、スパッタリング技術がある。この技術は、スパッタ粒子が高エネルギーを有しながら基板に到達する技術であるため、スパッタ粒子と基板との付着力を高くすることができ、緻密な膜を形成できるといった利点があり、電子部品や光学薄膜などの多くの製品の量産に用いられているのが現状である。
従来の一般的なマグネトロンスパッタ技術は、原材料からなるターゲットと成膜されるべき基板を対向させて配置し、ターゲットに高電圧を印加することによりプラズマを生成して、そのエネルギーによって成膜を行うものである。マグネトロンスパッタはターゲット裏面に配置された磁石が発生する磁力線によって電子を補足することにより、プラズマ密度を向上させるとともに基板に対するダメージを低減することが可能である。
しかしながら、耐熱性の低い樹脂基板などへの成膜を行う場合などは、マグネトロンスパッタを用いても、成膜時に基板が変形してしまう不具合が発生する場合がある。この問題に対するひとつの解決策として、ターゲットを対向させて配置したうえで、この間でプラズマ放電を行い、ギャップから飛び出すスパッタ粒子を基板に堆積させる、例えば、特許文献1に記載の発明にあるような、対向ターゲットスパッタ方式が提唱されている。
以下、図面を用いて従来のスパッタ技術について説明する。
図9に示すように対向ターゲットスパッタによれば、同電位に設定された対向する複数のターゲット2の間にプラズマが閉じ込められ、基板4はターゲットの側方に配置されるために直接的な高速電子によるダメージを受けにくい。しかしながら、対向ターゲットスパッタは、基板を側方に置くために成膜レートが低いといった点や材料利用効率が低いという点で不利な面を有する。この欠点を解決するひとつの方法として、複数のカソードを組み合わせる特許文献2に記載の発明の例がある。
図10に概要図を示す(2はターゲットであり、複数のターゲットによって空間を作り、この空間でプラズマ放電を行い、スパッタ粒子を空間の一方から導出する(領域4)という内容)。これによれば基板を設置する方向以外に開口部がないため、基板以外の部分に散逸するスパッタ粒子の量を低減でき、材料利用効率の向上が期待できる。
また、未公開自社出願の特願2004−367155号明細書に記載の発明には、ターゲット全面をスパッタリングさせるための方法として高周波電源を用いて容量結合放電させる方法が記載されている。
特開昭56−127681号公報
特開平10−008246号公報
近年、多品種少量生産や設備投資の小さい設備が求められている中で、スパッタ装置の小型化が求められている。このような小型のカソードに関し、特許文献2に記載のスパッタリング装置は、基板のダメージを低減しようとすると、カソードとして働くターゲットによって囲まれた空間にプラズマを閉じ込めようとすると、アノードを確保することが困難となり、一般的に放電は維持しにくくなる。
特にカソードサイズが小さくなった場合には、プラズマはカソードに囲まれた空間から外に出ようとして効果的にターゲット全面をスパッタリングできず材料利用効率を低下させ、さらにはプラズマが消滅するに至る。
また、特許文献3に記載された構成で高周波電源を用いる方法においても、容量結合放電であるために、放電維持に寄与するターゲット表面から放出される二次電子は加速されて速やかにターゲット外部の空間に飛び出してしまう。よって、この構成において放電を維持するためにはカソードの小型化には限界がある。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることを可能とするスパッタリング装置の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る請求項1に記載のスパッタリング装置は、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、前記誘導磁場通過体の表面にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットの一部にスリットを設け、前記スリット間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入されたことに特徴があり、その結果、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能となる。
また、本発明に係る請求項2に記載のスパッタリング装置は、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、前記ターゲットの一部、或いは、前記ターゲットと同材料からなり前記ターゲットに隣接させた部材にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットの一部にスリットを設け、前記スリット間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入されたことに特徴があり、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能となる。
また、本発明に係る請求項3に記載のスパッタリング装置は、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、前記誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットにバイアス電圧を印加するバイアス電源を有することろに特徴があり、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能となる。
更に、本発明に係る請求項4に記載のスパッタリング装置は、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、前記ターゲットの一部、或いは、前記ターゲットと同材料からなり前記ターゲットに隣接させた部材をアンテナとしたことに特徴があり、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能となる。
このとき、ターゲットの一部にスリットを設けると好適である。
また、ターゲットのうちスリット部分が、1.0mm以上5.0mm以下の距離をあけて重なり合う構成であると好適である。
また、スリットの幅が5.0mm以上であると好適である。
また、スリットの間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入すると好適である。
また、絶縁体、或いは、接地電位の金属のうち、プラズマに接する面に前記絶縁体或いは接地電位の金属の幅よりも広い部材を設けることで、プラズマ側よりスリット部が遮蔽される構成とすると好適である。
また、ターゲットに印加する高電圧がパルス電圧であると好適である。
また、パルス電圧のパルス幅は、1μs以上300μs以下であると好適である。
更に、表面の一部或いは全面に、複数の箱型形状が形成されたターゲットを使用すると好適である。
以上のように、本発明のスパッタリング装置によれば、小型カソードにおいても、ターゲットに概略囲まれた空間における放電維持を容易にせしめ、かつ、ターゲット表面に沿ったシースを形成できるためターゲット全面を均一にスパッタリングさせて、材料利用効率を向上させることが可能である。
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の概略図である。1は真空チャンバー、2は成膜されるべき材料からなるターゲットであり、バイアス電源131に接続されている。4は基板、5はガス導入装置、6は排気装置、7は排気口、8はバルブ、9はアースシールド、10は高周波電源、11は誘導結合コイル、12は誘導磁場通過体、100は基板4を載置する基板ホルダーである。導磁場通過体12は誘導結合コイル11からのエネルギーをプラズマに伝達する際の通り道であるため、概略プラズマを囲んで配置されるターゲットの一部を置き換えて設置される。また、誘導結合コイル11はプラズマに対して、誘導磁場通過体12の反対側に設置される。
図1は、本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置の概略図である。1は真空チャンバー、2は成膜されるべき材料からなるターゲットであり、バイアス電源131に接続されている。4は基板、5はガス導入装置、6は排気装置、7は排気口、8はバルブ、9はアースシールド、10は高周波電源、11は誘導結合コイル、12は誘導磁場通過体、100は基板4を載置する基板ホルダーである。導磁場通過体12は誘導結合コイル11からのエネルギーをプラズマに伝達する際の通り道であるため、概略プラズマを囲んで配置されるターゲットの一部を置き換えて設置される。また、誘導結合コイル11はプラズマに対して、誘導磁場通過体12の反対側に設置される。
排気装置6を通して真空チャンバー1の内部を高真空としたのち、ガス導入装置5により一定流量の制御されたスパッタリングガスを導入する。スパッタリングガスは、一般的にはArやXe等の希ガスが用いられる。以下、Arを使用した例について述べる。ターゲットによって概略囲まれる空間から見える位置に基板4を設置して電源10によりターゲットにより概略囲まれた空間に高密度プラズマを生成する。更に、ターゲット2およびバッキングプレート3に負のバイアス電圧を印加することにより、プラズマから引き出されたイオンは加速してターゲット2に衝突し、スパッタリングが生じる。
ここで本発明のスパッタリング装置は、プラズマ生成、維持のために誘導結合コイルを用いているため小型のカソードにおいても放電が維持しやすいという特徴を有する。誘導結合コイルによって発生する振動磁場は、誘導磁場通過体12に垂直な方向であり、それに伴ってプラズマ中の電子にかかる力の方向は、上記振動磁場方向の周りを回る円周方向である。このため電子はターゲット2に衝突する確率が低くなり、閉じ込め効果が高まることが期待される。
一方、先に述べた特許文献1に記載の発明は、基板4へのダメージを低減するために複数のカソードを組み合わせいるが、電子の運動方向ベクトルはターゲット面を通過するような方向になるため、短時間でターゲット面あるいはターゲット面から反射されて近傍のアースへと電子が消えてしまう。これは特にカソードが小型になった場合顕著であり、放電維持が困難となる。
(実施の形態2)
以下、本発明の異なる実施の形態について、図2を参照しながら説明する。
以下、本発明の異なる実施の形態について、図2を参照しながら説明する。
図2において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
実施の形態2においては、ターゲット2の一部分あるいはターゲットに接する部材が、誘導結合コイル11として機能する。このことよりターゲット材料として金属材料を用いた場合もプラズマ放電空間に誘導磁場を到達させることが可能であり、概略プラズマを囲むターゲットに関して、基板4を設置する面以外の全ての面にターゲット2を設置できるため有利である。
また、誘導結合コイル11をターゲット2と同じ材料で作成し、誘導結合コイル11を設置する面にもターゲット2を設置し、バイアス電圧を印加することにより、箱型ターゲット2の内面を全てスパッタリング源として使用できるため成膜速度の向上ができると推察される。
成膜速度の向上という観点では上記のように誘導結合コイル11を設置する面に誘導結合コイル11として働く部分を設けることが好ましいが、本発明はこの構成のみに限られるものではなく、誘導結合コイル11はターゲット2のプラズマに接する面のいずれの位置に設置しても良い。
例えば図3に示すような構成でも良い。
(実施の形態3)
以下、本発明の異なる実施の形態について、図4および5を参照しながら説明する。
以下、本発明の異なる実施の形態について、図4および5を参照しながら説明する。
図4および5において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
本実施の形態はターゲット2の一部にスリット201を設けた構成となっている。誘導結合コイル11によって発生した振動磁場は、プラズマにエネルギーを与える一方で、周囲の金属に渦電流を発生させる。小型カソードの場合、誘導結合コイルの近傍にターゲット2が位置することから金属ターゲットの場合、ターゲットに渦電流が発生しエネルギーロスを生じる。これに対して、スリット201を設ければ電流経路を切断することができるためにロスを低減することが可能である。
また、スリット201の効果をより高めるためには、この幅を広くすれば良いが、5.0mm以上にすればプラズマによって電流経路がショートすることを防ぐことができるため、十分な効果が得られる。
また、スリット201から外部にスパッタ粒子やプラズマが漏れることを防止するためには、この空間に絶縁体14、或いは、接地電位にされた金属を挿入すればよい。または、1.0mm以上5.0mm以下の距離をあけて重なり合う構成としてもよい。より好ましくは、図5に示すようにスリット部を覆う形状にすると良い。これにより、表面に金属膜が付着しても電流経路がショートすることがなく、渦電流防止効果を長時間維持できる。図5に示すWはW=5.0mm以上であることが好ましい。
(実施の形態4)
以下、本発明の異なる実施の形態について、図6を参照しながら説明する。
以下、本発明の異なる実施の形態について、図6を参照しながら説明する。
図6において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
本実施の形態はガスの導入口5を通してガスを導入する構成となっており、プラズマ放電空間におけるガス圧を高くできるため放電維持が容易になる点で有利である。
(実施の形態5)
以下、本発明の異なる実施の形態について、図7を参照しながら説明する。
以下、本発明の異なる実施の形態について、図7を参照しながら説明する。
図7において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
本実施の形態の構成はターゲットに印加する高電圧電源としてパルスバイアス電源132を使用するため、プラズマ中から取り出したイオンを加速するためのイオンシースをターゲット表面に沿った形状に形成することが可能であるため、ターゲット全面の均一使用の点で有利である。上記シースは時間経過に伴って崩壊し形状が変化するが、パルス電圧のパルス幅を適切な範囲に調整することによって効果的なスパッタリングを行うことが可能である。このパルス幅は、一般的なプラズマ密度である1.0e+15/m3以上1.0e+17/m3以下程度においては、1.0μs以上300μs以下にすれば良い。
(実施の形態6)
以下本発明の異なる実施の形態について、図7を参照しながら説明する。
以下本発明の異なる実施の形態について、図7を参照しながら説明する。
複数の小型の箱型形状からなるターゲットを用い、パルス電源を印加すれば、ターゲット形状に沿ったシースが形成され内面がスパッタされる。さらにアースカバー15を設ければターゲット内面以外が侵食されるのを防ぐことができる。
この構成によれば、スパッタ粒子は箱型形状の開口部より飛び出すため指向性の高いスパッタ粒子フラックスを得ることができる。指向性の高いスパッタ源は溝形状への埋め込み成膜等に利用するにあたり有利である。
本発明のスパッタリング装置は、小型カソードにおいても、放電維持を可能とし、プラズマを基板より遠方に維持できるために、プラスチックレンズやフレキシブル基板等へのコーティングや電極形成に利用できる。
1 真空チャンバー
2 ターゲット
3 バッキングプレート
4 基板
5 ガス導入装置
6 排気装置
7 排気口
8 バルブ
9 アースシールド
10 高周波電源
11 誘導結合コイル
12 誘導磁場通過体
14 絶縁体
15 アースカバー
100 基板ホルダー
131 バイアス電源
132 パルスバイアス電源
133 高電圧電源
201 スリット
2 ターゲット
3 バッキングプレート
4 基板
5 ガス導入装置
6 排気装置
7 排気口
8 バルブ
9 アースシールド
10 高周波電源
11 誘導結合コイル
12 誘導磁場通過体
14 絶縁体
15 アースカバー
100 基板ホルダー
131 バイアス電源
132 パルスバイアス電源
133 高電圧電源
201 スリット
Claims (12)
- 真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、
前記誘導磁場通過体の表面にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットの一部にスリットを設け、前記スリット間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入されたこと
を特徴とするスパッタリング装置。 - 真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットの一部、或いは、前記ターゲットと同材料からなり前記ターゲットに隣接させた部材にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットの一部にスリットを設け、前記スリット間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入されたこと
を特徴とするスパッタリング装置。 - 真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、
前記誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側にアンテナを配置すると共に、前記ターゲットにバイアス電圧を印加するバイアス電源を有すること
を特徴としたスパッタリング装置。 - 真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置され基板を設置する基板ホルダーと、前記真空チャンバー内に複数のターゲットが箱型形状をなすように配置され、前記ターゲットに電圧を印加する高周波電源と、前記ターゲットで囲まれる空間内に配置された誘導磁場通過体とで構成されるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットの一部、或いは、前記ターゲットと同材料からなり前記ターゲットに隣接させた部材をアンテナとしたこと
を特徴としたスパッタリング装置。 - ターゲットの一部にスリットを設けたことを特徴とする請求項3または4に記載のスパッタリング装置。
- ターゲットのうちスリット部分が、1.0mm以上5.0mm以下の距離をあけて重なり合う構成であることを特徴とする請求項5に記載のスパッタリング装置。
- スリットの幅が5.0mm以上であることを特徴とする請求項5に記載のスパッタリング装置。
- スリットの間に絶縁体、或いは、接地電位にされた金属が挿入されたことを特徴とする請求項5に記載のスパッタリング装置。
- 絶縁体、或いは、接地電位の金属のうち、プラズマに接する面に前記絶縁体或いは接地電位の金属の幅よりも広い部材を設けることで、プラズマ側よりスリット部が遮蔽される構成としたことを特徴とした請求項8に記載のスパッタリング装置。
- ターゲットに印加する高電圧がパルス電圧であることを特徴とする請求項1〜9の何れか一項に記載のスパッタリング装置。
- パルス電圧のパルス幅は、1μs以上300μs以下であることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 表面の一部或いは全面に、複数の箱型形状が形成されたターゲットを使用したことを特徴とする請求項10又は11に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006123197A JP2007291477A (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006123197A JP2007291477A (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007291477A true JP2007291477A (ja) | 2007-11-08 |
Family
ID=38762372
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007291477A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
WO2015015775A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット |
JP2016084508A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | 株式会社アルバック | 金属膜成膜方法 |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123197A patent/JP2007291477A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
WO2015015775A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット |
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