JP2006086534A - 高温基板処理用の粗面サセプタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サセプタプレート100の表面粗さを最小限にする。サセプタプレート100のウェハ接触面110の表面粗さRa値を約0.6μmまたはそれ以上にし、接触面を平坦に接触面から大きな突起をなくす。さらに、サセプタの透明度を低くして、サセプタの熱吸収特性と、支持されているウェハの熱吸収特性とをさらに等しくする。
【効果】(例えば1000℃を超える)高温での半導体処理中に、ウェハを支持するためにこれらのサセプタを使用すると、結晶スリップラインは、ウェハ上に全く形成されないか、またはほんの少数しか形成されなくなる。
【選択図】図1
Description
ウェハを、表面粗さがRa=0.3μmのサセプタ上に支持して処理した。処理後のウェハには、数千のスリップラインがあることが分かった。次いで、サセプタにサンドブラストを行うと、サセプタの表面粗さがRa=2.0μmに増加したことが、測定された。シリコンウェハを、サセプタ表面に支持して処理した。ウェハを、10時間またはそれ以上の時間、1320℃で処理した。処理後、スリップラインは、少数しか検出されなかった。
Claims (30)
- 半導体基板と直接接触し、当該半導体基板を支持するように形成された上面を備え、
当該上面の表面粗さRa値は、約0.6μmまたはそれを超える半導体基板支持部。 - Ra値が、約1.0μmまたはそれ以上である請求項1に記載の半導体基板支持部。
- Ra値が、約2.0μmまたはそれ以上である請求項2に記載の半導体基板支持部。
- 前記上面は、酸化物コーティングを含む請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記上面は、ポリシリコンコーティングを含む請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記ポリシリコンコーティングの厚さは、約0.5μmまたはそれ以上である請求項5に記載の半導体基板支持部。
- 前記支持部の熱吸収は、前記基板の熱吸収に近い請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記支持部の露出された面に当たる熱放射のうち約30%を超える熱放射が吸収される請求項7に記載の半導体基板支持部。
- 前記支持部は、炭化ケイ素材料からなる請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記炭化ケイ素材料は、均質な構造を有する請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 前記炭化ケイ素材料は、化学量論的SiCを含み、また非化学量論的SiCを含む請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 前記炭化ケイ素材料の透明度は、約50%未満である請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 前記透明度は、約10%未満である請求項12に記載の半導体基板支持部。
- 前記炭化ケイ素材料には、ゲルマニウム、周期表のIII族の元素、および周期表V族の元素からなる群から選択される1つまたはそれ以上の元素がドープされる請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 炭化ケイ素材料中のケイ素と炭素の比は、非化学量論的である請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 前記炭化ケイ素材料は、不規則に配向された微細構造を有する請求項9に記載の半導体基板支持部。
- 前記支持部は、化学量論的炭化ケイ素の層が炭素の層の上に形成されている請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記上面は、実質的にウェハの底面全体にわたって広がっている請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記基板は、シリコンウェハであり、前記支持部は、ウェハボート内に収容されるように形成されたサセプタプレートである請求項1に記載の半導体基板支持部。
- 前記上面は、サンドブラストされた面である請求項1に記載の半導体基板支持部。
- バッチ式反応装置であって、
反応室を有する縦型炉と、
前記反応室内に収容されるように形成され、基板支持部用の複数の溝を含む基板支持ホルダーと、
半導体基板を支持する複数の基板支持部であって、それぞれが、表面粗さRa値が約0.6μmまたはそれ以上である基板接触面を有する前記基板支持部と、
を備え、
前記各基板支持部は、複数の溝の1つに収容されるように形成されているバッチ式反応装置。 - 各基板支持部は、Ra値が約1.0μmまたはそれ以上である請求項21に記載の反応装置。
- 各基板支持部は、Ra値が約2.0μmまたはそれ以上である請求項22に記載の反応装置。
- 前記基板支持部は、炭化ケイ素材料を含む請求項21に記載の反応装置。
- 前記炭化ケイ素材料の透明度は、約50%未満である請求項24に記載の反応装置。
- 前記透明度は、約10%未満である請求項25に記載の反応装置。
- 前記基板支持ホルダーは、ウェハボートであって、
当該ウェハボートは、前記サセプタを相互に垂直方向に間隔をおいて配置し、前記サセプタの主要な面を水平方向に向けて、前記サセプタを収容する請求項21に記載の反応装置。 - 前記基板支持部は、サセプタプレートである請求項27に記載の反応装置。
- 前記炉は、前記反応室の上部の直近に処理ガス入口を備える一方、前記反応室の底部の直近に処理ガス排気口を備える請求項21に記載の反応装置。
- 前記炉は、約1000℃またはそれ以上の温度で前記基板を処理するように構成されている請求項21に記載の反応装置。
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