JPH10321543A - ウェハ支持体及び縦型ボート - Google Patents
ウェハ支持体及び縦型ボートInfo
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- JPH10321543A JPH10321543A JP12971697A JP12971697A JPH10321543A JP H10321543 A JPH10321543 A JP H10321543A JP 12971697 A JP12971697 A JP 12971697A JP 12971697 A JP12971697 A JP 12971697A JP H10321543 A JPH10321543 A JP H10321543A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハとウェハ支持体とが接着することな
く、またウェハなどに損傷を与えることのないウェハ支
持体及び縦型ボートを提供することを目的とする。 【解決手段】 ウェハ２を支持するウェハ支持体３は、
少なくとも石英ガラス、炭化珪素、シリコン、及び炭化
珪素とシリコンの複合体の１種類でなり、表面粗さをＲ
ａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下と
した。
く、またウェハなどに損傷を与えることのないウェハ支
持体及び縦型ボートを提供することを目的とする。 【解決手段】 ウェハ２を支持するウェハ支持体３は、
少なくとも石英ガラス、炭化珪素、シリコン、及び炭化
珪素とシリコンの複合体の１種類でなり、表面粗さをＲ
ａで０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大径のウェハの熱
処理時にもウェハとウェハ支持体との接着が起こらない
ウェハ支持体及び縦型ボートに関するものである。
処理時にもウェハとウェハ支持体との接着が起こらない
ウェハ支持体及び縦型ボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、シリコ
ンウェハ（以下、ウェハという）に対して拡散、酸化、
ＣＶＤ等の熱処理が行われる。このような熱処理時に使
用されるボートとしては、例えば垂直配置した支柱に形
成した溝にウェハを水平に載置する縦型ボートがある。
ところが、近年においては、ウェハが８インチ径や１２
インチ径へと大径化する傾向にあり、これに伴って上記
縦型ボートは、支持部にウェハの荷重が集中したり、自
重によってウェハが反ったりして、スリップが生じ易い
といった問題が生じている。
ンウェハ（以下、ウェハという）に対して拡散、酸化、
ＣＶＤ等の熱処理が行われる。このような熱処理時に使
用されるボートとしては、例えば垂直配置した支柱に形
成した溝にウェハを水平に載置する縦型ボートがある。
ところが、近年においては、ウェハが８インチ径や１２
インチ径へと大径化する傾向にあり、これに伴って上記
縦型ボートは、支持部にウェハの荷重が集中したり、自
重によってウェハが反ったりして、スリップが生じ易い
といった問題が生じている。
【０００３】そこで、大径のウェハを支持する縦型ボー
トには、ウェハを水平に載置するプレート状やリング状
のウェハ支持体を新たに有した縦型ボートが提案されて
いる（特開平５−１１４６４５、特開平６−１６３４４
０、特開平７−４５６９１、特開平７−３２６５９
３）。すなわち、この縦型ボートは、ウェハを載置する
複数枚のウェハ支持体と、これらウェハ支持体を水平に
保持する複数の支柱と、これら支柱を立設可能に固定す
る固定部とからなり、ウェハを上記ウェハ支持体の面で
広く支持することができるので、ウェハを均一に支持で
き、局所的にウェハの荷重が集中することによりウェハ
にスリップが発生したり、自重によってウェハが反った
りすることが起こりにくい。
トには、ウェハを水平に載置するプレート状やリング状
のウェハ支持体を新たに有した縦型ボートが提案されて
いる（特開平５−１１４６４５、特開平６−１６３４４
０、特開平７−４５６９１、特開平７−３２６５９
３）。すなわち、この縦型ボートは、ウェハを載置する
複数枚のウェハ支持体と、これらウェハ支持体を水平に
保持する複数の支柱と、これら支柱を立設可能に固定す
る固定部とからなり、ウェハを上記ウェハ支持体の面で
広く支持することができるので、ウェハを均一に支持で
き、局所的にウェハの荷重が集中することによりウェハ
にスリップが発生したり、自重によってウェハが反った
りすることが起こりにくい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
プレート状やリング状のウェハ支持体を有する縦型ボー
トを用いて大径のウェハを熱処理した場合、従来の支柱
に形成された溝でウェハを水平載置していた縦型ボート
では生じなかった、ウェハ支持体とウェハとが載置面に
おいて部分的に接着するという問題が頻発してきた。こ
の接着状態でウェハをウェハ支持体から取り出そうとす
ると、取り出し機構であるハンドやツイーザにウェハ及
び縦型ボート全体の荷重がかかってハンドやツイーザを
損傷したり、また、逆にウェハにハンドやツイーザから
の不要な力がかかりウェハを損傷したりするといった不
具合が生じるのである。
プレート状やリング状のウェハ支持体を有する縦型ボー
トを用いて大径のウェハを熱処理した場合、従来の支柱
に形成された溝でウェハを水平載置していた縦型ボート
では生じなかった、ウェハ支持体とウェハとが載置面に
おいて部分的に接着するという問題が頻発してきた。こ
の接着状態でウェハをウェハ支持体から取り出そうとす
ると、取り出し機構であるハンドやツイーザにウェハ及
び縦型ボート全体の荷重がかかってハンドやツイーザを
損傷したり、また、逆にウェハにハンドやツイーザから
の不要な力がかかりウェハを損傷したりするといった不
具合が生じるのである。
【０００５】本発明は、上記した不具合を解消するため
になされたものであり、ウェハとウェハ支持体とが接着
することなく、また、ウェハなどに損傷を与えることの
ないウェハ支持体及び縦型ボートを提供することを目的
とする。
になされたものであり、ウェハとウェハ支持体とが接着
することなく、また、ウェハなどに損傷を与えることの
ないウェハ支持体及び縦型ボートを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ウェハ支持
体とウェハの接着状況を調査した結果、下記のような傾
向があることが判明してきた。 接着は、ウェハ支持体とウェハとの接触面積が大きい
程起こりやすい。 接着は、酸素を含有する雰囲気での熱処理の場合に発
生する傾向がある。 ウェハ支持体の材質が、従来から用いられている熱処
理ボートの材質である石英ガラス、炭化珪素、シリコ
ン、炭化珪素とシリコンの複合体のすべてのボートで発
生する。
体とウェハの接着状況を調査した結果、下記のような傾
向があることが判明してきた。 接着は、ウェハ支持体とウェハとの接触面積が大きい
程起こりやすい。 接着は、酸素を含有する雰囲気での熱処理の場合に発
生する傾向がある。 ウェハ支持体の材質が、従来から用いられている熱処
理ボートの材質である石英ガラス、炭化珪素、シリコ
ン、炭化珪素とシリコンの複合体のすべてのボートで発
生する。
【０００７】さらに、ウェハ支持体とウェハの接着部を
観察した結果、次のようなことが明らかとなった。 接着部の界面にはSiO2層が存在すること。 完全に接着していない部分を観察すると、ウェハ支持
体側にもウェハ側にもSiO2層が存在すること。
観察した結果、次のようなことが明らかとなった。 接着部の界面にはSiO2層が存在すること。 完全に接着していない部分を観察すると、ウェハ支持
体側にもウェハ側にもSiO2層が存在すること。
【０００８】以上のことより、ウェハ支持体とウェハと
の載置面で部分的に発生する接着は、酸素含有熱処理中
に各々の表面に生成するSiO2層の間で起こる拡散が原因
であり、ウェハ支持体とウェハの接触面積が大きい場合
にその発生頻度が大きくなると推定した。
の載置面で部分的に発生する接着は、酸素含有熱処理中
に各々の表面に生成するSiO2層の間で起こる拡散が原因
であり、ウェハ支持体とウェハの接触面積が大きい場合
にその発生頻度が大きくなると推定した。
【０００９】そして、従来の支柱に形成した溝で水平載
置する場合には応力集中を軽減するとの観点よりできる
だけ小さい方がよいと言われていたウェハとの接触面の
表面粗さは、拡散接合を抑制するためには大きい方がよ
いとの仮説をたて、さらに検討を重ねた結果、本発明に
至った。
置する場合には応力集中を軽減するとの観点よりできる
だけ小さい方がよいと言われていたウェハとの接触面の
表面粗さは、拡散接合を抑制するためには大きい方がよ
いとの仮説をたて、さらに検討を重ねた結果、本発明に
至った。
【００１０】本発明は、ウェハの熱処理時に用いる縦型
ボートを構成するウェハ支持体の表面粗さを、Ｒａで
０．０５μｍ以上、Ｒｍａｘで５０μｍ以下とした。こ
れにより、熱処理工程においてウェハとウェハ支持体と
に形成されるSiO2層とが各々面接触することがなく、ウ
ェハとウェハ支持体とが接着しない。
ボートを構成するウェハ支持体の表面粗さを、Ｒａで
０．０５μｍ以上、Ｒｍａｘで５０μｍ以下とした。こ
れにより、熱処理工程においてウェハとウェハ支持体と
に形成されるSiO2層とが各々面接触することがなく、ウ
ェハとウェハ支持体とが接着しない。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のウェハ支持体は、少なく
とも石英ガラス、炭化珪素、シリコン、及び炭化珪素と
シリコンの複合体の１種類からなり、表面粗さがＲａで
０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下とした
ものである。また、本発明の縦型ボートは、ウェハを載
置する複数枚のウェハ支持体と、これらウェハ支持体を
水平に保持する複数の支柱と、これら支柱を立設可能に
固定する固定部とからなる縦型ボートに、上記に規定し
たウェハ支持体を用いたものである。
とも石英ガラス、炭化珪素、シリコン、及び炭化珪素と
シリコンの複合体の１種類からなり、表面粗さがＲａで
０．０５μｍ以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下とした
ものである。また、本発明の縦型ボートは、ウェハを載
置する複数枚のウェハ支持体と、これらウェハ支持体を
水平に保持する複数の支柱と、これら支柱を立設可能に
固定する固定部とからなる縦型ボートに、上記に規定し
たウェハ支持体を用いたものである。
【００１２】上記したようにウェハ支持体の表面粗さを
規定する理由は、ウェハ支持体の表面粗さＲａが０．０
５μｍよりも細かい場合は、ウェハ支持体にウェハを載
置して熱処理を行うと接触面が広いので、その分強固に
ウェハとウェハ支持体とが接着してしまい、また、Ｒｍ
ａｘが５０μｍよりも粗い場合は、ウェハ支持体がウェ
ハに傷を与えてしまうからである。
規定する理由は、ウェハ支持体の表面粗さＲａが０．０
５μｍよりも細かい場合は、ウェハ支持体にウェハを載
置して熱処理を行うと接触面が広いので、その分強固に
ウェハとウェハ支持体とが接着してしまい、また、Ｒｍ
ａｘが５０μｍよりも粗い場合は、ウェハ支持体がウェ
ハに傷を与えてしまうからである。
【００１３】上記構成によるウェハ支持体にウェハを載
置し、熱処理を行った結果、ウェハとウェハ支持体とは
接着することがなく、また、ウェハ支持体はウェハに傷
を与えることなく熱処理は良好に行うことができた。な
お、最も良好な結果を得たのは、Ｒａが０．１μｍ以
上、かつＲｍａｘが２０μｍ以下とした場合であった。
置し、熱処理を行った結果、ウェハとウェハ支持体とは
接着することがなく、また、ウェハ支持体はウェハに傷
を与えることなく熱処理は良好に行うことができた。な
お、最も良好な結果を得たのは、Ｒａが０．１μｍ以
上、かつＲｍａｘが２０μｍ以下とした場合であった。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図１〜図５を参
照して説明する。図１は、本発明の縦型ボートを示す。
図２〜図５は、各々本発明のウェハ支持体を示す。本実
施例の縦型ボート１は、例えば炭化珪素でなり、ウェハ
２を載置する複数枚のウェハ支持体３と、これらウェハ
支持体３を水平に保持する複数の支柱４と、これら支柱
４を立設可能に固定する固定部５と、ウェハ支持体３を
支柱４に対して挿入保持するために支柱４の各々の長さ
方向同位置に形成した溝部６とからなる。そして、ウェ
ハ支持体３の平面度が例えば０．１ｍｍ、表面粗さはＲ
ａが例えば０．１μｍ、かつＲｍａｘが例えば２０μｍ
に加工されている。
照して説明する。図１は、本発明の縦型ボートを示す。
図２〜図５は、各々本発明のウェハ支持体を示す。本実
施例の縦型ボート１は、例えば炭化珪素でなり、ウェハ
２を載置する複数枚のウェハ支持体３と、これらウェハ
支持体３を水平に保持する複数の支柱４と、これら支柱
４を立設可能に固定する固定部５と、ウェハ支持体３を
支柱４に対して挿入保持するために支柱４の各々の長さ
方向同位置に形成した溝部６とからなる。そして、ウェ
ハ支持体３の平面度が例えば０．１ｍｍ、表面粗さはＲ
ａが例えば０．１μｍ、かつＲｍａｘが例えば２０μｍ
に加工されている。
【００１５】また、ウェハ支持体３の形状としては、図
１に示すような単純な円形プレートとしてもよいが、例
えば図２〜図５に示すように、ウェハ２をウェハ支持体
３から取り出す際に使用するハンド又はツイーザが挿入
可能なスペースを形成した形状であってもよい。すなわ
ち、図２にはＣ型に形成されたウェハ支持体３を、図３
には所定幅を有した半円弧状のウェハ支持体３ａ，３ｂ
でなるウェハ支持体３を、図４にはハンド又はツイーザ
の挿入スペースのみを切り欠き、その切り欠き部分を円
弧状に形成したウェハ支持体３を、図５には図４の切り
欠き部分を円弧状に形成していないウェハ支持体３を各
々示している。
１に示すような単純な円形プレートとしてもよいが、例
えば図２〜図５に示すように、ウェハ２をウェハ支持体
３から取り出す際に使用するハンド又はツイーザが挿入
可能なスペースを形成した形状であってもよい。すなわ
ち、図２にはＣ型に形成されたウェハ支持体３を、図３
には所定幅を有した半円弧状のウェハ支持体３ａ，３ｂ
でなるウェハ支持体３を、図４にはハンド又はツイーザ
の挿入スペースのみを切り欠き、その切り欠き部分を円
弧状に形成したウェハ支持体３を、図５には図４の切り
欠き部分を円弧状に形成していないウェハ支持体３を各
々示している。
【００１６】上記構成において、炭化珪素（SiC ）でな
るウェハ支持体３上にウェハ２（Si）を載置して酸素含
有雰囲気下で熱処理を行うと、図１（ｂ）に示すよう
に、ウェハ２とウェハ支持体３の表面にSiO2層７が発生
し、それによって、ウェハ２とウェハ支持体３とは互い
に拡散接合しようとするが、本実施例では、ウェハ支持
体３の中心線上における平均表面粗さＲａが０．１μ
ｍ、かつ最大表面高さＲｍａｘが２０μｍとしているの
で、SiO2層７同士の接触面積が小さく、ウェハ２とウェ
ハ支持体３とが接着しない。
るウェハ支持体３上にウェハ２（Si）を載置して酸素含
有雰囲気下で熱処理を行うと、図１（ｂ）に示すよう
に、ウェハ２とウェハ支持体３の表面にSiO2層７が発生
し、それによって、ウェハ２とウェハ支持体３とは互い
に拡散接合しようとするが、本実施例では、ウェハ支持
体３の中心線上における平均表面粗さＲａが０．１μ
ｍ、かつ最大表面高さＲｍａｘが２０μｍとしているの
で、SiO2層７同士の接触面積が小さく、ウェハ２とウェ
ハ支持体３とが接着しない。
【００１７】次に、本発明の効果を確認するために行っ
た以下の４つの試験について説明する。実施例Ａ、実施
例Ｂは、本発明の表面粗さの規定範囲内におけるウェハ
支持体３を採用してウェハ２の熱処理を行った結果であ
る。比較例Ａ、比較例Ｂは、本発明の表面粗さの規定範
囲外におけるウェハ支持体を採用してウェハの熱処理を
行った結果である。
た以下の４つの試験について説明する。実施例Ａ、実施
例Ｂは、本発明の表面粗さの規定範囲内におけるウェハ
支持体３を採用してウェハ２の熱処理を行った結果であ
る。比較例Ａ、比較例Ｂは、本発明の表面粗さの規定範
囲外におけるウェハ支持体を採用してウェハの熱処理を
行った結果である。
【００１８】（実施例Ａ）３５vol%のシリコンと６５vo
l%炭化珪素の複合体（以下、Si+SiCと記す）よりなり、
その形状を外径３１０ｍｍ、内径２００ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍの上記図２に示したＣ型とし、その表面をレジン砥石
＃１４０で平面研削し、平面度が０．１ｍｍ以下で表面
粗さがＲａ０．１２μｍ、Ｒｍａｘ１．３２μｍのウェ
ハ支持体を作成した。なお、ウェハ支持体の内径側では
エッジ部でウェハに傷をつけないように面取り加工を施
した。そして、このウェハ支持体に１２インチウェハを
載置し、拡散炉に入れて酸素雰囲気下で毎分２℃で昇温
し、１２００℃で２時間熱処理を行い、毎分２℃で降温
した後、ウェハ支持体３からウェハを取り出したとこ
ろ、ウェハとウェハ支持体の表面には接着が見られず容
易に取り出すことができ、また、スリップも発生しなか
った。
l%炭化珪素の複合体（以下、Si+SiCと記す）よりなり、
その形状を外径３１０ｍｍ、内径２００ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍの上記図２に示したＣ型とし、その表面をレジン砥石
＃１４０で平面研削し、平面度が０．１ｍｍ以下で表面
粗さがＲａ０．１２μｍ、Ｒｍａｘ１．３２μｍのウェ
ハ支持体を作成した。なお、ウェハ支持体の内径側では
エッジ部でウェハに傷をつけないように面取り加工を施
した。そして、このウェハ支持体に１２インチウェハを
載置し、拡散炉に入れて酸素雰囲気下で毎分２℃で昇温
し、１２００℃で２時間熱処理を行い、毎分２℃で降温
した後、ウェハ支持体３からウェハを取り出したとこ
ろ、ウェハとウェハ支持体の表面には接着が見られず容
易に取り出すことができ、また、スリップも発生しなか
った。
【００１９】（実施例Ｂ）上記実施例Ａと同様の素材及
び形状で、その表面をサンドブラスト加工し、平面度が
０．１ｍｍ以下で、表面粗さがＲａ１．４１μｍ、Ｒｍ
ａｘ１６．６８μｍのウェハ支持体を作成した。そし
て、このウェハ支持体に１２インチウェハを載置し、上
記と同様の処理を施したところ、ウェハとウェハ支持体
の表面には接着が見られず容易に取り出すことができ、
また、スリップも発生しなかった。
び形状で、その表面をサンドブラスト加工し、平面度が
０．１ｍｍ以下で、表面粗さがＲａ１．４１μｍ、Ｒｍ
ａｘ１６．６８μｍのウェハ支持体を作成した。そし
て、このウェハ支持体に１２インチウェハを載置し、上
記と同様の処理を施したところ、ウェハとウェハ支持体
の表面には接着が見られず容易に取り出すことができ、
また、スリップも発生しなかった。
【００２０】（比較例Ａ）Si+SiCよりなり、その形状を
外径が３１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円盤状とし、その表面
を平面研削後、研磨し、平面度が０．１ｍｍ以下で、表
面粗さがＲａ０．０１５μｍ、Ｒｍａｘ０．１２μｍの
ウェハ支持体を作成した。このウェハ支持体に１２イン
チウェハを載置し、上記と同様の処理を施したところ、
ウェハとウェハ支持体は接着してしまった。
外径が３１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円盤状とし、その表面
を平面研削後、研磨し、平面度が０．１ｍｍ以下で、表
面粗さがＲａ０．０１５μｍ、Ｒｍａｘ０．１２μｍの
ウェハ支持体を作成した。このウェハ支持体に１２イン
チウェハを載置し、上記と同様の処理を施したところ、
ウェハとウェハ支持体は接着してしまった。
【００２１】（比較例Ｂ）Si+SiCよりなり、その形状を
外径が３１０ｍｍ、内径が２９０ｍｍ、厚さ２ｍｍの上
記図２に示したＣ型とし、その表面をサンドブラスト加
工し、平面度が０．１ｍｍ以下で、表面粗さがＲａ８．
６４μｍ、Ｒｍａｘ６７．２μｍのウェハ支持体を作成
した。このウェハ支持体に１２インチウェハを載置し、
上記と同様の処理を施したところ、ウェハのウェハ支持
体との接触部には傷が付いており、スリップが発生し
た。
外径が３１０ｍｍ、内径が２９０ｍｍ、厚さ２ｍｍの上
記図２に示したＣ型とし、その表面をサンドブラスト加
工し、平面度が０．１ｍｍ以下で、表面粗さがＲａ８．
６４μｍ、Ｒｍａｘ６７．２μｍのウェハ支持体を作成
した。このウェハ支持体に１２インチウェハを載置し、
上記と同様の処理を施したところ、ウェハのウェハ支持
体との接触部には傷が付いており、スリップが発生し
た。
【００２２】このように、本発明は、上記実施例Ａ，Ｂ
と比較例Ａ，Ｂとで示したように、ウェハ支持体３の表
面粗さをＲａで０．０５μｍ以上、Ｒｍａｘで５０μｍ
以下と規定することにより、ウェハ２とウェハ支持体３
とは、接着することがなく、また、ウェハ支持体３の表
面によってウェハ２に傷を与えることがなく、従来のよ
うな不具合が発生することなく、良好に大径のウェハ２
の熱処理を行うことができる。
と比較例Ａ，Ｂとで示したように、ウェハ支持体３の表
面粗さをＲａで０．０５μｍ以上、Ｒｍａｘで５０μｍ
以下と規定することにより、ウェハ２とウェハ支持体３
とは、接着することがなく、また、ウェハ支持体３の表
面によってウェハ２に傷を与えることがなく、従来のよ
うな不具合が発生することなく、良好に大径のウェハ２
の熱処理を行うことができる。
【００２３】なお、上記した本発明は、実施例Ａ又は実
施例Ｂなどで作成したウェハ支持体の表面にＣＶＤ法に
てSiC を例えば１００μｍ程度被覆したものに適用して
もよい。さらに、本発明は、上記した炭化珪素、Si+SiC
の他、ウェハ支持体３の材質として、石英ガラス、シリ
コンなどで作成してもよく、外形の寸法及び形状につい
ても、その趣旨を逸脱しない条件での変形は可能であ
り、そのように変形した場合においても上記と同様の作
用効果を得ることができる。
施例Ｂなどで作成したウェハ支持体の表面にＣＶＤ法に
てSiC を例えば１００μｍ程度被覆したものに適用して
もよい。さらに、本発明は、上記した炭化珪素、Si+SiC
の他、ウェハ支持体３の材質として、石英ガラス、シリ
コンなどで作成してもよく、外形の寸法及び形状につい
ても、その趣旨を逸脱しない条件での変形は可能であ
り、そのように変形した場合においても上記と同様の作
用効果を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明は、少なくとも石
英ガラス、炭化珪素、シリコン、炭化珪素とシリコンの
複合体のいずれか１種類でウェハ支持体を作成し、ウェ
ハ支持体の表面粗さをＲａで０．０５μｍ以上、かつＲ
ｍａｘで５０μｍ以下としたので、ウェハを載置した状
態で熱処理を施した際に、化学反応によってSiO2層がウ
ェハとウェハ支持体との間に介在しても、ウェハとウェ
ハ支持体が接着することがなく、また、ウェハに傷を付
けてスリップが発生することがない。
英ガラス、炭化珪素、シリコン、炭化珪素とシリコンの
複合体のいずれか１種類でウェハ支持体を作成し、ウェ
ハ支持体の表面粗さをＲａで０．０５μｍ以上、かつＲ
ｍａｘで５０μｍ以下としたので、ウェハを載置した状
態で熱処理を施した際に、化学反応によってSiO2層がウ
ェハとウェハ支持体との間に介在しても、ウェハとウェ
ハ支持体が接着することがなく、また、ウェハに傷を付
けてスリップが発生することがない。
【図１】本発明の縦型ボートであり、（ａ）は全体を示
す斜視図、（ｂ）はウェハとウェハ支持体との接触部分
を示す拡大断面図である。
す斜視図、（ｂ）はウェハとウェハ支持体との接触部分
を示す拡大断面図である。
【図２】本発明のウェハ支持体の形状の一例を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明のウェハ支持体の形状の一例を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明のウェハ支持体の形状の一例を示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明のウェハ支持体の形状の一例を示す図で
ある。
ある。
１ 縦型ボート ２ ウェハ ３ ウェハ支持体 ４ 支柱 ５ 固定部 ６ 溝部 ７ SiO2層
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハの熱処理時に用いる縦型ボートを
構成するウェハ支持体であって、少なくとも石英ガラ
ス、炭化珪素、シリコン、及び炭化珪素とシリコンの複
合体の１種類からなり、表面粗さがＲａで０．０５μｍ
以上、かつＲｍａｘで５０μｍ以下であることを特徴と
するウェハ支持体。 - 【請求項２】 ウェハを載置する複数枚のウェハ支持体
と、これらウェハ支持体を水平に保持する複数の支柱
と、これら支柱を立設可能に固定する固定部とからなる
縦型ボートにおいて、前記ウェハ支持体が請求項１記載
のウェハ支持体であることを特徴とする縦型ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12971697A JPH10321543A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | ウェハ支持体及び縦型ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12971697A JPH10321543A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | ウェハ支持体及び縦型ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321543A true JPH10321543A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15016450
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