JPH049465A

JPH049465A - 薄膜処理装置の直流電位制御方法および装置

Info

Publication number: JPH049465A
Application number: JP11015490A
Authority: JP
Inventors: Yoshito Kamatani; 鎌谷　吉人
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 1990-04-27
Filing date: 1990-04-27
Publication date: 1992-01-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は高周波グロー放電を利用する薄膜処理技術に係
わり、特に高周波電源を用い、静電結合型放電電極及び
、又は電極上の処理対象物表面に発生する直流電位（セ
ルフバイアス）を所望する値に成る様、強制的に制御し
薄膜形成又は薄膜処理を行う方法および装置に関するも
のである。

なお、上記、高周波グロー放電における直流電位（セル
フバイアス）は、電気絶縁性基板や電気絶縁性薄膜の堆
積又はエツチング（食刻）、アッシング（灰化）等の薄
膜処理を実施する際にグロー放電プラズマ中のイオンを
処理対象物表面に対し加速するのに必要となるもので、
近年の高機能薄膜デバイスの要求に対して、処理対象物
表面の電位制御の重要性が増している。

［従来技術］第１の従来技術としては、電気絶縁性基板や電気絶縁性
薄膜の堆積又はエツチング、アッシング等の薄膜処理に
は、高周波電源を用い、静電結合型放電電極及び、又は
電極上の処理対象物表面に発生する直流電位の制御を高
周波電源の出力電力（進行波電力）の調整で行っていた
。

本発明の目的に最も近い第２の従来技術として、特開平
１−１８０９７０号公報に記載されているように、高周
波電極に高周波をカットし直流電位のみを供給する高周
波フィルタを介し、ＤＣ（直流）電源に接続し、このＤ
Ｃ電源の出力電圧の調整で静電結合型放電電極及び電極
上の処理対象物表面に発生する直流電位を所望する値に
制御する技術がある。

［発明が解決しようとする課題］日本に割当てられた工業用周波数で、グロー放電プラズ
マの生成に適した周波数は１３．５６０ＭＨｚ、２７．
１２０ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚであるが、−数的に、
高周波電源の周波数は１３．５６０ＭＨｚが多用されて
いる。

上記、第１の従来技術の問題点は、試験の結果、放電電
極上の処理対象物表面に発生する直流電位を一２００Ｖ
から正側へ制御する場合、１３．５６０ＭＨｚの高周波
ＩＩ源の電力調整範囲は２０〜２Ｗ程度であるため、電
力調整手段が高分解能で無いと、制御できる直流電位は
、ラフな値になってしまう。また、グロー放電を辛うじ
て維持できる高周波最小出力電力２ＷＵｉ後まで出力を
下げても、処理対象物表面に発生する直流電位は一７０
Ｖ程度もあり、これより正側への制御は不可能であった
。

なお、第５図に、参考までに、この第１の従来技術によ
り、高周波出力電力（進行波）をＯ〜２０Ｗまで変化さ
せた時の放電電極直流電位及び処理対象物であるガラス
基板表面の直流電位の関係を示す。

さらに、上記の試験結果の値は、放電電極と接地側棒と
の表面積割合、グロー放電生成に用いる作動ガスの圧力
、高周波整合装置の整合状態等で大きく変動するため、
放ｉ１１！極上の処理対象物表面に発生する直流電位を
検知するモニタ手段が無いと、所望する値に制御できな
い欠点がある２上記、第２の従来技術の問題点は、特開
平１−１８０９７０号公報の実施例に記載されているよ
うに、高周波電源の周波数を２１０ＭＨｚ　。

１００ＭＨｚに選んでいるが、これらの周波数は、日本
に割当てられた工業用周波数では無いため、工業的に大
出力で用いるためには電波雑音防止手段が必要で、また
、−数的に用いられていない周波数であるため、専用の
高周波電源及び高周波整合装置を製作する必要があり、
性能の割に複雑で高価なものになってしまう欠点がある
。

サラニ、１３．５６０ＭＨｚ　（７）高周波１ｆｉｌｉ
ｉ！及び整合装置及び高周波フィルタを用いて、その他
は第２の従来技術に従って試験した結果、放＊’ｊｌ極
上の電気絶縁体の処理対象物表面に発生する直流電位値
の制御範囲は−７６〜−１２２■と非常に狭い範囲でし
か制御できなかった。

なお、第６図に、参考までに、この第２の従来技術によ
り、１３．５６０ＭＨｚの高周波電源及び整合装置及び
高周波フィルタを用いて、その他は第２の従来技術に従
って試験した場合の、ＤＣバイアス電源の出力電力を０
〜−３００Ｖまで変化させた時の放電電極直流電位及び
処理対象物であるガラス基板表面の直流電位及びＤＣバ
イアス電源の出力電流の関係を示す。

前記したことからもわかるよう１乙　２の従来技術は、
工業周波数として日本に割当ての無い特殊な周波数帯で
しか、その効果は期待できない欠点がある。

本発明は前述の如き、高周波ｔｉｓを用い、電気絶縁性
基板や電気絶縁性薄膜の堆積又はエツチング、アッシン
グ等の薄膜処理を実施する際にグロー放電プラズマ中の
イオンを処理対象物表面に対し加速するのに必要となる
静電結合型放［電極及び、又は電極上の処理対象物表面
に発生する直流電位（セルフバイアス）の制御範囲が実
用的な範囲（−２０〜−５００Ｖ　）を網羅し、かつ、
コストパフォーマンスと制御性に優れた高周波放電電極
及び、又は電極上の処理対象物表面に発生する直流電位
制御方法及び装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明においては、前記課題を解決するために、高周波
グロー放電を利用する薄膜処理装置において、高周波電
力を供給する電極にローパスフィルタ（低域通過型濾波
器）を介し、電力消費手段（摺動抵抗器、電子負荷装置
等）を接続し、抵抗値又は直流分流入電流を調整するよ
うにした。

［作用］高周波グロー放電を利用する薄膜処理装置において、高
周波電力を供給する電極にローパスフィルタを介し、電
力消費手段、例えば摺動抵抗器を接続し、その抵抗値の
最大値のところで高周波グロー放電を開始する。この時
、静電結合型放電電極又は電極上の処理対象物表面に発
生する直流電位が所望する制御範囲の負側の絶対値の最
大値に成る様、高周波出力電力を設定する。その後、抵
抗値が減少する方向へ調整すると高周波グロー放電プラ
ズマ中のイオンと電子の移動度の差により生じる放ｔ１
ｉ極及び電極上の処理対象物表面に発生する直流電位の
値は、負側の絶対値の最大値より正側に変化する。これ
は、抵抗値の減少に伴い、電極からローパスフィルタを
介し、直流分の電流のみが増大するためである。また、
電極上の処理対象物表面に発生する直流電位も、負側の
絶対値の最大値より正側に変化する。これは、処理対象
物の形状と誘電率で決まる静電容量に対し、高周波電流
がこれに流れる事で、交流分電位差が、処理対象物表面
と電極の間で保たれるために、電極の直流分電位に追従
できる。さらに、抵抗値を０Ωにすると、電極直流電位
はＯ［Ｖ］に、電極上の処理対象物表面の直流電位は一
２５Ｖ程度に制御可能で、この状態においても高周波グ
ロー放電プラズマの密度は、電極に投入する高周波電力
及び電力消費手段の最大インピーダンス（抵抗値）にも
よるが、通常、抵抗値最大時の７０％程度を維持してい
る。したがって、本発明を薄膜堆積装置に適応すれば、
高イオン密度でかっ、低エネルギのイオンアシスト成膜
（イオンで堆積中の薄膜粒子を叩きながら成膜する技術
）が可能である。

［実施例］本発明を薄膜堆積装置の−っであるスパッタリング装置
に適用した実施例を第１図および第２図により、また、
電力消費手段の自動側！ｌｌ装置を具備した実施例を第
３図により、以下説明する。

第１図〜第３図において、】は１３．５６０ＭＨｚの基
板電極用高周波Ｓ源装置、２は１ｉ源側と負荷側のイン
ピーダンス整合を行う基板電極用高周波整合装置、３は
基板４を載置し水冷または加熱され所定の温度を保つ基
板用高周波放電電極、４は基板、５は成膜物質より成る
ターゲット、６はターゲット５を載置し水冷機構を有す
るターゲット用電極、ｌｏは高周波電力が印加される基
板用１ｉ極３より直流成分のみを通しつるローパスフィ
ルタ（低域通過型濾波器）、１１は必要に応じて用いら
れる高周波ノイズをカットするノイズフィルタ、１２は
必要に応じて用いられる高周波輻射ノイズを遮閉するシ
ールド板、１３は高周波グロー放電プラズマ中のイオン
と電子の移動度の差により生じる基板用数ｔｗｉｔ極３
及び電極上の基板４表面に発生する直流電位（セルフバ
イアス）を制御する電力消費手段の一つである摺動抵抗
器、１４は必要に応じて用いられる電力消費手段１３に
流入する直流成分の電流を検出する電流モニタ手段、１
５は必要に応じて用いられる基板用電極３の直流成分の
電位を検出する電圧モニタ手段、２１は１３．５６０Ｍ
Ｈｚのターゲット電極用高周波電源装置、２２は電源側
と負荷側のインピーダンス整合を行うターゲット電極用
高周波整合装置、２３はターゲット５を載置し水冷機構
を有するターゲット用高周波放ｗ′ｒＩｉ極、２４は高
周波電力が印加されるターゲット用電極２３より直流成
分のみを通しうるローパスフィルタ（低域通過型濾波器
）、２５は必要に応じて用いられる高周波ノイズをカッ
トするノイズフィルタ、２６は必要に応じて用いられる
高周波輻射ノイズを遮閉するシールド板、２７はターゲ
ット用放電電極２３及び電極上のターゲット５表面に発
生する直流電位を制御する電力消費手段の一つである摺
動抵抗器、２８は必要に応じて用いられる電力消費手段
２７に流入する直流成分の電流を検出する電流モニタ手
段、２９は必要に応じて用いられるターゲット用電極２
３の直流成分の電位を検出する電圧七二夕手段、３０は
真空容器、３２はターゲット５およびターゲット用電極
２３の内部を冷却する水配管、３３はターゲット用電極
２３を真空容器３０に連結するための真空シール機能お
よび電気絶縁機能を有する絶縁体、３４は必要に応じて
用いられるプラズマポテンシャルを調整するために設け
られたアノードリング、３５は真空容器外の電源からア
ノードリンク３４へ給電するための電流導入端子、３６
は真空容器３０に対してアノードリンク３４を電気的に
絶縁し固定するための絶縁体、３８は基板用アースシー
ルド、３９は基板用電極３と基板用アースシールド３８
を連結するための真空シール機能および電気絶縁機能を
有する絶縁体、４０はスパッタガスを導入する質量流量
制御弁、４１は真空容器３０の内部を排気する排気装置
、５０はスパッタ用高圧電源、５１は必要に応じてアノ
ードリングに給電する電源、６０は高周波放電電極又は
電極上の処理対象物表面に発生する直流電位を設定した
値に自動制御する制御装置、６１は電力消費手段の一つ
である摺動抵抗器の位置又は値を検出するセンサを示す
。

以上の構成要素からなる第１図は本発明の第１の実施例
で、スパッタリング装置の基板電極側に本発明を適用し
たものであり、装置全体は、以下のように動作する。

基板４を基板用高周波電極３に載！した後、排気装置４
１により、真空容器３０の内部を所定のバックグラウン
ド（高真空）まで排気すると同時に、基板用高層＄電極
３を温度制御して基板４を所定の温度に保つ。その後、
スパッタ用のアルゴンガスを質量流量制御弁４０より導
入し、所定のガス圧力に調整する。ターゲット５に電気
的に接続されたターゲット用電極６ｔ＼スパツタ用高圧
電源５０から電力を供給すると、ターゲット５上に図示
していないがスパッタリング用の高密度なプラズマが発
生し、この高密度プラズマ中のアルゴンガスイオンは陰
極降下（カソードフォール）により加速されターゲット
５に衝突し、ターゲット原子をたたき出す。

この時、摺動抵抗器１３の抵抗値が最大になる位置に合
わせ、高周波整合装置２で整合をとりながら基板電極用
高周波電源１の出力電力を増し、基板用放電電極３又は
電極上の基板４表面に発生する直流電位が所望する負側
の絶対値より若干大きい値に成る所に出力電力を合わせ
る。その後、電圧モニタ手段１５を参照するか、又は、
図示していないが処理対象物である基板表面の電位をモ
ニタする手段を参照するか、又は、事前に調査しておい
た基板表面電位と相関のある電力消費手段に流入する電
流を検出する電流モニタ手段１４を参照し、摺動抵抗器
１３の抵抗値を減少させ、所望する値に正確に制御する
。

上記のスパッタ操作により、たたき出されたターゲット
原子が基板４表面上に堆積すると同時に、上記の基板バ
イアス操作により制御した直流成分の基板表面電位とプ
ラズマポテンシャル（プラズマ電位）との電位差により
加速された基板４近傍のプラズマ中のアルゴンガスイオ
ン及びターゲット原子の中で正にイオン化されたものが
基板４表面に衝突し、イオンアシスト成膜機能（イオン
により基板に堆積する薄膜粒子にマイグレーションを与
え、緻密度、膜応力、結晶性等の膜質制御を可能とする
技術）を果たす。このイオンアシスト成膜技術において
重要な制御因子は、基板４に照射するイオンの加速エネ
ルギとイオンの個数（正確にはスパッタされたターゲッ
ト粒子の内で基板に堆積する粒子と基板に照射するイオ
ンの個数の比￥Ａ）であり、基板４に照射するイオンの
加速エネルギとイオンの個数との独立制御性が優れてい
る程、幅広い新機能薄膜に対応できる。例えば、基板４
に照射するイオンの個数を多くし、加速エネルギを低く
して成膜する場合には、上記、基板電極用高周波電源工
の出力電力を大としでイオン個数に直接関係のある基板
４近傍のプラズマ密度を大きくし、摺動抵抗器１３の抵
抗値を小とすれば良い。また、イオンの個数を正確に所
望する値に制御する場合は、図示していないがイオンの
個数を検出するイオンモニタ、例えばラングミアブロー
ブ等を基板４近傍に設置し、この値を参詔しながら高周
波Ｓｔ源の出力を」η整すれば良い。

すなわち、放電電極に供給する高周波電力によって処理
対象物近傍のイオン個数を制御し、放電電極にローパス
フィルタを介し接続された電力消費手段の調整により処
理対象物に入射するイオンの加速エネルギを決める負の
バイアスを独立制御できる。

第２図は本発明の第２の実施例で、スパッタリング装置
のターゲット電極側に本発明を適用したものであり、以
下のように動作する。

基板４を基板用電極３に載置した後、排気装置４１によ
り、真空容器３０の内部を所定のバックグラウンドまで
排気すると同時に、基板用電極３を温度制御して基板４
を所定の温度に保つ。その後、スパッタ用のアルゴンガ
スな質量流量制御弁４０より導入し、所定のガス圧力に
調整する。この時、摺動抵抗器２７の抵抗値が最大にな
る位置に合わせ、ターゲット５に電気的に接続されたタ
ーゲット用高周波電極２３へ高周波整合装置２２で整合
をとりながらターゲット電極用高周波電源２１の出力電
力を供給すると、ターゲット５上に図示していないがス
パッタリング用のプラズマが発生し、このプラズマ中の
アルゴンガスイオンはターゲット表面に発生した負の直
流電位により加速されターゲット５に衝突し、ターゲッ
ト原子をたたき出す。ターゲット明放ａｔ極２３又は電
極上のターゲット５表面に発生する直流電位を。

摺動抵抗器２７の抵抗値を調整することで所望する値に
正確に制御する。抵抗値の調整に際しては、前記、第１
の実施例と同様に、電圧モニタ手段２９を参照するか、
又は、図示していないが処理対象物であるターゲット表
面の電位をモニタする手段を参照するか、又は、事前に
調査しておいたターゲット表面電位と相関のある電力消
費手段に流入する電流を検出する電流モニタ手段２８を
参照しながら行っても良い。上記のターゲット５表面に
発生する直流電位を制御すれば、スパッタ率が変化し成
膜速度が若干調整できることはもとより、たたき出され
たターゲット原子の持つ運動エネルギの制御が可能で、
基板４に堆積する過程でダメージを嫌う成膜にも対応で
きる。

第３図は本発明の第３の実施例で、抵抗値又は、及び、
直流分流入電流又は、及び５高周波放電電極に発生する
直流分の電位をモニタする信号をもとに、所望する（設
定した）高周波放電電極又は電極上の処理対象物表面に
発生する直流電位に成る様、電力消費手段（摺動抵抗器
、電子負荷装置等〕を自動制御する制御装置を具備した
ものを示し、以下のように動作する。

高周波放電電極又は、及び、電極上の処理対象物表面に
発生する直流電位と各種モニタ信号である抵抗値、直流
分流入電流、高周波放電電極に発生する直流分電位の総
て又は、一部との相関をあらかじめ求め（古典制御理論
では伝達関数、現代制御理論では状態方程式を求め）、
制御装置６０のプログラムを行う。摺動抵抗器の抵抗値
を例えば、駆動用アクチュエータの回転角度より検出す
る抵抗値検出センサ６１の信号、電力消費手段に流入す
る直流成分電流を検出する電流モニタ手段１４の信号、
放電電極の直流成分電位を検出する電圧モニタ手段１５
の信号の総て又は一部の信号により、制御装置６ｏは設
定された値に成る様に電力消費手段１３の駆動用アクチ
ュエータに信号を与え、自動制御を行う。なお、上記の
各種モニタ信号以外の例えば、高周波電源の出力電力、
高周波１を源の出力電圧波高値、ガス圧力、１！極間距
離等の信号を追加利用しても良く、第３図に限定するも
のでは無い。

なお、本発明の実施例である第１図〜第３図において、
基板搬送手段、基板移動手段、基板回転手段、リアクテ
ィブスパッタ用ガス導入手段シャッタ、ビューボート、
真空計等は図示していないが、必要に応じて使用が可能
である。また、電力消費手段として、摺動抵抗器を示し
たが、例えば、電子負荷装置等も使用可能で、第１図〜
第３図に示す構成に限定するものではない。

さらに、第１図〜第２図では、本発明を薄膜形成装置の
一つであるスパッタリング装置のそれぞれ一方の電極に
適用した例を示したが、これに限定するものでは無く、
必要に応じて基板電極及びターゲット電極双方に適用す
る事が可能で、また、スパッタリング装置に限定するも
のでは無く、プラズマＣＶＤ　（プラズマを利用した化
学蒸着法）。

エツチング装置、アッシング装置等の高周波グロー放電
を利用する薄膜処理技術の中で、特に高周波電源を用い
、静電結合型放電電極及び、又は電極上の処理対象物表
面に発生する直流電位を所望する値に成る様、強制的に
制御し薄膜形成又は薄膜処理を行う方法及び装置に適用
できる。

第４図は、本発明の実施例である第１図に示すものにつ
いて、電力消費手段の一つである摺動抵抗器の抵抗値を
調整して放電電極の直流成分の電位をＯ〜−３００Ｖま
で変化させた時の放電電極直流電位及び処理対象物であ
るガラス基板表面の直流電位及び摺動抵抗器に流入する
直流成分の電流値の関係を示したものである。主要条件
は放電ガス圧力を２０ｍ　ｔｏｒｒ　（アルゴン）、電
極間距離が６０ｍｍ、電極寸法をφ１４４ｍｍ、真空容
器内側寸法を＄２５０Ｘ２４０Ｈｍｍ、１３．５６０Ｍ
Ｈｚの高周波出力電力（進行波）を１２０Ｗ−定にして
、実験した。

本発明の試験結果である第４図と従来技術の試験結果で
ある第６図を比較すると明らかな様に、第６図では放電
電極上の電気絶縁体の処理対象物であるガラス基板表面
に発生する直流電位の制御範囲は−７６〜−１２２■と
非常に狭い範囲であるのに対し、第４図では放′Ｒ，電
極上のガラス基板表面に発生する直流電位の制御範囲が
−２５〜−２９０Ｖと広範囲で、しかも、電位のモニタ
が容易な放電電極電位に約±２０Ｖの差で追従している
。また、図示していないが、高周波電源の出力電力（進
行波）を２００Ｗ一定とし、その他の条件を同一にする
とガラス基板表面に発生する直流電位の制御範囲が−２
７〜−５１０Ｖにさらに広がる。さらに、高周波電源の
出力電力（進行波）を４００Ｗ一定とし、抵抗値をＯΩ
に調整すると放電電極の直流電位はＯ［Ｖ］に、ガラス
基板表面に発生する直流電位は一２９Ｖになり、この時
のガラス基板に入射するイオンの個数は、約１．２Ｘ１
０１６個／ｓｅｅである。

［発明の効果］本発明によれば、高周波グロー放電を利用する薄膜処理
装置において、高周波電力を供給する静電結合型放電電
極又は電極上の処理対象物表面に発生する直流電位を広
範囲に制御可能で、処理対象物表面に入射するイオン個
数を非常に多くした状態でかつイオンの加速エネルギを
３０ｅＶ程度の小さな値に成る様な、電極上の処理対象
物表面の直流電位に制御できる。したがって、本発明を
薄膜堆積装置に適応ずれば、高イオン密度でかつ、低エ
ネルギのイオンアシスト成膜（イオンで堆積中の薄膜粒
子を叩きながら成膜する技術）が可能になる。また、電
気絶縁性基板や電気絶縁性薄膜のエツチング、アッシン
グ等の薄膜処理に適用すれば、低ダメージの処理が可能
となる。しかも、本発明の技術は、日本に割当てられた
工業用周波数で、グロー放電プラズマ生成に適し、−数
的に多用されている周波数が１３．５６０ＭＨｚの高周
波電源及び高周波整合装置を用いて十分な機能を果たす
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例で、薄膜形成装置の一つ
であるスパッタリング装置の基板電極側に適用した場合
の構成を示す装置全体の断面概略図、第２図は本発明の
第２の実施例で、同スパッタリング装置のターゲット電
極側に適用した場合の構成を示す装置全体の断面概略図
、第３図は本発明の第３の実施例で、抵抗値又は、及び
、直流分流入電流又は、及び、高周波放電電極に発生す
る直流分の電位をモニタする信号をもとに、所望する（
設定した）高周波放電電極又は電極上の処理対象物表面
に発生する直流電位になるように、電力消費手段（摺動
抵抗器、１ｉ子負荷装置等）を自動制御する制御装置を
具備した場合を説明する主要構成要素を示す概略図、第
４図は、本発明の第１の実施例である第１図に示すもの
について、電力消費手段の一つである摺動抵抗器の抵抗
値を調整して放電電極の直流成分の電位をＯ〜−３００
Ｖまで変化させた時の放電電極直流電位及び処理対象物
であるガラス基板表面の直流電位及び摺動抵抗器に流入
する直流成分の電流値の関係を示す線図、第５図は第１
の従来技術により、高周波出力電力（進行波）をＯ〜２
０Ｗまで変化させた時の放電電極直流電位及び処理対象
物であるガラス基板表面の直流電位の関係を示す線図、
第６図は第２の従来技術により、１３．５６０ＭＨｚの
高周波電源及び整合装置及び高周波フィルタを用いて、
その他は第２の従来技術に従って試験した場合の、ＤＣ
バイアス電源の出力電圧を０〜−３００Ｖまで変化させ
た時の放電電極直流電位及び処理対象物であるガラス基
板表面の直流電位及びＤＣバイアス電源の出力電流の関
係を示す線図である。ｌ・・・基板電極用高周波電源装置、２・・・基板電極用高周波整合製雪、３・・・基板用高周波数１ｉ電極、４・・・基板、　　　　　　　　５・・・ターゲット、
６・・・ターゲット用電極、１０．２４・・・ローパスフィルタ、１１．２５・・・ノイズフィルタ、１２．２６・・・シールド扱、１３．２７・・・摺動抵抗器、１４．２８・・・電流モニタ手段、１５．２９・・・電圧モニタ手段、２１・・・ターゲット電極用高周波電源装置、２２・・
・ターゲット電極用高周波整合装置、２３・・・ターゲ
ット用高周波放電電極、３０・・・真空容器、　　　３
２・・・水配管、３３．３６．３９・・・絶縁体、３４・・・アノードリング、３５・・・電流導入端子、
３８・・・基板用アースシールド、４０・・・質量流量制御弁、４１・・・排気装置、５０
・・・スパッタ用高圧電源、５１・・・アノードバイアス電源、６０・・・自動制御装置、６１・・・電力消費手段の値を検出するセンサ。特許出願人　　宇部興産株式会社第２図第１図第３図第５図試験条件；真空容器：φ２５０　Ｘ　２４Ｌ）？− 第４図試験条件：第６図試験条件；高周波室カニ５Ｗ（進行波）一定

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高周波グロー放電を利用する薄膜処理装置におい
て、高周波電力を供給する電極にローパスフィルタを介
し、電力消費手段を接続し、抵抗値や直流分流入電流を
調整することにより、高周波放電電極及び、又は電極上
の処理対象物表面に発生する直流分の電位を強制的に制
御することを特徴とする薄膜処理装置の直流電位制御方
法。
（２）高周波グロー放電を利用する薄膜処理装置におい
て、高周波電力を供給する電極にローパスフィルタを介
し、電力消費手段を接続し、このローパスフィルタに抵
抗値を調整可能な摺動抵抗器を接続し、かつ、直流分流
入電流を調整可能な高周波電力制御装置を接続して設け
たことを特徴とする薄膜処理装置の直流電位制御装置。