JP2005515638A - 不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル、および、その製造方法 - Google Patents
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Claims (16)
- メモリートランジスタ(ST)と選択トランジスタ(AT)とを備えた不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセルであって、
上記メモリートランジスタは、所定の閾値電圧を有し、基板(1)の中にソース/ドレイン領域(2)を備えており、
このソース/ドレイン領域の間にはチャネル領域が備えられ、
このチャネル領域の表面には、第1メモリートランジスタ絶縁層(3)と、電荷蓄積層(4)と、第2メモリートランジスタ絶縁層(5)と、メモリートランジスタ制御層(6)とが形成されており、
上記選択トランジスタ(AT)は、所定の閾値電圧を有し、上記基板(1)の中にソース/ドレイン領域(2)を備えており、
このソース/ドレイン領域の間にはチャネル領域が備えられ、
このチャネル領域の表面には、第1選択トランジスタ絶縁層(3´)と、選択トランジスタ制御層(4*)とが形成されている、不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセルにおいて、
メモリートランジスタ(ST)と選択トランジスタ(AT)との閾値電圧(Vth)をそれぞれ最適化するために、選択トランジスタ制御層(4*)が、電荷蓄積層(4)とは異なるように形成されていることを特徴とする、不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。 - 上記選択トランジスタ制御層(4*)と電荷蓄積層(4)とが異なる材料からなる、および/または、異なる不純物を添加をされていることを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。
- 上記基板(1)が、第1伝導型(p)の不純物を添加された半導体材料を有し、
上記選択トランジスタ制御層(4*)が、第1伝導型(p)の不純物を添加された半導体材料を有し、
上記電荷蓄積層(4)が、第1伝導型とは逆の第2伝導型(n)の不純物を添加された半導体材料を有していることを特徴とする、請求項1または2に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。 - 上記基板(1)、チャネル領域、または、ウェル領域での第1伝導型(p)の不純物濃度が増加していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。
- 上記第1メモリートランジスタ絶縁層(3)と第1選択トランジスタ絶縁層(3´)とが、SiO2層を備えていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。
- 上記電荷蓄積層(4)と選択トランジスタ制御層(4*)とが、ポリシリコン層および/または金属層を備えていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。
- 上記メモリートランジスタ(ST)と選択トランジスタ(AT)とが、NMOSトランジスタおよび/またはPMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセル。
- 不揮発性2トランジスタ半導体メモリーセルの製造方法であって、
a)第1伝導型(p)の不純物を添加された半導体基板(1)に、選択トランジスタ(AT)およびメモリートランジスタ(ST)用の第1絶縁層(3・3´)を形成する工程と、
b)上記選択トランジスタ(AT)の領域に第1伝導型(p)の不純物を添加され、かつ、メモリートランジスタ(ST)の領域に第1伝導型とは逆の第2伝導型(n)の不純物を添加された半導体層(4)を、第1絶縁層(3・3´)の表面に形成する工程と、
c)少なくともメモリートランジスタ(ST)の領域の導電性半導体層(4)の表面に、第2絶縁層(5)を形成する工程と、
d)少なくともメモリートランジスタ(ST)の領域の第2絶縁層(5)の表面に、さらなる導電層(6)を形成する工程と、
e)マスク層(7)を形成・パターン化する工程と、
f)上記パターン化されたマスク層(7)を用いて、選択トランジスタ(AT)およびメモリートランジスタ(ST)の領域に積層物を形成する工程と、
g)積層物をマスクとして用いて、第2伝導型(n)の不純物を添加されたソース/ドレイン領域(2)を形成する工程と、を有することを特徴とする方法。 - 工程a)において、第1伝導型(p)の、基礎的な不純物添加、ウェルへの不純物添加、および/または、表面への不純物添加の添加量が増加している半導体基板(1)を使用することを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 工程a)において、メモリートランジスタ(ST)の領域にはトンネル酸化物層(TOX)を形成し、選択トランジスタ(AT)の領域にはゲート酸化物(GOX)を形成することを特徴とする、請求項8または9に記載の方法。
- 工程b)において、ポリシリコン層を堆積し、マスクして注入することによって、選択トランジスタ(AT)およびメモリートランジスタ(ST)の領域に異なる不純物を添加することを特徴とする、請求項9または10に記載の方法。
- 工程c)において、ONO積層を形成することを特徴とする、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 工程d)において、第2伝導型(n)の不純物を添加されたさらなるポリシリコン層を堆積することを特徴とする、請求項9〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 工程e)において、硬質マスク層を形成することを特徴とする、請求項9〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 工程f)において、異方性エッチング方法を行うことを特徴とする、請求項9〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 工程g)において、イオン注入(I)を行うことを特徴とする、請求項9〜15のいずれか1項に記載の方法。
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