JP2006073994A - 接続用基板、接続構造、接続方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 ストリップラインと接続する基板との接続工程の簡略化及び高速で良質な信号を伝送することが可能な接続用基板、接続構造、電気光学装置並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 接続用基板は、第１導電部及び第２導電部とが絶縁層を介して対向して設けられ、第１導電部及び第２導電部のいずれか一方の導電部の端部が、他方の導電部の端部及び絶縁層の端部から延出して設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、接続用基板、接続構造、接続方法並びに電子機器に関する。

従来から、フレキシブル基板を液晶パネルに接続する場合、フレキシブル基板上に形成された配線と、フレキシブル基板の配線に対応する液晶パネル上の位置に形成された電極端子とを電気的に接続することにより、フレキシブル基板に搭載された駆動用ＩＣ等からの信号を液晶パネル側に伝送するといった方法が利用されている。
ところで、近年、液晶表示装置等の電子機器は、情報量の増大、処理速度の向上等から、動作周波数が高周波化する傾向にあり、大容量かつ高速に信号を伝送することが要求されている。このような状況下において、上述したようなフレキシブル基板に形成した配線と液晶パネル上に形成された電極端子とを接続する方法では、伝送する信号の高周波化によって、インダクタ成分等による特性インピーダンスの不整合がフレキシブル基板の配線に発生し、これにより、伝送する信号が劣化してしまうという問題があった。
そこで、上述したような、高周波の信号を伝送する手段として、マイクロストリップライン、ストリップライン等が広く利用されている。マイクロストリップラインとは、例えば、回路基板の能動面に信号線を形成するとともに、絶縁層を介し、信号線に対向させてベタ状のグランド線を形成したものであり、所望のインピーダンス特性を設定することができるという構造を有している。また、ストリップラインとは、例えば回路基板内層に信号線を形成するとともに、絶縁層を介して信号線をベタグランド線で挟む構造で、所望のインピーダンス特性を設定できる構造を有している。
このような、ストリップラインを利用した接続構造としては、ストリップラインの端末部に信号線を露出させる切断部を設けて、この露出した信号線を所望の基板に当接させて、ストリップラインと基板とを接続する構造が開示されている（例えば、特許文献１）。
特開平６−３２５８３６号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示の接続構造では、ストリップラインを構成する信号線を、接続する基板の能動面に接続し、接続する基板の裏面にグランド線を接続している。そのため、接続工程において、基板の両面に対してハンドリングして上記ストリップラインを接続しなければならない。さらに、ストリップラインを基板に接続する際には、ストリップラインの信号線と基板の表面に形成される電極端子、グランド線と基板の裏面に形成される電極端子とを各々位置合わせして接続しなければならない。このように、上記特許文献１に開示の接続構造では、接続工程が複雑化するという問題があった。また、上記特許文献１のような接続構造では、マイクロストリップライン、ストリップラインなどの基板の表裏、又は基板の異なる内層に形成されている信号線とベタグランド線を接続する場合を考慮されておらず、今後信号が高速化した場合、配線のインダクタ成分が問題になるものと思われる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、マイクロストリップライン、スタックドペアライン、ストリップラインなどのインピーダンス制御配線と接続する基板との接続工程の簡略化及び高速で良質な信号を伝送することが可能な接続用基板、接続構造、電気光学装置並びに電子機器を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決するために、第１導電部及び第２導電部とが絶縁層を介して対向して設けられ、前記第１導電部及び前記第２導電部のいずれか一方の前記導電部の端部が、他方の前記導電部の端部及び前記絶縁層の端部から延出して設けられていることを特徴とする。

本発明の接続用基板は、第１導電部と第２導電部とこれらの導電部によって挟持された絶縁層とを備えた、いわゆるマイクロストリップライン構造を有する伝送媒体である。そして、上記第１導電部及び第２導電部のいずれか一方の導電部は、基準電位を定める導電部として機能している。
本発明において、第１基板と第２基板の接続手段として、いわゆるマイクロストリップラインを使用している。従って、マイクロストリップラインの第１導電部又は第２導電部のいずれか一方の厚み、幅、及び絶縁層の厚みを調整することにより、第１導電部又は第２導電部に発生する特性インピーダンスを制御することができる。さらに、マイクロストリップラインの第１導電部又は第２導電部のいずれか一方は、他の導電部及び絶縁層より延出して形成されている。従って、第１基板と第２基板とを接続した際、第１基板の能動面において、マイクロストリップラインの第１導電部又は第２導電部のうち、信号配線の接続部まで、特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

また本発明は、基板と、前記基板を介して対向して設けられた前記第１導電部及び前記第２導電部と、を備え、前記第１導電部及び前記第２導電部のいずれか一方の前記導電部の端部が、他方の前記導電部の端部及び前記基板の端部から延出して設けられていることも好ましい。
本発明において、第１基板と第２基板の接続手段として、上記マイクロストリップラインを使用している。従って、マイクロストリップラインの第１導電部又は第２導電部のいずれか一方の厚み、幅、及び絶縁層の厚みを調整することにより、第１導電部又は第２導電部に発生する特性インピーダンスを制御することができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

また本発明は、前記第１導電部及び第２導電部のいずれか一方が、前記基板上にベタ状に設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、基板上にベタ状に設けられるため、第１導電部及び第２導電部のいずれか一方を例えば、ストライプ状等に形成する必要がなく、製造工程の省略化を図ることができる。

また本発明は、絶縁体を介して信号配線とグランド線とが対向して設けられ、前記グランド線の端部が、前記信号配線の端部及び前記絶縁体の端部から延出して設けられていることも好ましい。
グランド線の端部が信号線の端部よりも延出して設けられているため、延出して設けられたグランド線の端部まで、信号線のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合することができる。従って、インダクタ成分等により発生する信号波形のなまりを抑制することができる。この結果、より高速で良質な信号を伝送することができ、高精細かつ信号応答性の向上を図る事ができ、結果、表示品質の向上を図ることができる。

本発明は、第２基板と、前記第２基板の一方面に設けられた第１導電部と、前記第２基板の他方面に第１導電部の端部及び前記第２基板の端部よりも延出して設けられた第２導電部と、第１基板と、前記第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に設けられた第１凸部と、前記第１凸部より高く設けられた第２凸部と、を備え、前記第１導電部と前記第１凸部とが接続され、前記第２導電部と前記第２凸部とが接続されたことを特徴とする。

第２基板に設けられた第２導電部は第１導電部よりも延出し、第１基板又は第２基板１３の導電部に設けられた第２凸部は第１凸部よりも高く設けられている。そのため、第１基板の能動面に第１導電部と第２導電部の両導電部を同時に接続することができる。これにより、接続工程において、第２基板の一方面（片面）のみをハンドリングすることによって第１基板に接続することができる。また、第１基板の一方面に第２基板を接続するため、第１及び第２導電部を第１基板の第１及び第２凸部の各々に接続する際の位置合わせが、第１基板の両面に対して行う場合と比較して容易となる。さらに、第２基板の第２導電部は、第１導電部及び絶縁層より延出して形成されている。従って、第１基板と第２基板とを接続した際、第１基板の能動面において、マイクロストリップラインの第２導電部の延出する端部まで、特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

本発明は、前記第１凸部の高さと前記第２凸部の高さとが略同じに形成されたことも好ましい。
このような構成によれば、第１凸部と第２凸部とを同一工程により形成することができる。従って、製造工程が簡略化されるため、製造時間を短縮することができるとともに、製造コストを抑えることができる。

本発明は、第２基板と、前記第２基板の一方面に設けられた第１導電部と、前記第２基板の他方面に設けられた第２導電部と、第１基板と、前記第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に設けられた第１凸部及び第２凸部と、を備え、前記第１導電部と前記第１凸部とが接続され、前記第２基板の厚さ方向の貫通孔に充填された導電体を介して前記第２導電部と前記第２凸部とが電気的に接続されたことを特徴とする。

このような構成によれば、第２基板の第１導電部及び第２導電部のいずれか一方を延出して形成する必要がないため、製造工程が容易となる。また、第２基板の厚さ方向の貫通孔に充填された導電体を介して第２導電部と第２凸部とが接続されているため、第１基板の能動面に第１導電部と第２導電部の両導電部を同時に接続することができる。これにより、接続工程において、第２基板の一方面（片面）のみをハンドリングすることによって第１基板に接続することができる。また、第２基板の第２導電部は、第１導電部よりも延出しているため、第２基板の第２導電部の端部まで、インダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合することができる。従って、第２基板側から供給される所定信号を、特性インピーダンスの不整合によって発生する信号波形のなまりから抑制することができる。この結果、より高速で良質な信号を伝送することができ、高精細かつ高輝度で、表示品質の向上を図ることができる。

また本発明は、前記第１基板の一方面に第３導電部がもうけられ、前記第１基板の他方面に第１導電部の端部及び前記第１基板の端部よりも延出された第４導電部が設けられ、前記第３導電部が前記第２基板に設けられた前記第１導電部と接続され、前記第４導電部が前記第２基板に設けられた第２導電部と接続されたことも好ましい。
このような構成によれば、第１基板と第２基板とを接続する両配線を、いわゆるマイクロストリップライン構造を有する配線にすることができる。そのため、第１基板の第３導電部及び第４導電部、第２基板の第１導電部及び第２導電部のインダクタンス成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを第１基板の第３及び第４導電部が接続される電子部品まで整合させることができる。従って、第２基板側のみにマイクロストリップライン構造を有する配線を用いた場合と比較して、より高速で良質な信号を伝送することができ、表示品質の向上した電気光学装置を提供することができる。

本発明は、前記第１基板上に複数の前記接続用基板が積層されたことも好ましい。
このような構成によれば、上記接続用基板（マイクロストリップライン）を複数積層した場合でも、マイクロストリップラインの第１導電部又は第２導電部のいずれか一方は、他の導電部及び絶縁層より延出して形成される。従って、延出した導電部の端部まで特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

また本発明は、第２基板の一方面に第１導電部を設ける工程と、前記第２基板の他方面に前記第１導電部及び前記第２基板の端部よりも延出した第２導電部を設ける工程と、第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に第１凸部を設けるとともに、前記第１凸部より高く第２凸部を設ける工程と、前記第１導電部と前記第１凸部とを接続し、前記第２導電部と前記第２導電部とを接続する工程と、を有することを特徴とする。
このような接続方法によれば、接続工程において、第２基板の一方面（片面）をハンドリングして第１基板に接続することができる。また、第１基板の一方面（片面）に対して第２基板を接続するため、第１基板の両面に接続する場合と比較して、接続の際の位置合わせが容易となる。さらに第１基板上に延出して設けられた第２基板の第１又は第２導電部の端部まで、第１又は第２導電部のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合することができる。従って、第２基板側から供給される所定信号を、上記インダクタ成分等によって発生する所定信号波形のなまりを抑制することができる。この結果、より高速で良質な信号を伝送することができ、表示品質の向上を図ることができる。

本発明は、上記接続構造を備える電気光学装置である。また、本発明は、上記電気光学装置を備える電子機器である。本発明によれば、高精細かつ高輝度で、表示品質に優れた電気光学装置及び電子機器を提供することができる。

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

［第１の実施形態］
（液晶表示装置）
図１は、本実施形態の液晶表示装置１００の構成を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、この液晶パネル１１０に接続されるフレキシブル基板１２３（第２基板）とを備えている。
液晶パネル１１０は、複数のスイッチング素子及び配線等（図示省略）が形成されるＴＦＴアレイ基板１１１（第１基板）と、このＴＦＴアレイ基板１１１に対向して配置される対向基板１１２とを備えている。そして、ＴＦＴアレイ基板１１１と対向基板１１２との間には、液晶（図示省略）が封入されている。

ＴＦＴアレイ基板１１１は、対向基板１１２よりも大きい基板を使用しており、ＴＦＴアレイ基板１１１と対向基板１１２とを対向して配置した場合に、ＴＦＴアレイ基板１１１の周縁部が張り出すように貼り合わされている。本実施形態では、このＴＦＴアレイ基板１１１の張り出した領域を張出領域１１４とする。
ＴＦＴアレイ基板１１１には、スイッチング素子である複数のＴＦＴ、ＴＦＴに接続される画素電極等が形成されている。上記ＴＦＴは、走査線等の配線に接続され、これらの配線が張出領域１１４に引き廻されて形成されている。そして、これらの配線は、張出領域１１４に形成される複数の突起状電極（図示省略）を介してフレキシブル基板１２３に接続されている。

フレキシブル基板１２３は、鉛フリー半田、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：以下ＡＣＦと称する）等を介してＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４に接続されている。具体的には、フレキシブル基板１２３に形成されるマイクロストリップライン１０と、ＴＦＴアレイ基板１１１のマイクロストリップライン１０に対応する位置に形成される突起状電極とが電気的に接続されている。また、フレキシブル基板１２３上には、電子部品であるＩＣ又はＬＳＩ等の液晶駆動用素子３５が搭載されている。本実施形態において、液晶駆動用素子３５は、後述するマイクロストリップライン１０の信号線１４と接続するため、図１に示すようにフレキシブル基板１２３の裏面に搭載されている。このように、液晶駆動用素子３５からマイクロストリップライン１０を介して、制御信号、映像信号等の所定信号がＴＦＴアレイ基板１１１に形成される配線に供給され、液晶駆動用の駆動信号が各画素に出力されるようになっている。

（マイクロストリップラインの構造）
以下に、本実施形態におけるマイクロストリップライン１０の構造について図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図２（ａ）は、本実施形態におけるマイクロストリップライン１０の構造を示した斜視図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図である。なお、以下の説明において、マイクロストリップライン１０のＴＦＴアレイ基板１１１との接続側を、単に接続側又は端部として説明している。
図２（ａ）に示すように、マイクロストリップライン１０は、グランド線１２と、このグランド線１２に対向して配置形成された信号線１４（第１導電部）と、グランド線１２（第２導電部）と信号線１４とに挟持された絶縁層１６とを備えている。

絶縁層１６は、本実施形態においてフレキシブル基板１２３を構成している。このフレキシブル基板１２３を構成する絶縁層１６は、ポリイミドを使用したポリイミドフィルムから構成され、折り曲げ可能な柔軟性を持ったプリント基板となっている。このように、マイクロストリップライン１０は、フレキシブル基板１２３のＴＦＴアレイ基板１１１との接続側の一端部に形成されている。

グランド線１２は、基準電位を定める配線であり、フレキシブル基板１２３である絶縁層１６の上面に、図１に示すフレキシブル基板１２３の接続側にベタ状に形成されている。具体的には、上記グランド線１２は矩形状に薄く形成され、グランド線１２の厚みは、例えば伝送される信号の波長よりも小さくなるように形成されている。
また、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、グランド線１２のＴＦＴアレイ基板１１１との接続側の一端部は、信号線１４及び絶縁層１６の接続側の端部より、延出して形成されている。ここで、信号線１４の延出させる長さは、５００μｍ以下であることが好ましい。

信号線１４は、フレキシブル基板１２３である絶縁層１６の下面に上記グランド線１２と対向して、図２（ａ）に示すマイクロストリップライン１０の平面視短辺方向に沿ってストライプ状に複数形成されている。この信号線１４は上記グランド線１２と同様に、細くかつ薄い線状に形成され、グランド線１２の厚み及び幅は伝送される信号の波長よりも小さくなるように形成されている。また、信号線１４は、上記絶縁層１６と端部がほぼ重なって形成されており、ベタ状に形成されたグランド線１２を絶縁層１６及び信号線１４の端部から延出させるような構造となっている。また、信号線１４は、フレキシブル基板１２３に搭載される液晶駆動用素子３５から出力される高周波信号をＴＦＴアレイ基板１１１に供給する。一方、信号線１４の他端部は、フレキシブル基板１２３の裏面に搭載される液晶駆動用素子３５の接続端子部に接続されている。

本実施形態によれば、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１の接続手段として、上記マイクロストリップライン１０を使用している。従って、マイクロストリップライン１０の信号線１４の厚み、幅、及び絶縁層１６の厚みを考慮することにより、信号線１４に発生する特性インピーダンスを制御することができる。
また、グランド線１２は、フレキシブル基板１２３の上面にベタ状に形成するため、後述する実施形態のようにグランド線１２をストライプ状等に形成する必要がなく、製造工程の省略化を図ることができる。

（マイクロストリップライン（フレキシブル基板）とＴＦＴアレイ基板との接続構造）
図３（ａ）、（ｂ）は、上記図１に示した破線部分を拡大した図である。なお、以下の説明においては、マイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造について詳細に説明し、その他のＴＦＴアレイ基板に形成されている配線等の説明は省略する。
図３（ａ）は、フレキシブル基板とＴＦＴアレイ基板との接続部分を上面から示した拡大図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）、（ｂ）のＤ−Ｄ‘線に沿った断面図である。

図３（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４には、接続されるマイクロストリップライン１０の信号線１４の端部の位置に対応して、信号線用突起状電極３０が複数形成されている。さらに、マイクロストリップライン１０のグランド線１２の端部の位置に対応して、グランド線用突起状電極２８が複数形成されている。これらの各突起状電極は、ストライプ状に形成されたグランド線１２及び信号線１４の各々に対応して、張出領域１１４の接続側の長辺に沿って形成されている。また、グランド線用突起状電極２８と信号線用突起状電極３０とは、互いに接触しないように、グランド線１２が信号線１４から延出する距離の範囲内において間隔を空けて形成されている。

上記グランド線用突起電極２８は、グランド線用電極端子２４とグランド線用バンプ１８（第２凸部）とから構成され、同様に、信号線用突起電極３０は、信号線用電極端子２６と信号線用バンプ２０（第１凸部）とから構成されている。グランド線用電極端子２４及び信号線用電極端子２６は、Ａｌ等の金属から形成されている。また、信号線用バンプ２０及びグランド線用１８は、Ａｕ、Ｃｕ、半田、Ｎｉ等の金属等により半球状に形成されている。なお、上記グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０は、半球状に限られず、円錐台形状、角錐台形状、円柱状、角柱状等の各種形状を適用することが可能である。

本実施形態において特徴的な点は、グランド線用バンプ１８が、信号線用バンプ２０の高さよりも高く形成されている点である。具体的には、グランド線用バンプ１８は、信号線用バンプ２０、信号線１４及び絶縁層１６の各々の高さを合わせた高さ程度に形成されている。このようにグランド線用バンプ１８を形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域にマイクロストリップライン１０のグランド線１２と信号線１４とをＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域に同時に接続できるようになっている。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル基板１２３に形成されたマイクロストリップライン１０は、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４上に接続されている。具体的には、マイクロストリップライン１０の延出して形成されたグランド線１２は、張出領域１１４に形成されたグランド線用突起状電極２８と電気的に接続されている。同様に、マイクロストリップライン１０の信号線１４は、張出領域１１４に形成された信号線用突起状電極３０と電気的に接続されている。マイクロストリップライン１０と突起状電極との接続は、ＡＣＦ、ＮＣＰ又は突起状電極の先端部に設けた鉛フリー半田等を使用することにより電気的に接続させることが好ましい。
なお、本実施形態において、上記グランド線用バンプ１８をグランド線１２の接続側端部の下面（接続面）に形成し、ＴＦＴアレイ基板１１１に形成されるグランド線用電極端子２４と上記接合材により電気的に接続することも好ましい。同様に、上記信号線用バンプ２０を信号線１４の接続側端部の下面（接続面）に形成し、ＴＦＴアレイ基板１１１に形成される信号線用電極端子２６と上記接合材により電気的に接続することも好ましい。
以上説明したマイクロストリップライン１０を使用してＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４に接続した場合、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ベタ状に形成された複数のグランド線１２は、フレキシブル基板１２３の接続側の辺に対して垂直方向に延出した構造となっている。

本実施形態によれば、フレキシブル基板１２３に形成されたグランド線１２は、信号線１４よりも延出し、ＴＦＴアレイ基板１１１に形成されたグランド線用バンプ１８は信号線用バンプ２０よりも高く形成されている。そのため、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面にグランド線１２と信号線１４の両配線を同時に接続することができる。これにより、接続工程において、フレキシブル基板１２３の能動面（片面）のみをハンドリングすることによってＴＦＴアレイ基板１１１に接続することができる。
また、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面（片面）に、フレキシブル基板１２３を接続している。従って、グランド線１２及び信号線１４をＴＦＴアレイ基板１１１のグランド線用突起状電極２８及び信号線用突起状電極３０の各々に接続する際の位置合わせが、ＴＦＴアレイ基板１１１の両面に対して行う場合と比較して容易となる。
さらに、フレキシブル基板１２３のグランド線１２は、信号線１４及び絶縁層１６より延出して形成されている。従って、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１とを接続した際、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面において、マイクロストリップライン１０のグランド線１２の延出する端部まで、信号線１４のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

（マイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板の接続方法）
以下に、まず、グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０の形成方法について説明する。
まず、Ａｌで形成されたグランド線用パッド及び信号線用パッドを、表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。次に、水酸化ナトリウムベースのアルカリ性水溶液を所定加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。次に、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬し、Ａｌで形成されたグランド線用パッド及び信号線用パッド表面をＺｎに置換する。その後、グランド線用パッド及び信号線用パッドを硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。次に、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。このとき、グランド線用バンプ１８は、信号線用バンプ２０よりも高くなるように形成する。このグランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０の形成方法としては、例えば、信号配線用バンプ２０と、グランド配線用バンプ１８をある時間成長させ、その後、メッキレジストなどにより、信号配線用バンプ上にレジストを塗布し、グランド配線用バンプ１８のみを成長させる方法などがある。このようにして、フレキシブル基板１２３である絶縁層１６、この絶縁層１６の下面に形成される信号線１４及び信号線用バンプ２０の各々の高さよりも高くなるように形成する。

最後に、上記グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０を置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、上記バンプのＮｉ表面をＡｕにする。このようにして、Ａｌから形成されるグランド線用パッド及び信号線用パッド上にＮｉ−Ａｕバンプ（グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０）を形成する。また、Ｎｉ−Ａｕメッキバンプ上に、鉛フリー半田をスクリーン印刷やディッピング等により形成することも好ましい。

続けて、マイクロストリップライン１０の形成方法について図４を参照して説明する。
図４は、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を信号線１４等から延出させて形成する方法を示した図である。
まず、図４に示すように、矩形状の開口部８が形成されているフレキシブル基板１２３を用意する。このフレキシブル基板１２３に形成される開口部８は、例えば、グランド線１２の短辺の長さよりも長く形成された長辺８ａと、グランド線１２を延出させる長さよりも長く形成された短辺８ｂとから構成されている。
次に、上記フレキシブル基板１２３の上面に銅箔を張り付ける。この銅箔の膜厚は例えば１８μｍ〜３５μｍ程度である。このとき、銅箔は、フレキシブル基板１２３に形成される開口部８の長辺（図４中左辺）から、銅箔の先端部が延出するように張り付けられる。この銅箔の延出して張り付けられた先端部が、上述したグランド線１２の延出させる部分に対応している。
次に、フレキシブル基板１２３に張り付けた銅箔の全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、露光、現像し、銅箔を所定形状にパターニングする。本実施形態においては、上記銅箔をベタ状にパターニングし、グランド線１２を形成する。

同様にして、フレキシブル基板１２３の下面に銅箔を張り付ける。このときに、銅箔の辺１２ａが、フレキシブル基板１２３に形成される開口部の長辺８ａ（図４中左辺）からはみ出さないようにフレキシブル基板１２３に張り付ける。そして、張り付けた銅箔をフォトリソグラフィー法により、露光、現像し、ストライプ状にパターニングする。このように、上記銅箔をストライプ状にパターニングすることによって、フレキシブル基板１２３の下面に線状の信号線１４を形成する（図示省略）。

次に、図４に示すように、上記フレキシブル基板１２３の上面に形成したグランド線１２が、絶縁層１６及び信号線１４のＴＦＴアレイ基板１１１側の端部よりも延出するように、フレキシブル基板１２３を図中の一点鎖線に沿って切断する。これにより、グランド線１２が、絶縁層１６及び信号線１４の端部よりも延出させることができる。
以上、説明したような工程により、本実施形態におけるマイクロストリップライン１０を形成する。

次に、上記工程により形成したフレキシブル基板１２３のマイクロストリップライン１０を、ボンディング装置（図示省略）を用いてＴＦＴアレイ基板１１１に接続する。ここで、ボンディング装置に搭載されるヘッドは、真空吸着機構及び加熱機構等を備えている。
ボンディング装置は、上記フレキシブル基板１２３を吸着保持し、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４に形成される突起状電極上までフレキシブル基板１２３を移動させる。そして、マイクロストリップライン１０を張出領域１１４に形成される突起状電極に対して位置合わせして接続させ、加熱、加圧を行う。ここで、接合材としては、上述したように、グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０上に形成した鉛フリー半田、又はＡＣＦ、ＡＣＰその他の接合材を適宜用いることが可能である。
これにより、フレキシブル基板１２３の延出して形成されたグランド線１２とＴＦＴアレイ基板１１１の信号線用突起電極よりも高く形成されたグランド線用突起電極とを電気的に接続させることができ、同様に、信号線１４とＴＦＴアレイ基板１１１の信号線用突起電極とを電気的に接続させることができる。
なお、上記マイクロストリップライン１０とＴＦＴアレイ基板１１１との接続には、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、等による金属接合を適用してもよい。電極にこれらの材料を設け、圧力のみ、熱のみ、超音波振動のみ、又は超音波振動及び、それらを複合的に印加して両者を接合する。両者が接合されると、振動や熱によって電極に設けられた材料が拡散して金属接合が形成される。

［第２の実施形態］
以下に、本実施形態について図５を参照して説明する。
上記第１実施形態では、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を延出して形成し、さらに信号線用突起状電極３０よりも高く形成したグランド線用突起状電極２８をＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４もしくはフレキシブル基板１２３側のグランド線１２、信号線１４に形成し、これらを電気的に接続していた。これに対して、本実施形態においては、グランド線１２の端部の位置に対応する絶縁層１６にグランド線１２から信号線１４に向かってビアを形成し、ＴＦＴアレイ基板１１１に形成したグランド線用突起状電極２８と電気的に接続する点において異なる。なお、その他のマイクロストリップライン１０の基本構成は上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図５（ａ）は、フレキシブル基板とＴＦＴアレイ基板との接続部分を上面から示した拡大図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ‘線に沿った断面図である。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、マイクロストリップライン１０のグランド線１２、信号線１４及びこれらに挟持された絶縁層１６は、ＴＦＴアレイ基板１１１側の端部が重なるようにして形成されている。また、図５（ｂ）に示すように、絶縁層１６の下面に形成された信号線１４は、グランド線１２及び絶縁層１６の端部よりも短くなっており、絶縁層１６の下面の端部を露出させるように形成されている。絶縁層１６の露出した部分には、グランド線１２とグランド線用バンプ１８とを中継して接続する中継層１３が形成されている。信号線１４と中継層１３とは、間隔を空けて形成され、信号線１４と中継層１３を絶縁するようにパターニング形成されている。なお、上記中継層１３を形成する際は、信号線１４の接続側の端部を、中継層１３と信号線１４とに間隙部を空けてパターニングすることにより形成している。

中継層１３とグランド線１２とに挟持される絶縁層１６には、グランド線１２側から信号線１４側に向かって、所定のアスペクト比を有するビア２２が形成されている。このビア２２内部には、電解メッキ法等によりＣｕ，Ａｕ等の導電材料が充填され、グランド線１２と中継層１３とを電気的に接続するようになっている。

このような構造を有するマイクロストリップライン１０が、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４上に接続されている。具体的には、マイクロストリップライン１０の延出して形成されたグランド線１２は、絶縁層１６に形成されたビア２２及び中継層１３を介して、張出領域１１４に形成されたグランド線用突起状電極２８と電気的に接続されている。同様に、マイクロストリップライン１０の信号線１４は、張出領域１１４に形成された信号線用突起状電極３０と電気的に接続されている。

本実施形態によれば、フレキシブル基板１２３の信号線１４をグランド線１２の中継層１３と信号線１４とに分割して形成している。これにより、フォトリソグラフィー法によって、グランド線１２を中継層１３と信号線１４とに分割してパターニングすることができる。従って、上述したようなフレキシブル基板１２３のグランド線１２を延出させて形成する場合と比較して製造工程が容易となる。
また、フレキシブル基板１２３のグランド線１２は、信号線１４よりも延出しているため、接続側のグランド線１２の端部まで、インダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合することができる。

［第３の実施形態］
以下に、本実施形態について図６を参照して説明する。
上記第１及び２実施形態では、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１とを接続する際、フレキシブル基板１２３側に形成したマイクロストリップライン１０と、ＴＦＴアレイ基板１１１側の配線に接続された電極端子とを接続していた。これに対して、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１１１側の配線についてもマイクロストリップライン３８を使用している点において異なる。なお、マイクロストリップライン１０の基本構成は上記第２実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図６（ａ）は、フレキシブル基板とＴＦＴアレイ基板１１１との接続部分を上面から示した拡大図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＥ−Ｅ‘線に沿った断面図である。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１１側のマイクロストリップライン３８を構成するグランド線３２（第４導電部）は、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面の張出領域１１４にベタ状に形成されている。また、信号線３４（第３導電部）は、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面の張出領域１１４に、張出領域１１４の短辺方向に沿ってストライプ状に複数形成されている。
グランド線３２は絶縁層３６の上面に形成され、信号線３４は絶縁層３６の下面に形成されており、信号線３４の下面はＴＦＴアレイ基板１１１の能動面と接触している。そして、ＴＦＴアレイ基板１１１側のマイクロストリップライン３８のグランド線３２及び信号線３４は、フレキシブル基板１２３側のマイクロストリップライン１０のグランド線１２及び信号線１４の各々の位置に重なるようにして形成されている。また、フレキシブル基板１２３側のマイクロストリップライン３８の信号線３４は、上記第１実施形態とは異なり、絶縁層３６及びグランド線３２の接続側の端部よりも延出して形成されている。

図６（ｂ）に示すように、マイクロストリップライン３８のグランド線３２の接続側の端部上には、グランド線用バンプ１８が形成されている。また、信号線３４の接続側の端部上には、グランド線用バンプ１８が形成された位置と同じ高さになるように信号線用バンプ２０が形成されている。具体的に、信号線用バンプ２０の高さは、マイクロストリップライン３８の絶縁層３６、グランド線３２及びグランド線３２上に形成されるグランド線用バンプ１８の各々の厚さを合わせた程度の高さである。
なお、グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０は、上述したように、フレキシブル基板１２３側に形成されるマイクロストリップライン１０のグランド線１２及び信号線１４の各々に形成することも好ましい。また、図６に示すグランド線１２，３２を信号線とし、信号線１４，３４をグランド線とすることも可能ある。

このような構造を有するＴＦＴアレイ基板１１１側のマイクロストリップライン３８は、接続されるフレキシブル基板１２３に形成されたマイクロストリップライン１０と電気的に接続されている。具体的には、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル基板１２３側のマイクロストリップライン１０のグランド線１２は、絶縁層１６に形成されたビア２２及び中継層１３を介して、ＴＦＴアレイ基板１１１に形成されたグランド線用バンプ１８と電気的に接続されている。同様に、マイクロストリップライン１０の信号線１４は、張出領域１１４に形成された信号線用バンプ２０を介して、ＴＦＴアレイ基板１１１側のマイクロストリップライン３８の信号線３４と電気的に接続されている。

本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板１１１とフレキシブル基板１２３とをマイクロストリップライン１０、３２により接続することができる。そのため、フレキシブル基板１２３側のマイクロストリップライン１０からＴＦＴアレイ基板１１１側のマイクロストリップライン３８まで特性インピーダンスを整合させることができる。従って、フレキシブル基板１２３側のみにマイクロストリップライン１０を用いた場合と比較して、ＴＦＴアレイ基板１１１側にもマイクロストリップライン３８を用いているため、より高速で良質な信号を伝送することができる。
また、フレキシブル基板１２３側ではグランド線１２が延出したマイクロストリップライン１０を用い、ＴＦＴアレイ基板１１１側では信号線１４が延出したマイクロストリップライン３８を用いている。そのため、ＴＦＴアレイ基板１１１側の能動面にマイクロストリップライン１０の信号線１４とグランド線１２とを同時に接続することができる。

［第４の実施形態］
以下に、本実施形態について図７を参照して説明する。
上記第１〜３の実施形態では、フレキシブル基板１２３に形成するグランド線１２をベタ状に形成していた。これに対して、本実施形態においては、フレキシブル基板１２３に形成するグランド線１２をストライプ状に形成する点において異なる。なお、マイクロストリップライン１０の基本構成は上記第１〜３実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

（マイクロストリップラインの構造）
以下に、本実施形態におけるマイクロストリップライン１０の構造について図７（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図７（ａ）は、本実施形態におけるマイクロストリップライン１０の構造を示した斜視図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図である。なお、以下の説明において、マイクロストリップライン１０のＴＦＴアレイ基板１１１との接続側を、単に接続側又は端部として説明している。
図７（ａ）に示すように、マイクロストリップライン１０は、グランド線１２と、このグランド線１２に対向して配置形成された信号線１４（第１導電部）と、グランド線１２（第２導電部）と信号線１４とに挟持された絶縁層１６とを備えている。

本実施形態において、グランド線１２は、基準電位を定める配線であり、フレキシブル基板１２３である絶縁層１６の上面に、図７（ａ）に示すマイクロストリップライン１０の平面視短辺方向に沿ってストライプ状に複数形成されている。このグランド線１２は、細くかつ薄い線状に形成され、グランド線１２の厚み及び幅は、伝送される信号の波長よりも小さくなるように形成されている。
また、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、グランド線１２のＴＦＴアレイ基板１１１との接続側の一端部は、信号線１４及び絶縁層１６の接続側の端部より、延出して形成されている。ここで、信号線１４の延出させる長さは、５００μｍ以下であることが好ましい。一方、グランド線１２の他端部は、図１に示すフレキシブル基板１２３の裏面に搭載される液晶駆動用素子３５の接続端子部に接続されている。

本実施形態によれば、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１の接続手段として、上記マイクロストリップライン１０を使用している。従って、マイクロストリップライン１０の信号線１４の厚み、幅、及び絶縁層１６の厚みを考慮することにより、信号線１４に発生する特性インピーダンスを制御することができる。

（マイクロストリップライン（フレキシブル基板）とＴＦＴアレイ基板との接続構造）
図８（ａ）、（ｂ）は、上記図７に示した破線部分を拡大した図である。なお、以下の説明においては、マイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造について詳細に説明し、その他のＴＦＴアレイ基板に形成されている配線等の説明は省略する。また、信号線用突起状電極等は、上記第１〜３実施形態と同様の構成要素であるため説明は省略する。

図８（ａ）は、フレキシブル基板とＴＦＴアレイ基板との接続部分を上面から示した拡大図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）、（ｂ）のＢ−Ｂ‘線に沿った断面図である。
図８（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４には、接続されるマイクロストリップライン１０のグランド線１２の端部の位置に対応して、グランド線用突起状電極２８が複数形成されている。このグランド線用突起状電極２８は、ストライプ状に形成されたグランド線１２の各々に対応して、張出領域１１４の接続側の長辺に沿って形成されている。また、グランド線用突起状電極２８と信号線用突起状電極３０とは、互いに接触しないように、グランド線１２が信号線１４から延出する距離の範囲内において間隔を空けて形成されている。

上記グランド線用突起電極２８は、グランド線用電極端子２４とグランド線用バンプ１８（第２凸部）とから構成されている。グランド線用電極端子２４は、Ａｌ等の金属から形成されている。また、グランド線用１８は、Ａｕ、Ｃｕ等の金属等により半球状に形成されている。なお、上記グランド線用バンプ１８は、半球状に限られず、円錐台形状、角錐台形状、円柱状、角柱状等の各種形状を適用することが可能である。

本実施形態において特徴的な点は、グランド線用バンプ１８が、信号線用バンプ２０の高さよりも高く形成されている点である。具体的には、グランド線用バンプ１８は、信号線用バンプ２０、信号線１４及び絶縁層１６の各々の高さを合わせた高さ程度に形成されている。このようにグランド線用バンプ１８を形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域にマイクロストリップライン１０のグランド線１２と信号線１４とをＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域に同時に接続できるようになっている。

図８（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル基板１２３に形成されたマイクロストリップライン１０は、ＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４上に接続されている。具体的には、マイクロストリップライン１０の延出して形成されたグランド線１２は、張出領域１１４に形成されたグランド線用突起状電極２８と電気的に接続されている。同様に、マイクロストリップライン１０の信号線１４は、張出領域１１４に形成された信号線用突起状電極３０と電気的に接続されている。マイクロストリップライン１０と突起状電極との接続は、ＡＣＦ又は突起状電極の先端部に設けた鉛フリー半田等を使用することにより電気的に接続させることが好ましい。
以上説明したマイクロストリップライン１０を使用してＴＦＴアレイ基板１１１の張出領域１１４に接続した場合、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ストライプ状に形成された複数のグランド線１２は、フレキシブル基板１２３の接続側の辺に対して垂直方向に延出した構造となっている。

本実施形態によれば、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１とを接続した際、ＴＦＴアレイ基板１１１の能動面において、マイクロストリップライン１０のグランド線１２の延出する端部まで、信号線１４のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。
なお、本実施形態のグランド線１２をストライプ状に形成すたマイクロストリップライン１０は、上記第２又は第３実施形態に適用することも可能である。

［第５の実施形態］
以下に、本実施形態について図面を参照して説明する。
図９は、多層のマイクロストリップラインとフレキシブル基板との接続構造を示す断面図である。また、図１０（ａ）〜（ｄ）は、図９に示す多層のフレキシブル基板の断面図であり、詳細には図１０（ａ）は図９のＦ−Ｆ’線に沿った断面図、図１０（ｂ）は図９のＧ−Ｇ’線に沿った断面図、図１０（ｃ）は図９のＨ−Ｈ’線に沿った断面図、図１０（ｄ）は図９のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。なお、本実施形態では、マイクロストリップラインを３層積層した場合の例について説明し、１層目のマイクロストリップラインを第１マイクロストリップライン８０と称し、２層目のマイクロストリップラインを第２マイクロストリップライン８２と称し、３層目のマイクロストリップラインを第３マイクロストリップライン８４と称する。

図９に示すように、第１マイクロストリップライン８０を構成する絶縁層５３の上面にはグランド線５４が形成されるとともに、下面には信号線５２が形成されている。グランド線５４は、絶縁層の端部５３ａ及び信号線の端部５２ａよりも延出して形成されている。

第１マイクロストリップライン８０上には、第２マイクロストリップライン８２が積層されている。第２マイクロストリップライン８２の絶縁層５５は、絶縁層の端部５５ａが第１マイクロストリップライン８０の絶縁層の端部５３ａ上に位置するように積層される。この絶縁層５５の上面には信号線５６が形成されるとともに、下面にはグランド線５４が形成されている。信号線５６は、グランド線の端部５４ａ及び絶縁層の端部５５ａよりも延出して形成されている。なお、第２マイクロストリップライン８２のグランド線５４は、第１マイクロストリップライン８０のグランド線５４と共通のグランド線が用いられる。

さらに、第２マイクロストリップライン８２上には、第３マイクロストリップライン８４が積層されている。第３マイクロストリップライン８４の絶縁層５７は、絶縁層の端部５７ａが第２マイクロストリップライン８２の絶縁層の端部５５ａ上に位置するように積層される。第３マイクロストリップライン８４の絶縁層５７の上面にはグランド線５８が形成されるとともに、下面には信号線５６が形成されている。グランド線５８は、信号線５６の端部５６ａ及び絶縁層の端部５７ａよりも延出して形成されている。なお、第３マイクロストリップライン８４の信号線５６は、第２マイクロストリップライン８２の信号線５６と共通の信号線が用いられる。また、第３マイクロストリップライン８４の絶縁層５７上面に信号線を形成し、下面にグランド線を形成しても良い。この場合には、３層目はマイクロストリップライン構造を構成しない。

上述した１層目、２層目、及び３層目のマイクロストリップライン８０，８２，８４は３層からなるフレキシブル基板に実装され、各フレキシブル基板の配線と電気的に接続される。以下にフレキシブル基板の断面構造について説明する。なお、第１マイクロストリップライン８０に対応する１層目のフレキシブル基板を第１フレキシブル基板６０と称し、第２マイクロストリップライン８２に対応する２層目のフレキシブル基板を第２フレキシブル基板６２と称し、第３マイクロストリップライン８４に対応する３層目のフレキシブル基板を第３フレキシブル基板６４と称する。

第１マイクロストリップライン８０が接続される第１フレキシブル基板６０の上面には信号線５０が形成されるとともに、下面にはグランド線６１が形成されている。信号線５０は、図１０（ａ）に示すように、他の中継層と接触しないように、第１マイクロストリップライン８０の信号線の端部５２ａまで引き廻されて形成される。なお、本実施形態において信号線５０の先端部５０ａは、平面視円形状の信号線用電極端子となっている。第１フレキシブル基板６０の信号線５０上には、図９に示すように信号線用バンプ５１が形成されている。これにより、第１マイクロストリップライン８０の信号線５２と第１フレキシブル基板６０の信号線５０とが、信号線用バンプ５１を介して電気的に接続される。

第１フレキシブル基板６０のグランド線６１は、図１０（ｂ）に示すように、フレキシブル基板６０の下面にベタ状に形成されている。第１マイクロストリップライン８０のグランド線の端部５４ａに対応するフレキシブル基板６０上面の位置には中継層６６が形成されている。この中継層６６は、図９及び図１０（ｂ）に示すように、上記信号線５０と同層、同一材料、同一工程により平面視円形状に形成される。中継層６６上には上記信号線用バンプ５１よりも高く突出したグランド線用バンプ６７が形成され、中継層６６の下層にはフレキシブル基板６０を貫通するビア７２が形成されている。これにより、第１マイクロストリップライン８０のグランド線５４とフレキシブル基板６０のグランド線６１とが、グランド線用バンプ６７、中継層６６及びビア７２を介して電気的に接続される。

第２マイクロストリップライン８２が接続される第２フレキシブル基板６２の上面にはグランド線６１が形成されるとともに、下面には信号線６３が形成されている。なお、第２フレキシブル基板６２のグランド線６１は、第１フレキシブル基板６０のグランド線６１と共通のグランド線が用いられる。

信号線６３は、図１０（ｃ）に示すように、他の中継層と接触しないように第２マイクロストリップライン８２の信号線の端部５６ａまで引き廻されて形成されている。なお、本実施形態において信号線の先端部６３ａは、平面視円形状の信号線用電極端子となっている。

第２マイクロストリップライン８２の信号線の端部５６ａに対応するフレキシブル基板６０上の位置には第１中継層６８が形成されている。この第１中継層６８は、図９及び図１０（ｂ）に示すように、上記信号線５０と同層、同一材料、同一工程により平面視円形状に形成される。第１中継層６８上には上記グランド線用バンプ６７よりも高く突出した信号線用バンプ６９が形成され、第１中継層７０の下層には第１フレキシブル基板６０を貫通する第１ビア７３が形成されている。さらに、図９に示すように、第２フレキシブル基板６２のグランド線６１と同層には、第２中継層７４が形成され、第２中継層７４に対応する下層には第２フレキシブル基板６２を貫通する第２ビア８１が形成されている。第２中継層７４は、図１０（ｂ）に示すように、ベタ状に形成されるグランド線６１の一部に平面視円形状に形成されている。また、第２中継層７４の外周にはグランド線６１を環状に貫通する空隙部が形成され、第２中継層７４とグランド線７４との絶縁性が確保されている。これにより、第２マイクロストリップライン８２の信号線５６と第２フレキシブル基板６２の信号線６３とが、信号線用バンプ６９、第１中継層６８、第１ビア７３、第２中継層７４及び第２ビア８１を介して電気的に接続される。

第３マイクロストリップライン８４が接続される第３フレキシブル基板６４の上面には信号線６３が形成されるとともに、下面にはグランド線６５が形成されている。なお、第３フレキシブル基板６４の信号線６３は、第２フレキシブル基板６２の信号線６３と共通のグランド線が用いられる。

第３フレキシブル基板６４のグランド線６５は、図１０（ｄ）に示すように、フレキシブル基板６４の下面にベタ状に形成されている。第３マイクロストリップライン８４のグランド線の端部５８ａに対応する第１フレキシブル基板６０上の位置には第１中継層７０が形成されている。この第１中継層７０は、図１０（ａ）に示すように、上記信号線５０と同層、同一材料、同一工程により平面視円形状に形成される。第１中継層７０上には上記信号線用バンプ６９よりも高く形成されたグランド用バンプ７１が形成され、第１中継層７０の下層には第１フレキシブル基板６０を貫通する第１ビア７５が形成される。また、図１０（ｂ）に示すように、第２グランド線６１と同層には、第２中継層７６が形成され、第２中継層７６の下層には第２フレキシブル基板６２を貫通する第２ビア８３が形成されている。第２中継層７６は、図１０（ｂ）に示すように、ベタ状に形成されるグランド線６１の一部に平面視円形状に形成されている。また、第２中継層７６の外周にはグランド線６１を環状に貫通する空隙部が形成され、第２中継層７６とグランド線６１との絶縁性が確保されている。さらに、第２フレキシブル基板６２の信号線６３と同層には、図１０（ｃ）に示すように、信号線６３と接触しないように第３中継層７７が平面視円形状に形成され、第３中継層７７の下層には第３フレキシブル基板６４を貫通する第３ビア７８が形成されている。これにより、第３マイクロストリップライン８４のグランド線５８と第３フレキシブル基板６４のグランド線６５とが、グランド線用バンプ７１、第１中継層７０、第１ビア７５、第２中継層７６、第２ビア８３、第３中継層７７及び第３ビア７８を介して電気的に接続される。

本実施形態によれば、多層にマイクロストリップラインを積層させた場合でも、各マイクロストリップラインのグランド線を延出させることにより、各マイクロストリップラインのグランド線の延出する端部まで、信号線のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

［第６の実施形態］
図１１は、マイクロストリップライン１０，３８同士を接続した場合の断面構造を示す図である。
上側のマイクロストリップライン１０は、ベタ状に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６の下面に形成された信号線１４と、絶縁層１６の上面に形成されたグランド線１２とから構成される。信号線１４は、絶縁層の端部１６ａ及び信号線の端部１４ａよりも延出して形成されている。

下側のマイクロストリップライン３８は、上記マイクロストリップライン１０と同様にベタ状に形成された絶縁層３６と、絶縁層３６の上面に形成されたグランド線３２と、絶縁層３６の下面に形成された信号線３４とから構成される。マイクロストリップライン１０の信号線の端部１４ａに対応した絶縁層３６上の位置には中継層２６が形成されている。中継層２６上には、信号線用バンプ２０が形成され、中継層２６の下層には絶縁層３６を貫通するビア２２が形成されている。これにより、上側のマイクロストリップライン１０の信号線１４と下側のマイクロストリップライン３８の信号線２２とは、信号線用バンプ２０、中継層２６、及びビア２２を介して電気的に接続される。

下側のマイクロストリップライン３８のグランド線３２は、マイクロストリップライン１０のグランド線の端部１２ａに対応する位置まで引き廻されて形成されている。そして、グランド線３２上には、信号線用バンプ２０よりも高く突出したグランド線用バンプ１８が形成されている。これにより、上側のマイクロストリップライン１０のグランド線１２と下側のマイクロストリップライン３８のグランド線３２とは、グランド線用バンプ１８を介して電気的に接続される。

本実施形態のように、マイクロストリップライン同士を互いに接続させた場合でも、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を延出させることにより、マイクロストリップライン１０のグランド線１２の延出する端部まで、信号線１４のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。

［第７の実施形態の変形例］
以下、本実施形態の変形例について図面を参照して説明する。
なお、マイクロストリップラインの基本構成は、上記第７実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図１２は、マイクロストリップライン１０，３８同士を接続した場合の断面構造を示す図である。
本実施形態では、下側のマイクロストリップライン３８のグランド線３２上に形成されるグランド線用バンプ１８の高さが、中継層２６上に形成される信号線用バンプ２０の高さと略等しくなるように形成されている。中継層２６の高さと、同層に形成されるグランド線３２の高さとは略等しいため、中継層２６及びグランド線用バンプ１８を合わせた高さとグランド線３４及び信号線用バンプ２０を合わせた高さとは略同じとなる。また、グランド線用バンプ１８及び信号線用バンプ２０は、略同じ高さに形成するため、通常の基板形成工程により同時に形成される。なお、上記グランド線用バンプ１８と信号線用バンプ２０に代えて、はんだペーストを用いても良い。

本実施形態においては、上記実施形態と異なり、マイクロストリップライン１０の上面の高さに比べてグランド線３２上面の高さは低くなっている。そのため、マイクロストリップライン１０のグランド線１２と、マイクロストリップライン３８のグランド線３２とを接続する場合には、図１２に示すように、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を鉛直方向に湾曲させる。これにより、グランド線１２とグランド線用バンプ１８とが電気的に接続される。

本実施形態によれば、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を湾曲させて延出させた場合でも、マイクロストリップライン１０のグランド線１２の延出する端部まで、信号線１４のインダクタ成分、コンデンサ成分等による特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、信号波形のなまりを抑制することができ、より高速で良質な信号を伝送することができる。
なお、本実施形態は、マイクロストリップライン１０，３８同士を互いに接続させた場合について説明したが、マイクロストリップライン１０，３８の一方に上述したフレキシブル基板を用いた場合にも適用することが可能である。

［電子機器］
次に、上述した構造を有するマイクロストリップライン１０を用いて、フレキシブル基板１２３とＴＦＴアレイ基板１１１とを接続した電気機器の一例である液晶表示装置について説明する。図１３は、液晶表示装置を模式的に示す斜視図である。上述したマイクロストリップライン１０は、液晶表示装置１２００の筐体内部に配置されている。図１３において、符号１２０１は表示部、符号１２０２は液晶表示装置本体、符号１２０３はスピーカーを示している。上記マイクロストリップライン１０を用いることにより、高速で良質な信号を伝送することができ、表示品質の優れた液晶表示装置を提供することができる。

なお、上述した構造を有するマイクロストリップライン１０は、液晶表示装置以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上記第１及び第２実施形態においては、マイクロストリップライン１０のグランド線１２を絶縁層１６及び信号線１４の端部から延出させるように形成していた。これに対して、信号線１４を絶縁層１６及びグランド線１２の端部から延出させるように形成することも好ましい。このような構成によれば、グランド線１２の端部までインピーダンスの整合を図ることができる。

本発明の液晶表示装置を模式的に示す斜視図である。 第１実施形態のマイクロストリップラインの構造を示す図である。 同、マイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造を示す平面図である。 マイクロストリップラインの形成方法を示す平面図である。 第２実施形態のマイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造を示す平面図である。 第３実施形態のマイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造を示す平面図である。 第４実施形態のマイクロストリップラインの構造を示す図である。 同、マイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造を示す平面図である。 第５実施形態の複数のマイクロストリップラインとＴＦＴアレイ基板との接続構造を示す断面図である。 同、接続構造の各層の断面構造を示す図である。 第６実施形態のマイクロストリップライン同士の接続構造を示す断面図である。 第６実施形態の変形例のマイクロストリップライン同士の接続構造を示す断面図である。 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。

符号の説明

１０…マイクロストリップライン、 １２…グランド線（第２導電部）、１３…中継層、 １４…信号線（第１導電部）、１６…絶縁層、 １８…グランド線用バンプ（第２凸部）、 ２０…信号線用バンプ（第１凸部）、 ２２…ビア、 ３２…グランド線（第４導電部）、 ３４…信号線（第３導電部）、 ３６絶縁層、 ３８…マイクロストリップライン、 １１１…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、 １２３…フレキシブル基板（第２基板）

Claims (12)

1. 第１導電部及び第２導電部とが絶縁層を介して対向して設けられ、
   前記第１導電部及び前記第２導電部のいずれか一方の前記導電部の端部が、他方の前記導電部の端部及び前記絶縁層の端部から延出して設けられていることを特徴とする接続用基板。
2. 基板と、
   前記基板を介して対向して設けられた前記第１導電部及び前記第２導電部と、を備え、前記第１導電部及び前記第２導電部のいずれか一方の前記導電部の端部が、他方の前記導電部の端部及び前記基板の端部から延出して設けられていることを特徴とする接続用基板。
3. 前記第１導電部及び第２導電部のいずれか一方が、前記基板上にベタ状に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の接続用基板。
4. 絶縁体を介して信号配線とグランド線とが対向して設けられ、前記グランド線の端部が、前記信号配線の端部及び前記絶縁体の端部から延出して設けられていることを特徴とする接続用基板。
5. 第２基板と、
   前記第２基板の一方面に設けられた第１導電部と、
   前記第２基板の他方面に第１導電部の端部及び前記第２基板の端部よりも延出して設けられた第２導電部と、
   第１基板と、
   前記第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に設けられた第１凸部と、前記第１凸部より高く設けられた第２凸部と、を備え、
   前記第１導電部と前記第１凸部とが接続され、前記第２導電部と前記第２凸部とが接続されたことを特徴とする接続構造。
6. 前記第１凸部の高さと前記第２凸部の高さとが略同じに形成されたことを特徴とする請求項５に記載の接続構造。
7. 第２基板と、
   前記第２基板の一方面に設けられた第１導電部と、
   前記第２基板の他方面に設けられた第２導電部と、
   第１基板と、
   前記第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に設けられた第１凸部及び第２凸部と、を備え、
   前記第１導電部と前記第１凸部とが接続され、前記第２基板の厚さ方向の貫通孔に充填された導電体を介して前記第２導電部と前記第２凸部とが電気的に接続されたことを特徴とする接続構造。
8. 前記第１基板の一方面に第３導電部がもうけられ、
   前記第１基板の他方面に第１導電部の端部及び前記第１基板の端部よりも延出された第４導電部が設けられ、
   前記第３導電部が前記第２基板に設けられた前記第１導電部と接続され、前記第４導電部が前記第２基板に設けられた第２導電部と接続されたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の接続構造。
9. 前記第１基板上に複数の前記接続用基板が積層されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の接続構造。
10. 第２基板の一方面に第１導電部を設ける工程と、
    前記第２基板の他方面に前記第１導電部及び前記第２基板の端部よりも延出した第２導電部を設ける工程と、
    第１基板の能動面又は前記第２基板の前記第１導電部もしくは前記第２導電部に第１凸部を設けるとともに、前記第１凸部より高く第２凸部を設ける工程と、
    前記第１導電部と前記第１凸部とを接続し、前記第２導電部と前記第２導電部とを接続する工程と、を有することを特徴とする接続方法。
11. 前記請求項５乃至９のいずれか１項に記載の接続構造を備えることを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１１に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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