JP7220844B2 - SiC多結晶基板の製造方法 - Google Patents
SiC多結晶基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7220844B2 JP7220844B2 JP2018224589A JP2018224589A JP7220844B2 JP 7220844 B2 JP7220844 B2 JP 7220844B2 JP 2018224589 A JP2018224589 A JP 2018224589A JP 2018224589 A JP2018224589 A JP 2018224589A JP 7220844 B2 JP7220844 B2 JP 7220844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sic
- sic polycrystalline
- grinding
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
Description
特許文献1には、SiC基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が30個/cm2以下のSiC単結晶基板とSiC多結晶基板を準備し、前記SiC単結晶基板と前記Sic多結晶基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、単結晶基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することが記載されている。
しかしながら、前記記載の方法で製造されたSiC基板は大部分が多結晶基板である。このため、SiC基板が研磨などハンドリングの際に損傷しないよう機械的な強度を有するよう十分な厚さの多結晶基板を使用しなければならない。
また、SiC多結晶膜が歪むことを前提として、凸レンズ状の支持基板の表面にSiC多結晶膜を成膜して、支持基板を分離する技術も知られている(例えば、特許文献3)。しかしながら、凸レンズ状の支持基板を作製する際に、支持基板の表面の曲率を精度よく作製する必要があり、精度の管理が面倒で、コストが上昇する問題があった。特に、カーボン製の支持基板を使用する場合、支持基板を分離する際には、支持基板を燃やす形となり、燃えて無くなる支持基板のコストはできるだけ抑えたい。
(1.SiC多結晶膜の成膜:成膜工程)
図1において、本発明の多結晶基板の製造方法では、成膜工程において、SiC多結晶膜は、一例としてCVD法により成膜される。支持基板を反応炉内に固定し、減圧状態でAr等の不活性ガスを流しながら炉内を反応温度まで昇温させる。反応温度に達したら、不活性ガスを止め、原料ガスおよびキャリアガスを流すことで、支持基板に成膜されたSiC多結晶膜を得ることができる。
また、支持基板の厚みは、0.5~10mmのものを好適に使用可能である。厚みが0.5mmを下回ると、支持基板の強度が不足しやすく、10mmを超えると支持基板を分離する(燃やす)際の時間が長くなると共に、燃えて無くなる支持基板において材料の無駄となりやすいためである。
さらに、支持基板は、平行平板状のもの、すなわち、図1に示すように、一方の面(表面)と他方の面(裏面)とが平行な平板を使用している。なお、本願明細書及び特許請求の範囲において、平行平板における平行は、厳密な平行だけでなく、支持基板の平行な面を作成する上で不可避な誤差を有する場合も含む意味で使用している。
C系原料ガスとしては、例えば、メタン(CH4)、プロパン(C3H8)、アセチレン(C2H2)を用いることができる。
また、これら原料ガスおよびキャリアガスと同時に、第3のガスとして、不純物ドーピングガスを同時に供給することもできる。例えば、導電型をn型とする場合には窒素(N2)、p型とする場合にはトリメチルアルミニウム(TMA)を用いることができる。
上記方法(成膜工程)で得られた基板の側壁には、SiC多結晶膜が成膜されるため、端面加工装置に投入して、端面から2~4mm研削して、支持基板を露出させる。
なお、成膜時に支持基板の外周部をリング状の黒鉛等でマスクしておけば端面加工は不要である。
上記方法(端面加工工程)で得られたSiC多結晶膜は成膜条件に依存するものの、成膜膜厚の分布によって、一般的に成膜面は平坦ではない。そこで、ガラス基板に上記基板をワックスで固定して、片側の成膜面を、一例として、200~7000番手の砥石のダイヤモンドホイールで平面研削を実施する。研削面が平坦になった段階で、ガラス基板からSiC多結晶基板を取り外し、平面研削を施した面側とガラス基板とをワックスで再度固定して、逆側の成膜面を同様の手順で平面研削を実施する。
支持基板に黒鉛を用いた場合、大気雰囲気中において800℃、100時間以上の加熱によって、黒鉛基板が焼成し、SiC多結晶膜を分離できる。
上記手順4.(分離工程)にて分離したSiC多結晶膜は、上記手順3.(研削工程)において、成膜面は200番手の平面研削によって平坦になっているため、ポーラスチャック等でSiC多結晶膜を固定できる。チャックとの固定面とは逆側の面、すなわち、支持基板の剥離面を200~7000番手のダイヤモンドホイールで平面研削を実施する。所望の厚み、面状態が得られれば、加工を終了する。必要に応じて、研磨加工によって所望の面状態としても良い。
(実施例1)
支持基板には厚み500μmの黒鉛基板を使用した。
本支持基板を熱CVD装置内に固定し、炉内を排気ポンプにより真空引きを行った後、1350℃まで加熱した。原料ガスとして、SiCl4、CH4、キャリアガスとしてH2、不純物ドーピングガスとしてN2を用いた。SiCl4:CH4:H2:N2=1:1:10:10の条件で40時間の成膜を実施した。このときの炉内圧力は30kPaであった。
支持基板を分離した面の研削を、200番、800番、1000番、7000番と順次番手を上げて成膜面の両面を研削した結果、SiC多結晶基板100枚中、割れたのは0枚であった。
成膜工程後の端面加工前に、平面研削機により両面の成膜面を研削し、その後、端面加工により基板外周部で支持基板を露出させた以外は実施例1と同様とした。その結果、支持基板除去後の平面研削工程において、SiC多結晶基板100枚中、割れたのは0枚であった。
図2は従来のSiC多結晶基板の製造方法の説明図である。
図2において、比較例1として、成膜工程後に端面加工機により支持基板を露出させ、加熱処理により黒鉛基板を焼成除去し、2枚のSiC多結晶基板を分離したのち、平面研削を実施した結果、SiC多結晶基板100枚中、割れやクラックが生じたのは20枚であった。
Claims (4)
- 平行平板状の支持基板の表面に、目的の厚さまで連続的にSiC多結晶膜を成膜する成膜工程と、
成膜された前記SiC多結晶膜の表面を研削する研削工程と、
研削された前記SiC多結晶膜を研削後に成膜することなく前記支持基板から分離する分離工程と、
前記支持基板から分離された前記SiC多結晶膜の前記支持基板側の面を研削する第2の研削工程と、
を実行することを特徴とするSiC多結晶基板の製造方法。 - SiC多結晶膜が成膜された支持基板の端面を露出させる加工を行う端面加工工程と、
前記端面加工後に、前記SiC多結晶膜の表面を研削する前記研削工程と、
を実行することを特徴とする請求項1に記載のSiC多結晶基板の製造方法。 - 200番~7000番の砥石で平面研削する前記研削工程、
を実行することを特徴とする請求項1または2に記載のSiC多結晶基板の製造方法。 - 厚さ0.5~10mmの黒鉛基板で構成された前記支持基板を焼成することで、前記SiC多結晶膜を前記支持基板から分離する前記分離工程、
を実行することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のSiC多結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224589A JP7220844B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | SiC多結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224589A JP7220844B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | SiC多結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020088305A JP2020088305A (ja) | 2020-06-04 |
JP7220844B2 true JP7220844B2 (ja) | 2023-02-13 |
Family
ID=70908976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018224589A Active JP7220844B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | SiC多結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7220844B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7367541B2 (ja) * | 2020-01-27 | 2023-10-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249426A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCモニタウェハ製造方法 |
JP2017108026A (ja) | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体基板の製造方法、炭化珪素半導体基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2018224589A patent/JP7220844B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249426A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCモニタウェハ製造方法 |
JP2017108026A (ja) | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体基板の製造方法、炭化珪素半導体基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020088305A (ja) | 2020-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5051909B2 (ja) | 縦型ウエハボート | |
US20060060145A1 (en) | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing | |
JP7163756B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7220844B2 (ja) | SiC多結晶基板の製造方法 | |
JP7081453B2 (ja) | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 | |
JP7273267B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7255473B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7294021B2 (ja) | 黒鉛製支持基板の表面処理方法、炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7400337B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP3811540B2 (ja) | 炭化珪素成形体の製造方法 | |
JP7322408B2 (ja) | 炭化珪素多結晶基板、炭化珪素多結晶膜の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7103182B2 (ja) | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 | |
JP7220845B2 (ja) | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 | |
JP2022067844A (ja) | 炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7247819B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7413768B2 (ja) | 多結晶基板の製造方法 | |
JP2021113136A (ja) | SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法 | |
JP7367541B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7338193B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7322371B2 (ja) | 炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7367497B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、および、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7247749B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 | |
JP7371510B2 (ja) | 成膜方法および基板の製造方法 | |
JP2021070609A (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP2022067842A (ja) | 炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210720 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7220844 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |