JP5004419B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5004419B2 JP5004419B2 JP2004372775A JP2004372775A JP5004419B2 JP 5004419 B2 JP5004419 B2 JP 5004419B2 JP 2004372775 A JP2004372775 A JP 2004372775A JP 2004372775 A JP2004372775 A JP 2004372775A JP 5004419 B2 JP5004419 B2 JP 5004419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- circuit
- gate
- transistor
- gate oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 52
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 138
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 106
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 203
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
P型の半導体基板(P基板)101に、N型拡散層103,105,107と、N型拡散層からなる制御ゲート109が形成されている。N型拡散層103と105は間隔をもって形成され、N型拡散層105と107は間隔をもって形成されている。
N型拡散層103と105の間の領域を含むP基板101上に、N型拡散層103及び105と一部重複して、ゲート酸化膜(図示は省略)を介して、ポリシリコン膜からなる選択ゲート111が形成されている。
P基板101にN型拡散層117と119が間隔をもって形成されている。N型拡散層117と119の間のP基板101上に、N型拡散層117及び119と一部重複して、メモリゲート酸化膜121を介して、ポリシリコン膜からなる浮遊ゲート123が形成されている。浮遊ゲート123上に、シリコン酸化膜125を介して、ポリシリコン膜からなる制御ゲート127が形成されている。
図15に制御ゲートを備えていない不揮発性メモリの(A)平面図及び(B)断面図を示す。図13、図14と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。
N型拡散層103と105の間の領域を含むP基板101上に、N型拡散層103及び105と一部重複して、ゲート酸化膜129を介して、ポリシリコン膜からなる選択ゲート111が形成されて、選択トランジスタが形成されている。
N型拡散層105と107の間の領域を含むP基板101上に、メモリゲート酸化膜121を介してポリシリコン膜からなる浮遊ゲート123が形成されて、メモリトランジスタが形成されている。N型拡散層105及び107付近の領域では浮遊ゲート123はメモリゲート酸化膜を介してN型拡散層105及び107と一部重複して配置されている。
また、N型拡散層103を0Vに設定し、N型拡散層107と選択ゲート111を所定の電位Vpp、例えば7Vに設定することによって行なわれる。これにより、N型拡散層103,105及び選択ゲート111により構成される選択トランジスタがオンし、トンネル効果によって浮遊ゲート123に注入されている電子がメモリゲート酸化膜121を介してN型拡散層105に引き抜かれる。この場合、N型拡散層103と浮遊ゲート123とは十分に重複して配置されていることが必要とされている。そのために、浮遊ゲート123の下方でN型拡散層105側には埋込み型のN型拡散層が設定されている(特許文献4)。
これにより、メモリトランジスタの書込み時に周辺回路ゲート酸化膜が損傷しない程度に周辺回路ゲート酸化膜厚を厚くし、メモリトランジスタの良好な書込み特性が得られる程度にメモリゲート酸化膜厚を薄くすることができ、周辺回路ゲート酸化膜の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
選択トランジスタ及びメモリトランジスタはメモリセルを構成する。
P型拡散層19と21の間の領域を含むP基板1上に、膜厚が例えば10.0〜15.0nm、ここでは135nmの周辺回路ゲート酸化膜23が形成されている。周辺回路ゲート酸化膜23上に、P型拡散層19及び21と一部重複して、膜厚が例えば250〜450nm、ここでは350nmのポリシリコン膜からなる周辺回路ゲート25が形成されている。P型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜23及び周辺回路ゲート25は周辺回路トランジスタを構成する。
メモリセルがマトリクス配置されている。
横方向(ワードラインWL方向)に並ぶセルi0,i1,…の選択ゲート13は共通のワードラインWLiに電気的に接続されている。また、P型拡散層5は共通のソースラインSLiに電気的に接続されている。
縦方向(ビットラインBit方向)に並ぶセル0i,1i,…のP型拡散層9は共通のビットラインBitiに電気的に接続されている。
ここで、iは0又は自然数である。
書込み時、例えばセル00のみを書き込む場合、書込みするセル00に接続されたワードラインWL0とビットラインBit0を所定の電位−Vppにバイアスし、他のワードラインWLi及び他のビットラインBitiまた、ソースラインSLiは0Vにバイアスする。これにより、セル00の浮遊ゲート17にメモリゲート酸化膜を介して電子が注入されて、書込みされる。
選択トランジスタ領域にP型拡散層5,7、選択ゲート酸化膜11及び選択ゲート13からなる選択トランジスタが形成されている。
メモリトランジスタ領域にP型拡散層7,9、メモリゲート酸化膜15及び浮遊ゲート17はメモリトランジスタが形成されている。
周辺回路トランジスタ領域にP型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜23及び周辺回路ゲート25は周辺回路トランジスタが形成されている。
浮遊ゲート17の表面にもキャパシタ絶縁膜39が形成されている。
選択トランジスタ領域にP型拡散層5,7、選択ゲート酸化膜11及び選択ゲート13からなる選択トランジスタが形成されている。
メモリトランジスタ領域にP型拡散層7,9、メモリゲート酸化膜15及び浮遊ゲート17はメモリトランジスタが形成されている。
PMOSトランジスタ用の周辺回路トランジスタ領域にP型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜23及び周辺回路ゲート25は周辺回路トランジスタが形成されている。
N型拡散層45と47の間の領域を含むPウェル43上に、膜厚が例えば10〜50nm、ここでは13.5nmの周辺回路ゲート酸化膜49が形成されている。周辺回路ゲート酸化膜49上に、N型拡散層45及び47と一部重複して、膜厚が例えば250〜450nm、ここでは350nmのポリシリコン膜からなる周辺回路ゲート50が形成されている。N型拡散層45,47、周辺回路ゲート酸化膜49及び周辺回路ゲート50はNMOSからなる周辺回路トランジスタを構成する。
同じP基板1にPMOSトランジスタとNMOSトランジスタを備えた構造は、通常のCMOS(Complimentary MOS)プロセスによって形成することができる。
直流電源51からの電源を安定して供給すべく、定電圧発生回路49が設けられている。定電圧発生回路49は、直流電源51が接続される入力端子(Vbat)53、基準電圧発生回路(Vref)55、演算増幅器57、出力ドライバを構成するPチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSと略記する)59、分割抵抗61,63及び出力端子(Vout)65を備えている。
電圧検出回路73において、測定すべき端子の電圧(入力電圧Vsens)が入力される入力端子68と接地電位の間に、分割抵抗61,63及び発振防止用抵抗素子RHが直列に接続されている。分割抵抗61,63の構成は図5と同じである。
{(R0)+(RH)}/{(R1)+(R2)…+(Ri−1)+(Ri)+(R0)+(RH)}×(Vsens)
である。
(R0)/{(R1)+(R2)…+(Ri−1)+(Ri)+(R0)}×(Vsens)
である。電圧検出回路73を高電圧検出状態するための解除電圧は、低電圧検出状態における演算増幅器57の反転入力端子に入力される分割電圧が基準電圧Vrefよりも大きくなる入力電圧Vsensである。
2 Nウェル
3 フィールド酸化膜
5,7,9,19,21 N型拡散層
11,33 選択ゲート酸化膜
13 制御ゲート
15 メモリゲート酸化膜
17 浮遊ゲート
23 周辺回路ゲート酸化膜
25 周辺回路ゲート
37 下部電極
39 キャパシタ絶縁膜
41 上部電極
43 Pウェル
45,47 N型拡散層
49 周辺回路ゲート酸化膜
51 周辺回路ゲート
Claims (9)
- 半導体基板上に形成されたメモリゲート酸化膜と前記メモリゲート酸化膜上に形成された電気的に浮遊状態のポリシリコンからなる浮遊ゲートをもつMOSトランジスタからなるメモリトランジスタと、
前記半導体基板上に形成された選択ゲート酸化膜と前記選択ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコンからなる選択ゲートをもち、前記メモリトランジスタに直列に接続されたMOSトランジスタからなる選択トランジスタと、を備えた不揮発性メモリセルと、
前記半導体基板上に形成された周辺回路ゲート酸化膜と前記周辺回路ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコンからなる周辺回路ゲートをもつMOSトランジスタからなる周辺回路トランジスタを備え、
前記メモリゲート酸化膜の膜厚は前記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚よりも薄く形成されており、
前記選択ゲート酸化膜の膜厚は前記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚と同じである半導体装置。 - 前記メモリトランジスタ及び前記選択トランジスタはPMOSトランジスタである請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコンからなる下部電極と、前記下部電極上にキャパシタ絶縁膜を介して形成されたポリシリコンからなる上部電極をもつキャパシタをさらに備え、
前記浮遊ゲートは前記下部電極と同じポリシリコン層から形成されたものであり、前記浮遊ゲートの上面及び側面に前記キャパシタ絶縁膜が形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記周辺回路ゲートは前記上部電極と同じポリシリコン層から形成されたものである請求項3に記載の半導体装置。
- 前記選択ゲートは前記浮遊ゲート及び前記下部電極と同じポリシリコン層から形成されたものである請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 前記選択ゲートは前記周辺回路ゲート及び前記上部電極と同じポリシリコン層から形成されたものである請求項4に記載の半導体装置。
- 2個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路は、直列に接続された複数の抵抗値調整用抵抗素子と、前記ヒューズ素子として前記抵抗値調整用抵抗素子に対応して並列に接続された複数のヒューズ用MOSトランジスタと、請求項1から6のいずれかに記載の前記不揮発性メモリセル及び前記周辺回路トランジスタと、前記不揮発性メモリセルの記憶状態に応じて前記ヒューズ用MOSトランジスタのオンとオフを切り替えるための読出し回路を備え、
前記ヒューズ用MOSトランジスタもしくは前記読出し回路を構成するMOSトランジスタ又はその両方が前記周辺回路トランジスタにより構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項7に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項7に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004372775A JP5004419B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 半導体装置 |
US10/588,479 US7579645B2 (en) | 2004-12-24 | 2005-12-19 | Semiconductor device having non-volatile memory cell |
PCT/JP2005/023699 WO2006068265A1 (en) | 2004-12-24 | 2005-12-19 | Semiconductor device |
CN2008102153966A CN101373776B (zh) | 2004-12-24 | 2005-12-19 | 半导体装置 |
KR1020067016720A KR100779479B1 (ko) | 2004-12-24 | 2005-12-19 | 반도체 장치 |
CN200580008875A CN100576545C (zh) | 2004-12-24 | 2005-12-19 | 半导体装置 |
TW094145942A TWI284987B (en) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004372775A JP5004419B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006179750A JP2006179750A (ja) | 2006-07-06 |
JP5004419B2 true JP5004419B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=36733550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004372775A Expired - Fee Related JP5004419B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5004419B2 (ja) |
CN (2) | CN100576545C (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101377155B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2014-03-26 | 삼성전자주식회사 | 내부 전원전압 발생장치 및 그것의 제어 방법, 그리고그것을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 시스템 |
CN103022044B (zh) * | 2012-12-28 | 2019-03-08 | 无锡来燕微电子有限公司 | 一种具有选择器晶体管的p+单一多晶架构的嵌入式非挥发性记忆体及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4057081B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2008-03-05 | ペグレ・セミコンダクターズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP3000524B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2000-01-17 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW452834B (en) * | 1999-03-18 | 2001-09-01 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacture thereof |
US6674667B2 (en) * | 2001-02-13 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Programmable fuse and antifuse and method therefor |
DE10201303A1 (de) * | 2002-01-15 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie zugehöriges Herstellungsverfahren |
TW535265B (en) * | 2002-04-29 | 2003-06-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Structure and manufacturing method of CMOS process compatible single poly-silicon erasable and programmable ROM |
TW536818B (en) * | 2002-05-03 | 2003-06-11 | Ememory Technology Inc | Single-poly EEPROM |
JP3957561B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2007-08-15 | 株式会社リコー | 半導体装置 |
JP2004165182A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-12-24 JP JP2004372775A patent/JP5004419B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-19 CN CN200580008875A patent/CN100576545C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-19 CN CN2008102153966A patent/CN101373776B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1934705A (zh) | 2007-03-21 |
CN100576545C (zh) | 2009-12-30 |
CN101373776B (zh) | 2010-08-04 |
CN101373776A (zh) | 2009-02-25 |
JP2006179750A (ja) | 2006-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9812212B2 (en) | Memory cell with low reading voltages | |
US6191980B1 (en) | Single-poly non-volatile memory cell having low-capacitance erase gate | |
JP2951605B2 (ja) | Pmos単一ポリ非揮発性メモリ構成体 | |
JP4784940B2 (ja) | 単層ポリシリコン不揮発性メモリーセルの動作方法 | |
JP3906177B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2009081181A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007116084A (ja) | ゲート降伏現象を用いた3.5トランジスタ不揮発性メモリセル | |
JP2004281971A (ja) | 集積回路 | |
JP2003046002A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置およびその動作方法 | |
JP4557950B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶置 | |
US11164880B2 (en) | Multi-time programming non-volatile memory | |
US10783960B2 (en) | Non-volatile memory cell and non-volatile cell array | |
JP2005175411A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
JP2008300520A (ja) | 半導体装置 | |
JP5004431B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100779479B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP5004419B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3957561B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6853027B2 (en) | Semiconductor nonvolatile memory with low programming voltage | |
US5315546A (en) | Non-volatile semiconductor memory using a thin film transistor | |
US11521980B2 (en) | Read-only memory cell and associated memory cell array | |
JP2009239161A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその使用方法 | |
JP5487539B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶素子 | |
JP2006066529A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
JP4711997B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120522 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120522 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |