JP3966707B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 427
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 171
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 318
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 211
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 129
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 76
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 69
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 41
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 35
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 980
- 238000000034 method Methods 0.000 description 141
- 230000008569 process Effects 0.000 description 111
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 109
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 72
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 41
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 MOSi Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 5
- LZIAMMQBHJIZAG-UHFFFAOYSA-N 2-[di(propan-2-yl)amino]ethyl carbamimidothioate Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCSC(N)=N LZIAMMQBHJIZAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に係り、特にゲート絶縁膜の高特性が必要な微細な半導体装置及びその製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
電気的に書き込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置の一種として、シリコン窒化膜中に電荷をトラップさせることでデータを記憶する、いわゆるＭＯＮＯＳ（金属―酸化シリコン膜―窒化シリコン膜―酸化シリコン膜―半導体）型メモリセルが知られている。ＭＯＮＯＳ型メモリは浮遊ゲート型メモリと比較して低電圧で書き込み消去動作が可能であり、また、積層ゲート構造が必要な浮遊ゲート型メモリセルに対して、単層ゲート構造のＭＯＮＯＳ型メモリセルはゲートのアスペクト比が小さいため、素子の微細化に適しているという特徴がある。
【０００３】
図９４に従来のＬＯＣＯＳ型素子分離によるＭＯＮＯＳメモリセルの断面図を示す。
【０００４】
図９４において、半導体基板１００上にメモリセルのトンネル絶縁膜１０１が形成され、このトンネル絶縁膜を挟みこむようにトンネル絶縁膜１０１よりも膜厚が厚い素子分離領域１０２が形成されている。これら、素子分離領域１０２、トンネル絶縁膜１０１表面上にシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層１０３が形成されている。この電荷蓄積層１０３上には、バリア絶縁膜１０４が形成されている。さらにこのバリア絶縁膜１０４上には、ゲート電極１０５が形成されている。
【０００５】
ところで、微細化に伴って、従来のＬＯＣＯＳ型素子分離に替わってＳＴＩによる素子分離が重要な技術となっている。 特に浮遊ゲート型不揮発性メモリに適した素子分離法として、自己整合ＳＴＩが提案されている(「A ０．６７μｍ2SELF-ALIGHNED SHALLOW TRNECH ISOLATION CELL(SA-STI CELL) FOR 3V-only 256Mbit NAND EEPROMs」IEDM Tech. Dig. 1994 pp61-64) 。ここでは、浮遊ゲート下に形成されたゲート絶縁膜の厚さがゲート電極端にて他の部分よりも厚く形成されている。自己整合ＳＴＩでは電荷蓄積層である浮遊ゲートに対して自己整合的に素子分離溝を形成することによって、ゲート電極の一部が素子分離端に入り込むことによる素子分離端での電界集中を防ぎ、その結果、セル特性のばらつきが改善され、高信頼性化が実現できる。
【０００６】
なお、特開平４−１２５７３号公報には、ＭＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置のサイドウオーク現象を防止するようにゲート絶縁膜を周辺の選択酸化膜との境界領域において、全て溝部内に存在させた構成が第１図及び第３図（ａ）などに記載されている。
【０００７】
なお、ＭＯＮＯＳのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いた不揮発性メモリはリードディスターブ特性が劣ることが特開平１１−３３０２７７号公報の図４などに記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の半導体装置では、以下の課題が生じる。
【０００９】
素子分離領域を形成する熱酸化の影響により、素子分離エッジ部１０６で酸化膜が厚くなりこの領域で書き込み消去特性が悪くなる。すなわち、素子分離エッジ部で絶縁膜厚が厚くなることから、電界が弱くなり、閾値が低くなる。
【００１０】
ＭＯＮＯＳ構造では電荷を絶縁膜であるシリコン窒化膜中にトラップさせるため、電荷蓄積層中をキャリアが移動しない。このため書き込みパルスを与えた場合、チャネルエッジの部分だけしきい値が低いまま取り残されることになる。このことはトランジスタ特性に対して、サブスレッショルドリークまたはハンプ(hump)として観測される。サイドウオーク(sidewalk)と呼ばれるこの現象はＭＯＮＯＳメモリセルの書き込み消去ウィンドウを狭くするので問題である。
【００１１】
また、上記特開平４−１２５７３号公報では、半導体基板中に溝を設け、溝中に絶縁膜が設けられているが、その膜厚は素子分離領域近辺で厚くなっており、電界集中が発生し、制御特性が悪化してしまう。
【００１２】
本発明の目的は以上のような従来技術の課題を解決することにある。
【００１３】
特に、本発明の目的は、素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供することにある。さらに、本発明の別の目的は、素子領域を定義する４辺のうちソース・ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化を抑制した信頼性の高い半導体装置を提供することである。さらに、本発明の別の目的は、ゲート電極のエッジ部での書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつき並びに閾値変動を抑制する半導体装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、この半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成され、上表面端部に窪みを有するシャロートレンチ素子分離領域と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面をチャネル領域とする一対のソース・ドレイン領域と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記半導体基板上に形成された前記ゲート絶縁膜は、その膜厚が前記チャネルの中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
本発明の別の特徴は、半導体基板と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第１チャネルとする１対の第１のソース・ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成された、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に形成され、シリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第３絶縁膜、第１絶縁膜、および第２絶縁膜の側面部に接して形成され、前記第３絶縁膜の上面よりも高く形成された第１シャロートレンチ素子分離領域と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第２チャネルとする１対の第２のソース・ドレイン領域と、前記第２チャネル上に形成され、酸化シリコン膜から構成された第２ゲート絶縁膜と、この第２ゲート絶縁膜上に形成された第２ゲート電極と、前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第２ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成された第２シャロートレンチ素子分離領域とを有し、前記第3絶縁膜の膜厚が前記第１チャネル中央部と前記第１シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しく、前記半導体基板表面からの第１シャロートレンチ素子分離領域の上面高さが、前記半導体基板表面からの第２シャロートレンチ素子分離領域の上面高さよりも高いことを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
本発明の別の特徴は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜形成後に前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００１７】
本発明の別の特徴は、半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、この第１ゲート絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、この第２絶縁膜、前記第１ゲート絶縁膜、及び前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、このトレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記第１ゲート絶縁膜の上表面よりも前記シャロートレンチ素子分離領域が突出するように、前記第２絶縁膜を除去する工程と、露出した前記第１ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００１８】
本発明の別の特徴は、メモリ部及び周辺回路部の半導体基板上にシリコン窒化膜を含む多層膜からなる第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第１ゲート絶縁膜形成後に前記メモリ部及び周辺回路部の前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記周辺回路部の第１ゲート絶縁膜の内、シリコン窒化膜を除去した後、熱酸化により周辺回路部の第２ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記メモリ部及び周辺回路部の前記第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
次に，図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり，厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なる。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００２７】
（第１の実施の形態）
フローティングゲート型のフラッシュメモリにおいて、セルフアラインＳＴＩ(Self-Aligned Shallow Trench Isolation:SA-STI)プロセスによってＭＯＮＯＳセルを形成した場合のプロトタイプを図２に示す。
【００２８】
ここでは、半導体基板１上にシャロートレンチ素子分離領域２が複数形成されている。隣接する２つのシャロートレンチ素子分離領域２の間の半導体基板１表面付近には、シリコン酸化膜からなるトンネル絶縁膜３が形成されている。このトンネル絶縁膜３上にはシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層４が形成されている。この電荷蓄積層４上には、シリコン酸化膜からなるブロック絶縁膜５が形成されている。このブロック絶縁膜５は同じ材料であるシャロートレンチ素子分離領域２と一体となっている。このブロック絶縁膜５及びシャロートレンチ素子分離領域２上にはゲート電極６が形成されている。
【００２９】
この場合,このゲート電極６はシャロートレンチ素子分離領域２にはさまれた部分が先に形成された後に、シャロートレンチ素子分離領域が形成され、その後でシャロートレンチ素子分離領域２上に追加でゲート電極６が形成されている。すなわち、同ゲート電極であっても場所により別工程で形成されているため,自然酸化膜がゲート絶縁膜中に含まれている。
【００３０】
このような構成を採用することにより、ＬＯＣＯＳ型素子分離を用いたＭＯＮＯＳに比べて、サイドウオーク現象を改善できる。また、シャロートレンチ素子分離領域２上に電荷蓄積層４が形成されていないことで、従来生じていた素子分離領域上の電荷蓄積層４を介して隣接するセルへ電荷が移動することによるデータ消失を防ぐことができる。
【００３１】
このようにＳＡ−ＳＴＩを用いた場合、トンネル絶縁膜３のゲートエッジ（シャロートレンチ素子分離領域２に挟まれたゲート電極６の端部）での厚膜化はほとんどない。しかし、トレンチ形成後に欠陥回復のために半導体表面を酸化するときに、ゲート電極６を構成する多結晶シリコンにバーズビークが入り、シャロートレンチ素子分離領域のエッジでブロック絶縁膜５が厚膜化してしまい、バーズビーク部７が生じてしまう。すなわち、図３にシャロートレンチ素子分離領域２とゲート電極６の接触部分の拡大図を示す。
【００３２】
さらにゲート電極６を構成する多結晶シリコンが酸化によって後退するので、シャロー素子分離領域２が突出した突出部８が形成される。このようにシャロー素子分離領域２で挟まれたゲート電極６から、電荷蓄積層がゲート電極６の幅よりも大きくなり、電荷蓄積層が図２の断面でより大きい長さを有し、突出部９が形成される状態となる。
【００３３】
ここで、ゲート電極６に電圧を印加してもゲート電極６から図２中の突出部９には書き込み／消去に十分な電界がかからないため、この領域９の閾値は制御できない。
【００３４】
すなわち、図４に半導体記憶装置での書き込み状態のセルのサブスレッショルド特性を示す。▲１▼で表したのはチャネル中央部の特性で、これに対して▲２▼で表したチャネルエッジ部（素子分離領域との境界部）の特性は書き込み閾値が中央部よりも低いことに特徴がある。これはエッジ部においてゲート絶縁膜が厚膜化しているために書き込み電界が弱まり、書き込み電流が減少することに起因する。このようなセルのセル全体としてのサブスレッショルド特性は図５中に▲３▼で示すように低電圧部にこぶ(hump)を持ったものとなる。
【００３５】
図６は書き込み状態、消去状態の両方のサブスレッショルド特性をプロットしたものである。書き込み状態の特性は▲４▼で示され、消去状態の特性は▲５▼で示される。消去時にはチャネルエッジ部の閾値がチャネル中央部の閾値よりも高いために、セル全体としての特性には影響しない。結局、セル特性におけるサイドウオーク減少の影響は書き込み特性の悪化として現れる。
【００３６】
このＳＡ−ＳＴＩプロセスを用いたプロトタイプにおける課題を解決する実施の形態を以下の通り説明する。
【００３７】
図１に本実施の形態の半導体装置のメモリ部のメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタのロウ方向の断面図を示す。半導体基板１上にトンネル絶縁膜１０が例えば膜厚約０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成されている。ここで、半導体基板１はその中に半導体基板と逆導電型のウエルが表面付近に形成されていてもよい。さらに逆導電型のウエル上にさらに半導体基板と同一導電型の別のウエルが形成されていてもよい（以下同様）。このトンネル絶縁膜１０上には、電荷蓄積層１１が例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜で形成されている。この電荷蓄積層１１上には、ブロック絶縁膜１２が例えば膜厚約１ｎｍ〜２０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成されている。
【００３８】
このトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２は例えば深さ約２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜などからなるシャロートレンチ素子分離領域１３により互いに分断されている。このシャロートレンチ素子分離領域１３及びブロック絶縁膜１２上には、メモリセルの第１ゲート電極１４が例えば多結晶シリコンで、膜厚約５ｎｍ〜５００ｎｍで第２ゲート電極１５が、例えばポリサイドや金属で形成されている。ここで、ポリサイドは例えば、ＷＳｉ，ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉなどが適用できる。
【００３９】
この第２ゲート電極１５上には、シリコン窒化膜などによりゲートキャップ絶縁膜１６が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜１６上には、シリコン窒化膜などによりバリア絶縁膜３１が形成されている。このバリア絶縁膜３１上には、層間膜１７が形成されている。この層間膜１７上部表面付近にはビット線１８が埋め込まれている。このビット線１８及び層間膜１７上には保護膜１９が形成されている。
【００４０】
ここで、２つのシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれた部分の第１ゲート電極１４下方の半導体基板１の表面はチャネルを形成する。２つのシャロートレンチ素子分離領域１３によってはさまれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２はその膜厚が、チャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。なお、少なくとも第１ゲート１４下のブロック絶縁膜１２の膜厚がチャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。
【００４１】
また、半導体基板１上のトンネル酸化膜１０の膜厚がチャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。また、場合により、半導体基板１上にトンネル酸化膜１０が形成され、その上に電荷蓄積層１１が形成され、この上に第１ゲート１４が直接形成されている構造でもよい。また、シャロートレンチ素子分離領域１３で挟まれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２はそれぞれのロウ方向の長さが実質上等しく形成されていて、シャロートレンチ素子分離領域１３の側面と同一水平面で接触している。また、第１ゲート電極１４もシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれた部分のロウ方向の長さがシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。
【００４２】
ここで、シャロートレンチ素子分離領域１３上には、第１ゲート１４が直接、形成されていて、トンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２を間に介在させてはいない。そのため、電荷蓄積層１１を介して隣接するゲートへ電荷が移動することが防止される。また、シャロートレンチ素子分離領域１３の上端部には窪みであるノッチが生じる場合もある。
【００４３】
次に周辺回路部の高耐圧トランジスタのロウ方向での断面が図７に示される。ここでは、半導体基板１上にゲート絶縁膜２０が膜厚が例えば約８ｎｍ〜４０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜が形成されている。半導体基板１上でゲート絶縁膜２０を分断するようにシャロートレンチ素子分離領域２１が形成されている。このシャロートレンチ素子分離領域２１の深さはメモリ部のシャロートレンチ素子分離領域１３の厚さよりも高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜２０の厚さからメモリ部のトンネル酸化膜１０の厚さを差し引いた分だけ、浅く形成されている。
【００４４】
シャロートレンチ素子分離領域２１及びゲート絶縁膜２０上にはメモリ部の第１ゲート電極１４と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第１ゲート電極２２が形成されている。この第１ゲート電極２２上には、メモリ部の第２ゲート電極１５と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第２ゲート電極２３が形成されている。この第２ゲート電極２３上には、メモリ部のゲートキャップ絶縁膜１６と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚のゲートキャップ絶縁膜２４が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜２４上には、図１に示される通り、バリア絶縁膜３１や層間膜１７などが形成されているが図示は省略されている。
【００４５】
ここで、ゲート絶縁膜２０はその膜厚がシャロートレンチ素子分離領域２１と接触する部分と、チャネル中央部とでそれぞれほぼ等しく形成されている。すなわち、従来例やプロトタイプのようにシャロートレンチ素子分離領域と接触する部分のゲート絶縁膜が他の部分よりも厚く形成されることはない。
【００４６】
また、シャロートレンチ素子分離領域２１で挟まれたゲート絶縁膜２０は、ロウ方向の長さが、第１ゲート電極２２がシャロートレンチ素子分離領域２１で挟まれた部分のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。また、シャロートレンチ素子分離領域２１の上端部には窪みであるノッチが生じている。このノッチはメモリ部のノッチよりもその窪み深さが大きく形成されている。
【００４７】
次に周辺部の低電圧トランジスタのロウ方向での断面が図８に示される。ここでは、半導体基板１上にゲート絶縁膜２５が膜厚が例えば約０．５ｎｍ〜１０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜として形成されている。半導体基板１上でゲート絶縁膜２５を分断するようにシャロートレンチ素子分離領域２６が形成されている。このシャロートレンチ素子分離領域２６の厚さはメモリ部のシャロートレンチ素子分離領域１３の深さとほぼ等しく形成されている。
【００４８】
シャロートレンチ素子分離領域２６及びゲート絶縁膜２５上にはメモリ部の第１ゲート電極１４と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第１ゲート電極２７が形成されている。この第１ゲート電極２７上には、メモリ部の第２ゲート電極１５と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第２ゲート電極２８が形成されている。この第２ゲート電極２８上には、メモリ部のバリア絶縁膜１６と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚のゲートキャップ絶縁膜２９が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜２９上には、図１に示される通り、バリア絶縁膜３１や層間膜１７などが形成されているが図示は省略されている。
【００４９】
ここで、ゲート絶縁膜２５はその膜厚がシャロートレンチ素子分離領域２６と接触する部分と、チャネル中央部でそれぞれほぼ等しく形成されている。すなわち、従来例やプロトタイプのようにシャロートレンチ素子分離領域と接触する部分のゲート絶縁膜が他の部分よりも厚く形成されることはない。
【００５０】
また、シャロートレンチ素子分離領域２６で挟まれたゲート絶縁膜２５は、ロウ方向の長さが、第１ゲート電極２７がシャロートレンチ素子分離領域２６で挟まれた部分のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。また、シャロートレンチ素子分離領域２６の上端部には窪みであるノッチが生じている。このノッチはメモリ部のノッチよりもその窪み深さが大きく形成されている。また、周辺部での半導体基板表面からシャロートレンチ上部までの高さが、メモリ部での半導体基板表面からシャロートレンチ上部までの高さよりも低く形成されている。
【００５１】
この構造のゲート絶縁膜、ゲート電極作り分けがなされた構造のゲート絶縁膜の種類ごとの素子分離領域であるＳＴＩ深さ、ＳＴＩ上部エッジの凹部の大きさ、ゲート電極幅と半導体基板幅の関係、エッジの曲率半径、ゲート電極の特性が表１に示される。
【００５２】
【表１】
【００５３】
この表１からわかるように、素子分離領域であるＳＴＩ深さはゲート絶縁膜がＯＮＯやシリコン酸化膜の薄膜である場合の深さＡがシリコン酸化膜の厚膜である場合の深さＢに比べて、深くなっている。
【００５４】
また、ＳＴＩ上部エッジの凹部の大きさはゲート酸化膜がＯＮＯである場合の大きさＣが、シリコン酸化膜である場合の大きさＤに比べて小さくなっている。また、ゲート絶縁膜の種類に関わらず、２つの素子分離領域ではさまれたゲート電極幅の方が同じ２つの素子分離領域ではさまれた半導体基板幅よりも大きくなっている。
【００５５】
さらに、ゲート電極が素子分離領域と接するエッジ部分での曲率半径は、半導体基板が素子分離領域と接するゲート電極近傍でのエッジ部分での曲率半径よりも小さくなっている。さらに、ゲート電極はＰプラス電極とＮプラス電極とで作り分けを行うことが可能となっている。すなわち、半導体装置中にＰプラス電極のトランジスタとＮプラス電極のトランジスタとが混在して、両者のゲート電極膜の膜厚が等しく形成される。
【００５６】
ここで、図９には、本実施の形態のメモリ部の平面図が示される。この平面図において、“Ａ−Ａ”線で示される部分の断面図が図１に相当する。図９に示されるように、図中で上下方向に一定間隔を置いて、互いに平行に直線状に複数本のビット線（ＢＬ）４３が配置されている。このビット線４３に直交して、互いに平行に複数のデータ選択線（ワード線）４０がビット線４３の下方に配置されている。各ワード線４０（ＷＬ０〜ＷＬ３１）の間には、ビット線４３の下以外において、シャロートレンチ素子分離領域１３が形成されて、ソース・ドレイン領域３０が絶縁分離されている。ビット線４３のビット線選択信号線４１に隣接したソース・ドレイン領域３０には、ビット線コンタクト４４が形成されている。また、ビット線４３の共通ソース線選択信号線４２に隣接したソース、ドレイン領域３０には、接地電位が与えられるソース線コンタクト４５が接続されている。なお、図９中では、データ選択線４０は斜線で表示され、シャロートレンチ素子分離領域１３は点模様で表示され、ソース・ドレイン領域３０は斜めの桝目模様で表示される。
【００５７】
図９中に図示された構成が実際には、図９の中で上下方向に繰り返して、形成される。
【００５８】
図１０に示されるカラム方向のメモリ部の断面図では、半導体基板１上にソース・ドレイン領域３０が複数設けられている。半導体基板１上には、トンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２が設けられている。このブロック絶縁膜１２上にゲート形成部分において、第１ゲート電極１４、第２ゲート電極１５からなるゲートが複数個形成されている。このゲート形成部分を覆うゲートキャップ絶縁膜１６が設けられている。ゲートキャップ絶縁膜１５及び及び露出したブロック絶縁膜１２を覆うバリア絶縁膜３１がさらに設けられている。
【００５９】
ビット線コンタクト４４は図１０中で右端部付近に形成されている。このビット線コンタクト４４はビット線引き出し配線４７に接続されている。このビット線引き出し配線４７はビット線引き出しコンタクト４６に接続され、このビット線引き出しコンタクト４６はビット線１８に接続されている。
【００６０】
ソース線コンタクト４５は図１０中で左端部付近に形成されている。このソース線コンタクト４５はソース線配線４８に接続されている。
【００６１】
各ゲート形成部、ビット線コンタクト４４、ビット線引き出し配線４７、ビット線引き出しコンタクト４６、ソース線コンタクト４５、ソース線配線４８は層間膜１７で被覆されている。
【００６２】
また、ビット線１８及び層間膜１７は保護膜１９で被覆されている。なお、半導体基板上に半導体基板と反対導電型の第１ウエルを設け、さらにその上に半導体基板と同一導電型の第２ウエルを設けるツインウエル構成としてもよい。
【００６３】
図１１は図９の一部を回路図にて表現した図である。ここでは、メモリセルのアレイ構造はＮＡＮＤ型で、直列に接続されたメモリセルの一端は選択トランジスタ（Ｓ１）５０を介してビット線コンタクト４４に接続されており、他の一端は選択トランジスタ（Ｓ２）５１を介してソース線コンタクト４５に接続されている。
【００６４】
直列に接続されたメモリセルトランジスタ（Ｍ０〜Ｍ３１）５２のそれぞれのゲート電極はデータ選択線（ＷＬ０〜ＷＬ３１）４０に接続されている。選択トランジスタ（Ｓ１）５０のゲート電極はビット線選択信号線（ＳＳＬ）４１に接続され、選択トランジスタ（Ｓ２）５１のゲート電極は共通ソース線選択信号（ＧＳＬ）４２に接続されている。選択トランジスタ（Ｓ１）５０と選択トランジスタ（Ｓ２）５１で挟まれたメモリセルトランジスタ５２の列をＮＡＮＤストリングと呼び、このＮＡＮＤストリングが直列に数千個接続され、このＮＡＮＤストリングが並列にそれぞれ、データ選択線、ビット線、共通ソース線に接続されて、数千個接続されて半導体記憶装置が構成されると数Ｍビットの記憶容量の半導体記憶装置となる。
【００６５】
また、本実施の形態では選択トランジスタ５０、５１はメモリセルトランジスタ５２と同じＭＯＮＯＳ構造となっている。このためにメモリセルと選択トランジスタでゲート絶縁膜を作り分ける必要が無く、素子の微細化、低コスト化に適している。また、周辺回路を形成するトランジスタはＭＯＳ構造でゲート酸化膜厚の異なる２種類のトランジスタが存在する。なお、周辺回路を構成するトランジスタはそのゲート酸化膜厚が３種類以上ある場合でも本実施の形態は適用できる。
【００６６】
本実施の形態によれば、素子分離領域端での書き込み消去特性の低下に由来するサイドウオーク現象を解決し、書き込み消去動作を高速化することが可能である。
【００６７】
以下に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を図１２乃至図２７を用いて説明する。ここでは、本実施の形態の特徴が表された図１，７，８に示された断面でのロウ方向における製造方法を説明する。以下の図１２乃至図２７において、（ａ）は、メモリ部のメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法を示す工程図であり、（ｂ）は周辺回路部の低電圧トランジスタの製造方法を示す工程図であり、（ｃ）は周辺回路部の高耐圧トランジスタの製造方法を示す工程図である。
【００６８】
まず、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように半導体基板１上に５ｎｍ〜２０ｎｍ程度の犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、必要に応じてメモリ部及び周辺回路部のウエル、チャネル不純物の注入を行う（図示せず）。犠牲酸化膜を剥離した後、周辺回路部の高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜２０を半導体基板１全面に形成する。ここで、ゲート絶縁膜２０は例えば８ｎｍ〜４０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜であるが、後の工程での膜厚の変動量から逆算して最終的に狙いの膜厚になるように調整しておく必要がある。
【００６９】
次に、図１３（ｃ）に示されるように高耐圧トランジスタ部では、全体をレジスト５５で覆って、図１３（ａ）、（ｂ）に示されるメモリ部及び低電圧トランジスタ部では、ゲート絶縁膜２０を剥離する。
【００７０】
次に、図１４（ｃ）に示されるようにレジスト５５を除去した後、図１４（ａ）、（ｂ）に示されるようにＭＯＮＯＳメモリセルのトンネル絶縁膜１０として例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚さからなるシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成する。
【００７１】
次に、図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように電荷蓄積層１１を例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜で堆積し、さらにブロック絶縁膜１２として１ｎｍ〜２０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜を形成する。
【００７２】
次に、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように素子分離領域の埋め込み材を平坦化するＣＭＰ法(Chemical Mechanical Polishing)のストッパ膜５６として例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積する。ここで、ストッパ膜５６に求められる条件として、（１）ＣＭＰのストッパ膜として素子分離領域の埋め込み材に対して十分な選択比があること、（２）ストッパ膜５６を剥離する際に、ＭＯＮＯＳのブロック絶縁膜１２と十分な選択比があること、（３）素子分離領域形成のための異方性エッチングの後、基板表面を酸化してダメージ回復するが、この際に酸化されない膜であることの３点を少なくとも満たす必要がある。
【００７３】
ここで、素子分離領域の埋め込み膜およびブロック絶縁膜が酸化膜である場合にはストッパ膜５６としてはシリコン窒化膜が適している。さらに素子分離領域の異方性エッチングのマスク材５７としてたとえばシリコン酸化膜を２０ｎｍ〜５００ｎｍ堆積する。なお、図１６（ｃ）に示された高耐圧トランジスタ領域では、ゲート絶縁膜２０が図１６（ａ），（ｂ）に示されたメモリ部や低電圧トランジスタ領域のトンネル絶縁膜１０と比べてその厚さが厚いため、図１６（ｃ）に示されたマスク材５７の上表面が図１６（ａ），（ｂ）に示されたマスク材５７の上表面よりも高く形成されている。
【００７４】
次に、図１７（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるようにレジスト（図示せず）をパターニングしてマスク材５７を異方性エッチングで加工し、続いてストッパ膜５６、ブロック絶縁膜１２、電荷蓄積層１１、トンネル酸化膜１０、ゲート絶縁膜２０を加工した後に半導体基板１を所望の深さまでエッチングして素子分離溝（トレンチ溝）５８，５９，６０を形成する。
【００７５】
この際、図１７（ｃ）に示された領域では、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜２０の厚さが図１７（ａ），（ｂ）に示されたトンネル絶縁膜１０の厚さよりも厚いために、その厚みの追加分に対応して、素子分離溝６０の深さが図１７（ａ），（ｂ）に示された素子分離溝５８，５９の深さよりも浅く形成されている。また、メモリ部ではトランジスタの大きさが周辺回路部よりも小さいため、周辺回路部の素子分離溝５９，６０よりもその素子分離溝５８の幅や素子分離溝の間隔が小さく形成されている。
【００７６】
次に、図１８（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるようにエッチングによって半導体基板１に入った欠陥等のダメージを回復するために、酸化雰囲気中でアニールすることで、素子分離溝内の半導体基板１表面上に例えば厚さ２ｎｍ〜５０ｎｍのシリコン酸化膜６１を形成する。このときに、マスク材５７は酸化されず、したがってバーズビークも入らないので、素子分離端におけるブロック絶縁膜１２の厚膜化が起こらない。
【００７７】
このようにチャネル領域中央上とシャロートレンチ素子分離領域と接する部分のブロック絶縁膜１２の膜厚が等しくなる。こここで、膜厚が等しいとは、その物理的膜厚が実質的に等しいことを意味し、具体的には、素子分離端とチャネル中央での、その膜厚の差が約２ｎｍよりは小さくなっていて、好ましくは１ｎｍ程度以下になっていることが望ましい。すなわち、膜厚の差が２ｎｍあると、サイドウオーク現象が発生してしまう。これによって、素子分離端での書き込み消去特性の劣化を防止することが可能となり、サイドウオーク現象のない良好なトランジスタ特性を得ることができる。
【００７８】
次に、図１９（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるように素子分離溝５８，５９，６０をそれぞれ素子分離絶縁膜（埋め込み材）６２，６３，６４で埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって各素子分離絶縁膜６２，６３，６４の上表面を平坦化する。各素子分離絶縁膜はその上表面が半導体基板表面から例えば約１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度となるように形成する。
【００７９】
次に、図２０（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるように、例えば８０〜２００℃に熱した燐酸によってマスク材５７を剥離する。マスク材５７の剥離後の表面にはブロック絶縁膜１２が露出した状態となる。この際、マスク材５７の剥離条件によっては、各素子分離絶縁膜６２，６３，６４の上表面端部には、互いにほぼ等しい大きさの窪み６５が形成される。
【００８０】
次に、図２１（ａ）に示されるようにメモリセルトランジスタ領域及び選択トランジスタ領域をレジスト６６で覆った後、図２１（ｂ）、（ｃ）に示されるように周辺回路領域のブロック絶縁膜１２及び電荷蓄積層１１をＣＤＥ(Chemical Dry Etching)などの等方性エッチングを用いて剥離する。
【００８１】
この際、周辺回路部における各素子分離絶縁膜６３，６４の上表面端部には、互いにほぼ等しい大きさの窪み６７が形成される。この窪み６７は先の工程で形成された窪み６５よりもその大きさが大きくなっている。窪み６７の深さは例えば、５ｎｍ以上となる。また、メモリ部における素子分離絶縁膜６２はこの工程においては、レジスト６６で覆われているために、窪み６５の大きさは変化しない。または凹部は形成されない。
【００８２】
また、周辺回路領域の絶縁膜剥離を例えば、ブロック絶縁膜１２のみをＲＩＥなどの異方性エッチングで行ってもよい。この場合は、エッチングによって周辺回路領域の素子分離領域の上面の半導体基板表面からの高さが、メモリ部における素子分離領域の上面の半導体基板表面からの高さよりも低くなる。この場合のゲート絶縁膜の種類ごとの素子分離領域の半導体基板表面からのＳＴＩ深さ、ＳＴＩ上部の半導体基板上表面からの高さ、ゲート電極幅と半導体基板の幅の大小関係、エッジの曲率半径、ゲート電極の特性について、まとめて表２に示す。
【００８３】
【表２】
【００８４】
この表２からわかるように、素子分離領域であるＳＴＩ深さはゲート絶縁膜がＯＮＯやシリコン酸化膜の薄膜である場合の深さＡがシリコン酸化膜の厚膜である場合の深さＢに比べて、深くなっている。
【００８５】
また、ＳＴＩ上部の半導体基板上表面からの高さはゲート酸化膜がＯＮＯである場合の高さＥが、シリコン酸化膜である場合の高さＦに比べて高くなっている。また、ゲート絶縁膜の種類に関わらず、２つの素子分離領域で挟まれたゲート電極幅の方が同じ２つの素子分離領域で挟まれた半導体基板幅よりも大きくなっている。
【００８６】
さらに、ゲート電極が素子分離領域と接するエッジ部分での曲率半径は、半導体基板が素子分離領域と接するゲート電極近傍でのエッジ部分での曲率半径よりも小さくなっている。さらに、ゲート電極はＰプラス電極とＮプラス電極とで作り分けを行うことが可能となっている。
【００８７】
ブロック絶縁膜１２と素子分離絶縁膜６２，６３，６４に共にシリコン酸化膜を用いた場合、ブロック絶縁膜１２の剥離時に素子分離絶縁膜６３、６４の上部もエッチングされて窪み６７が形成されるが、素子分離絶縁膜６３、６４の側面に接する電荷蓄積層１１はシリコン窒化膜を用いた場合には、エッチング時のシリコン酸化膜との選択比は十分あり、素子分離絶縁膜６３，６４の側面がサイドエッチされてディボット等が発生することは無い。
【００８８】
こうして、電荷蓄積層１１の剥離後には、図２１（ｂ）に示されるように低電圧トランジスタ領域にはトンネル絶縁膜１０が露出し、図２１（ｃ）に示されるように高電圧トランジスタ領域には高電圧トランジスタ用ゲート絶縁膜２０が露出した状態となる。
【００８９】
次に、図２２（ａ）に示されるようにメモリセルトランジスタ領域のレジスト６６を除去した後、図２２（ｂ）に示されるように低電圧トランジスタ領域にゲート絶縁膜２５を例えば０．５ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成する。
【００９０】
この際、ゲート絶縁膜２５の形成を熱酸化で行うことで、メモリ部のブロック絶縁膜１２や高電圧トランジスタのゲート絶縁膜２０に対して同時にデンシファイ効果が得られるのでマスク材５７や電荷蓄積層１１の剥離時のダメージを回復することが可能で、メモリセルや周辺回路の信頼性を向上することが出来る。
【００９１】
次に、図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ゲート電極材料６８，６９，７０として、例えばドープしていない多結晶または非晶質のシリコンを５ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚となるように堆積する。
【００９２】
次に、図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ゲート電極材料６８，６９，７０上に例えば膜厚１０ｎｍ前後のシリコン酸化膜７１を堆積する。これは、この後のゲート電極への不純物注入時に不純物が電極から抜けるのを抑制するためである。
【００９３】
次に、図２５（ａ）に示されるようにメモリセル領域をレジスト７２で覆って、図２５（ｂ）、（ｃ）に示されるように周辺部トランジスタのゲート電極に例えば燐又は砒素を１０Ｅ１９ｃｍ-3以上注入してｎ型ゲート電極２７，２２を形成する。
【００９４】
次に、図２６（ａ）に示されるようにレジスト７２を剥離した後、今度は周辺回路部のみをレジスト７３で覆い、メモリセル部に例えばボロンを１０Ｅ１９ｃｍ-3以上注入して、Ｐ型の第１ゲート電極１４を形成する。
【００９５】
次に、図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、各第１ゲート電極１４，２７，２２上の酸化膜７１を剥離した後、ＷＳｉ，ＮｉＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉ等のいずれかを堆積してゲート電極１５，２８，２３を形成する。この後、図示しないが、バリア絶縁膜３１、層間膜１７、ビット線１８、保護膜１９などを順次形成する。
【００９６】
本実施の形態では各ゲート電極は不純物を添加したポリシリコンとポリサイドとのスタック構造としたがこれに限定されず、ポリメタルやメタル電極を用いてもよい。また、ポリシリコンの不純物の打ち分けをメモリセル部と周辺回路部に分けて行っているがこれに限らず、所望のトランジスタ特性およびセル特性が得られるように作り分け方を変えても良いし、作り分けをしなくても良い。作り分けをしない場合、ポリシリコンへの不純物注入はインプラに限らず、図２３の工程で砒素、燐、ボロン等でドープされた多結晶シリコンを堆積しても良い。
【００９７】
なお、図２３の工程で、非晶質シリコンを堆積した場合には、後の熱工程においてポリシリコンに変化する。また、ゲート電極の材料としては、低抵抗が必要な場合には金属材料を用いることが好ましいが、金属を用いた場合には、ゲート電極形成後の製造工程で加えられる温度がポリシリコンなどと比べて高温を用いることができず、製造工程に制約が生じる。そのため、低抵抗と製造工程中の加熱温度のトレードオフの関係で適宜、ゲート電極材料が選択される。
【００９８】
また、図２５，２６で示した工程において、ゲート電極だけにではなく、チャネル不純物注入やウエル不純物注入を行ってもよい。ゲート絶縁膜形成や素子分離トレンチ表面の酸化などの高温工程を通過した後に不純物注入すれば、熱工程による不純物の拡散を回避できるので、よりシャープな不純物プロファイルが得られ、デバイス特性を向上することができる。
【００９９】
ゲート電極堆積後の工程は図示しないが、リソグラフィによってパターニングを行い、拡散層を形成した後、層間膜を堆積し、コンタクト、配線を形成してＭＩＳＦＥＴを形成する。
【０１００】
本実施の形態によれば、ゲート絶縁膜を素子分離膜形成工程の前に形成するので、チャネルエッジ、中央共に制御良く同じ膜厚にすることができる。さらにゲート電極となる多結晶シリコンは素子分離後に堆積するので、トレンチ形成後の酸化でバーズビークが入ることがない。結果として、チャネルエッジにおけるゲート絶縁膜の厚膜化や薄膜化等の問題を回避できてデバイス特性を向上させることができる。
【０１０１】
さらにゲート電極の側壁も酸化されないのでゲート絶縁膜端と同一平面状にゲート電極の側壁を位置させることが可能で、書き込み消去時にゲート絶縁膜全体に均一な電界を与えることができる。さらに本発明ではメモリセルトランジスタのトンネル酸化膜をさらに酸化することでＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜としているのでゲート酸化前のウェット処理が不要となり、シャロートレンチ素子分離側面に窪みが形成されることを回避できる。
【０１０２】
また、このゲート酸化がバリア絶縁膜や周辺回路部の酸化膜に対してはデンシファイとして働くのでウェット処理等でできる可能性のあるピンホールを塞ぎ、メモリセル及び周辺回路部のトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
さらにゲート絶縁膜のチャネル方向の幅と、シャロートレンチ素子分離で挟まれた部分のゲート電極のチャネル方向の幅とが等しく形成でき、トランジスタの特性が向上する。
【０１０４】
また全てのトランジスタに対してゲート電極を同時に堆積している上に、素子分離領域で挟まれる部分と、素子分離領域上の部分とで、多結晶シリコンを二度付ける必要がないので工程数の削減につながり、低コスト化が実現できる。
【０１０５】
さらにゲート絶縁膜の作り分け（ＭＯＮＯＳ構造とＭＯＳ構造）やゲート電極の作り分け（ＰプラスゲートとＮプラスゲート）の工程数を削減し、低コスト化を実現している。
【０１０６】
また、ゲート電極としてドープされていない多結晶シリコンを用いればメモリセルと周辺トランジスタでＰプラスゲートとＮプラスゲートを作り分けることも容易である。
【０１０７】
この場合、ゲート電極の多結晶シリコンはＰプラス部分とＮプラス部分とで同時に形成しているため、膜厚が等しくなるので、後のゲート電極の加工が容易となる。
【０１０８】
さらに、メモリ部のゲート電極と周辺回路部のゲート電極とを同時に形成できるので、製造工程数が削減できる。
【０１０９】
また、メモリ部と周辺回路部でそれぞれ、一方をＰプラス部分、他方をＮプラス部分とすることができる。また、メモリ部、周辺回路部それぞれにＰプラス部分、Ｎプラス部分を両方混在させて形成することもできる。この場合、メモリ部においては、例えば、メモリ部の多数個のセルトランジスタにＰ型不純物を導入し、セルトランジスタよりも少数の個数の選択トランジスタにＮ型不純物を導入し、周辺回路部の多数個の低電圧トランジスタにＰ型不純物を導入し、少数個の高耐圧トランジスタにＮ型不純物を導入することで形成できる。
【０１１０】
このプロセスをＮＡＮＤフラッシュメモリに用いた場合、選択トランジスタをメモリセルトランジスタと同じゲート絶縁膜構造にすることで、工程数が増加することはない。
【０１１１】
なお、Ｐプラス部とＮプラス部とが混在した場合、Ｐプラス部、Ｎプラス部の境界部分の半導体基板、素子分離領域、又はゲート電極にＰ型不純物とＮ型不純物の両方が注入されている。なお、Ｐプラス部、Ｎプラス部の境界部分の大きさによっては、Ｐ型不純物、Ｎ型不純物いずれも注入されない。
【０１１２】
また、シャロートレンチ素子分離領域上に形成された第２ゲート電極１５、２８，２３は、各ゲートの膜中に自然酸化膜を含むことなく、素子分離領域間に形成されている第１ゲート電極１４、２７、２２と一体形成されていて、抵抗値が一定に保たれ、従来技術において２段階で間に自然酸化膜を介してゲート電極が形成された場合と比較してゲート電極の制御性が向上する。
【０１１３】
本実施の形態は、加工ダメージを受けずに電荷蓄積絶縁膜を形成できる場合に効果を有する。
【０１１４】
本実施の形態においては、ＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置を例に挙げて説明したが、本実施の形態はＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置に限られるものではなく、ゲート絶縁膜の電気的特性の高特性化が必要な微細化されたＭＯＳトランジスタを有する半導体装置全般に適用できる。
【０１１５】
（第２の実施の形態）
本実施の形態においては、メモリ部の選択トランジスタの構造が第１の実施の形態と異なり、図８に示される周辺回路部の低電圧トランジスタと同一の構造となっている。 このように選択トランジスタのゲート絶縁膜がＭＯＮＯＳ構造ではなくＭＯＳ構造になっている。メモリ部のカラム方向の断面図は図２８に示される通りで、メモリセルトランジスタの形状は第１の実施の形態と同様となっている。選択トランジスタ部分のゲート絶縁膜の構成が第１の実施の形態と異なり、低電圧トランジスタのゲート絶縁膜２５で構成されている。
【０１１６】
この実施の形態の回路図は図２９に示される通りで、第１の実施の形態同様に直列に接続されたメモリセルトランジスタ（Ｍ０〜Ｍ３１）５２の両端にそれぞれ接続された選択トランジスタ（Ｓ１、Ｓ２）５０、５１の構成が、ＭＯＮＯＳではなくＭＯＳ構造として表される。他の構成は、図１１に示された第１の実施の形態の回路図と同一である。
【０１１７】
本実施の形態では、選択トランジスタのゲート絶縁膜にシリコン窒化膜を用いていないことから、半導体記憶装置の動作時のゲート電圧やドレイン電圧のストレスによって選択トランジスタの閾値が変動することがなくなり、より高性能で高信頼性の半導体記憶装置を実現できる。
【０１１８】
選択トランジスタのゲート絶縁膜２５としては、例えば０．５ｎｍ〜１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜が挙げられるが、周辺回路部の低電圧トランジスタと同じ形成条件にすることがプロセスの工程削減のためには望ましい。すなわち、本実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態の製造方法において、選択トランジスタをメモリ部のメモリセルトランジスタと同じ製造工程を経ずに、周辺回路部の低電圧トランジスタと同様の製造工程を適用することで実現される。
【０１１９】
このプロセスをＮＡＮＤフラッシュメモリに用いた場合、選択トランジスタを周辺回路部の低電圧トランジスタと同じゲート絶縁膜構造にすることで、製造工程数が増加することはない。
【０１２０】
本実施の形態においては、ＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置を例に挙げて説明したが、本実施の形態はＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置に限られるものではなく、ゲート絶縁膜の電気的特性の高特性化が必要な微細化されたＭＯＳトランジスタを有する半導体装置全般に適用できる。
【０１２１】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、特に絶縁膜を電荷蓄積層として用いるメモリセルにおいて使用される。
【０１２２】
図３０には、本実施の形態のプロトタイプである自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが示される。図３０（Ａ）には、本形態のプロトタイプの上面図が示されていて、素子分離領域１１０に囲まれて、素子領域１１１が直線状に左右方向に形成されている。この不純物領域の長手方向に直交して、ゲート電極１１２が形成されている。素子領域１１１には、ゲート電極１１２の左右それぞれの側にコンタクト１１３が１対設けられている。また、ゲート電極には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはコンタクト１１４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１１２の両側の素子領域１１１がソース拡散層１１５、ドレイン拡散層１１６となり、データ読み出し時にはソース拡散層１１５からドレイン拡散層１１６へ図３０（Ａ）中の矢印で示されるＣからＤ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１２３】
図３０（Ａ）における“Ｃ−Ｄ”線上での断面図が、図３０（Ｂ）に示される。半導体基板１１７上にゲート電極１１２が形成され、その両側の半導体基板１１７中にソース拡散層１１５、ドレイン拡散層１１６が形成されている。ゲート電極１１２は、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１１７、ゲート電極１１２の表面上には層間絶縁膜１２１が形成されている。
【０１２４】
また、図３０（Ａ）における“Ｅ−Ｆ”線上での断面図が、図３０（Ｃ）に示される。半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２が設けられ、その中に素子分離領域１１０が形成されている。素子分離領域１１０の間には、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜が形成されている。このブロック絶縁膜１２０上には、ゲート電極１１２が素子分離領域１１０上にまで延在して形成されている。
【０１２５】
このような図３０（Ｂ）、図３０（Ｃ）に示されたメモリセルの製造方法においては、素子分離溝を形成するためのエッチング加工時や、ゲート電極及びゲート絶縁膜のエッチング加工時に、データ保持絶縁膜端が異方性エッチングのプラズマにさらされるために、素子分離領域のエッジ及びゲートのエッジにおいてデータ保持絶縁膜が加工ダメージを受け、このためデータ保持絶縁膜のエッジ部における電荷保持力が劣化し、メモリセルの信頼性が損なわれる場合がある。
【０１２６】
図３０に示される構造を持つメモリセルの場合、とりわけ素子分離領域のエッジにおけるデータ保持絶縁膜の特性劣化が深刻な問題となる場合がある。以下にそれを説明する。図３０（Ｂ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域に分ける。ここでは、▲１▼、▲３▼の領域のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたダメージ領域１２３となっている。同様に図３０（Ｃ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域に分ける。ここでは、▲４▼、▲６▼のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたダメージ領域１２４となっている。
【０１２７】
ここで、データ保持絶縁膜に電子をトラップさせて閾値を高くした状態（書き込み状態）を仮定する。図３１（Ａ）には、図３０（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図３１（Ｂ）には、図３０（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図３１（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図３１（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図３０（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図３１（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図３０（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０１２８】
データ保持絶縁膜のエッジ部では電荷保持特性が劣化しているので、電子が容易に脱離する。ＭＯＮＯＳ型メモリセルに代表されるような電荷蓄積領域として絶縁膜を用いた構造のメモリセルの場合、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼間又は▲４▼、▲５▼、▲６▼間では、電荷の移動は行われないので、電荷が抜けた領域（エッジ部）はチャネル中央部と比較して閾値が低下する。ここで、図３０（Ｂ）において示される断面は電流が流れる方向でのチャネルを表していて、この電流が流れる方向にトランジスタが直列に接続されていた場合、いずれかのトランジスタの閾値が低くなっても、全体としての閾値は変化しない。
【０１２９】
ここで、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース、ドレイン間に直列に配置されているので、領域▲１▼、▲３▼の閾値が低下しても領域▲２▼の閾値が高ければソース、ドレイン間に電流は流れず、ゲートエッジ部の閾値低下はメモリセルの閾値低下としては検知されない。一方、領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース、ドレイン間に並列に接続されているので領域▲４▼、▲６▼の閾値が低下するとソース、ドレイン間に電流が流れるので、素子分離領域のエッジ部における閾値低下がメモリセルの閾値低下として検知される。この様子が図３１（Ｃ）に示されている。すなわち、書き込み直後は各領域ともにほぼ同じゲート電圧になるが、時間の推移とともに書き込み状態で、中央部▲５▼に比べて、エッジ部▲４▼、▲６▼におけるゲート電圧がより多く低下し、消去状態の電圧に近づいている。つまりメモリセルの電荷保持特性が、ダメージを受けた部分の電荷保持特性で決定されることになる。
【０１３０】
上述のように、自己整合ＳＴＩ構造でＭＯＮＯＳ型メモリセルを形成した場合には、素子分離領域のエッジまたはゲート電極のエッジでの、電荷蓄積領域のデータ保持特性劣化がメモリセルの信頼性に対して影響を及ぼし、特に素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化が問題となる場合がある。本実施の形態では以上の問題を解決する方法を提供する。
【０１３１】
次に、本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図３２に示される。図３２（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１３０に囲まれて、素子領域１３１が直線状に左右方向に形成されている。この素子領域１３１の長手方向に直交して、ゲート電極１３２が形成されている。素子領域１３１には、ゲート電極１３２の左右それぞれの側にコンタクト１３３が１対設けられている。また、ゲート電極１３２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１３４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１３２の両側の素子領域１３１がソース不純物領域１３５、ドレイン不純物領域１３６となり、データ読み出し時にはソース不純物領域１３５からドレイン不純物領域１３６へ図３２（Ａ）中の矢印で示されるＧからＨ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１３２】
図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面図が、図３２（Ｂ）に示される。半導体基板１３７上にゲート電極１３２が形成され、その両側の半導体基板１３７中にソース拡散層１３５、ドレイン拡散層１３６が形成されている。このゲート電極１３２は下層の第１ゲート１３８、その上の第２ゲート１３９から構成されている。ゲート電極１３２は、トンネル絶縁膜１４０、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１４１、ブロック絶縁膜１４２からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。ゲート電極１３２の側面にはゲート側壁絶縁膜１４３が設けられている。半導体基板１３７、ゲート電極１１２、ゲート側壁絶縁膜１４３の表面上には層間絶縁膜１４４が形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２よりもその幅がゲート側壁絶縁膜１４３の厚さ分、大きく形成されている。
【０１３３】
また、図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面図が、図３２（Ｃ）に示される。半導体基板１３７中には、素子分離溝１４５が設けられ、その中に素子分離領域１３０が形成されている。素子分離領域１３０の間には、トンネル絶縁膜１４０、データ保持絶縁膜１４１、ブロック絶縁膜１４２からなるゲート絶縁膜及び第１ゲート１３８が形成されている。このブロック絶縁膜１４２上には、第２ゲート１３９が素子分離領域１３０上にまで延在して形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１は第１ゲート１３８よりもその幅が大きく形成され、素子分離領域１３０内に突き出している。
【０１３４】
本メモリセルでは、半導体基板１３７中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１３７上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１４０が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１４０上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持膜１４１が形成されている。さらにこのデータ保持膜１４１の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜１４２が形成されている。このブロック絶縁膜１４２の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１３２が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。
【０１３５】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。図３２に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１３６】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１３７】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、ゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。
【０１３８】
図３２（Ａ）に示されるように、ゲート電極１３２の両側の半導体基板上には素子領域１３１が形成され、データの読み出し時にはゲートのエッジと垂直な方向(“Ｇ−Ｈ”線方向)に流れる電流量によって記憶されたデータを判別する。ここで、図３２（Ｂ）に示されるように、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２に対して突き出した形状となっている。ここで、突き出す程度は０．５ｎｍから１０ｎｍ程度である。ここで、突き出す程度が小さいと、効果が得られず、突き出す程度が大きすぎると製造工程において、困難が生じ、微細化には不適切である。
【０１３９】
また、図３２（Ｃ）の断面に示すように、素子分離溝１４５はゲート電極１３２及びゲート絶縁膜中のトンネル絶縁膜１４０及びブロック絶縁膜１４２に対して自己整合的に形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２中の第１ゲート１３８及び半導体基板１３７に対して突き出しており、両端が素子分離溝１４５中に入り込んだ形状となっている。
【０１４０】
このように、本実施の形態の半導体装置においてはデータ保持絶縁膜が、ゲート電極、若しくは半導体基板又はその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜の突き出し部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。
【０１４１】
データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置が実現できる。ここで、図３２（Ｂ）に示される断面で、メモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼としてエッジ部と中央部とに分割する。さらに、図３２（Ｃ）に示される断面で、メモリセルを領域▲４▼、▲５▼、▲６▼としてエッジ部と中央部に分割する。ここでは、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の電荷蓄積絶縁膜の特性が中央部▲２▼、▲５▼と同一であるために、エッジ部に起因した信頼性劣化がない。このように突き出し部の突き出しの長さは、加工ダメージの進入深さよりも大きい値とすることで、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の特性が中央部▲２▼、▲５▼の特性と等しくなる。
【０１４２】
ここで、特にソース、ドレイン間電流の流れる方向（図３２（Ａ）の“Ｇ−Ｈ”方向）と平行な２辺（素子分離端と接する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。これは図３２（Ｃ）の領域▲４▼、▲６▼はソース、ドレイン間において中央部▲５▼と並列に配置されているため、この部分の電荷抜けによる閾値低下がメモリセル全体の閾値低下として検知されるため、特に▲４▼、▲６▼の部分の電荷抜けを防ぐ必要があるためである。
【０１４３】
図３２（Ｂ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図３３（Ａ）の通りとなるが、各領域▲１▼、▲２▼、▲３▼の特性が等しいため、図３３（Ｂ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。さらに図３２（Ｃ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図３３（Ｃ）の通りとなるが、各領域▲４▼、▲５▼、▲６▼の特性が等しいため、図３３（Ｄ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。
【０１４４】
ここで、図３２（Ｃ）に示された断面を拡大した例を図３４に示す。第１ゲート電極１４３下の半導体基板１３７と素子分離領域１３０の間には、素子分離側壁絶縁膜１４６が形成されている。また、第１ゲート電極１３８側面と素子分離領域１３０の間には、ポリシリコン側壁酸化膜１４７が形成されている。また、第２ゲート電極１３９がポリシリコン側壁酸化膜１４７及び素子分離領域１３０に接する端部１４８では、第２ゲート電極１３９が半導体基板１３７方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜１４２は第１ゲート１３８よりもポリシリコン側壁酸化膜１４７の厚さ分、素子分離領域１３０方向に突き出している。また、データ保持絶縁膜１４２は半導体基板１３７よりも素子分離側壁酸化膜１４６の厚さ分、素子分離領域１３０方向に突き出している。
【０１４５】
本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が、ゲート電極及び半導体基板の両方に対して突き出しているが、ゲート電極又は半導体基板のいずれかに対して突き出していてもよい。すなわち、図３２の“Ｉ−Ｊ”断面又は“Ｇ−Ｈ”断面のいずれか一方のみを採用し、他方を本実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てにおいてデータ保持絶縁膜が突き出しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺で、データ保持絶縁膜が突き出している形状であればよい。
【０１４６】
このようにＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルにおいて、ゲート電極よりもデータ保持絶縁膜が突き出している形状にすることによって、データ保持特性を向上させることができる。
【０１４７】
さらに、ゲート電極に対してデータ保持絶縁膜が突き出した形状となっているので、加工ダメージを受けたデータ保持絶縁膜端を電荷蓄積領域及びトランジスタのゲート絶縁膜として使用しなくて済むため、メモリセルの信頼性が向上する。とりわけ、ソース、ドレイン間電流の流れる方向（図３２（Ｃ）の“Ｉ−Ｊ”方向）と平行な２辺（素子分離領域端と接する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていると、閾値降下を防止でき、データ保持特性を改善する効果が大きい。
【０１４８】
本実施の形態の半導体装置によれば、電荷蓄積領域の両端が、ゲート側壁絶縁膜の下において、ゲート電極へ突き出し、チャネル端において、半導体基板に対して突き出していれば、チャネル部への製造工程におけるダメージが入ることを防止できる。
【０１４９】
このように、電荷蓄積領域がゲート電極又は基板に対して突き出していることで、加工によるダメージを受け、電荷保持特性が劣化した絶縁膜端部を電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用しないので、メモリセルの信頼性が向上する。
【０１５０】
本実施の形態の半導体装置においては、読み出し電流が流れる向きと並列に配置された、データ保持絶縁膜端部をゲート電極又は半導体基板に対して突き出した形状とすることで、データ保持絶縁膜端部の閾値落ちがメモリセルの閾値落ちとして検知されることを防止する。
【０１５１】
なお、第１の実施の形態における図２及び図３に示されるような形状の半導体装置とした場合でも本実施の形態の半導体装置の効果を得ることができる。
【０１５２】
次に、図３５乃至図４３を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。図３５乃至図４３においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面、（Ｂ）図が図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面に相当している。
【０１５３】
まず、半導体基板１３７上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０１５４】
次に、図３５（Ａ）及び図３５（Ｂ）に示されるように、半導体基板１３７上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１４０、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜１４１を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜１４２を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材１５０を形成する。
【０１５５】
次に、図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材１５０、第１ゲート電極１３８、ブロック絶縁膜１４２、データ保持絶縁膜１４１、トンネル絶縁膜１４０、及び半導体基板１３７を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝１５１を形成する。ここで、形成される素子分離溝の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図３６（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。
【０１５６】
次に、図３７（Ａ）に示されるように第１ゲート電極１３８の側壁を酸化し、ゲート側壁絶縁膜１５２が形成される。この工程で酸化される第１ゲート電極１３８の厚さは約０．５ｎｍから１５ｎｍ程度である。この値は加工によるダメージがデータ保持絶縁膜１４１に進入しない値が選ばれる。なお、図３７（Ｂ）に示される断面では、酸化は行なわれない。
【０１５７】
このとき半導体基板１３７の素子分離溝１５１の側壁部分も酸化され、素子分離側壁絶縁膜１５３が形成されるが、データ保持絶縁膜１４１は酸化されないように酸化条件を調整する。第１ゲート電極１３８は例えばポリシリコンを用い、素子分離溝１５１の側壁は半導体基板１３７であるので、単結晶シリコンを用いた場合、両者の酸化レートの違いを利用して、酸化条件が設定できる。この第１ゲート電極１３８の側壁の酸化量及び素子分離溝１５１の側壁の酸化量によって、データ保持絶縁膜１４１の突き出し量が決まる。すなわち、第１ゲート電極１３８側面にゲート側壁絶縁膜１５２が形成されたことによる、第１ゲート電極１３８側面の後退量によって、データ保持絶縁膜１４１の第１ゲート電極１３８への突き出し量が決定される。また、素子分離溝１５１側面に素子分離側壁絶縁膜１５３が形成されたことによる、半導体基板１３７側面の後退量によって、データ保持絶縁膜１４１の半導体基板１３７への突き出し量が決定される。
【０１５８】
ここで形成される素子分離溝の側壁の酸化膜は、半導体基板を構成する単結晶シリコンの酸化膜であり、比較的硬度が高い性質を持つ。なお、第１ゲート電極１３８の側壁のみ、または半導体基板１３７の素子分離溝１５１の側壁部のみ酸化されるような条件としても良い。こうして、酸化により第１ゲート電極１３８や半導体基板１３７が後退した結果、データ保持絶縁膜１４１の両端は、第１ゲート電極１３８、又は半導体基板１３７のどちらか一方、又は第１ゲート電極１３８と半導体基板１３７との両者に対して突き出した形状となる。
【０１５９】
ここで、データ保持絶縁膜１４１に順テーパが形成されるようにエッチングされる条件を用いることにより、後の工程の素子分離溝１５１へのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。順テーパーの角度としては、半導体基板１３７の上面を標準として６０°から８９°の範囲の角度が良い。
【０１６０】
次に、図３７（Ａ）に示されるように、ポリシリコンからなる第１ゲート電極１３８の酸化によって、第１ゲート電極側壁酸化膜１５２がデータ保持絶縁膜１４１よりも出る構造にすることが、例えば、後で述べるＨＤＰ−ＳｉＯ2による素子分離絶縁膜埋め込み時のデータ保持絶縁膜１４１のダメージを小さくし、より信頼性の高いデバイス構造を形成するのに望ましい。また、半導体基板１３７の酸化によって、素子分離側壁酸化膜１５３がデータ保持絶縁膜１４１よりも素子分離溝１５１に出る構造にすることが、後の工程の素子分離溝１５１へのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。
【０１６１】
ここで、データ保持絶縁膜１４１の両端は、半導体基板１３７から０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の範囲内で突き出していることが信頼性上望ましく、素子分離領域１５１内壁に形成した酸化膜の厚さとしては、１ｎｍ以上１６ｎｍ以下の範囲で形成することが望ましい。
【０１６２】
第１ゲート電極１３８や半導体基板１３７を、データ保持絶縁膜１４１に対して後退させる方法は酸化に限定されず、ウェットエッチング等によるエッチバックでも良い。さらに例えば、ＴＥＯＳやＨＴＯ（High Temperature Oxide）をデータ保持絶縁膜１４１の突き出し量よりも厚く堆積することにより、後述するＨＤＰ（High Density Plasma）−ＳｉＯ2による素子分離絶縁膜埋め込み時のデータ保持絶縁膜のダメージを小さくしても良い。この場合、データ保持絶縁膜をエッチングさせないことが必要である。酸化と組み合わせて、ウェットエッチングなどを用いることもできる。さらに、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、側壁絶縁膜を形成し、これをマスクとして第１ゲート絶縁膜及び半導体基板をエッチングして素子分離溝を形成することもできる。
【０１６３】
次に、図３８（Ａ）に示されるように、素子分離溝１５１を例えば、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜等の堆積法で、埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって平坦化して、素子分離領域１１０を形成する。ここで埋め込むシリコン酸化膜は単結晶シリコンの酸化膜に比べて、比較的硬度が低い性質を持つ。
【０１６４】
次に、図３９（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、ＣＭＰのストッパであるマスク材１５０をウェットエッチングにより除去する。
【０１６５】
次に、図４０（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉなどのシリコンの金属化合物とポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物やＷ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属の単層構造またはポリシリコンの単層構造からなる第２ゲート電極１３９を堆積し、第１ゲート電極１３８と合わせて、メモリセルのゲート電極１３２とする。
【０１６６】
次に、図４１に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極をエッチングする。図４１（Ｂ）においては、ブロック絶縁膜１４２が露出して、一部にゲート電極１３２が形成される。なお、図４１（Ａ）に示される断面では、ゲート電極１３２はエッチングされない。この工程において、データ保持絶縁膜１４１はエッチングしない。ここでは、データ保持絶縁膜１４１の上のブロック絶縁膜１４２はエッチングしてもしなくてもどちらの場合も可能である。
【０１６７】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図４２（Ｂ）に示されるように、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積し、異方性エッチングによってこれをエッチバックし、側壁絶縁膜１４３を形成する。この時に側壁絶縁膜１４３をマスクとしてデータ保持絶縁膜１４１もエッチングする。その結果、ゲート電極１３２に対して、側壁絶縁膜１４３の膜厚分だけ、データ保持絶縁膜１４１が突き出した形状となる。ここで、側壁絶縁膜１４３の厚さは堆積厚さに相当するので、堆積膜厚を調整して、側壁絶縁膜１４３の厚さを制御する。又は、側壁絶縁膜１４３を堆積によってではなく、ゲート多結晶シリコンを酸化することによって形成しても良い。この場合、側壁絶縁膜１４３の厚さは酸化量によって調整される。
【０１６８】
次に、図４３（Ｂ）に示されるように拡散層の不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域１３５，１３６を形成する。さらに、図４３（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように層間絶縁膜１４４を堆積する。さらに層間絶縁膜１４４中にコンタクトプラグ１３３，１３４を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０１６９】
本実施の形態の半導体記憶装置の製造方法によれば、第１ゲート電極１３８でチャネル幅を規定し、第２ゲート電極１３９でチャネル長を規定することによって、メモリセルを形成するデータ保持絶縁膜１４１の面積を２つのリソグラフィによって決めることができる。さらに、この２つのリソグラフィには、直線状のパターンを用いることができる。よって、チャネル幅とチャネル長以外に、浮遊ゲートと制御ゲートとのリソグラフィ寸法に大きく依存する浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置よりも寸法ばらつきのメモリ特性に対する影響要因を減らすことができ、メモリセルごとの書き込み電圧や消去電圧をより一層安定させることができ、信頼性を向上できる。
【０１７０】
また、第１ゲート電極１３８が形成されていない部分には、データ保持絶縁膜１４１が形成されていない。よって、例えば、第２ゲート電極１３９の下にデータ保持絶縁膜１４１が形成されている場合に生じる、第２ゲート電極１３９下のデータ保持絶縁膜１４１の電極加工中や動作時のデータ保持絶縁膜１４１への電荷注入が生じない。よって、それらが起因となる隣接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題が生じない。
【０１７１】
（第３の実施の形態の変形例）
本変形例では、第３の実施の形態の半導体装置において、図３２（Ｃ）に示される断面の構造を図４４に示される構造に替えて構成している。ここでは、素子分離領域の下部がデータ保持絶縁膜１４１の下側に形成されていない構造となっている。
【０１７２】
本変形例の半導体装置の製造方法は、“Ｉ−Ｊ”線上での断面においてのみ、図３７以降に示される工程において第３の実施の形態と異なり、“Ｇ−Ｈ”線上での断面では、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であるので図示及び説明は省略する。すなわち、図３６（Ａ）に示される工程の後で、図４５に示されるように。素子分離溝１５１形成後のゲート側壁絶縁膜形成工程において、素子分離溝１５１の側面の酸化を行わずに、ゲート側壁絶縁膜１５２を形成する。
【０１７３】
次に、図４６に示されるように、素子分離溝１５１を例えば、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜等の堆積法で、埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって平坦化して、素子分離領域１１０を形成する。ここで埋め込むシリコン酸化膜は単結晶シリコンの酸化膜に比べて、比較的硬度が低い性質を持つ。
【０１７４】
次に、図４７に示されるように、ＣＭＰのストッパであるマスク材１５０をウェットエッチングにより除去する。
【０１７５】
次に、図４８に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉなどのシリコンの金属化合物とポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物やＷ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属の単層構造またはポリシリコンの単層構造からなる第２ゲート電極１３９を堆積し、第１ゲート電極１３８と合わせて、メモリセルのゲート電極１３２とする。
【０１７６】
次に、図４９に示されるように層間絶縁膜１４４を堆積する。さらに層間絶縁膜１４４中にコンタクトプラグ１３４を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０１７７】
このように素子分離側壁絶縁膜を設けないことで、データ保持絶縁膜１４１が第１ゲート電極１３８に対してのみ突き出し、半導体基板１３７に対しては突き出さない形状とすることができる。本変形例においても第３の実施の形態同様の効果を得ることができる。
【０１７８】
（第４の実施の形態）
図５０には、本実施の形態のプロトタイプである自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが示される。図５０（Ａ）には、本形態のプロトタイプの上面図が示されていて、素子分離領域１１０に接して半導体基板１１７中の一部にソース不純物領域１５５が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域１５５の一部ではその幅が大きくなっていて、ソースコンタクト１５７が設けられている。また、このソース不純物領域１５５に対向して素子分離領域１１０に接して、半導体基板１１７中の一部にドレイン不純物領域１５６が直線上に左右方向に形成されている。このドレイン不純物領域１５６の一部ではその幅が大きくなっていて、ドレインコンタクト１５８が設けられている。
【０１７９】
ソース不純物領域１５５及びドレイン不純物領域１５６の長手方向に直交して、ゲート電極１１２が形成されている。ゲート電極１１２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１１４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１１２の真下にソース不純物領域１５５、ドレイン不純物領域１５６が設けられ、データ読み出し時にはソース不純物領域１５５からドレイン不純物領域１５６へ図５０（Ａ）中の矢印で示されるＭからＮ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１８０】
図５０（Ａ）における“Ｋ−Ｌ”線上での断面図が、図５０（Ｂ）に示される。半導体基板１１７上にゲート電極１１２が形成されている。ゲート電極１１２は、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１１７、ゲート電極１１２の表面上には層間絶縁膜１２１が形成されている。
【０１８１】
また、図５０（Ａ）における“Ｍ−Ｎ”線上での断面図が、図５０（Ｃ）に示される。半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２が設けられ、その中に素子分離領域１１０が形成されている。素子分離領域１１０の間には、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜が形成されている。このブロック絶縁膜１２０上には、ゲート電極１１２が素子分離領域１１０上にまで延在して形成されている。トンネル絶縁膜１１８の端部の半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２は設けられておらず、素子分離領域１１０に接して、ソース不純物領域１５５及びドレイン不純物領域１５６が設けられている。
【０１８２】
このような図５０（Ｂ）、図５０（Ｃ）に示されたメモリセルの製造方法においては、素子分離溝を形成するためのエッチング加工時や、ゲート電極及びゲート絶縁膜のエッチング加工時に、データ保持絶縁膜端が異方性エッチングのプラズマにさらされるために、素子分離領域のエッジ及びゲートのエッジにおいてデータ保持絶縁膜が加工ダメージを受け、このためデータ保持絶縁膜のエッジ部における電荷保持力が劣化し、メモリセルの信頼性が損なわれる場合がある。
【０１８３】
図５０に示される構造を持つメモリセルの場合、とりわけ素子分離領域のエッジにおけるデータ保持絶縁膜の特性劣化が深刻な問題となる場合がある。以下にそれを説明する。図５０（Ｂ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域に分ける。ここでは、▲１▼、▲３▼の領域のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたエッジ領域１２３となっている。同様に図５０（Ｃ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域に分ける。ここでは、▲４▼、▲６▼のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたエッジ領域１２４となっている。
【０１８４】
ここで、データ保持絶縁膜に電子をトラップさせて閾値を高くした状態（書き込み状態）を仮定する。図５１（Ａ）には、図５０（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図５１（Ｂ）には、図５０（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図５１（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図５１（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図５０（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図５１（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図５０（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０１８５】
データ保持絶縁膜のエッジ部では電荷保持特性が劣化しているので、電子が容易に脱離する。ＭＯＮＯＳ型メモリセルに代表されるような電荷蓄積領域として絶縁膜を用いた構造のメモリセルの場合、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼間又は▲４▼、▲５▼、▲６▼間では、電荷の移動は行われないので、電荷が抜けた領域（エッジ部）はチャネル中央部と比較して閾値が低下する。ここで、図５０（Ｂ）において示される断面は電流が流れる方向でのチャネルを表していて、この電流が流れる方向にトランジスタが直列に接続されていた場合、いずれかのトランジスタの閾値が低くなっても、全体としての閾値は変化しない。
【０１８６】
ここで、領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース、ドレイン間に直列に配置されているので、領域▲４▼、▲６▼の閾値が低下しても領域▲５▼の閾値が高ければソース、ドレイン間に電流は流れず、ゲートエッジ部のしきい値低下はメモリセルの閾値低下としては検知されない。一方、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース、ドレイン間に並列に接続されているので領域▲１▼、▲３▼の閾値が低下するとソース、ドレイン間に電流が流れるので、素子分離領域のエッジ部における閾値低下がメモリセルの閾値低下として検知される。この様子が図５１（Ｃ）に示されている。すなわち、書き込み直後は各領域ともにほぼ同じゲート電圧になるが、時間の推移とともに書き込み状態で、中央部▲２▼に比べて、エッジ部▲１▼、▲３▼におけるゲート電圧がより多く低下し、消去状態の電圧に近づいている。つまりメモリセルの電荷保持特性が、ダメージを受けた部分の電荷保持特性で決定されることになる。
【０１８７】
上述のように、自己整合ＳＴＩ構造でＭＯＮＯＳ型メモリセルを形成した場合には、素子分離領域のエッジ又はゲート電極のエッジでの、電荷蓄積領域のデータ保持特性劣化がメモリセルの信頼性に対して影響を及ぼし、特に素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化が問題となりうる。本実施の形態では以上の問題を解決する方法を提供する。
【０１８８】
次に、本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図５２に示される。図５２（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１６０に接して、一方側の半導体基板１６１中にソース不純物領域１６２が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域１６２に対向して、素子分離領域１６０に接して、他方側の半導体基板１６１中にドレイン不純物領域１６３が形成されている。ソース不純物領域１６２には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはソースコンタクト１６４が形成されている。さらにドレイン不純物領域１６３には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはドレインコンタクト１６５が形成されている。これらソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６５の長手方向に直交して、ゲート電極１６６が形成されている。
【０１８９】
また、ゲート電極１６６には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１６７が設けられている。このメモリセルではゲート電極１６６の下側の半導体基板１６１の一部がソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３となり、データ読み出し時にはソース不純物領域１６２からドレイン不純物領域１６３へ図５２（Ａ）中の矢印で示されるＱからＲ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１９０】
図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面図が、図５２（Ｂ）に示される。半導体基板１６１上にゲート電極１６６が形成されている。このゲート電極１６６は下層の第１ゲート１７０、その上の第２ゲート１７１から構成されている。ゲート電極１６６は、トンネル絶縁膜１７２、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１７３、ブロック絶縁膜１７４からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。ゲート電極１６６の側面にはゲート側壁絶縁膜１７５が設けられている。半導体基板１６１、ゲート電極１６６、ゲート側壁絶縁膜１７５の表面上には層間絶縁膜１７６が形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１７３はゲート電極１６６よりもその幅がゲート側壁絶縁膜１７５の厚さ分、大きく形成されている。
【０１９１】
また、図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面図が、図５２（Ｃ）に示される。半導体基板１６１中には、素子分離溝１７７が設けられ、その中に素子分離領域１６０が形成されている。素子分離領域１６０の間には、トンネル絶縁膜１７２、データ保持絶縁膜１７３、ブロック絶縁膜１７４からなるゲート絶縁膜及び第１ゲート１７０が形成されている。このブロック絶縁膜１７４上には、第２ゲート１７１が素子分離領域１６０上にまで延在して形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１７３及びその下に位置するトンネル絶縁膜１７２は第１ゲート１７０よりもその幅が大きく形成され、素子分離領域１６０内に突き出している。
【０１９２】
本メモリセルでは、半導体基板１６１中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１６１上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１７２が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１７２上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜１７３が形成されている。
【０１９３】
さらにこのデータ保持絶縁膜１７３の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜１７４が形成されている。このブロック絶縁膜１７４の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１６６が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、素子分離領域１６０の端に接する半導体基板１６１中には、ソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３が形成されている。このソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３は、第１ゲート１７０から突き出したデータ保持絶縁膜１７３の下に形成されているが、第１ゲート電極１７０の下方には形成されていない。
【０１９４】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。図５２に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１９５】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１９６】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、ゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。
【０１９７】
ここで、図５２（Ｂ）に示されるように、データ保持絶縁膜１７３は第１ゲート電極１７０に対して突き出した形状となっている。ここで、突き出す程度はデータ保持絶縁膜１７３が０．５ｎｍから１０ｎｍ程度、素子分離領域１６０中に入っている。ここで、突き出す程度が小さいと、効果が得られず、突き出す程度が大きすぎると製造工程において、困難が生じ、微細化には不適切である。
【０１９８】
また、図５２（Ｃ）に示されるように、素子分離溝１６０はゲート絶縁膜中のトンネル絶縁膜１７２及びデータ保持絶縁膜１７３に対して自己整合的に形成されている。このトンネル絶縁膜１７２及びデータ保持絶縁膜１７３は、ブロック絶縁膜１７４及び第１ゲート電極１７０より、左右方向に突き出している。このように、電荷蓄積絶縁膜はゲート電極に対して突き出しており、両端が素子分離絶縁膜中に入り込んだ形状となっている。ここでは、“Ｑ−Ｒ”線に平行な方向の制御ゲートの２辺と、“Ｏ−Ｐ”線に平行な方向の拡散層の２辺で囲まれた制御ゲート下の矩形状の半導体基板領域が島状領域となる。
【０１９９】
第１ゲート電極１７０の下方端の両側の半導体基板１６１上にはソース、ドレイン不純物領域１６２、１６３が形成され、データの読み出し時にはゲートの長手方向(“Ｑ−Ｒ”線方向)に流れる電流量によって記憶されたデータを判別する。このように、本実施の形態の半導体装置においてはデータ保持絶縁膜が、ゲート電極または半導体基板またはその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜の突き出し部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。
【０２００】
データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置が実現できる。
【０２０１】
ここで、図５２（Ｂ）に示される断面で、メモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼としてエッジ部と中央部とに分割する。さらに、図５２（Ｃ）に示される断面で、メモリセルを領域▲４▼、▲５▼、▲６▼としてエッジ部と中央部に分割する。ここでは、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の電荷蓄積絶縁膜の特性が中央部▲２▼、▲５▼と同一であるために、エッジ部に起因した信頼性劣化がない。このように突き出し部の突き出しの長さは、加工ダメージの進入深さよりも大きい値とすることで、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の特性が中央部▲２▼、▲５▼の特性と等しくなる。
【０２０２】
ここで、特にソース、ドレイン間電流の流れる方向（図５２（Ａ）の“Ｑ−Ｒ”'方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。これは図５２（Ｂ）の領域▲１▼、▲３▼はソース、ドレイン間において中央部▲２▼と並列に配置されているため、この部分の電荷抜けによる閾値低下がメモリセル全体の閾値低下として検知されるため、特に▲１▼、▲３▼の部分の電荷抜けを防ぐ必要があるためである。
【０２０３】
図５２（Ｂ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図５３（Ａ）の通りとなるが、各領域▲１▼、▲２▼、▲３▼の特性が等しいため、図５３（Ｂ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。さらに図５２（Ｃ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図５３（Ｃ）の通りとなるが、各領域▲４▼、▲５▼、▲６▼の特性が等しいため、図５３（Ｄ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。
【０２０４】
本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が、ゲート電極及び半導体基板の両方に対して突き出しているが、ゲート電極又は半導体基板のいずれかに対して突き出していてもよい。すなわち、図５２の“Ｏ−Ｐ”断面又は“Ｑ−Ｒ”断面のいずれか一方のみを採用し、他方を本実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てにおいてデータ保持絶縁膜が突き出しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺で、データ保持絶縁膜が突き出している形状であればよい。
【０２０５】
本実施の形態の半導体装置においては、第３の実施の形態の半導体装置の効果と同様の効果を得ることができる。すなわち、データ保持絶縁膜が、ゲート電極又は半導体基板又はその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜のエッジ部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性メモリが実現できる。
【０２０６】
次に図５４乃至図６２を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【０２０７】
図５４乃至図６２においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ線上での断面、（Ｂ）図が図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面に相当している。
【０２０８】
まず、半導体基板１６１上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０２０９】
次に、図５４（Ａ）及び図５４（Ｂ）に示されるように、半導体基板１６１上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１７２、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜１７３を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜１７４を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極１７０を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材１８０を形成する。
【０２１０】
次に、図５５（Ａ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材１８０、第１ゲート電極１７０を異方性エッチングにより加工する。なお、図５５（Ｂ）に示される断面では、エッチングは行なわれない。
【０２１１】
次に、図５６（Ａ）に示されるように、マスク材１８０をマスクに半導体基板１６１中に拡散層不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３を形成する。
【０２１２】
次に、図５７（Ａ）に示されるようにシリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜１８１を形成し、これをマスクとしてブロック絶縁膜１７４、データ保持絶縁膜１７３、トンネル絶縁膜１７２、及び半導体基板１６１を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝１７７を形成する。ここで、形成される素子分離溝１７７の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図５７（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。このようにゲート側壁絶縁膜１８１を形成することで、チャネル端にソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３を残すことができる。この残されたソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３の幅は、残されたゲート側壁絶縁膜１８１の幅に対応して制御できる。その結果、第１ゲート電極１７０に対して、ゲート側壁絶縁膜１８１の膜厚だけ、データ保持絶縁膜１７５が突き出した形状となる。
【０２１３】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図５８（Ａ）に示されるように、素子分離溝１７７をシリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化した後、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材１８０をウェットエッチングにより除去する。また、図５８（Ｂ）に示される断面においては、マスク材１８０を除去して、第１ゲート電極１７０の上表面を露出させる。
【０２１４】
次に、図５９に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉとポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極１７１を堆積し、第1ゲート電極１７０と合わせて、メモリセルのゲート電極１６６とする。
【０２１５】
次に、図６０（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極１６６をエッチングする。この際、通常の場合、ブロック絶縁膜１７４はわずかにエッチングされるが、データ保持絶縁膜１７３はエッチングしないようにする。
【０２１６】
必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。また、この工程の後に、例えば、２ｎｍから２０ｎｍの範囲で、第１ゲート電極を酸化することによって、ダメージ回復を行っても良い。なお、図６１（Ａ）に示される断面においては、ゲート電極１６６はエッチングされない。
【０２１７】
次に、図６１（Ｂ）に示されるように、例えば、ＴＥＯＳやＨＴＯからなるシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積し、異方性エッチングによってこれをエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜１７５を形成する。このときにゲート側壁絶縁膜１７５をマスクとしてデータ保持絶縁膜１７３及びトンネル絶縁膜１７２もエッチングする。その結果、ゲート電極１６６に対して、ゲート側壁絶縁膜１７５の膜厚だけ、データ保持絶縁膜１７３が突き出した形状となる。なお、図６１（Ａ）に示される断面では、ゲート側壁絶縁膜１７５は形成されない。
【０２１８】
ここで、側壁絶縁膜１７５を堆積によってではなく、ゲート多結晶シリコンを酸化することによって形成しても良い。この場合、側壁絶縁膜１７５の厚さは酸化量によって調整される。
【０２１９】
次に、図６２に示されるように、層間絶縁膜１７６を表面上に堆積し、層間絶縁膜１７６中にコンタクトプラグ１６７を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０２２０】
このように、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極に対してデータ保持絶縁膜が突き出した形状となっているので、ブロック絶縁膜、データ保持絶縁膜、及びトンネル絶縁膜をエッチングする工程における加工ダメージを受けたデータ保持絶縁膜端をデータ保持絶縁膜およびトランジスタのゲート絶縁膜として使用しなくて済むため、メモリセルの信頼性が向上する。とりわけ、図５２（Ａ）におけるソース、ドレイン間電流の流れる方向（“Ｑ−Ｒ”線方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）において、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。
【０２２１】
本実施の形態の製造方法によれば、第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、第１ゲート電極でチャネル幅を規定し、第２ゲート電極でチャネル長を規定することによって、メモリセルを形成するデータ保持絶縁膜の面積を２つのリソグラフィによって決めることができる。さらにこの２つのリソグラフィでは、直線状のパターンを用いることができる。よって、浮遊ゲートと制御ゲートとのリソグラフィ寸法に大きく依存する浮遊ゲート型不揮発性半導体装置よりも寸法ばらつきのメモリ特性に対する影響要因をチャネル幅とチャネル長以外で減らすことができる。よって、メモリセルごとの書き込み電圧や消去電圧を安定させることができ、信頼性を向上できる。
【０２２２】
また、第１ゲート電極が形成されていない部分には、データ保持絶縁膜が形成されていない。よって、例えば、第２ゲート電極の下にデータ保持絶縁膜が形成されている場合に生じる第２ゲート電極の下のデータ保持絶縁膜の電極加工中や動作時のデータ保持絶縁膜への電荷注入が生じない。よってこれらの電荷注入が起因となる隣接するメモリセル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題が生じない。
【０２２３】
（第４の実施の形態の変形例）
本変形例では、図６３に示されるようにバーチャルグラウンドアレイセル構造を実現する。図６３は、図５２（Ｃ）に示される断面に対応した構造を拡大して示している。ここでは、第４の実施の形態と異なり、素子分離領域１６０を設けておらず、代わりに高濃度不純物領域１８５が半導体基板１６１中に設けられている。
【０２２４】
この半導体装置の製造方法は、第４の実施の形態の半導体装置の製造方法において、図５７に示された半導体基板１６１をエッチングする工程に代えて、半導体基板１６１表面からマスク材１８０の高さまで絶縁膜を埋め込む。
【０２２５】
さらに、図６１に示される工程に代えて、図６３に示されるように、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を１０11ｃｍ-2から１０14ｃｍ-2の範囲で注入して高濃度不純物領域１８５を形成する。この際、ソース及びドレイン不純物領域部分は、側壁絶縁膜が上部にもあらかじめ形成されているので、Ｐ型不純物のイオンが側壁絶縁膜下の手前で止まるように制限することにより、Ｎ型ソース及びドレイン不純物領域にはＰ型不純物の混入を行わないように制限できる。このＰ型不純物のイオン注入エネルギーとしては、１ｅＶから１００ｅＶの範囲とする。また、この際、Ｐ型不純物注入イオンのデータ保持絶縁膜に導入されるダメージをゲート電極側壁絶縁膜によって分離することができ、より高信頼性のメモリセルを実現できる。このような形状のバーチャルグラウンドアレイセルでは、絶縁物埋め込みによる素子分離領域に替えて、Ｐプラス拡散層又はＮプラス拡散層を形成し、それぞれが素子分離の役割を果たしている。ここでは、Ｎプラス拡散層がビット線になったり、ソース線になったりして固定されていない。
【０２２６】
本変形例は、第４の実施の形態同様の効果を有し、さらに、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために、例えば、ボロンやインジウムからなるｐ型不純物を添加した場合には、エッジ部分の反転層形成を抑え、さらに接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題発生を低減できる。
【０２２７】
（第５の実施の形態）
本発明における第５の実施の形態の半導体装置の構造を図６４に示す。図６４（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１９０に囲まれて、素子領域１９１が直線状に左右方向に形成されている。この素子領域１９１の長手方向に直交して、ゲート電極１９２が形成されている。素子領域１９１には、ゲート電極１９２の左右それぞれの側にコンタクト１９３が１対設けられている。また、ゲート電極１９２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１９４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１９２の両側の素子領域１９１がソース拡散層１９５、ドレイン拡散層１９６となり、データ読み出し時にはソース拡散層１９５からドレイン拡散層１９６へ図６４（Ａ）中の矢印で示されるＳからＴ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０２２８】
図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面図が、図６４（Ｂ）に示される。半導体基板１９７上にゲート電極１９２が形成され、その両側の半導体基板１９７中にソース拡散層１９５、ドレイン拡散層１９６が形成されている。ゲート電極１９２は、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１９９、ブロック絶縁膜２００からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１９７、ゲート電極１９２の表面上には層間絶縁膜２０１が形成されている。ここで、ブロック絶縁膜２００はゲート電極１９２のエッジ部２０２で、その厚さが中央部よりも厚く形成されている。
【０２２９】
また、図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面図が、図６４（Ｃ）に示される。半導体基板１９７中には、素子分離溝２０３が設けられ、その中に素子分離領域１９０が形成されている。素子分離領域１９０の間には、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜１９９、ブロック絶縁膜２００からなるゲート絶縁膜及びゲート電極１９２が形成されている。このブロック絶縁膜２００上には、ゲート電極１９２が素子分離領域１９０上にまで延在して形成されている。ここで、ブロック絶縁膜２００はゲート電極１９２のエッジ部２０４において、その厚さが中央部よりも厚く形成されている。
【０２３０】
このようにゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜１９８又はブロック絶縁膜２００が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２００のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。これは電荷が通過するトンネル酸化膜１９８やデータ保持絶縁膜１９９の膜厚が不均一であると、消去特性やデータ保持特性のばらつきの原因となるのに対して、電荷の通過がないブロック絶縁膜２００がエッジで厚膜化しても、特性ばらつきの原因とはならないためである。
【０２３１】
ここで、不揮発性メモリの読み出し動作においては、ゲート電極に読み出し電圧Ｖｒｅｆが加えられるが、読み出し動作を繰り返すのに伴い、Ｖｅｆにより作られた電界によって消去状態のセルの閾値が上昇し、書き込み状態のセルとの閾値マージンが減少するという問題があり、これはリードディスターブと呼ばれている。
【０２３２】
本実施の形態ではエッジ部で、ゲート絶縁膜が厚膜化しているために、Ｖｒｅｆが作る電界がエッジ部で弱められる。このためにチャネル中央部と比較してエッジ部でリードディスターブによる閾値変動が抑制される。これは、図６４（Ｂ）及び（Ｃ）で示すようにメモリセルを▲１▼、▲２▼、▲３▼及び▲４▼、▲５▼、▲６▼に分割した場合に、▲１▼、▲３▼と▲４▼、▲６▼の閾値変動が小さくなることを示している。これらの領域▲１▼、▲２▼、▲３▼、▲４▼、▲５▼、▲６▼はバーズビークの進入深さで定義される。
【０２３３】
特にソース、ドレイン間電流が流れる方向である図６４（Ａ）の“Ｓ−Ｔ”線方向と平行な２辺（素子分離端）における閾値変動が小さくなることの効果が大きい。
【０２３４】
このことを図６５を用いて説明する。図６５（Ａ）には、図６４（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図６５（Ｂ）には、図６４（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図６５（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図６５（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図６４（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。トランジスタ▲１▼、▲３▼がブロック絶縁膜が厚膜化しているエッジ部２０２に対応する。また、図６５（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図６４（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。トランジスタ▲４▼、▲６▼がブロック絶縁膜が厚膜化しているエッジ部２０４に対応する。
【０２３５】
図６５（Ｃ）はメモリセルのドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）特性を示している。消去状態のメモリセルは読み出し時のＶｒｅｆストレスによって閾値が上昇するが、エッジ部▲４▼、▲６▼では電界が弱められているために閾値変動が小さい。ＭＯＮＯＳ型メモリのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いたメモリでは、トラップされた電荷が絶縁膜中をほとんど移動しないので、エッジ部▲４▼、▲６▼の閾値は中央部▲５▼と比較して低いままに保たれる。図６５（Ｃ）に示されるように領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース−ドレイン間に並列に配置されているので、メモリセルの閾値は、より閾値の低い▲４▼、▲６▼によって決定される。このためエッジ部の電界を弱めて領域▲４▼、▲６▼の閾値変動を抑制することにより、メモリセルの閾値変動を抑制することが可能となる。
【０２３６】
本実施の形態のメモリセルでは、半導体基板１９７中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１９７上に例えば膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１９８が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１９８上には、膜厚が例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜１９９が形成されている。
【０２３７】
さらにこのデータ保持絶縁膜１９９の上には、膜厚が例えば１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２００が形成されている。このブロック絶縁膜２００の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極２０２が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、トンネル絶縁膜１９８の端に接する半導体基板１９７中には、ソース不純物領域１９５、ドレイン不純物領域１９６が形成されている。
【０２３８】
図６４に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作、書き込み動作、読み出し動作は、第３の実施の形態又は第４の実施の形態と同様である。
【０２３９】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜をエッジ部で厚膜化することによって、リードディスターブストレス時の電界をエッジ部で弱めて、エッジにおける閾値変動を抑制する。
【０２４０】
すなわち、読み出し電流が流れる向きと並列に配置された、絶縁膜端部における閾値上昇を小さくすることで、チャネル中央部の閾値が上昇してもメモリセルの閾値としてはエッジ部の閾値を検知するので、リードディスターブによるメモリセルの閾値変動を小さくすることができる。
【０２４１】
また、電荷の通過のないブロック絶縁膜の膜厚を変化させることで、書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつきを引き起こすことなく、エッジ部で電界を弱めることができる。
【０２４２】
ここで、図６４（Ｃ）に示された断面に、第３の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせて構成した半導体装置の構造の断面を拡大した例を図６６に示す。ゲート電極１９２は第１ゲート電極２０５とその上の第２ゲート電極２０６とからなり、第１ゲート電極２０５下の半導体基板１９７と素子分離領域１９０の間には、素子分離側壁絶縁膜２０７が形成されている。また、第１ゲート電極２０５側面と素子分離領域１９０の間には、ゲート電極側壁絶縁膜（ポリシリコン側壁絶縁膜）２０８が形成されている。ブロック絶縁膜２００は、第１ゲート電極２０５端部下で、その厚さが他の部分よりも厚く形成されている。また、第２ゲート電極２０６がゲート電極側壁絶縁膜２０８及び素子分離領域１９０に接する端部２０９では、第２ゲート電極２０６が半導体基板１９７方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜１９９は第１ゲート電極２０５よりもゲート電極側壁絶縁膜２０８の厚さ分、素子分離領域２０３方向に突き出している。
【０２４３】
次に、図６４（Ｂ）に示された断面に、第３の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせて構成した半導体装置の構造の断面を拡大した例を図６７に示す。半導体基板１９７上には、トンネル絶縁膜１９８が形成され、その上にはデータ保持絶縁膜１９９が形成されている。このデータ保持絶縁膜１９９上には、ブロック絶縁膜２００が形成され、その上には、第１ゲート電極２０５が形成されている。この第１ゲート電極２０５上には第２ゲート電極２０６が形成され、第１ゲート電極２０５及び第２ゲート電極２０６側壁には、ゲート電極側壁絶縁膜（ポリシリコン側壁絶縁膜）２０８が形成されている。
【０２４４】
ここで、第１ゲート電極２０５端部下のブロック絶縁膜２００とその上のゲート電極側壁絶縁膜２０８を合わせた厚さが他の部分におけるブロック絶縁膜２００の厚さよりも厚く形成されている。トンネル絶縁膜１９８端部下の半導体基板１９７中には、ドレイン不純物領域１９６が形成されている。このドレイン不純物領域１９６上方にデータ保持絶縁膜１９９が形成されていない領域では、表面酸化膜２１０が形成されている。この表面酸化膜２１０上には、層間絶縁膜２０１が形成されている。ここで、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜１９９、ブロック絶縁膜２００は、第１ゲート電極２０５よりもゲート電極側壁絶縁膜２０８の厚さ分、層間絶縁膜２０１方向に突き出している。
【０２４５】
本実施の形態では、ブロック絶縁膜２００（ポリシリコン側壁酸化膜２０８の底部付近の領域をも合わせて含んだ絶縁膜）の両端が、ソース、ドレイン不純物領域１９５、１９６近辺と素子分離領域２０３近辺の両方において、厚く形成されているが、ソース、ドレイン不純物領域１９５、１９６近辺と素子分離領域２０３近辺のいずれかにおいて、厚さが厚く形成されていてもよい。すなわち、図６４（Ａ）の“Ｓ−Ｔ”線での断面又は“Ｕ−Ｖ”線での断面のいずれか一方のみを採用し、他方を第３の実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。
【０２４６】
なお、第１の実施の形態における図２及び図３に示されるような形状の半導体装置としても本実施の形態の半導体装置の効果を得ることができる。
【０２４７】
次に図６８乃至図７６を用いて、本実施の形態の半導体装置を実現するための製造方法の一例を説明する。
【０２４８】
図６８乃至図７６においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面、（Ｂ）図が図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面に相当している。
【０２４９】
まず、半導体基板１９７上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離した後、図６８に示されるように、半導体基板１９７上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１９８を形成する。次に、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さの電荷蓄積絶縁膜であるシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜、さらに例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のブロック絶縁膜２００を介して、例えばポリシリコン等の第１ゲート電極２０５を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにマスク材２１１となるシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積する。
【０２５０】
次に、図６９（Ａ）に示されるように、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材２１１、第１ゲート電極２０５を異方性エッチングにより加工する。なお、図６９（Ｂ）における断面では、素子分離領域はパターニングされない。
【０２５１】
次に、図７０（Ａ）に示されるように、第１ポリシリコン電極２０５を酸化して、ポリシリコン側壁酸化膜２０８を形成する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２００がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、図７０（Ｂ）に示される断面では、ポリシリコン側壁酸化膜２０８は形成されない。
【０２５２】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２５３】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２５４】
次に、図７１（Ａ）に示されるように、ゲート絶縁膜１９８，１９９，２００及び半導体基板１９７を異方性エッチングして素子分離溝２０３を形成する。次に、この素子分離溝２０３側面を酸化して、素子分離側壁酸化膜２０７を形成する。このように図７０（Ａ）に示される第１ゲート電極２０５の酸化によって、ポリシリコン側壁酸化膜２０８を形成し、このポリシリコン側壁酸化膜２０８をマスクとして、データ保持絶縁膜１９９がエッチングされるため、ポリシリコン側壁酸化膜２０８とデータ保持絶縁膜１９９とを自己整合的に位置合わせを行うことができる。よって、後述するＨＤＰ−ＳｉＯ2の素子分離絶縁膜埋め込み時のダメージを受けるデータ保持絶縁膜端の突出部を非常に小さくでき、信頼性が向上する。
【０２５５】
また、半導体領域の側壁酸化膜厚さをポリシリコンの側壁酸化膜よりもはるかに薄膜化ができる。その厚さは例えば０から１０ｎｍ程度の範囲に設定でき、半導体領域の凸部の薄膜での電界集中を防ぐことができる。
【０２５６】
ここで、データ保持絶縁膜に順テーパが形成されるようにエッチングされる条件を用いることで、後の工程での素子分離トレンチへのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。順テーパの角度は半導体基板表面を基準として６０°から８９°の範囲の角度が好ましい。製造方法において、素子分離絶縁膜を埋め込む際に、ゲート電極側壁酸化膜、データ保持絶縁膜、及び半導体基板をすべて順テーパで形成することができるために、素子分離絶縁膜の埋め込み性が向上し、信頼性が向上する。また、ブロック絶縁膜にバーズビークを入れることによってリードディスターブ特性が向上する。
【０２５７】
本実施の形態においては、データ保持絶縁膜の両端は、半導体基板から０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の範囲で突き出していることが信頼性上望ましく、トレンチ内壁に形成した酸化膜の厚さは１ｎｍ以上１６ｎｍ以下の範囲で形成することが好ましい。
【０２５８】
次に必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。
【０２５９】
さらに、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜などの堆積方法で、素子分離溝をシリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化する。なお、図７１（Ｂ）に示される工程では、素子分離溝は形成されない。
【０２６０】
次に、図７２に示されるように、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材２１１をウェットエッチングにより除去する。
【０２６１】
次に、図７３に示されるように、ポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極２０６を堆積し、第１ゲート電極２０５と合わせて、メモリセルのゲート電極１９２とする。
【０２６２】
次に、図７４（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極１９２をエッチングする。このとき、ブロック絶縁膜２００、データ保持絶縁膜１９９、トンネル絶縁膜１９８はエッチングしない。なお、図７４（Ａ）に示される断面では、ゲート電極のエッチングは行なわれない。
【０２６３】
次に、図７５（Ｂ）に示されるようにゲート電極１９２を酸化する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２００がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、図７５（Ａ）に示される断面では、ゲート電極の酸化は行なわれない。
【０２６４】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２６５】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は、０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２６６】
次に、図７６（Ｂ）に示されるように、ゲート側壁絶縁膜２１２をマスクとして、ブロック絶縁膜２００、データ保持絶縁膜１９９、トンネル絶縁膜１９８をエッチングする。
【０２６７】
次に、拡散層不純物注入、層間絶縁膜２０１を堆積し、コンタクトプラグ１９３、１９４を形成し、メタル配線（図示せず）等の工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０２６８】
このように、本実施の形態によれば、ゲート電極のエッジ部においてゲート絶縁膜、とくにブロック絶縁膜が厚膜化しているためにデータ読み出し時にゲート絶縁膜に加わる電界をエッジ部において低下させることができるのでリードディスターブ特性が向上する。とりわけ、図６４（Ａ）におけるソース、ドレイン間電流の流れる方向（Ｓ−Ｔ方向）と平行な２辺（素子分離端と接する２辺）で、ゲート絶縁膜が厚膜化していることの効果が大きい。
【０２６９】
本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てのエッジ部においてゲート絶縁膜が厚膜化しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジ部で、ゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚膜化していればよい。
【０２７０】
また、本実施の形態の半導体記憶装置の製造方法によれば、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。さらに、リードディスターブによるメモリセルの閾値変動が小さい半導体装置の製造方法を提供することができる。
【０２７１】
（第６の実施の形態）
本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図７７に示される。図７７（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域２１５に接して、一方側の半導体基板２１６中にソース不純物領域２１７が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域２１７に対向して、素子分離領域２１５に接して、他方側の半導体基板２１６中にドレイン不純物領域２１８が形成されている。ソース不純物領域２１７には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはソースコンタクト２１９が形成されている。さらにドレイン不純物領域２１８には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはドレインコンタクト２２０が形成されている。これらソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８の長手方向に直交して、ゲート電極２２０が形成されている。
【０２７２】
また、ゲート電極２２０には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはコンタクト２２１が設けられている。このメモリセルではゲート電極２２０の下側の半導体基板２１６の一部がソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８となり、データ読み出し時にはソース不純物領域２１７からドレイン不純物領域２１８へ図７７（Ａ）中の矢印で示されるＹからＺ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０２７３】
図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面図が、図７７（Ｂ）に示される。半導体基板２１６上にゲート電極２２０が形成されている。ゲート電極２２０は、トンネル絶縁膜２２２、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）２２３、ブロック絶縁膜２２４からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板２１６、ゲート電極２２０の表面上には層間絶縁膜２２５が形成されている。ここでは、ゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部２２６で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜２２２又はブロック絶縁膜２２４が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２２４のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。これは電荷が通過するトンネル酸化膜２２２やデータ保持絶縁膜２２３の膜厚が不均一であると、消去特性やデータ保持特性のばらつきの原因となるのに対して、電荷の通過がないブロック絶縁膜２２４がエッジで厚膜化しても、特性ばらつきの原因とはならないためである。
【０２７４】
また、図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面図が、図７７（Ｃ）に示される。半導体基板２１６中には、素子分離溝２２７が設けられ、その中に素子分離領域２１５が形成されている。素子分離領域２１５の間には、トンネル絶縁膜２２２、データ保持絶縁膜２２３、ブロック絶縁膜２２４からなるゲート絶縁膜及びゲート電極２２０が形成されている。ここでは、ゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部２２６で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜２２２またはブロック絶縁膜２２４が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２２４のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。
【０２７５】
本メモリセルでは、半導体基板２１６中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板２１６上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜２２２が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜２２２上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜２２３が形成されている。
【０２７６】
さらにこのデータ保持絶縁膜２２３の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２２４が形成されている。このブロック絶縁膜２２４の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１６６が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、素子分離領域２２７の端に接する半導体基板２１６中には、ソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８が形成されている。このソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８は、トンネル絶縁膜２２２の端の下方の素子分離領域２２７下に形成されている。
【０２７７】
不揮発性メモリの読み出し動作においてはゲート電極に読み出し電圧Ｖｒｅｆが加えられるが、読み出し動作を繰り返すのに伴い、Ｖｒｅｆにより作られた電界によって消去状態のセルの閾値が上昇し、書き込み状態のセルとの閾値マージンが減少するリードディスターブという問題がある。
【０２７８】
本実施の形態ではゲート電極２２０のエッジ部２２６，２２８で、ゲート絶縁膜２２２，２２４が厚膜化しているために、Ｖｒｅｆが作る電界がエッジ部２２６，２２８で弱められる。このためにチャネル中央部と比較してエッジ部２２６，２２８でリードディスターブによる閾値変動が抑制される。これは、図７７（Ｂ）、（Ｃ）で示すようにメモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼及び領域▲４▼、▲５▼、▲６▼に分割した場合に、領域▲１▼、▲３▼と領域▲４▼、▲６▼の閾値変動が小さくなることを示している。特にソース、ドレイン間電流が流れる方向である図７７（Ａ）の“Ｙ−Ｚ”線方向と平行な２辺（素子分離端）における閾値変動が小さくなることの効果が大きい。
【０２７９】
このことを図７８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で説明する。図７８（Ａ）には、図７７（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図７８（Ｂ）には、図７７（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図７８（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図７８（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図７７（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図７８（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図７７（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０２８０】
図７８（Ｃ）はメモリセルのドレイン電流Ｉｄ−ゲート電圧特性Ｖｇ特性を示している。消去状態のメモリセルは読み出し時のＶｒｅｆストレスによって閾値が上昇するが、エッジ部▲１▼、▲３▼では電界が弱められているために中央部▲２▼に比べて、閾値変動が小さい。ＭＯＮＯＳ型メモリのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いたメモリでは、トラップされた電荷が絶縁膜中をほとんど移動しないので、エッジ部▲１▼▲３▼の閾値は中央部▲２▼と比較して低いままに保たれる。図７８（Ａ）に示すように領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース-ドレイン間に並列に配置されているので、メモリセルの閾値は、より閾値の低い領域▲１▼、▲３▼によって決定される。このためエッジ部の電界を弱めて▲１▼、▲３▼の閾値変動を抑制することにより、メモリセルの閾値変動を抑制することが可能となる。
【０２８１】
本実施の形態の半導体装置の消去動作、書き込み動作及び読み出し動作は第４の実施の形態の半導体装置と同様である。
【０２８２】
次に、図７７（Ｃ）に示される断面の拡大図を図７９に示す。
【０２８３】
第１ゲート電極２３０と素子分離領域２１５の間には、ポリシリコン側壁絶縁膜２３１が形成されている。さらにこのポリシリコン側壁絶縁膜２３１と素子分離絶縁膜２１５との間には、ゲート側壁絶縁膜２３２が形成されている。このゲート側壁絶縁膜２３２は、データ保持絶縁膜２２３の側面にまで延びて形成されている。また、第２ゲート電極２３３が第１ゲート電極２３０上に形成されていて、ポリシリコン側壁酸化膜２３１、ゲート側壁絶縁膜２３２及び素子分離領域２１５に接する端部２３４では、第２ゲート電極２３３が半導体基板２１６方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜２２３は第１ゲート電極２３０よりもポリシリコン側壁酸化膜２３１の厚さ分、素子分離領域２１５方向に突き出している。また、ブロック絶縁膜２２４は第１ゲート電極２３０の端部下で、他の部分よりもその厚さが厚く形成されている。
【０２８４】
また、トンネル絶縁膜２２２に接続して、素子分離側壁絶縁膜２３５が素子分離領域２１５と半導体基板２１６との間に形成されている。さらにデータ保持絶縁膜２２３の端部の下方には、ドレイン不純物領域２１７が形成されている。
【０２８５】
図７９に示された構造では、データ保持絶縁膜２２３の端部が、第１ゲート電極２３０に対して突き出しているが、必ずしも第１ゲート電極２３０に対して突き出している必要はない。すなわち、図７７（Ｂ）、（Ｃ）に示されるように、ゲート電極に側壁絶縁膜を形成せず、データ保持絶縁膜２２３の端部がゲート電極２２０に対して突き出さないように構成できる。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタのゲート電極の端部の下方の４辺全てにおいてブロック絶縁膜が厚く形成されているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺の端部で、ゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚く形成されていればよい。
【０２８６】
このように、本実施の形態の半導体装置によれば、ゲート電極エッジ部下方においてゲート絶縁膜、特にブロック絶縁膜が厚膜化しているためにデータ読み出し時にゲート絶縁膜に加わる電界をゲート電極のエッジ部において低下させることができるのでリードディスターブ特性が向上する。とりわけ、ソース、ドレイン間電流の流れる方向（図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）、すなわち、図７７（Ｂ）に示される断面で、ゲート絶縁膜端部が厚膜化していることの効果が大きい。
【０２８７】
次に図８０乃至図８８を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【０２８８】
図８０乃至図８８においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面、（Ｂ）図が図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面に相当している。
【０２８９】
まず、半導体基板２１６上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０２９０】
次に、図８０（Ａ）及び図８０（Ｂ）に示されるように、半導体基板２１６上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜２２２、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜２２３を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜２２４を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極２３０を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材２４０を形成する。
【０２９１】
次に、図８１（Ａ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材２４０、第１ゲート電極２３０、ブロック絶縁膜２２４、データ保持絶縁膜２２３及びトンネル絶縁膜２３２を異方性エッチングにより加工する。なお、図８１（Ｂ）に示される断面では、エッチングは行なわれない。
【０２９２】
次に、図８２（Ａ）に示されるように、マスク材２４０をマスクに半導体基板２１６中に拡散層不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域２１７、２１８を形成する。続いて、第１ゲート電極２３０を酸化する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２２４がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、この工程において、図８２（Ｂ）に示される断面では、不純物注入や酸化は行なわれない。
【０２９３】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２９４】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は。０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２９５】
次に、図８３（Ａ）に示されるようにシリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜２４２を形成し、これをマスクとして半導体基板２６１を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝２２７を形成する。ここで、形成される素子分離溝２２７の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図８３（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。このようにゲート側壁絶縁膜２４２を形成することで、チャネル端にソース、ドレイン不純物領域２１７，２１８を残すことができる。この残されたソース、ドレイン不純物領域２１７，２１８の幅は、残されたゲート側壁絶縁膜２４２の幅に対応して制御できる。
【０２９６】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図８４（Ａ）に示されるように、素子分離溝２２７をＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜などの堆積方法で、シリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化した後、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材２４０をウェットエッチングにより除去する。また、図８４（Ｂ）に示される断面においては、マスク材２４０を除去して、第１ゲート電極２３０の上表面を露出させる。
【０２９７】
次に、図８５に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉとポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極２３３を堆積し、第1ゲート電極２３０と合わせて、メモリセルのゲート電極２２０とする。
【０２９８】
次に、図８６（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極２２０をエッチングする。この際、通常の場合、ブロック絶縁膜２２４はわずかにエッチングされるが、データ保持絶縁膜２２３はエッチングしないようにする。さらに、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。また、この工程の後に、例えば、２ｎｍから２０ｎｍの範囲で、第１ゲート電極を酸化することによって、ダメージ回復を行っても良い。なお、図８６（Ａ）に示される断面においては、ゲート電極２２０はエッチングされない。
【０２９９】
次に、図８７（Ｂ）に示されるように、ゲート電極２２０を酸化してゲート側壁絶縁膜２４１を形成する。このとき酸化剤がゲート電極２２０のエッジに入り込みブロック絶縁膜２２４がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜２２４を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得るブロック絶縁膜２２４の酸化膜厚は、ゲート電極２２０の側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０３００】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は。０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。なお、図８７（Ａ）に示される断面では、ゲート側壁絶縁膜２４１は形成されない。
【０３０１】
次に、図８８（Ｂ）に示されるように、ゲート電極２２０及びゲート側壁絶縁膜２４１をマスクとして、ゲート電極２２０下方以外の領域の半導体基板２１６上のブロック絶縁膜２２４、データ保持絶縁膜２２３、及びトンネル絶縁膜２２２をエッチングする。次に、層間絶縁膜２１５を露出表面上に堆積し、層間絶縁膜２１５中にコンタクトプラグ２２１を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０３０２】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、第５の実施の形態同様の半導体装置の製造方法の効果を得ることができる。
【０３０３】
（第６の実施の形態の変形例）
本変形例では、図８９に示されるようにバーチャルグラウンドアレイセル構造を実現する。図８９は、図７７（Ｃ）に示される断面に対応した構造を拡大して示している。ここでは、第６の実施の形態と異なり、素子分離領域１９０を設けておらず、代わりに例えばＰ型高濃度不純物領域２４５が半導体基板２１６中に設けられている。このＰ型高濃度不純物領域２４５に隣接して、半導体基板２１０中にソース拡散層２１７が形成されている。また、Ｐ型高濃度不純物領域２４５上には、シリコン酸化膜２４６を介して層間絶縁膜２１５が形成されている。半導体基板２１６上には、トンネル絶縁膜２２２が形成されている。このトンネル絶縁膜２２２及びこのトンネル絶縁膜２２２に接するシリコン酸化膜２４６上の一部には、データ保持絶縁膜２２３が形成されている。このデータ保持絶縁膜２２３上には、ブロック絶縁膜２２４が形成されている。このブロック絶縁膜２２４上には、第１ゲート電極２３０及び第２ゲート電極２３３が積層されている。
【０３０４】
この第１ゲート電極２３０及び第２ゲート電極２３３の側壁には、ゲート電極側壁絶縁膜２３２が形成されて、第１ゲート電極２３０のエッジ部下で、ゲート電極側壁絶縁膜２３２とブロック絶縁膜２２４を合わせた厚さがエッジ部以外におけるブロック絶縁膜２２４の厚さよりも厚く形成されている。また、第１ゲート電極２３０のエッジよりもデータ保持絶縁膜２２３は、図８９中で左右方向に突き出して形成されている。
【０３０５】
この半導体装置の製造方法は、第６の実施の形態の半導体装置の製造方法において、図８３（Ａ）に示される半導体基板をエッチングする工程は、バーチャルグラウンドアレイセル構造を実現するためには、必ずしも必要ではなく、半導体基板２１６の表面からマスク材２４０の高さまで絶縁膜を埋め込むプロセスで代用できる。
【０３０６】
その後、さらに、図８３（Ａ）に示される工程に替えて、図８９に示されるように、隣接する第２のゲート電極間の素子分離を良好とするために,例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を１０11ｃｍ-2から１０14ｃｍ-2の範囲で注入してもよい。この際、ソース及びドレイン電極部分は、素子分離膜又は側壁絶縁膜が上部にもあらかじめ形成されているので、Ｐ型不純物のイオンが素子分離膜で止まるように制限することにより、Ｎ型ソース及びドレイン電極にはＰ型不純物の混入を行わないように制限できる。このＰ型不純物のイオン注入エネルギーとしては、１ｅＶから１００ｅＶの範囲とする。また、この際、Ｐ型不純物注入イオンの電荷蓄積膜に導入されるダメージをゲート電極側壁絶縁膜によって分離することができ、より高信頼性のメモリセルを実現できる。
【０３０７】
このような形状のバーチャルグラウンドアレイセルでは、絶縁物埋め込みによる素子分離領域に替えて、Ｐプラス拡散層又はＮプラス拡散層を形成し、それぞれが素子分離の役割を果たしている。ここでは、Ｎプラス拡散層がビット線になったり、ソース線になったりして固定されていない。
【０３０８】
本変形例は、第６の実施の形態と同様の効果を有し、さらに、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために、例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を添加した場合には、エッジ部分の反転層形成を抑え、さらに接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題発生を低減できる。
【０３０９】
（第７の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の構造を図９０及び図９１に示す。本実施の形態では先の第３の実施の形態及び第５の実施の形態の特徴を持つメモリセルで、代表的な不揮発性記憶装置の一種であるＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを構成している。
【０３１０】
ここで、図９０（Ａ）には、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの等価回路図、図９０（Ｂ）には、メモリセルの平面図が示される。ここで、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭでは、ソース線コンタクトとビット線コンタクトの間にゲートにＳＳＬ信号線が入力されたソース選択トランジスタＳ１及びゲートにＧＳＬ信号線が入力されたソース選択トランジスタＳ２を介して、メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５が直列に配置されていて、１つのＮＡＮＤメモリセルブロックを構成している。各メモリセルトランジスタのゲート電極（制御ゲート）はデータ選択線（ワード線）ＷＬ０〜ＷＬ１５に接続されている。また、各メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のバックゲートはウエル電位が与えられている。
【０３１１】
また、図９０（Ｂ）に示されるように、図中で上下方向に一定間隔を置いて、互いに平行に直線状に複数本のビット線ＢＬが配置されている。このビット線ＢＬに直交して、互いに平行に複数のワード線がビット線の下方に配置されている。各ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５の間には、ビット線下以外において、素子分離領域２５０が形成されて、ソース・ドレイン領域２５１が絶縁分離されている。ビット線ＢＬのＳＳＬ信号線に隣接したソース・ドレイン領域２５１には、ビット線コンタクト２５２が形成されている。また、ビット線ＢＬのＧＳＬ信号線に隣接したソース・ドレイン領域２５１には、接地電位が与えられるＳＬコンタクト２５３が接続されている。
【０３１２】
さらに、図９１（Ａ）には、ワード線に平行に切ったときのロウ方向のメモリセルの断面図（図９０（Ｂ）における“III―IV”線上での断面図）、図９１（Ｂ）には、ワード線に垂直に切ったときのカラム方向のメモリセルの断面図（図９０（Ｂ）における“I−II”線上での断面図）を示す。
なお、図９０においては、１つのＮＡＮＤブロック中のメモリセルトランジスタの数は１６個であり、また、選択トランジスタはメモリセルと異なるＭＯＳ構造をとっているが、１つのＮＡＮＤブロック中のメモリセルの数は１６個に限定されず、また、選択トランジスタはメモリセルと同じＭＯＮＯＳ構造をとっていても良い。図９０に示された構造は、第３の実施の形態と第５の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせたものである。
【０３１３】
図９１（Ａ）に示されるように、本メモリセルでは、半導体基板２５５上に、Ｎ型ウエル２５６が形成され、このＮ型ウエル２５６上には、Ｐ型ウエル２５７が形成されている。このＰ型ウエル２５７中には、素子分離溝２５８が設けられ、この素子分離溝２５８中には、絶縁物が埋めこまれて、複数の素子分離領域２５９が形成されている。この複数の素子分離領域２５９間のＰ型ウエル２５７上には、例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜２６０が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜２６０上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持膜２６１が形成されている。
【０３１４】
さらにこのデータ保持膜２６１の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２６２が形成されている。このブロック絶縁膜２６２の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第１ゲート電極２６３及び第２ゲート電極２６４の積層構造からなるワード線ＷＬが１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。この第２ゲート電極２６４上には、第１層間絶縁膜２６５が形成されている。この第１層間絶縁膜２６５上方内には、複数のビット線ＢＬが形成されている。このビット線ＢＬ及び第１層間絶縁膜２６５上には、第２層間絶縁膜２６６が形成されている。
【０３１５】
ここで、データ保持絶縁膜２６１は、その端部が素子分離領域２５９内に突き出して形成されている。また、ブロック絶縁膜２６２は、素子分離領域２５９に接する端部で、その厚さが他の部分よりも厚く形成されている。
【０３１６】
ここで、データ保持絶縁膜２６１の突き出し長さ及びブロック絶縁膜の厚膜化の程度は、先に説明した第３の実施の形態及び第５の実施の形態と同様である。
【０３１７】
図９１（Ｂ）に示される断面においては、メモリセルトランジスタは、Ｐ型ウエル２５７上に、互いに分離されて複数形成されたトンネル絶縁膜２６０、その上のデータ保持絶縁膜２６１、その上のブロック絶縁膜２６２の上に形成されている。ここで、ゲート電極周囲には、ゲート電極側壁絶縁膜２６７が形成されている。このゲート電極側壁絶縁膜２６７の幅の分だけ、ブロック絶縁膜２６２の幅は、トンネル絶縁膜２６０及びデータ保持絶縁膜２６１の幅よりも狭く形成されている。各ゲート電極間のＰ型ウエル２５７中の上表面付近にはソース、ドレイン領域２５１が形成されている。
【０３１８】
メモリセル列の一方の端部の選択トランジスタＳ１は、Ｐ型ウエル２５７上に設けられたゲート絶縁膜２６８上に第１ゲート電極２６９及び第２ゲート電極２７０の積層構造で形成され、その周囲にはゲート側壁絶縁膜２７１が形成されている。ゲート絶縁膜２６８は、第１ゲート電極２６９のエッジ下でその厚さが他の部分の厚さよりも厚く形成されている。この選択トランジスタＳ１の幅は、メモリセルトランジスタの幅よりも大きく形成されている。この選択トランジスタＳ１の端のＰ型ウエル２５７中のソース・ドレイン領域２５１には、ビット線コンタクト２５２が接続されている。このビット線コンタクト２５２は第１層間絶縁膜２６５中に設けられて、ビット線ＢＬに接続されている。
【０３１９】
メモリセル列の他方の端部の選択トランジスタＳ２は、Ｐ型ウエル２５７上に選択トランジスタＳ１と同様に形成されている。この選択トランジスタＳ２の端のＰ型ウエル２５７中のソース・ドレイン領域２５１には、ソース線コンタクト２５３が接続されている。このソース線コンタクト２５３は第１層間絶縁膜２６５中に設けられて、第１層間絶縁膜２６５中に設けられたソース線２７２に接続されている。
【０３２０】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０３２１】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板からトンネル絶縁膜を介して電荷が移動し、電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。又はソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０３２２】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、読み出し選択されたメモリセルのゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。読み出し選択されないメモリセルの制御ゲートの電圧を非選択読み出し電圧Ｖｒｅａｄとする。選択トランジスタＳ１、Ｓ２のゲート電圧を電源電圧Ｖｃｃ、ソース線を０Ｖとする。読み出し選択されたメモリセルに電流が流れるか否かをビット線ＢＬで検出することにより行われる。すなわち、図９２に示されるように、読み出される選択メモリセルＭ２のゲートには、Ｖｒｅｆが与えられ、他の非読み出しメモリセルＭ０，Ｍ１，Ｍ３〜Ｍ１５のゲートには、Ｖｒｅａｄが与えられる。また、選択ゲートＳ１，Ｓ２のゲートにはＶｄｄが与えられる。
【０３２３】
すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。電荷蓄積絶縁膜中の電荷量が変化することでメモリセルの閾値電圧が変化し、これを検出することでデータを読み出すことができる。
【０３２４】
ここで，Ｖｒｅｆは書き込み状態の閾値と消去状態の閾値の中間の電圧であり、Ｖｒｅａｄは書き込み状態の閾値よりも高い電圧、Ｖｄｄは選択トランジスタの閾値よりも高い電圧である。
【０３２５】
ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの読み出しでは上記のように読み出し非選択ワード線に書き込み閾値よりも高い電圧Ｖｒｅａｄが加えられるため、第５及び第６の実施の形態で述べたような電圧Ｖｒｅｆを用いた場合と比較して、リードディスターブによる閾値変動が大きい。
【０３２６】
これに対し、本実施の形態の半導体装置ではゲート電極のエッジ部の下でブロック絶縁膜を厚膜化しているために、エッジ部でＶｒｅａｄによる電界が弱められ、消去閾値の上昇が小さい。電荷蓄積領域としてデータ保持絶縁膜を使用している場合、データ保持絶縁膜中を電荷は移動しないので、チャネル中央部の閾値がリードディスターブによって上昇してもエッジ部の閾値は低いままである。特に読み出し電流の流れる方向と平行な２辺、つまり素子分離端における閾値が低いままで抑えられることによって、メモリセルの閾値も低いままに抑えられるためＶｒｅａｄストレスによる消去閾値の上昇という課題を解決できる。
【０３２７】
また、本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が素子分離領域端やゲート電極のエッジに対して突き出した形状となっている。このため、加工時のダメージにより電荷保持特性が劣化したデータ保持絶縁膜の両端部を、電荷蓄積領域としても、トランジスタのゲート絶縁膜としても使用することが無いので、メモリセルの信頼性が向上する。特に、読み出し電流の流れる方向と平行な２辺、つまり素子分離端において、データ保持絶縁膜が突き出していることによって、ゲート電極のエッジにおける電荷抜けによる閾値低下が、メモリセルの閾値低下として検知される不具合を解決することができる。
【０３２８】
さらに、本実施の形態の半導体装置では隣接するメモリセル間でデータ保持絶縁膜を共有していないので、絶縁膜を電荷が移動することでメモリセル間に電荷のやり取りが生じて、メモリセルの閾値が変動するという不具合を解決している。
【０３２９】
上記のように、第１の実施の形態及び第３の実施の形態の特徴を持つメモリセルをＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭに対して適用した例を説明したが、適用の範囲はこれに限定されない。すなわち、第３乃至第６の実施の形態のどの特徴をもつメモリセルを用いても良いし、第３乃至第６の実施の形態の特徴の一部のみを持つメモリセルを用いても良い。
【０３３０】
（第７の実施の形態の変形例）
本実施の形態は適用するＥＥＰＲＯＭはＮＡＮＤ型に限定されものではない。すなわち、本変形例である図９３（Ａ）に示される等価回路図及び読み出し動作状態の電位を示したＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭであってもよい。すなわち、ビット線ＢＬにソースが接続された選択トランジスタＳ１のドレインに１つのメモリセルを構成するメモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のそれぞれのドレインが共通に接続されている。メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のソースは、互いに共通に接続され、かつ、選択トランジスタＳ２のドレインに接続されている。この選択トランジスタＳ２のソースは共通ソース線Ｓｏｕｒｃｅに接続されている。ここで、読み出し時には、読み出し選択されたメモリセルトランジスタＭ２のゲートには、Ｖｒｅｆが入力され、他のメモリセルトランジスタＭ０，Ｍ１、Ｍ３〜Ｍ１５のゲートには、Ｖｒｅａｄが入力される。選択トランジスタＳ１、Ｓ２のゲートには、Ｖｄｄが入力される。
【０３３１】
また、図９３（Ｂ）に示される等価回路図及び読み出し動作を示したＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭであっても良い。第１ビット線ＢＬ１には、メモリセルトランジスタＭ１のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ１のソースには、メモリセルトランジスタＭ２のドレインが接続され、さらにこのメモリセルトランジスタＭ２のソースには、メモリセルトランジスタＭ３のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ３のソースには、ソース電位ＶＳＬが入力される。また、隣接するビット線ＢＬ２にメモリセルトランジスタＭ４のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ４のソースには、メモリセルトランジスタＭ５のドレインが接続され、さらにこのメモリセルトランジスタＭ５のソースには、メモリセルトランジスタＭ６のドレイン及びビット線ＢＬ２が接続される。このメモリセルトランジスタＭ６のソースには、ソース電位ＶＳＬが入力される。
【０３３２】
ここで、読み出し選択された選択メモリセルトランジスタＭ２及び隣接するビット線に接続されたメモリセルトランジスタＭ５のゲートには、Ｖｒｅｆ電位が与えられ、読み出し選択された選択メモリセルトランジスタＭ２のソースには、選択ビット線ＢＬ１が接続されている。また、メモリセルトランジスタＭ１、Ｍ４のソースには、ＶＳＬ電位が与えられる。さらに、メモリセルトランジスタＭ１，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ６のゲートには、Ｖｒｅａｄ電位が与えられる。
【０３３３】
また、図示はしないがＤＩＮＯＲ型等、他の種類のＥＥＰＲＯＭでも適用可能である。なお、バーチャルグラウンドアレイ構造のＥＥＰＲＯＭであってもよい。ＡＮＤ型の場合は、第４又は、第６の実施の形態の構造の半導体装置が適用される。ＮＯＲ型の場合は、第３又は、第５の実施の形態の構造の半導体装置が適用される。また、バーチャルグランドアレイ型の半導体装置では、第３乃至第６の実施の形態の半導体装置が適用される。
【０３３４】
どの種類のＥＥＰＲＯＭにおいても、データ保持絶縁膜の両端がゲート電極又は半導体基板又はその両方に対して突き出していることで、ゲート電極のエッジにおけるデータ保持特性の劣化を解決する。また、特に読み出し電流の流れる方向と平行な２辺においてデータ保持絶縁膜の両端が突き出していることで、ゲート電極のエッジにおける閾値の低下がメモリセルの閾値低下として検知される問題を解決する。すなわち、製造工程中でダメージを受けたデータ保持絶縁膜がチャネル領域内に存在しないことで、閾値低下を防止して、データ保持特性を向上することができる。
【０３３５】
さらに、ゲート絶縁膜、好ましくはデータ保持絶縁膜とゲート電極間に配置されたブロック絶縁膜の膜厚がゲート電極のエッジ部において厚膜化することでデータ読み出し時のゲート電圧ストレスによる、閾値変動をゲート電極のエッジ部において抑制することができる。特に、読み出し電流の流れる方向と平行な２辺においてゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚膜化していることで、ゲート電極のエッジ部での閾値変動抑制が、メモリセルの閾値変動抑制として検知されるのでメモリセルのリードディスターブ特性を改善する。特に弱い電界を与えた時に閾値が高くなるのを防ぐことができる。
【０３３６】
ここで、データ保持絶縁膜の突き出し長さ及びブロック絶縁膜の厚膜化の程度は先に説明した第４の実施の形態及び第６の実施の形態と同程度である。
【０３３７】
また、隣り合うメモリセル間でデータ保持絶縁膜を切断することで、メモリセル間の電荷のやり取りに起因する閾値変動を防ぐことができる。
【０３３８】
上記の第３の実施の形態乃至第６の実施の形態においては、理解を容易にするためにコンタクト電極をトランジスタごとに形成した例が示されているが、本実施の形態のように、コンタクト電極をトランジスタごとに形成せず、例えばゲート電極やドレイン電極によって、直列又は並列に接続することでも構成できる。
【０３３９】
【発明の効果】
本発明によれば、素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供できる。さらに、本発明によれば、素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化を抑制した信頼性の高い半導体装置を提供できる。さらに、本発明によれば、ゲート電極のエッジ部での書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつき並びに閾値変動を抑制する半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態におけるメモリ部の構成を表すロウ方向の断面図。
【図２】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリ部の構成を表すロウ方向の断面図。
【図３】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリ部のロウ方向のシャロートレンチ素子分離領域エッジ部の拡大図。
【図４】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの領域ごとの書き込み状態における電圧電流特性図。
【図５】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの書き込み状態における電圧電流特性図。
【図６】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの書き込み消去状態における電圧電流特性図。
【図７】 第１の実施の形態における高電圧トランジスタのロウ方向の断面図。
【図８】 第１の実施の形態における低電圧トランジスタのロウ方向の断面図。
【図９】 第１の実施の形態におけるメモリ部の構成を表す平面図。
【図１０】 第１の実施の形態におけるメモリ部のカラム方向の断面図。
【図１１】 第１の実施の形態におけるメモリ部のＮＡＮＤストリングを表す回路図。
【図１２】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１３】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１４】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１５】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１６】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１７】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１８】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１９】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２０】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２１】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２２】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２３】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２４】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２５】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２６】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２７】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２８】 第２の実施の形態におけるメモリ部の構成を表すカラム方向の断面図。
【図２９】 第２の実施の形態におけるメモリ部のＮＡＮＤストリングを表す回路図。
【図３０】 （Ａ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図３０（Ａ）における“Ｃ−Ｄ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図３０（Ａ）における“Ｅ−Ｆ”線上での断面図である。
【図３１】 （Ａ）は、第３の実施の形態のプロトタイプの半導体装置に対応する図３０（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態のプロトタイプの半導体装置に対応する図３０（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第３の実施の形態のプロトタイプに対応する半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図３２】 （Ａ）は、第３の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態における半導体装置を表す図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第３の実施の形態における半導体装置を表す図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面図である。
【図３３】 （Ａ）は、第３の実施の形態に対応する図３２（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に対応する図３２（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は、図３３（Ａ）を単純化して表した等価回路図であり、（Ｄ）は、図３３（Ｂ）を単純化して表す等価回路図である。
【図３４】 第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図３２（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図３５】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３６】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３７】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３８】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３９】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４０】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４１】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４２】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４３】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４４】 図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面の一部に相当する第３の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図４５】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４６】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４７】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４８】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４９】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図５０】 （Ａ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図５０（Ａ）における“Ｋ−Ｌ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図５０（Ａ）における“Ｍ−Ｎ”線上での断面図である。
【図５１】 （Ａ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置に対応する図５０（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置に対応する図５０（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図５２】 （Ａ）は、第４の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態における半導体装置を表す図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態における半導体装置を表す図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面図である。
【図５３】 （Ａ）は、第４の実施の形態に対応する図５２（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、図５３（Ａ）を単純化して表した等価回路図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態に対応する図５２（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｄ）は、図５３（Ｃ）を単純化して表す等価回路図である。
【図５４】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５５】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５６】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５７】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５８】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５９】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６０】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６１】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６２】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６３】 図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面の一部に相当する第４の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図６４】 （Ａ）は、第５の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態における半導体装置を表す図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第５の実施の形態における半導体装置を表す図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面図である。
【図６５】 （Ａ）は、第５の実施の形態に対応する図６４（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に対応する図６４（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第５の実施の形態における半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図６６】 第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図６４（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図６７】 第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図６４（Ｂ）の一部を拡大した断面図。
【図６８】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６９】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７０】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７１】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７２】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７３】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７４】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７５】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７６】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７７】 （Ａ）は、第６の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態における半導体装置を表す図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第６の実施の形態における半導体装置を表す図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面図である。
【図７８】 （Ａ）は、第６の実施の形態に対応する図７７（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に対応する図７７（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第６の実施の形態における半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図７９】 第６の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図７８（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図８０】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８１】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８２】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８３】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８４】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８５】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８６】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８７】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８８】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８９】 図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面の一部に相当する第６の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図９０】 （Ａ）は、第７の実施の形態における半導体装置の１つのメモリセルを表す回路図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態における半導体装置のメモリセル構造を表す上面図である。
【図９１】 （Ａ）は、第７の実施の形態の半導体装置において、図９０（Ｂ）における“III―IV”線上での断面に相当する断面図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態の半導体装置において、図９０（Ｂ）における“I―II”線上での断面に相当する断面図である。
【図９２】 第７の実施の形態の半導体装置の１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図。
【図９３】 （Ａ）は、第７の実施の形態の変形例の半導体装置において、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態の変形例の半導体装置において、ＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭの１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図である。
【図９４】 従来の選択熱酸化方法により形成された浅溝素子分離によるＭＯＮＯＳ（金属―酸化シリコン膜―窒化シリコン膜―酸化シリコン膜―半導体）メモリセルの断面図。
【符号の説明】
１、１１７、１３７、１６１、１９７、２１６、２５５ 半導体基板（ウエル）
２、１３、２１、２６ シャロートレンチ素子分離領域
３、１０、１１８、１４０、１７２、１９８、２２２、２６０ トンネル絶縁膜
４、１１ 電荷蓄積層
５、１２、１２０、１４２、１７４、２００、２２４、２６２ ブロック絶縁膜
６、１１２、１３２、１６６、１９２、２２０ ゲート電極
７ バーズビーク部
８、９ 突出部
１４、２２、２７、１３８、１７０、２０５、２３０、２６３、２６９ 第１ゲート電極
１５、２３、２８、１３９、１７１、２０６、２３３、２６４、２７０ 第２ゲート電極
１６、２４、２９ ゲートキャップ絶縁膜
１７ 層間膜
１８、４３ ビット線
１９ 保護膜
２０、２５、２６８ ゲート絶縁膜
３０，２５１ ソース・ドレイン領域
３１、３２ バリア絶縁膜
４０ データ選択線（ワード線）
４１ ビット線選択信号線（ＳＳＬ）
４２ 共通ソース線選択信号線（ＧＳＬ）
４４ ビット線コンタクト
４５ ソース線コンタクト
４６ ビット線引き出しコンタクト
４７ ビット線引き出し配線
４８ ソース線配線
５０、５１ 選択トランジスタ
５２ メモリセルトランジスタ
５５、６６、７２、７３ レジスト
５６ ストッパ膜
５７、１５０、１８０、２１１、２４０ マスク材
５８、５９、６０ 素子分離溝（トレンチ溝）
６１、７１ シリコン酸化膜
６２、６３、６４ 素子分離絶縁膜（埋め込み材）
６５、６７ 窪み
６８、６９、７０ ゲート電極材料
１１０、１３０、１６０、１９０、２１５、２５０、２５８ 素子分離領域
１１１、１３１、１９１ 素子領域
１１３、１３３、１９３、２１９ コンタクト
１１４、１３４、１６７、１９４、２２１ ゲートコンタクト
１１５、１３５、１５５、１６２、１９５、２１７ ソース不純物領域
１１６、１３６、１５６、１６３、１９６、２１８ ドレイン不純物領域
１１９、１４１、１７３、１９９、２２３、２６１ データ保持絶縁膜
１２１、１４４、１７６、２０１、２２５ 層間絶縁膜
１２２、１４５、１５１、１７７、２０３、２２７、２５９ 素子分離溝
１２３、１２４、２０２、２０４、２２６、２２８ エッジ領域
１４３、１７５、１８１、２４１、２４２、２６７、２７１ ゲート側壁絶縁膜
１４６、２０７、２３５ 素子分離側壁酸化膜
１４７、２０８ ポリシリコン側壁酸化膜
１４８、２０９、２３４ 端部
１５２ 第１ゲート電極側壁酸化膜
１５３ 素子分離側壁絶縁膜
１５７、１６４ ソースコンタクト
１５８、１６５ ドレインコンタクト
１８５、２４５ Ｐ型高濃度領域
２１０、２４６ シリコン酸化膜
２１２ 後酸化膜
２３２ ポリシリコン側壁絶縁膜
２５２ ビット線コンタクト
２５３ ＳＬコンタクト
２５６ Ｎウエル
２５７ Ｐウエル
２６５ 第１層間絶縁膜
２６６ 第２層間絶縁膜
２７２ ソース線
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に係り、特にゲート絶縁膜の高特性が必要な微細な半導体装置及びその製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
電気的に書き込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置の一種として、シリコン窒化膜中に電荷をトラップさせることでデータを記憶する、いわゆるＭＯＮＯＳ（金属―酸化シリコン膜―窒化シリコン膜―酸化シリコン膜―半導体）型メモリセルが知られている。ＭＯＮＯＳ型メモリは浮遊ゲート型メモリと比較して低電圧で書き込み消去動作が可能であり、また、積層ゲート構造が必要な浮遊ゲート型メモリセルに対して、単層ゲート構造のＭＯＮＯＳ型メモリセルはゲートのアスペクト比が小さいため、素子の微細化に適しているという特徴がある。
【０００３】
図９４に従来のＬＯＣＯＳ型素子分離によるＭＯＮＯＳメモリセルの断面図を示す。
【０００４】
図９４において、半導体基板１００上にメモリセルのトンネル絶縁膜１０１が形成され、このトンネル絶縁膜を挟みこむようにトンネル絶縁膜１０１よりも膜厚が厚い素子分離領域１０２が形成されている。これら、素子分離領域１０２、トンネル絶縁膜１０１表面上にシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層１０３が形成されている。この電荷蓄積層１０３上には、バリア絶縁膜１０４が形成されている。さらにこのバリア絶縁膜１０４上には、ゲート電極１０５が形成されている。
【０００５】
ところで、微細化に伴って、従来のＬＯＣＯＳ型素子分離に替わってＳＴＩによる素子分離が重要な技術となっている。 特に浮遊ゲート型不揮発性メモリに適した素子分離法として、自己整合ＳＴＩが提案されている(「A ０．６７μｍ2SELF-ALIGHNED SHALLOW TRNECH ISOLATION CELL(SA-STI CELL) FOR 3V-only 256Mbit NAND EEPROMs」IEDM Tech. Dig. 1994 pp61-64) 。ここでは、浮遊ゲート下に形成されたゲート絶縁膜の厚さがゲート電極端にて他の部分よりも厚く形成されている。自己整合ＳＴＩでは電荷蓄積層である浮遊ゲートに対して自己整合的に素子分離溝を形成することによって、ゲート電極の一部が素子分離端に入り込むことによる素子分離端での電界集中を防ぎ、その結果、セル特性のばらつきが改善され、高信頼性化が実現できる。
【０００６】
なお、特開平４−１２５７３号公報には、ＭＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置のサイドウオーク現象を防止するようにゲート絶縁膜を周辺の選択酸化膜との境界領域において、全て溝部内に存在させた構成が第１図及び第３図（ａ）などに記載されている。
【０００７】
なお、ＭＯＮＯＳのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いた不揮発性メモリはリードディスターブ特性が劣ることが特開平１１−３３０２７７号公報の図４などに記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の半導体装置では、以下の課題が生じる。
【０００９】
素子分離領域を形成する熱酸化の影響により、素子分離エッジ部１０６で酸化膜が厚くなりこの領域で書き込み消去特性が悪くなる。すなわち、素子分離エッジ部で絶縁膜厚が厚くなることから、電界が弱くなり、閾値が低くなる。
【００１０】
ＭＯＮＯＳ構造では電荷を絶縁膜であるシリコン窒化膜中にトラップさせるため、電荷蓄積層中をキャリアが移動しない。このため書き込みパルスを与えた場合、チャネルエッジの部分だけしきい値が低いまま取り残されることになる。このことはトランジスタ特性に対して、サブスレッショルドリークまたはハンプ(hump)として観測される。サイドウオーク(sidewalk)と呼ばれるこの現象はＭＯＮＯＳメモリセルの書き込み消去ウィンドウを狭くするので問題である。
【００１１】
また、上記特開平４−１２５７３号公報では、半導体基板中に溝を設け、溝中に絶縁膜が設けられているが、その膜厚は素子分離領域近辺で厚くなっており、電界集中が発生し、制御特性が悪化してしまう。
【００１２】
本発明の目的は以上のような従来技術の課題を解決することにある。
【００１３】
特に、本発明の目的は、素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供することにある。さらに、本発明の別の目的は、素子領域を定義する４辺のうちソース・ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化を抑制した信頼性の高い半導体装置を提供することである。さらに、本発明の別の目的は、ゲート電極のエッジ部での書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつき並びに閾値変動を抑制する半導体装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、この半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成され、上表面端部に窪みを有するシャロートレンチ素子分離領域と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面をチャネル領域とする一対のソース・ドレイン領域と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記半導体基板上に形成された前記ゲート絶縁膜は、その膜厚が前記チャネルの中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
本発明の別の特徴は、半導体基板と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第１チャネルとする１対の第１のソース・ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成された、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に形成され、シリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第３絶縁膜、第１絶縁膜、および第２絶縁膜の側面部に接して形成され、前記第３絶縁膜の上面よりも高く形成された第１シャロートレンチ素子分離領域と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第２チャネルとする１対の第２のソース・ドレイン領域と、前記第２チャネル上に形成され、酸化シリコン膜から構成された第２ゲート絶縁膜と、この第２ゲート絶縁膜上に形成された第２ゲート電極と、前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第２ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成された第２シャロートレンチ素子分離領域とを有し、前記第3絶縁膜の膜厚が前記第１チャネル中央部と前記第１シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しく、前記半導体基板表面からの第１シャロートレンチ素子分離領域の上面高さが、前記半導体基板表面からの第２シャロートレンチ素子分離領域の上面高さよりも高いことを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
本発明の別の特徴は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜形成後に前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００１７】
本発明の別の特徴は、半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、この第１ゲート絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、この第２絶縁膜、前記第１ゲート絶縁膜、及び前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、このトレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記第１ゲート絶縁膜の上表面よりも前記シャロートレンチ素子分離領域が突出するように、前記第２絶縁膜を除去する工程と、露出した前記第１ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００１８】
本発明の別の特徴は、メモリ部及び周辺回路部の半導体基板上にシリコン窒化膜を含む多層膜からなる第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第１ゲート絶縁膜形成後に前記メモリ部及び周辺回路部の前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、前記周辺回路部の第１ゲート絶縁膜の内、シリコン窒化膜を除去した後、熱酸化により周辺回路部の第２ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記メモリ部及び周辺回路部の前記第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
次に，図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり，厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なる。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００２７】
（第１の実施の形態）
フローティングゲート型のフラッシュメモリにおいて、セルフアラインＳＴＩ(Self-Aligned Shallow Trench Isolation:SA-STI)プロセスによってＭＯＮＯＳセルを形成した場合のプロトタイプを図２に示す。
【００２８】
ここでは、半導体基板１上にシャロートレンチ素子分離領域２が複数形成されている。隣接する２つのシャロートレンチ素子分離領域２の間の半導体基板１表面付近には、シリコン酸化膜からなるトンネル絶縁膜３が形成されている。このトンネル絶縁膜３上にはシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層４が形成されている。この電荷蓄積層４上には、シリコン酸化膜からなるブロック絶縁膜５が形成されている。このブロック絶縁膜５は同じ材料であるシャロートレンチ素子分離領域２と一体となっている。このブロック絶縁膜５及びシャロートレンチ素子分離領域２上にはゲート電極６が形成されている。
【００２９】
この場合,このゲート電極６はシャロートレンチ素子分離領域２にはさまれた部分が先に形成された後に、シャロートレンチ素子分離領域が形成され、その後でシャロートレンチ素子分離領域２上に追加でゲート電極６が形成されている。すなわち、同ゲート電極であっても場所により別工程で形成されているため,自然酸化膜がゲート絶縁膜中に含まれている。
【００３０】
このような構成を採用することにより、ＬＯＣＯＳ型素子分離を用いたＭＯＮＯＳに比べて、サイドウオーク現象を改善できる。また、シャロートレンチ素子分離領域２上に電荷蓄積層４が形成されていないことで、従来生じていた素子分離領域上の電荷蓄積層４を介して隣接するセルへ電荷が移動することによるデータ消失を防ぐことができる。
【００３１】
このようにＳＡ−ＳＴＩを用いた場合、トンネル絶縁膜３のゲートエッジ（シャロートレンチ素子分離領域２に挟まれたゲート電極６の端部）での厚膜化はほとんどない。しかし、トレンチ形成後に欠陥回復のために半導体表面を酸化するときに、ゲート電極６を構成する多結晶シリコンにバーズビークが入り、シャロートレンチ素子分離領域のエッジでブロック絶縁膜５が厚膜化してしまい、バーズビーク部７が生じてしまう。すなわち、図３にシャロートレンチ素子分離領域２とゲート電極６の接触部分の拡大図を示す。
【００３２】
さらにゲート電極６を構成する多結晶シリコンが酸化によって後退するので、シャロー素子分離領域２が突出した突出部８が形成される。このようにシャロー素子分離領域２で挟まれたゲート電極６から、電荷蓄積層がゲート電極６の幅よりも大きくなり、電荷蓄積層が図２の断面でより大きい長さを有し、突出部９が形成される状態となる。
【００３３】
ここで、ゲート電極６に電圧を印加してもゲート電極６から図２中の突出部９には書き込み／消去に十分な電界がかからないため、この領域９の閾値は制御できない。
【００３４】
すなわち、図４に半導体記憶装置での書き込み状態のセルのサブスレッショルド特性を示す。▲１▼で表したのはチャネル中央部の特性で、これに対して▲２▼で表したチャネルエッジ部（素子分離領域との境界部）の特性は書き込み閾値が中央部よりも低いことに特徴がある。これはエッジ部においてゲート絶縁膜が厚膜化しているために書き込み電界が弱まり、書き込み電流が減少することに起因する。このようなセルのセル全体としてのサブスレッショルド特性は図５中に▲３▼で示すように低電圧部にこぶ(hump)を持ったものとなる。
【００３５】
図６は書き込み状態、消去状態の両方のサブスレッショルド特性をプロットしたものである。書き込み状態の特性は▲４▼で示され、消去状態の特性は▲５▼で示される。消去時にはチャネルエッジ部の閾値がチャネル中央部の閾値よりも高いために、セル全体としての特性には影響しない。結局、セル特性におけるサイドウオーク減少の影響は書き込み特性の悪化として現れる。
【００３６】
このＳＡ−ＳＴＩプロセスを用いたプロトタイプにおける課題を解決する実施の形態を以下の通り説明する。
【００３７】
図１に本実施の形態の半導体装置のメモリ部のメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタのロウ方向の断面図を示す。半導体基板１上にトンネル絶縁膜１０が例えば膜厚約０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成されている。ここで、半導体基板１はその中に半導体基板と逆導電型のウエルが表面付近に形成されていてもよい。さらに逆導電型のウエル上にさらに半導体基板と同一導電型の別のウエルが形成されていてもよい（以下同様）。このトンネル絶縁膜１０上には、電荷蓄積層１１が例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜で形成されている。この電荷蓄積層１１上には、ブロック絶縁膜１２が例えば膜厚約１ｎｍ〜２０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成されている。
【００３８】
このトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２は例えば深さ約２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜などからなるシャロートレンチ素子分離領域１３により互いに分断されている。このシャロートレンチ素子分離領域１３及びブロック絶縁膜１２上には、メモリセルの第１ゲート電極１４が例えば多結晶シリコンで、膜厚約５ｎｍ〜５００ｎｍで第２ゲート電極１５が、例えばポリサイドや金属で形成されている。ここで、ポリサイドは例えば、ＷＳｉ，ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉなどが適用できる。
【００３９】
この第２ゲート電極１５上には、シリコン窒化膜などによりゲートキャップ絶縁膜１６が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜１６上には、シリコン窒化膜などによりバリア絶縁膜３１が形成されている。このバリア絶縁膜３１上には、層間膜１７が形成されている。この層間膜１７上部表面付近にはビット線１８が埋め込まれている。このビット線１８及び層間膜１７上には保護膜１９が形成されている。
【００４０】
ここで、２つのシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれた部分の第１ゲート電極１４下方の半導体基板１の表面はチャネルを形成する。２つのシャロートレンチ素子分離領域１３によってはさまれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２はその膜厚が、チャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。なお、少なくとも第１ゲート１４下のブロック絶縁膜１２の膜厚がチャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。
【００４１】
また、半導体基板１上のトンネル酸化膜１０の膜厚がチャネル中央部付近と、シャロートレンチ素子分離領域１３に接する部分とで実質的に等しく形成されている。また、場合により、半導体基板１上にトンネル酸化膜１０が形成され、その上に電荷蓄積層１１が形成され、この上に第１ゲート１４が直接形成されている構造でもよい。また、シャロートレンチ素子分離領域１３で挟まれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２はそれぞれのロウ方向の長さが実質上等しく形成されていて、シャロートレンチ素子分離領域１３の側面と同一水平面で接触している。また、第１ゲート電極１４もシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれた部分のロウ方向の長さがシャロートレンチ素子分離領域１３ではさまれたトンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。
【００４２】
ここで、シャロートレンチ素子分離領域１３上には、第１ゲート１４が直接、形成されていて、トンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２を間に介在させてはいない。そのため、電荷蓄積層１１を介して隣接するゲートへ電荷が移動することが防止される。また、シャロートレンチ素子分離領域１３の上端部には窪みであるノッチが生じる場合もある。
【００４３】
次に周辺回路部の高耐圧トランジスタのロウ方向での断面が図７に示される。ここでは、半導体基板１上にゲート絶縁膜２０が膜厚が例えば約８ｎｍ〜４０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜が形成されている。半導体基板１上でゲート絶縁膜２０を分断するようにシャロートレンチ素子分離領域２１が形成されている。このシャロートレンチ素子分離領域２１の深さはメモリ部のシャロートレンチ素子分離領域１３の厚さよりも高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜２０の厚さからメモリ部のトンネル酸化膜１０の厚さを差し引いた分だけ、浅く形成されている。
【００４４】
シャロートレンチ素子分離領域２１及びゲート絶縁膜２０上にはメモリ部の第１ゲート電極１４と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第１ゲート電極２２が形成されている。この第１ゲート電極２２上には、メモリ部の第２ゲート電極１５と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第２ゲート電極２３が形成されている。この第２ゲート電極２３上には、メモリ部のゲートキャップ絶縁膜１６と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚のゲートキャップ絶縁膜２４が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜２４上には、図１に示される通り、バリア絶縁膜３１や層間膜１７などが形成されているが図示は省略されている。
【００４５】
ここで、ゲート絶縁膜２０はその膜厚がシャロートレンチ素子分離領域２１と接触する部分と、チャネル中央部とでそれぞれほぼ等しく形成されている。すなわち、従来例やプロトタイプのようにシャロートレンチ素子分離領域と接触する部分のゲート絶縁膜が他の部分よりも厚く形成されることはない。
【００４６】
また、シャロートレンチ素子分離領域２１で挟まれたゲート絶縁膜２０は、ロウ方向の長さが、第１ゲート電極２２がシャロートレンチ素子分離領域２１で挟まれた部分のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。また、シャロートレンチ素子分離領域２１の上端部には窪みであるノッチが生じている。このノッチはメモリ部のノッチよりもその窪み深さが大きく形成されている。
【００４７】
次に周辺部の低電圧トランジスタのロウ方向での断面が図８に示される。ここでは、半導体基板１上にゲート絶縁膜２５が膜厚が例えば約０．５ｎｍ〜１０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜として形成されている。半導体基板１上でゲート絶縁膜２５を分断するようにシャロートレンチ素子分離領域２６が形成されている。このシャロートレンチ素子分離領域２６の厚さはメモリ部のシャロートレンチ素子分離領域１３の深さとほぼ等しく形成されている。
【００４８】
シャロートレンチ素子分離領域２６及びゲート絶縁膜２５上にはメモリ部の第１ゲート電極１４と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第１ゲート電極２７が形成されている。この第１ゲート電極２７上には、メモリ部の第２ゲート電極１５と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚の第２ゲート電極２８が形成されている。この第２ゲート電極２８上には、メモリ部のバリア絶縁膜１６と同じ組成で、ほぼ同じ膜厚のゲートキャップ絶縁膜２９が形成されている。このゲートキャップ絶縁膜２９上には、図１に示される通り、バリア絶縁膜３１や層間膜１７などが形成されているが図示は省略されている。
【００４９】
ここで、ゲート絶縁膜２５はその膜厚がシャロートレンチ素子分離領域２６と接触する部分と、チャネル中央部でそれぞれほぼ等しく形成されている。すなわち、従来例やプロトタイプのようにシャロートレンチ素子分離領域と接触する部分のゲート絶縁膜が他の部分よりも厚く形成されることはない。
【００５０】
また、シャロートレンチ素子分離領域２６で挟まれたゲート絶縁膜２５は、ロウ方向の長さが、第１ゲート電極２７がシャロートレンチ素子分離領域２６で挟まれた部分のロウ方向の長さと実質上等しくなっている。また、シャロートレンチ素子分離領域２６の上端部には窪みであるノッチが生じている。このノッチはメモリ部のノッチよりもその窪み深さが大きく形成されている。また、周辺部での半導体基板表面からシャロートレンチ上部までの高さが、メモリ部での半導体基板表面からシャロートレンチ上部までの高さよりも低く形成されている。
【００５１】
この構造のゲート絶縁膜、ゲート電極作り分けがなされた構造のゲート絶縁膜の種類ごとの素子分離領域であるＳＴＩ深さ、ＳＴＩ上部エッジの凹部の大きさ、ゲート電極幅と半導体基板幅の関係、エッジの曲率半径、ゲート電極の特性が表１に示される。
【００５２】
【表１】
この表１からわかるように、素子分離領域であるＳＴＩ深さはゲート絶縁膜がＯＮＯやシリコン酸化膜の薄膜である場合の深さＡがシリコン酸化膜の厚膜である場合の深さＢに比べて、深くなっている。
【００５４】
また、ＳＴＩ上部エッジの凹部の大きさはゲート酸化膜がＯＮＯである場合の大きさＣが、シリコン酸化膜である場合の大きさＤに比べて小さくなっている。また、ゲート絶縁膜の種類に関わらず、２つの素子分離領域ではさまれたゲート電極幅の方が同じ２つの素子分離領域ではさまれた半導体基板幅よりも大きくなっている。
【００５５】
さらに、ゲート電極が素子分離領域と接するエッジ部分での曲率半径は、半導体基板が素子分離領域と接するゲート電極近傍でのエッジ部分での曲率半径よりも小さくなっている。さらに、ゲート電極はＰプラス電極とＮプラス電極とで作り分けを行うことが可能となっている。すなわち、半導体装置中にＰプラス電極のトランジスタとＮプラス電極のトランジスタとが混在して、両者のゲート電極膜の膜厚が等しく形成される。
【００５６】
ここで、図９には、本実施の形態のメモリ部の平面図が示される。この平面図において、“Ａ−Ａ”線で示される部分の断面図が図１に相当する。図９に示されるように、図中で上下方向に一定間隔を置いて、互いに平行に直線状に複数本のビット線（ＢＬ）４３が配置されている。このビット線４３に直交して、互いに平行に複数のデータ選択線（ワード線）４０がビット線４３の下方に配置されている。各ワード線４０（ＷＬ０〜ＷＬ３１）の間には、ビット線４３の下以外において、シャロートレンチ素子分離領域１３が形成されて、ソース・ドレイン領域３０が絶縁分離されている。ビット線４３のビット線選択信号線４１に隣接したソース・ドレイン領域３０には、ビット線コンタクト４４が形成されている。また、ビット線４３の共通ソース線選択信号線４２に隣接したソース、ドレイン領域３０には、接地電位が与えられるソース線コンタクト４５が接続されている。なお、図９中では、データ選択線４０は斜線で表示され、シャロートレンチ素子分離領域１３は点模様で表示され、ソース・ドレイン領域３０は斜めの桝目模様で表示される。
【００５７】
図９中に図示された構成が実際には、図９の中で上下方向に繰り返して、形成される。
【００５８】
図１０に示されるカラム方向のメモリ部の断面図では、半導体基板１上にソース・ドレイン領域３０が複数設けられている。半導体基板１上には、トンネル酸化膜１０、電荷蓄積層１１及びブロック絶縁膜１２が設けられている。このブロック絶縁膜１２上にゲート形成部分において、第１ゲート電極１４、第２ゲート電極１５からなるゲートが複数個形成されている。このゲート形成部分を覆うゲートキャップ絶縁膜１６が設けられている。ゲートキャップ絶縁膜１５及び及び露出したブロック絶縁膜１２を覆うバリア絶縁膜３１がさらに設けられている。
【００５９】
ビット線コンタクト４４は図１０中で右端部付近に形成されている。このビット線コンタクト４４はビット線引き出し配線４７に接続されている。このビット線引き出し配線４７はビット線引き出しコンタクト４６に接続され、このビット線引き出しコンタクト４６はビット線１８に接続されている。
【００６０】
ソース線コンタクト４５は図１０中で左端部付近に形成されている。このソース線コンタクト４５はソース線配線４８に接続されている。
【００６１】
各ゲート形成部、ビット線コンタクト４４、ビット線引き出し配線４７、ビット線引き出しコンタクト４６、ソース線コンタクト４５、ソース線配線４８は層間膜１７で被覆されている。
【００６２】
また、ビット線１８及び層間膜１７は保護膜１９で被覆されている。なお、半導体基板上に半導体基板と反対導電型の第１ウエルを設け、さらにその上に半導体基板と同一導電型の第２ウエルを設けるツインウエル構成としてもよい。
【００６３】
図１１は図９の一部を回路図にて表現した図である。ここでは、メモリセルのアレイ構造はＮＡＮＤ型で、直列に接続されたメモリセルの一端は選択トランジスタ（Ｓ１）５０を介してビット線コンタクト４４に接続されており、他の一端は選択トランジスタ（Ｓ２）５１を介してソース線コンタクト４５に接続されている。
【００６４】
直列に接続されたメモリセルトランジスタ（Ｍ０〜Ｍ３１）５２のそれぞれのゲート電極はデータ選択線（ＷＬ０〜ＷＬ３１）４０に接続されている。選択トランジスタ（Ｓ１）５０のゲート電極はビット線選択信号線（ＳＳＬ）４１に接続され、選択トランジスタ（Ｓ２）５１のゲート電極は共通ソース線選択信号（ＧＳＬ）４２に接続されている。選択トランジスタ（Ｓ１）５０と選択トランジスタ（Ｓ２）５１で挟まれたメモリセルトランジスタ５２の列をＮＡＮＤストリングと呼び、このＮＡＮＤストリングが直列に数千個接続され、このＮＡＮＤストリングが並列にそれぞれ、データ選択線、ビット線、共通ソース線に接続されて、数千個接続されて半導体記憶装置が構成されると数Ｍビットの記憶容量の半導体記憶装置となる。
【００６５】
また、本実施の形態では選択トランジスタ５０、５１はメモリセルトランジスタ５２と同じＭＯＮＯＳ構造となっている。このためにメモリセルと選択トランジスタでゲート絶縁膜を作り分ける必要が無く、素子の微細化、低コスト化に適している。また、周辺回路を形成するトランジスタはＭＯＳ構造でゲート酸化膜厚の異なる２種類のトランジスタが存在する。なお、周辺回路を構成するトランジスタはそのゲート酸化膜厚が３種類以上ある場合でも本実施の形態は適用できる。
【００６６】
本実施の形態によれば、素子分離領域端での書き込み消去特性の低下に由来するサイドウオーク現象を解決し、書き込み消去動作を高速化することが可能である。
【００６７】
以下に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を図１２乃至図２７を用いて説明する。ここでは、本実施の形態の特徴が表された図１，７，８に示された断面でのロウ方向における製造方法を説明する。以下の図１２乃至図２７において、（ａ）は、メモリ部のメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法を示す工程図であり、（ｂ）は周辺回路部の低電圧トランジスタの製造方法を示す工程図であり、（ｃ）は周辺回路部の高耐圧トランジスタの製造方法を示す工程図である。
【００６８】
まず、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように半導体基板１上に５ｎｍ〜２０ｎｍ程度の犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、必要に応じてメモリ部及び周辺回路部のウエル、チャネル不純物の注入を行う（図示せず）。犠牲酸化膜を剥離した後、周辺回路部の高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜２０を半導体基板１全面に形成する。ここで、ゲート絶縁膜２０は例えば８ｎｍ〜４０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜であるが、後の工程での膜厚の変動量から逆算して最終的に狙いの膜厚になるように調整しておく必要がある。
【００６９】
次に、図１３（ｃ）に示されるように高耐圧トランジスタ部では、全体をレジスト５５で覆って、図１３（ａ）、（ｂ）に示されるメモリ部及び低電圧トランジスタ部では、ゲート絶縁膜２０を剥離する。
【００７０】
次に、図１４（ｃ）に示されるようにレジスト５５を除去した後、図１４（ａ）、（ｂ）に示されるようにＭＯＮＯＳメモリセルのトンネル絶縁膜１０として例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚さからなるシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成する。
【００７１】
次に、図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように電荷蓄積層１１を例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜で堆積し、さらにブロック絶縁膜１２として１ｎｍ〜２０ｎｍのシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜を形成する。
【００７２】
次に、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように素子分離領域の埋め込み材を平坦化するＣＭＰ法(Chemical Mechanical Polishing)のストッパ膜５６として例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度のシリコン窒化膜を堆積する。ここで、ストッパ膜５６に求められる条件として、（１）ＣＭＰのストッパ膜として素子分離領域の埋め込み材に対して十分な選択比があること、（２）ストッパ膜５６を剥離する際に、ＭＯＮＯＳのブロック絶縁膜１２と十分な選択比があること、（３）素子分離領域形成のための異方性エッチングの後、基板表面を酸化してダメージ回復するが、この際に酸化されない膜であることの３点を少なくとも満たす必要がある。
【００７３】
ここで、素子分離領域の埋め込み膜およびブロック絶縁膜が酸化膜である場合にはストッパ膜５６としてはシリコン窒化膜が適している。さらに素子分離領域の異方性エッチングのマスク材５７としてたとえばシリコン酸化膜を２０ｎｍ〜５００ｎｍ堆積する。なお、図１６（ｃ）に示された高耐圧トランジスタ領域では、ゲート絶縁膜２０が図１６（ａ），（ｂ）に示されたメモリ部や低電圧トランジスタ領域のトンネル絶縁膜１０と比べてその厚さが厚いため、図１６（ｃ）に示されたマスク材５７の上表面が図１６（ａ），（ｂ）に示されたマスク材５７の上表面よりも高く形成されている。
【００７４】
次に、図１７（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるようにレジスト（図示せず）をパターニングしてマスク材５７を異方性エッチングで加工し、続いてストッパ膜５６、ブロック絶縁膜１２、電荷蓄積層１１、トンネル酸化膜１０、ゲート絶縁膜２０を加工した後に半導体基板１を所望の深さまでエッチングして素子分離溝（トレンチ溝）５８，５９，６０を形成する。
【００７５】
この際、図１７（ｃ）に示された領域では、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜２０の厚さが図１７（ａ），（ｂ）に示されたトンネル絶縁膜１０の厚さよりも厚いために、その厚みの追加分に対応して、素子分離溝６０の深さが図１７（ａ），（ｂ）に示された素子分離溝５８，５９の深さよりも浅く形成されている。また、メモリ部ではトランジスタの大きさが周辺回路部よりも小さいため、周辺回路部の素子分離溝５９，６０よりもその素子分離溝５８の幅や素子分離溝の間隔が小さく形成されている。
【００７６】
次に、図１８（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるようにエッチングによって半導体基板１に入った欠陥等のダメージを回復するために、酸化雰囲気中でアニールすることで、素子分離溝内の半導体基板１表面上に例えば厚さ２ｎｍ〜５０ｎｍのシリコン酸化膜６１を形成する。このときに、マスク材５７は酸化されず、したがってバーズビークも入らないので、素子分離端におけるブロック絶縁膜１２の厚膜化が起こらない。
【００７７】
このようにチャネル領域中央上とシャロートレンチ素子分離領域と接する部分のブロック絶縁膜１２の膜厚が等しくなる。こここで、膜厚が等しいとは、その物理的膜厚が実質的に等しいことを意味し、具体的には、素子分離端とチャネル中央での、その膜厚の差が約２ｎｍよりは小さくなっていて、好ましくは１ｎｍ程度以下になっていることが望ましい。すなわち、膜厚の差が２ｎｍあると、サイドウオーク現象が発生してしまう。これによって、素子分離端での書き込み消去特性の劣化を防止することが可能となり、サイドウオーク現象のない良好なトランジスタ特性を得ることができる。
【００７８】
次に、図１９（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるように素子分離溝５８，５９，６０をそれぞれ素子分離絶縁膜（埋め込み材）６２，６３，６４で埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって各素子分離絶縁膜６２，６３，６４の上表面を平坦化する。各素子分離絶縁膜はその上表面が半導体基板表面から例えば約１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度となるように形成する。
【００７９】
次に、図２０（ａ），（ｂ）、（ｃ）に示されるように、例えば８０〜２００℃に熱した燐酸によってマスク材５７を剥離する。マスク材５７の剥離後の表面にはブロック絶縁膜１２が露出した状態となる。この際、マスク材５７の剥離条件によっては、各素子分離絶縁膜６２，６３，６４の上表面端部には、互いにほぼ等しい大きさの窪み６５が形成される。
【００８０】
次に、図２１（ａ）に示されるようにメモリセルトランジスタ領域及び選択トランジスタ領域をレジスト６６で覆った後、図２１（ｂ）、（ｃ）に示されるように周辺回路領域のブロック絶縁膜１２及び電荷蓄積層１１をＣＤＥ(Chemical Dry Etching)などの等方性エッチングを用いて剥離する。
【００８１】
この際、周辺回路部における各素子分離絶縁膜６３，６４の上表面端部には、互いにほぼ等しい大きさの窪み６７が形成される。この窪み６７は先の工程で形成された窪み６５よりもその大きさが大きくなっている。窪み６７の深さは例えば、５ｎｍ以上となる。また、メモリ部における素子分離絶縁膜６２はこの工程においては、レジスト６６で覆われているために、窪み６５の大きさは変化しない。または凹部は形成されない。
【００８２】
また、周辺回路領域の絶縁膜剥離を例えば、ブロック絶縁膜１２のみをＲＩＥなどの異方性エッチングで行ってもよい。この場合は、エッチングによって周辺回路領域の素子分離領域の上面の半導体基板表面からの高さが、メモリ部における素子分離領域の上面の半導体基板表面からの高さよりも低くなる。この場合のゲート絶縁膜の種類ごとの素子分離領域の半導体基板表面からのＳＴＩ深さ、ＳＴＩ上部の半導体基板上表面からの高さ、ゲート電極幅と半導体基板の幅の大小関係、エッジの曲率半径、ゲート電極の特性について、まとめて表２に示す。
【００８３】
【表２】
この表２からわかるように、素子分離領域であるＳＴＩ深さはゲート絶縁膜がＯＮＯやシリコン酸化膜の薄膜である場合の深さＡがシリコン酸化膜の厚膜である場合の深さＢに比べて、深くなっている。
【００８５】
また、ＳＴＩ上部の半導体基板上表面からの高さはゲート酸化膜がＯＮＯである場合の高さＥが、シリコン酸化膜である場合の高さＦに比べて高くなっている。また、ゲート絶縁膜の種類に関わらず、２つの素子分離領域で挟まれたゲート電極幅の方が同じ２つの素子分離領域で挟まれた半導体基板幅よりも大きくなっている。
【００８６】
さらに、ゲート電極が素子分離領域と接するエッジ部分での曲率半径は、半導体基板が素子分離領域と接するゲート電極近傍でのエッジ部分での曲率半径よりも小さくなっている。さらに、ゲート電極はＰプラス電極とＮプラス電極とで作り分けを行うことが可能となっている。
【００８７】
ブロック絶縁膜１２と素子分離絶縁膜６２，６３，６４に共にシリコン酸化膜を用いた場合、ブロック絶縁膜１２の剥離時に素子分離絶縁膜６３、６４の上部もエッチングされて窪み６７が形成されるが、素子分離絶縁膜６３、６４の側面に接する電荷蓄積層１１はシリコン窒化膜を用いた場合には、エッチング時のシリコン酸化膜との選択比は十分あり、素子分離絶縁膜６３，６４の側面がサイドエッチされてディボット等が発生することは無い。
【００８８】
こうして、電荷蓄積層１１の剥離後には、図２１（ｂ）に示されるように低電圧トランジスタ領域にはトンネル絶縁膜１０が露出し、図２１（ｃ）に示されるように高電圧トランジスタ領域には高電圧トランジスタ用ゲート絶縁膜２０が露出した状態となる。
【００８９】
次に、図２２（ａ）に示されるようにメモリセルトランジスタ領域のレジスト６６を除去した後、図２２（ｂ）に示されるように低電圧トランジスタ領域にゲート絶縁膜２５を例えば０．５ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜で形成する。
【００９０】
この際、ゲート絶縁膜２５の形成を熱酸化で行うことで、メモリ部のブロック絶縁膜１２や高電圧トランジスタのゲート絶縁膜２０に対して同時にデンシファイ効果が得られるのでマスク材５７や電荷蓄積層１１の剥離時のダメージを回復することが可能で、メモリセルや周辺回路の信頼性を向上することが出来る。
【００９１】
次に、図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ゲート電極材料６８，６９，７０として、例えばドープしていない多結晶または非晶質のシリコンを５ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚となるように堆積する。
【００９２】
次に、図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ゲート電極材料６８，６９，７０上に例えば膜厚１０ｎｍ前後のシリコン酸化膜７１を堆積する。これは、この後のゲート電極への不純物注入時に不純物が電極から抜けるのを抑制するためである。
【００９３】
次に、図２５（ａ）に示されるようにメモリセル領域をレジスト７２で覆って、図２５（ｂ）、（ｃ）に示されるように周辺部トランジスタのゲート電極に例えば燐又は砒素を１０Ｅ１９ｃｍ-3以上注入してｎ型ゲート電極２７，２２を形成する。
【００９４】
次に、図２６（ａ）に示されるようにレジスト７２を剥離した後、今度は周辺回路部のみをレジスト７３で覆い、メモリセル部に例えばボロンを１０Ｅ１９ｃｍ-3以上注入して、Ｐ型の第１ゲート電極１４を形成する。
【００９５】
次に、図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、各第１ゲート電極１４，２７，２２上の酸化膜７１を剥離した後、ＷＳｉ，ＮｉＳｉ，ＭｏＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉ等のいずれかを堆積してゲート電極１５，２８，２３を形成する。この後、図示しないが、バリア絶縁膜３１、層間膜１７、ビット線１８、保護膜１９などを順次形成する。
【００９６】
本実施の形態では各ゲート電極は不純物を添加したポリシリコンとポリサイドとのスタック構造としたがこれに限定されず、ポリメタルやメタル電極を用いてもよい。また、ポリシリコンの不純物の打ち分けをメモリセル部と周辺回路部に分けて行っているがこれに限らず、所望のトランジスタ特性およびセル特性が得られるように作り分け方を変えても良いし、作り分けをしなくても良い。作り分けをしない場合、ポリシリコンへの不純物注入はインプラに限らず、図２３の工程で砒素、燐、ボロン等でドープされた多結晶シリコンを堆積しても良い。
【００９７】
なお、図２３の工程で、非晶質シリコンを堆積した場合には、後の熱工程においてポリシリコンに変化する。また、ゲート電極の材料としては、低抵抗が必要な場合には金属材料を用いることが好ましいが、金属を用いた場合には、ゲート電極形成後の製造工程で加えられる温度がポリシリコンなどと比べて高温を用いることができず、製造工程に制約が生じる。そのため、低抵抗と製造工程中の加熱温度のトレードオフの関係で適宜、ゲート電極材料が選択される。
【００９８】
また、図２５，２６で示した工程において、ゲート電極だけにではなく、チャネル不純物注入やウエル不純物注入を行ってもよい。ゲート絶縁膜形成や素子分離トレンチ表面の酸化などの高温工程を通過した後に不純物注入すれば、熱工程による不純物の拡散を回避できるので、よりシャープな不純物プロファイルが得られ、デバイス特性を向上することができる。
【００９９】
ゲート電極堆積後の工程は図示しないが、リソグラフィによってパターニングを行い、拡散層を形成した後、層間膜を堆積し、コンタクト、配線を形成してＭＩＳＦＥＴを形成する。
【０１００】
本実施の形態によれば、ゲート絶縁膜を素子分離膜形成工程の前に形成するので、チャネルエッジ、中央共に制御良く同じ膜厚にすることができる。さらにゲート電極となる多結晶シリコンは素子分離後に堆積するので、トレンチ形成後の酸化でバーズビークが入ることがない。結果として、チャネルエッジにおけるゲート絶縁膜の厚膜化や薄膜化等の問題を回避できてデバイス特性を向上させることができる。
【０１０１】
さらにゲート電極の側壁も酸化されないのでゲート絶縁膜端と同一平面状にゲート電極の側壁を位置させることが可能で、書き込み消去時にゲート絶縁膜全体に均一な電界を与えることができる。さらに本発明ではメモリセルトランジスタのトンネル酸化膜をさらに酸化することでＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜としているのでゲート酸化前のウェット処理が不要となり、シャロートレンチ素子分離側面に窪みが形成されることを回避できる。
【０１０２】
また、このゲート酸化がバリア絶縁膜や周辺回路部の酸化膜に対してはデンシファイとして働くのでウェット処理等でできる可能性のあるピンホールを塞ぎ、メモリセル及び周辺回路部のトランジスタの信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
さらにゲート絶縁膜のチャネル方向の幅と、シャロートレンチ素子分離で挟まれた部分のゲート電極のチャネル方向の幅とが等しく形成でき、トランジスタの特性が向上する。
【０１０４】
また全てのトランジスタに対してゲート電極を同時に堆積している上に、素子分離領域で挟まれる部分と、素子分離領域上の部分とで、多結晶シリコンを二度付ける必要がないので工程数の削減につながり、低コスト化が実現できる。
【０１０５】
さらにゲート絶縁膜の作り分け（ＭＯＮＯＳ構造とＭＯＳ構造）やゲート電極の作り分け（ＰプラスゲートとＮプラスゲート）の工程数を削減し、低コスト化を実現している。
【０１０６】
また、ゲート電極としてドープされていない多結晶シリコンを用いればメモリセルと周辺トランジスタでＰプラスゲートとＮプラスゲートを作り分けることも容易である。
【０１０７】
この場合、ゲート電極の多結晶シリコンはＰプラス部分とＮプラス部分とで同時に形成しているため、膜厚が等しくなるので、後のゲート電極の加工が容易となる。
【０１０８】
さらに、メモリ部のゲート電極と周辺回路部のゲート電極とを同時に形成できるので、製造工程数が削減できる。
【０１０９】
また、メモリ部と周辺回路部でそれぞれ、一方をＰプラス部分、他方をＮプラス部分とすることができる。また、メモリ部、周辺回路部それぞれにＰプラス部分、Ｎプラス部分を両方混在させて形成することもできる。この場合、メモリ部においては、例えば、メモリ部の多数個のセルトランジスタにＰ型不純物を導入し、セルトランジスタよりも少数の個数の選択トランジスタにＮ型不純物を導入し、周辺回路部の多数個の低電圧トランジスタにＰ型不純物を導入し、少数個の高耐圧トランジスタにＮ型不純物を導入することで形成できる。
【０１１０】
このプロセスをＮＡＮＤフラッシュメモリに用いた場合、選択トランジスタをメモリセルトランジスタと同じゲート絶縁膜構造にすることで、工程数が増加することはない。
【０１１１】
なお、Ｐプラス部とＮプラス部とが混在した場合、Ｐプラス部、Ｎプラス部の境界部分の半導体基板、素子分離領域、又はゲート電極にＰ型不純物とＮ型不純物の両方が注入されている。なお、Ｐプラス部、Ｎプラス部の境界部分の大きさによっては、Ｐ型不純物、Ｎ型不純物いずれも注入されない。
【０１１２】
また、シャロートレンチ素子分離領域上に形成された第２ゲート電極１５、２８，２３は、各ゲートの膜中に自然酸化膜を含むことなく、素子分離領域間に形成されている第１ゲート電極１４、２７、２２と一体形成されていて、抵抗値が一定に保たれ、従来技術において２段階で間に自然酸化膜を介してゲート電極が形成された場合と比較してゲート電極の制御性が向上する。
【０１１３】
本実施の形態は、加工ダメージを受けずに電荷蓄積絶縁膜を形成できる場合に効果を有する。
【０１１４】
本実施の形態においては、ＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置を例に挙げて説明したが、本実施の形態はＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置に限られるものではなく、ゲート絶縁膜の電気的特性の高特性化が必要な微細化されたＭＯＳトランジスタを有する半導体装置全般に適用できる。
【０１１５】
（第２の実施の形態）
本実施の形態においては、メモリ部の選択トランジスタの構造が第１の実施の形態と異なり、図８に示される周辺回路部の低電圧トランジスタと同一の構造となっている。 このように選択トランジスタのゲート絶縁膜がＭＯＮＯＳ構造ではなくＭＯＳ構造になっている。メモリ部のカラム方向の断面図は図２８に示される通りで、メモリセルトランジスタの形状は第１の実施の形態と同様となっている。選択トランジスタ部分のゲート絶縁膜の構成が第１の実施の形態と異なり、低電圧トランジスタのゲート絶縁膜２５で構成されている。
【０１１６】
この実施の形態の回路図は図２９に示される通りで、第１の実施の形態同様に直列に接続されたメモリセルトランジスタ（Ｍ０〜Ｍ３１）５２の両端にそれぞれ接続された選択トランジスタ（Ｓ１、Ｓ２）５０、５１の構成が、ＭＯＮＯＳではなくＭＯＳ構造として表される。他の構成は、図１１に示された第１の実施の形態の回路図と同一である。
【０１１７】
本実施の形態では、選択トランジスタのゲート絶縁膜にシリコン窒化膜を用いていないことから、半導体記憶装置の動作時のゲート電圧やドレイン電圧のストレスによって選択トランジスタの閾値が変動することがなくなり、より高性能で高信頼性の半導体記憶装置を実現できる。
【０１１８】
選択トランジスタのゲート絶縁膜２５としては、例えば０．５ｎｍ〜１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜が挙げられるが、周辺回路部の低電圧トランジスタと同じ形成条件にすることがプロセスの工程削減のためには望ましい。すなわち、本実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態の製造方法において、選択トランジスタをメモリ部のメモリセルトランジスタと同じ製造工程を経ずに、周辺回路部の低電圧トランジスタと同様の製造工程を適用することで実現される。
【０１１９】
このプロセスをＮＡＮＤフラッシュメモリに用いた場合、選択トランジスタを周辺回路部の低電圧トランジスタと同じゲート絶縁膜構造にすることで、製造工程数が増加することはない。
【０１２０】
本実施の形態においては、ＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置を例に挙げて説明したが、本実施の形態はＭＯＮＯＳ構造の半導体記憶装置に限られるものではなく、ゲート絶縁膜の電気的特性の高特性化が必要な微細化されたＭＯＳトランジスタを有する半導体装置全般に適用できる。
【０１２１】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、特に絶縁膜を電荷蓄積層として用いるメモリセルにおいて使用される。
【０１２２】
図３０には、本実施の形態のプロトタイプである自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが示される。図３０（Ａ）には、本形態のプロトタイプの上面図が示されていて、素子分離領域１１０に囲まれて、素子領域１１１が直線状に左右方向に形成されている。この不純物領域の長手方向に直交して、ゲート電極１１２が形成されている。素子領域１１１には、ゲート電極１１２の左右それぞれの側にコンタクト１１３が１対設けられている。また、ゲート電極には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはコンタクト１１４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１１２の両側の素子領域１１１がソース拡散層１１５、ドレイン拡散層１１６となり、データ読み出し時にはソース拡散層１１５からドレイン拡散層１１６へ図３０（Ａ）中の矢印で示されるＣからＤ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１２３】
図３０（Ａ）における“Ｃ−Ｄ”線上での断面図が、図３０（Ｂ）に示される。半導体基板１１７上にゲート電極１１２が形成され、その両側の半導体基板１１７中にソース拡散層１１５、ドレイン拡散層１１６が形成されている。ゲート電極１１２は、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１１７、ゲート電極１１２の表面上には層間絶縁膜１２１が形成されている。
【０１２４】
また、図３０（Ａ）における“Ｅ−Ｆ”線上での断面図が、図３０（Ｃ）に示される。半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２が設けられ、その中に素子分離領域１１０が形成されている。素子分離領域１１０の間には、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜が形成されている。このブロック絶縁膜１２０上には、ゲート電極１１２が素子分離領域１１０上にまで延在して形成されている。
【０１２５】
このような図３０（Ｂ）、図３０（Ｃ）に示されたメモリセルの製造方法においては、素子分離溝を形成するためのエッチング加工時や、ゲート電極及びゲート絶縁膜のエッチング加工時に、データ保持絶縁膜端が異方性エッチングのプラズマにさらされるために、素子分離領域のエッジ及びゲートのエッジにおいてデータ保持絶縁膜が加工ダメージを受け、このためデータ保持絶縁膜のエッジ部における電荷保持力が劣化し、メモリセルの信頼性が損なわれる場合がある。
【０１２６】
図３０に示される構造を持つメモリセルの場合、とりわけ素子分離領域のエッジにおけるデータ保持絶縁膜の特性劣化が深刻な問題となる場合がある。以下にそれを説明する。図３０（Ｂ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域に分ける。ここでは、▲１▼、▲３▼の領域のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたダメージ領域１２３となっている。同様に図３０（Ｃ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域に分ける。ここでは、▲４▼、▲６▼のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたダメージ領域１２４となっている。
【０１２７】
ここで、データ保持絶縁膜に電子をトラップさせて閾値を高くした状態（書き込み状態）を仮定する。図３１（Ａ）には、図３０（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図３１（Ｂ）には、図３０（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図３１（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図３１（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図３０（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図３１（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図３０（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０１２８】
データ保持絶縁膜のエッジ部では電荷保持特性が劣化しているので、電子が容易に脱離する。ＭＯＮＯＳ型メモリセルに代表されるような電荷蓄積領域として絶縁膜を用いた構造のメモリセルの場合、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼間又は▲４▼、▲５▼、▲６▼間では、電荷の移動は行われないので、電荷が抜けた領域（エッジ部）はチャネル中央部と比較して閾値が低下する。ここで、図３０（Ｂ）において示される断面は電流が流れる方向でのチャネルを表していて、この電流が流れる方向にトランジスタが直列に接続されていた場合、いずれかのトランジスタの閾値が低くなっても、全体としての閾値は変化しない。
【０１２９】
ここで、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース、ドレイン間に直列に配置されているので、領域▲１▼、▲３▼の閾値が低下しても領域▲２▼の閾値が高ければソース、ドレイン間に電流は流れず、ゲートエッジ部の閾値低下はメモリセルの閾値低下としては検知されない。一方、領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース、ドレイン間に並列に接続されているので領域▲４▼、▲６▼の閾値が低下するとソース、ドレイン間に電流が流れるので、素子分離領域のエッジ部における閾値低下がメモリセルの閾値低下として検知される。この様子が図３１（Ｃ）に示されている。すなわち、書き込み直後は各領域ともにほぼ同じゲート電圧になるが、時間の推移とともに書き込み状態で、中央部▲５▼に比べて、エッジ部▲４▼、▲６▼におけるゲート電圧がより多く低下し、消去状態の電圧に近づいている。つまりメモリセルの電荷保持特性が、ダメージを受けた部分の電荷保持特性で決定されることになる。
【０１３０】
上述のように、自己整合ＳＴＩ構造でＭＯＮＯＳ型メモリセルを形成した場合には、素子分離領域のエッジまたはゲート電極のエッジでの、電荷蓄積領域のデータ保持特性劣化がメモリセルの信頼性に対して影響を及ぼし、特に素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化が問題となる場合がある。本実施の形態では以上の問題を解決する方法を提供する。
【０１３１】
次に、本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図３２に示される。図３２（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１３０に囲まれて、素子領域１３１が直線状に左右方向に形成されている。この素子領域１３１の長手方向に直交して、ゲート電極１３２が形成されている。素子領域１３１には、ゲート電極１３２の左右それぞれの側にコンタクト１３３が１対設けられている。また、ゲート電極１３２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１３４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１３２の両側の素子領域１３１がソース不純物領域１３５、ドレイン不純物領域１３６となり、データ読み出し時にはソース不純物領域１３５からドレイン不純物領域１３６へ図３２（Ａ）中の矢印で示されるＧからＨ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１３２】
図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面図が、図３２（Ｂ）に示される。半導体基板１３７上にゲート電極１３２が形成され、その両側の半導体基板１３７中にソース拡散層１３５、ドレイン拡散層１３６が形成されている。このゲート電極１３２は下層の第１ゲート１３８、その上の第２ゲート１３９から構成されている。ゲート電極１３２は、トンネル絶縁膜１４０、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１４１、ブロック絶縁膜１４２からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。ゲート電極１３２の側面にはゲート側壁絶縁膜１４３が設けられている。半導体基板１３７、ゲート電極１１２、ゲート側壁絶縁膜１４３の表面上には層間絶縁膜１４４が形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２よりもその幅がゲート側壁絶縁膜１４３の厚さ分、大きく形成されている。
【０１３３】
また、図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面図が、図３２（Ｃ）に示される。半導体基板１３７中には、素子分離溝１４５が設けられ、その中に素子分離領域１３０が形成されている。素子分離領域１３０の間には、トンネル絶縁膜１４０、データ保持絶縁膜１４１、ブロック絶縁膜１４２からなるゲート絶縁膜及び第１ゲート１３８が形成されている。このブロック絶縁膜１４２上には、第２ゲート１３９が素子分離領域１３０上にまで延在して形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１は第１ゲート１３８よりもその幅が大きく形成され、素子分離領域１３０内に突き出している。
【０１３４】
本メモリセルでは、半導体基板１３７中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１３７上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１４０が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１４０上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持膜１４１が形成されている。さらにこのデータ保持膜１４１の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜１４２が形成されている。このブロック絶縁膜１４２の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１３２が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。
【０１３５】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。図３２に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１３６】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１３７】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、ゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。
【０１３８】
図３２（Ａ）に示されるように、ゲート電極１３２の両側の半導体基板上には素子領域１３１が形成され、データの読み出し時にはゲートのエッジと垂直な方向(“Ｇ−Ｈ”線方向)に流れる電流量によって記憶されたデータを判別する。ここで、図３２（Ｂ）に示されるように、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２に対して突き出した形状となっている。ここで、突き出す程度は０．５ｎｍから１０ｎｍ程度である。ここで、突き出す程度が小さいと、効果が得られず、突き出す程度が大きすぎると製造工程において、困難が生じ、微細化には不適切である。
【０１３９】
また、図３２（Ｃ）の断面に示すように、素子分離溝１４５はゲート電極１３２及びゲート絶縁膜中のトンネル絶縁膜１４０及びブロック絶縁膜１４２に対して自己整合的に形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１４１はゲート電極１３２中の第１ゲート１３８及び半導体基板１３７に対して突き出しており、両端が素子分離溝１４５中に入り込んだ形状となっている。
【０１４０】
このように、本実施の形態の半導体装置においてはデータ保持絶縁膜が、ゲート電極、若しくは半導体基板又はその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜の突き出し部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。
【０１４１】
データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置が実現できる。ここで、図３２（Ｂ）に示される断面で、メモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼としてエッジ部と中央部とに分割する。さらに、図３２（Ｃ）に示される断面で、メモリセルを領域▲４▼、▲５▼、▲６▼としてエッジ部と中央部に分割する。ここでは、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の電荷蓄積絶縁膜の特性が中央部▲２▼、▲５▼と同一であるために、エッジ部に起因した信頼性劣化がない。このように突き出し部の突き出しの長さは、加工ダメージの進入深さよりも大きい値とすることで、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の特性が中央部▲２▼、▲５▼の特性と等しくなる。
【０１４２】
ここで、特にソース、ドレイン間電流の流れる方向（図３２（Ａ）の“Ｇ−Ｈ”方向）と平行な２辺（素子分離端と接する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。これは図３２（Ｃ）の領域▲４▼、▲６▼はソース、ドレイン間において中央部▲５▼と並列に配置されているため、この部分の電荷抜けによる閾値低下がメモリセル全体の閾値低下として検知されるため、特に▲４▼、▲６▼の部分の電荷抜けを防ぐ必要があるためである。
【０１４３】
図３２（Ｂ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図３３（Ａ）の通りとなるが、各領域▲１▼、▲２▼、▲３▼の特性が等しいため、図３３（Ｂ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。さらに図３２（Ｃ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図３３（Ｃ）の通りとなるが、各領域▲４▼、▲５▼、▲６▼の特性が等しいため、図３３（Ｄ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。
【０１４４】
ここで、図３２（Ｃ）に示された断面を拡大した例を図３４に示す。第１ゲート電極１４３下の半導体基板１３７と素子分離領域１３０の間には、素子分離側壁絶縁膜１４６が形成されている。また、第１ゲート電極１３８側面と素子分離領域１３０の間には、ポリシリコン側壁酸化膜１４７が形成されている。また、第２ゲート電極１３９がポリシリコン側壁酸化膜１４７及び素子分離領域１３０に接する端部１４８では、第２ゲート電極１３９が半導体基板１３７方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜１４２は第１ゲート１３８よりもポリシリコン側壁酸化膜１４７の厚さ分、素子分離領域１３０方向に突き出している。また、データ保持絶縁膜１４２は半導体基板１３７よりも素子分離側壁酸化膜１４６の厚さ分、素子分離領域１３０方向に突き出している。
【０１４５】
本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が、ゲート電極及び半導体基板の両方に対して突き出しているが、ゲート電極又は半導体基板のいずれかに対して突き出していてもよい。すなわち、図３２の“Ｉ−Ｊ”断面又は“Ｇ−Ｈ”断面のいずれか一方のみを採用し、他方を本実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てにおいてデータ保持絶縁膜が突き出しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺で、データ保持絶縁膜が突き出している形状であればよい。
【０１４６】
このようにＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルにおいて、ゲート電極よりもデータ保持絶縁膜が突き出している形状にすることによって、データ保持特性を向上させることができる。
【０１４７】
さらに、ゲート電極に対してデータ保持絶縁膜が突き出した形状となっているので、加工ダメージを受けたデータ保持絶縁膜端を電荷蓄積領域及びトランジスタのゲート絶縁膜として使用しなくて済むため、メモリセルの信頼性が向上する。とりわけ、ソース、ドレイン間電流の流れる方向（図３２（Ｃ）の“Ｉ−Ｊ”方向）と平行な２辺（素子分離領域端と接する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていると、閾値降下を防止でき、データ保持特性を改善する効果が大きい。
【０１４８】
本実施の形態の半導体装置によれば、電荷蓄積領域の両端が、ゲート側壁絶縁膜の下において、ゲート電極へ突き出し、チャネル端において、半導体基板に対して突き出していれば、チャネル部への製造工程におけるダメージが入ることを防止できる。
【０１４９】
このように、電荷蓄積領域がゲート電極又は基板に対して突き出していることで、加工によるダメージを受け、電荷保持特性が劣化した絶縁膜端部を電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用しないので、メモリセルの信頼性が向上する。
【０１５０】
本実施の形態の半導体装置においては、読み出し電流が流れる向きと並列に配置された、データ保持絶縁膜端部をゲート電極又は半導体基板に対して突き出した形状とすることで、データ保持絶縁膜端部の閾値落ちがメモリセルの閾値落ちとして検知されることを防止する。
【０１５１】
なお、第１の実施の形態における図２及び図３に示されるような形状の半導体装置とした場合でも本実施の形態の半導体装置の効果を得ることができる。
【０１５２】
次に、図３５乃至図４３を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。図３５乃至図４３においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面、（Ｂ）図が図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面に相当している。
【０１５３】
まず、半導体基板１３７上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０１５４】
次に、図３５（Ａ）及び図３５（Ｂ）に示されるように、半導体基板１３７上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１４０、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜１４１を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜１４２を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材１５０を形成する。
【０１５５】
次に、図３６（Ａ）及び図３６（Ｂ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材１５０、第１ゲート電極１３８、ブロック絶縁膜１４２、データ保持絶縁膜１４１、トンネル絶縁膜１４０、及び半導体基板１３７を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝１５１を形成する。ここで、形成される素子分離溝の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図３６（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。
【０１５６】
次に、図３７（Ａ）に示されるように第１ゲート電極１３８の側壁を酸化し、ゲート側壁絶縁膜１５２が形成される。この工程で酸化される第１ゲート電極１３８の厚さは約０．５ｎｍから１５ｎｍ程度である。この値は加工によるダメージがデータ保持絶縁膜１４１に進入しない値が選ばれる。なお、図３７（Ｂ）に示される断面では、酸化は行なわれない。
【０１５７】
このとき半導体基板１３７の素子分離溝１５１の側壁部分も酸化され、素子分離側壁絶縁膜１５３が形成されるが、データ保持絶縁膜１４１は酸化されないように酸化条件を調整する。第１ゲート電極１３８は例えばポリシリコンを用い、素子分離溝１５１の側壁は半導体基板１３７であるので、単結晶シリコンを用いた場合、両者の酸化レートの違いを利用して、酸化条件が設定できる。この第１ゲート電極１３８の側壁の酸化量及び素子分離溝１５１の側壁の酸化量によって、データ保持絶縁膜１４１の突き出し量が決まる。すなわち、第１ゲート電極１３８側面にゲート側壁絶縁膜１５２が形成されたことによる、第１ゲート電極１３８側面の後退量によって、データ保持絶縁膜１４１の第１ゲート電極１３８への突き出し量が決定される。また、素子分離溝１５１側面に素子分離側壁絶縁膜１５３が形成されたことによる、半導体基板１３７側面の後退量によって、データ保持絶縁膜１４１の半導体基板１３７への突き出し量が決定される。
【０１５８】
ここで形成される素子分離溝の側壁の酸化膜は、半導体基板を構成する単結晶シリコンの酸化膜であり、比較的硬度が高い性質を持つ。なお、第１ゲート電極１３８の側壁のみ、または半導体基板１３７の素子分離溝１５１の側壁部のみ酸化されるような条件としても良い。こうして、酸化により第１ゲート電極１３８や半導体基板１３７が後退した結果、データ保持絶縁膜１４１の両端は、第１ゲート電極１３８、又は半導体基板１３７のどちらか一方、又は第１ゲート電極１３８と半導体基板１３７との両者に対して突き出した形状となる。
【０１５９】
ここで、データ保持絶縁膜１４１に順テーパが形成されるようにエッチングされる条件を用いることにより、後の工程の素子分離溝１５１へのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。順テーパーの角度としては、半導体基板１３７の上面を標準として６０°から８９°の範囲の角度が良い。
【０１６０】
次に、図３７（Ａ）に示されるように、ポリシリコンからなる第１ゲート電極１３８の酸化によって、第１ゲート電極側壁酸化膜１５２がデータ保持絶縁膜１４１よりも出る構造にすることが、例えば、後で述べるＨＤＰ−ＳｉＯ2による素子分離絶縁膜埋め込み時のデータ保持絶縁膜１４１のダメージを小さくし、より信頼性の高いデバイス構造を形成するのに望ましい。また、半導体基板１３７の酸化によって、素子分離側壁酸化膜１５３がデータ保持絶縁膜１４１よりも素子分離溝１５１に出る構造にすることが、後の工程の素子分離溝１５１へのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。
【０１６１】
ここで、データ保持絶縁膜１４１の両端は、半導体基板１３７から０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の範囲内で突き出していることが信頼性上望ましく、素子分離領域１５１内壁に形成した酸化膜の厚さとしては、１ｎｍ以上１６ｎｍ以下の範囲で形成することが望ましい。
【０１６２】
第１ゲート電極１３８や半導体基板１３７を、データ保持絶縁膜１４１に対して後退させる方法は酸化に限定されず、ウェットエッチング等によるエッチバックでも良い。さらに例えば、ＴＥＯＳやＨＴＯ（High Temperature Oxide）をデータ保持絶縁膜１４１の突き出し量よりも厚く堆積することにより、後述するＨＤＰ（High Density Plasma）−ＳｉＯ2による素子分離絶縁膜埋め込み時のデータ保持絶縁膜のダメージを小さくしても良い。この場合、データ保持絶縁膜をエッチングさせないことが必要である。酸化と組み合わせて、ウェットエッチングなどを用いることもできる。さらに、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、側壁絶縁膜を形成し、これをマスクとして第１ゲート絶縁膜及び半導体基板をエッチングして素子分離溝を形成することもできる。
【０１６３】
次に、図３８（Ａ）に示されるように、素子分離溝１５１を例えば、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜等の堆積法で、埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって平坦化して、素子分離領域１１０を形成する。ここで埋め込むシリコン酸化膜は単結晶シリコンの酸化膜に比べて、比較的硬度が低い性質を持つ。
【０１６４】
次に、図３９（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、ＣＭＰのストッパであるマスク材１５０をウェットエッチングにより除去する。
【０１６５】
次に、図４０（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉなどのシリコンの金属化合物とポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物やＷ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属の単層構造またはポリシリコンの単層構造からなる第２ゲート電極１３９を堆積し、第１ゲート電極１３８と合わせて、メモリセルのゲート電極１３２とする。
【０１６６】
次に、図４１に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極をエッチングする。図４１（Ｂ）においては、ブロック絶縁膜１４２が露出して、一部にゲート電極１３２が形成される。なお、図４１（Ａ）に示される断面では、ゲート電極１３２はエッチングされない。この工程において、データ保持絶縁膜１４１はエッチングしない。ここでは、データ保持絶縁膜１４１の上のブロック絶縁膜１４２はエッチングしてもしなくてもどちらの場合も可能である。
【０１６７】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図４２（Ｂ）に示されるように、シリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積し、異方性エッチングによってこれをエッチバックし、側壁絶縁膜１４３を形成する。この時に側壁絶縁膜１４３をマスクとしてデータ保持絶縁膜１４１もエッチングする。その結果、ゲート電極１３２に対して、側壁絶縁膜１４３の膜厚分だけ、データ保持絶縁膜１４１が突き出した形状となる。ここで、側壁絶縁膜１４３の厚さは堆積厚さに相当するので、堆積膜厚を調整して、側壁絶縁膜１４３の厚さを制御する。又は、側壁絶縁膜１４３を堆積によってではなく、ゲート多結晶シリコンを酸化することによって形成しても良い。この場合、側壁絶縁膜１４３の厚さは酸化量によって調整される。
【０１６８】
次に、図４３（Ｂ）に示されるように拡散層の不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域１３５，１３６を形成する。さらに、図４３（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように層間絶縁膜１４４を堆積する。さらに層間絶縁膜１４４中にコンタクトプラグ１３３，１３４を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０１６９】
本実施の形態の半導体記憶装置の製造方法によれば、第１ゲート電極１３８でチャネル幅を規定し、第２ゲート電極１３９でチャネル長を規定することによって、メモリセルを形成するデータ保持絶縁膜１４１の面積を２つのリソグラフィによって決めることができる。さらに、この２つのリソグラフィには、直線状のパターンを用いることができる。よって、チャネル幅とチャネル長以外に、浮遊ゲートと制御ゲートとのリソグラフィ寸法に大きく依存する浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置よりも寸法ばらつきのメモリ特性に対する影響要因を減らすことができ、メモリセルごとの書き込み電圧や消去電圧をより一層安定させることができ、信頼性を向上できる。
【０１７０】
また、第１ゲート電極１３８が形成されていない部分には、データ保持絶縁膜１４１が形成されていない。よって、例えば、第２ゲート電極１３９の下にデータ保持絶縁膜１４１が形成されている場合に生じる、第２ゲート電極１３９下のデータ保持絶縁膜１４１の電極加工中や動作時のデータ保持絶縁膜１４１への電荷注入が生じない。よって、それらが起因となる隣接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題が生じない。
【０１７１】
（第３の実施の形態の変形例）
本変形例では、第３の実施の形態の半導体装置において、図３２（Ｃ）に示される断面の構造を図４４に示される構造に替えて構成している。ここでは、素子分離領域の下部がデータ保持絶縁膜１４１の下側に形成されていない構造となっている。
【０１７２】
本変形例の半導体装置の製造方法は、“Ｉ−Ｊ”線上での断面においてのみ、図３７以降に示される工程において第３の実施の形態と異なり、“Ｇ−Ｈ”線上での断面では、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様であるので図示及び説明は省略する。すなわち、図３６（Ａ）に示される工程の後で、図４５に示されるように。素子分離溝１５１形成後のゲート側壁絶縁膜形成工程において、素子分離溝１５１の側面の酸化を行わずに、ゲート側壁絶縁膜１５２を形成する。
【０１７３】
次に、図４６に示されるように、素子分離溝１５１を例えば、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜等の堆積法で、埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって平坦化して、素子分離領域１１０を形成する。ここで埋め込むシリコン酸化膜は単結晶シリコンの酸化膜に比べて、比較的硬度が低い性質を持つ。
【０１７４】
次に、図４７に示されるように、ＣＭＰのストッパであるマスク材１５０をウェットエッチングにより除去する。
【０１７５】
次に、図４８に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉなどのシリコンの金属化合物とポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物やＷ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属の単層構造またはポリシリコンの単層構造からなる第２ゲート電極１３９を堆積し、第１ゲート電極１３８と合わせて、メモリセルのゲート電極１３２とする。
【０１７６】
次に、図４９に示されるように層間絶縁膜１４４を堆積する。さらに層間絶縁膜１４４中にコンタクトプラグ１３４を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０１７７】
このように素子分離側壁絶縁膜を設けないことで、データ保持絶縁膜１４１が第１ゲート電極１３８に対してのみ突き出し、半導体基板１３７に対しては突き出さない形状とすることができる。本変形例においても第３の実施の形態同様の効果を得ることができる。
【０１７８】
（第４の実施の形態）
図５０には、本実施の形態のプロトタイプである自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが示される。図５０（Ａ）には、本形態のプロトタイプの上面図が示されていて、素子分離領域１１０に接して半導体基板１１７中の一部にソース不純物領域１５５が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域１５５の一部ではその幅が大きくなっていて、ソースコンタクト１５７が設けられている。また、このソース不純物領域１５５に対向して素子分離領域１１０に接して、半導体基板１１７中の一部にドレイン不純物領域１５６が直線上に左右方向に形成されている。このドレイン不純物領域１５６の一部ではその幅が大きくなっていて、ドレインコンタクト１５８が設けられている。
【０１７９】
ソース不純物領域１５５及びドレイン不純物領域１５６の長手方向に直交して、ゲート電極１１２が形成されている。ゲート電極１１２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１１４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１１２の真下にソース不純物領域１５５、ドレイン不純物領域１５６が設けられ、データ読み出し時にはソース不純物領域１５５からドレイン不純物領域１５６へ図５０（Ａ）中の矢印で示されるＭからＮ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１８０】
図５０（Ａ）における“Ｋ−Ｌ”線上での断面図が、図５０（Ｂ）に示される。半導体基板１１７上にゲート電極１１２が形成されている。ゲート電極１１２は、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１１７、ゲート電極１１２の表面上には層間絶縁膜１２１が形成されている。
【０１８１】
また、図５０（Ａ）における“Ｍ−Ｎ”線上での断面図が、図５０（Ｃ）に示される。半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２が設けられ、その中に素子分離領域１１０が形成されている。素子分離領域１１０の間には、トンネル絶縁膜１１８、データ保持絶縁膜１１９、ブロック絶縁膜１２０からなるゲート絶縁膜が形成されている。このブロック絶縁膜１２０上には、ゲート電極１１２が素子分離領域１１０上にまで延在して形成されている。トンネル絶縁膜１１８の端部の半導体基板１１７中には、素子分離溝１２２は設けられておらず、素子分離領域１１０に接して、ソース不純物領域１５５及びドレイン不純物領域１５６が設けられている。
【０１８２】
このような図５０（Ｂ）、図５０（Ｃ）に示されたメモリセルの製造方法においては、素子分離溝を形成するためのエッチング加工時や、ゲート電極及びゲート絶縁膜のエッチング加工時に、データ保持絶縁膜端が異方性エッチングのプラズマにさらされるために、素子分離領域のエッジ及びゲートのエッジにおいてデータ保持絶縁膜が加工ダメージを受け、このためデータ保持絶縁膜のエッジ部における電荷保持力が劣化し、メモリセルの信頼性が損なわれる場合がある。
【０１８３】
図５０に示される構造を持つメモリセルの場合、とりわけ素子分離領域のエッジにおけるデータ保持絶縁膜の特性劣化が深刻な問題となる場合がある。以下にそれを説明する。図５０（Ｂ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域に分ける。ここでは、▲１▼、▲３▼の領域のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたエッジ領域１２３となっている。同様に図５０（Ｃ）に示される断面において、メモリセルトランジスタを▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域に分ける。ここでは、▲４▼、▲６▼のデータ保持絶縁膜がダメージを受けたエッジ領域１２４となっている。
【０１８４】
ここで、データ保持絶縁膜に電子をトラップさせて閾値を高くした状態（書き込み状態）を仮定する。図５１（Ａ）には、図５０（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図５１（Ｂ）には、図５０（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図５１（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図５１（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図５０（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図５１（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図５０（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０１８５】
データ保持絶縁膜のエッジ部では電荷保持特性が劣化しているので、電子が容易に脱離する。ＭＯＮＯＳ型メモリセルに代表されるような電荷蓄積領域として絶縁膜を用いた構造のメモリセルの場合、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼間又は▲４▼、▲５▼、▲６▼間では、電荷の移動は行われないので、電荷が抜けた領域（エッジ部）はチャネル中央部と比較して閾値が低下する。ここで、図５０（Ｂ）において示される断面は電流が流れる方向でのチャネルを表していて、この電流が流れる方向にトランジスタが直列に接続されていた場合、いずれかのトランジスタの閾値が低くなっても、全体としての閾値は変化しない。
【０１８６】
ここで、領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース、ドレイン間に直列に配置されているので、領域▲４▼、▲６▼の閾値が低下しても領域▲５▼の閾値が高ければソース、ドレイン間に電流は流れず、ゲートエッジ部のしきい値低下はメモリセルの閾値低下としては検知されない。一方、領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース、ドレイン間に並列に接続されているので領域▲１▼、▲３▼の閾値が低下するとソース、ドレイン間に電流が流れるので、素子分離領域のエッジ部における閾値低下がメモリセルの閾値低下として検知される。この様子が図５１（Ｃ）に示されている。すなわち、書き込み直後は各領域ともにほぼ同じゲート電圧になるが、時間の推移とともに書き込み状態で、中央部▲２▼に比べて、エッジ部▲１▼、▲３▼におけるゲート電圧がより多く低下し、消去状態の電圧に近づいている。つまりメモリセルの電荷保持特性が、ダメージを受けた部分の電荷保持特性で決定されることになる。
【０１８７】
上述のように、自己整合ＳＴＩ構造でＭＯＮＯＳ型メモリセルを形成した場合には、素子分離領域のエッジ又はゲート電極のエッジでの、電荷蓄積領域のデータ保持特性劣化がメモリセルの信頼性に対して影響を及ぼし、特に素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化が問題となりうる。本実施の形態では以上の問題を解決する方法を提供する。
【０１８８】
次に、本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図５２に示される。図５２（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１６０に接して、一方側の半導体基板１６１中にソース不純物領域１６２が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域１６２に対向して、素子分離領域１６０に接して、他方側の半導体基板１６１中にドレイン不純物領域１６３が形成されている。ソース不純物領域１６２には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはソースコンタクト１６４が形成されている。さらにドレイン不純物領域１６３には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはドレインコンタクト１６５が形成されている。これらソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６５の長手方向に直交して、ゲート電極１６６が形成されている。
【０１８９】
また、ゲート電極１６６には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１６７が設けられている。このメモリセルではゲート電極１６６の下側の半導体基板１６１の一部がソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３となり、データ読み出し時にはソース不純物領域１６２からドレイン不純物領域１６３へ図５２（Ａ）中の矢印で示されるＱからＲ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０１９０】
図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面図が、図５２（Ｂ）に示される。半導体基板１６１上にゲート電極１６６が形成されている。このゲート電極１６６は下層の第１ゲート１７０、その上の第２ゲート１７１から構成されている。ゲート電極１６６は、トンネル絶縁膜１７２、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１７３、ブロック絶縁膜１７４からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。ゲート電極１６６の側面にはゲート側壁絶縁膜１７５が設けられている。半導体基板１６１、ゲート電極１６６、ゲート側壁絶縁膜１７５の表面上には層間絶縁膜１７６が形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１７３はゲート電極１６６よりもその幅がゲート側壁絶縁膜１７５の厚さ分、大きく形成されている。
【０１９１】
また、図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面図が、図５２（Ｃ）に示される。半導体基板１６１中には、素子分離溝１７７が設けられ、その中に素子分離領域１６０が形成されている。素子分離領域１６０の間には、トンネル絶縁膜１７２、データ保持絶縁膜１７３、ブロック絶縁膜１７４からなるゲート絶縁膜及び第１ゲート１７０が形成されている。このブロック絶縁膜１７４上には、第２ゲート１７１が素子分離領域１６０上にまで延在して形成されている。ここで、データ保持絶縁膜１７３及びその下に位置するトンネル絶縁膜１７２は第１ゲート１７０よりもその幅が大きく形成され、素子分離領域１６０内に突き出している。
【０１９２】
本メモリセルでは、半導体基板１６１中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１６１上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１７２が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１７２上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜１７３が形成されている。
【０１９３】
さらにこのデータ保持絶縁膜１７３の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜１７４が形成されている。このブロック絶縁膜１７４の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１６６が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、素子分離領域１６０の端に接する半導体基板１６１中には、ソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３が形成されている。このソース不純物領域１６２、ドレイン不純物領域１６３は、第１ゲート１７０から突き出したデータ保持絶縁膜１７３の下に形成されているが、第１ゲート電極１７０の下方には形成されていない。
【０１９４】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。図５２に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１９５】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０１９６】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、ゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。
【０１９７】
ここで、図５２（Ｂ）に示されるように、データ保持絶縁膜１７３は第１ゲート電極１７０に対して突き出した形状となっている。ここで、突き出す程度はデータ保持絶縁膜１７３が０．５ｎｍから１０ｎｍ程度、素子分離領域１６０中に入っている。ここで、突き出す程度が小さいと、効果が得られず、突き出す程度が大きすぎると製造工程において、困難が生じ、微細化には不適切である。
【０１９８】
また、図５２（Ｃ）に示されるように、素子分離溝１６０はゲート絶縁膜中のトンネル絶縁膜１７２及びデータ保持絶縁膜１７３に対して自己整合的に形成されている。このトンネル絶縁膜１７２及びデータ保持絶縁膜１７３は、ブロック絶縁膜１７４及び第１ゲート電極１７０より、左右方向に突き出している。このように、電荷蓄積絶縁膜はゲート電極に対して突き出しており、両端が素子分離絶縁膜中に入り込んだ形状となっている。ここでは、“Ｑ−Ｒ”線に平行な方向の制御ゲートの２辺と、“Ｏ−Ｐ”線に平行な方向の拡散層の２辺で囲まれた制御ゲート下の矩形状の半導体基板領域が島状領域となる。
【０１９９】
第１ゲート電極１７０の下方端の両側の半導体基板１６１上にはソース、ドレイン不純物領域１６２、１６３が形成され、データの読み出し時にはゲートの長手方向(“Ｑ−Ｒ”線方向)に流れる電流量によって記憶されたデータを判別する。このように、本実施の形態の半導体装置においてはデータ保持絶縁膜が、ゲート電極または半導体基板またはその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜の突き出し部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。
【０２００】
データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置が実現できる。
【０２０１】
ここで、図５２（Ｂ）に示される断面で、メモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼としてエッジ部と中央部とに分割する。さらに、図５２（Ｃ）に示される断面で、メモリセルを領域▲４▼、▲５▼、▲６▼としてエッジ部と中央部に分割する。ここでは、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の電荷蓄積絶縁膜の特性が中央部▲２▼、▲５▼と同一であるために、エッジ部に起因した信頼性劣化がない。このように突き出し部の突き出しの長さは、加工ダメージの進入深さよりも大きい値とすることで、エッジ部▲１▼、▲３▼、▲４▼、▲６▼の特性が中央部▲２▼、▲５▼の特性と等しくなる。
【０２０２】
ここで、特にソース、ドレイン間電流の流れる方向（図５２（Ａ）の“Ｑ−Ｒ”'方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）で、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。これは図５２（Ｂ）の領域▲１▼、▲３▼はソース、ドレイン間において中央部▲２▼と並列に配置されているため、この部分の電荷抜けによる閾値低下がメモリセル全体の閾値低下として検知されるため、特に▲１▼、▲３▼の部分の電荷抜けを防ぐ必要があるためである。
【０２０３】
図５２（Ｂ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図５３（Ａ）の通りとなるが、各領域▲１▼、▲２▼、▲３▼の特性が等しいため、図５３（Ｂ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。さらに図５２（Ｃ）に示す断面での各領域をトランジスタを用いた回路図で表すと図５３（Ｃ）の通りとなるが、各領域▲４▼、▲５▼、▲６▼の特性が等しいため、図５３（Ｄ）に示されるように１つのトランジスタで表現される。
【０２０４】
本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が、ゲート電極及び半導体基板の両方に対して突き出しているが、ゲート電極又は半導体基板のいずれかに対して突き出していてもよい。すなわち、図５２の“Ｏ−Ｐ”断面又は“Ｑ−Ｒ”断面のいずれか一方のみを採用し、他方を本実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てにおいてデータ保持絶縁膜が突き出しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺で、データ保持絶縁膜が突き出している形状であればよい。
【０２０５】
本実施の形態の半導体装置においては、第３の実施の形態の半導体装置の効果と同様の効果を得ることができる。すなわち、データ保持絶縁膜が、ゲート電極又は半導体基板又はその両方に対して突き出しているために、データ保持絶縁膜のエッジ部がメモリセルトランジスタの電荷蓄積領域としてもゲート絶縁膜としても使用されない。データ保持絶縁膜のエッジ部は中央部と比較して、加工ダメージによって電荷保持力が劣るが、この領域の電荷保持特性がメモリセルの電荷保持特性に影響しないために、信頼性の高い不揮発性メモリが実現できる。
【０２０６】
次に図５４乃至図６２を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【０２０７】
図５４乃至図６２においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ線上での断面、（Ｂ）図が図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面に相当している。
【０２０８】
まず、半導体基板１６１上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０２０９】
次に、図５４（Ａ）及び図５４（Ｂ）に示されるように、半導体基板１６１上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１７２、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜１７３を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜１７４を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極１７０を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材１８０を形成する。
【０２１０】
次に、図５５（Ａ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材１８０、第１ゲート電極１７０を異方性エッチングにより加工する。なお、図５５（Ｂ）に示される断面では、エッチングは行なわれない。
【０２１１】
次に、図５６（Ａ）に示されるように、マスク材１８０をマスクに半導体基板１６１中に拡散層不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３を形成する。
【０２１２】
次に、図５７（Ａ）に示されるようにシリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜１８１を形成し、これをマスクとしてブロック絶縁膜１７４、データ保持絶縁膜１７３、トンネル絶縁膜１７２、及び半導体基板１６１を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝１７７を形成する。ここで、形成される素子分離溝１７７の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図５７（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。このようにゲート側壁絶縁膜１８１を形成することで、チャネル端にソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３を残すことができる。この残されたソース、ドレイン不純物領域１６２，１６３の幅は、残されたゲート側壁絶縁膜１８１の幅に対応して制御できる。その結果、第１ゲート電極１７０に対して、ゲート側壁絶縁膜１８１の膜厚だけ、データ保持絶縁膜１７５が突き出した形状となる。
【０２１３】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図５８（Ａ）に示されるように、素子分離溝１７７をシリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化した後、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材１８０をウェットエッチングにより除去する。また、図５８（Ｂ）に示される断面においては、マスク材１８０を除去して、第１ゲート電極１７０の上表面を露出させる。
【０２１４】
次に、図５９に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉとポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極１７１を堆積し、第1ゲート電極１７０と合わせて、メモリセルのゲート電極１６６とする。
【０２１５】
次に、図６０（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極１６６をエッチングする。この際、通常の場合、ブロック絶縁膜１７４はわずかにエッチングされるが、データ保持絶縁膜１７３はエッチングしないようにする。
【０２１６】
必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。また、この工程の後に、例えば、２ｎｍから２０ｎｍの範囲で、第１ゲート電極を酸化することによって、ダメージ回復を行っても良い。なお、図６１（Ａ）に示される断面においては、ゲート電極１６６はエッチングされない。
【０２１７】
次に、図６１（Ｂ）に示されるように、例えば、ＴＥＯＳやＨＴＯからなるシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積し、異方性エッチングによってこれをエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜１７５を形成する。このときにゲート側壁絶縁膜１７５をマスクとしてデータ保持絶縁膜１７３及びトンネル絶縁膜１７２もエッチングする。その結果、ゲート電極１６６に対して、ゲート側壁絶縁膜１７５の膜厚だけ、データ保持絶縁膜１７３が突き出した形状となる。なお、図６１（Ａ）に示される断面では、ゲート側壁絶縁膜１７５は形成されない。
【０２１８】
ここで、側壁絶縁膜１７５を堆積によってではなく、ゲート多結晶シリコンを酸化することによって形成しても良い。この場合、側壁絶縁膜１７５の厚さは酸化量によって調整される。
【０２１９】
次に、図６２に示されるように、層間絶縁膜１７６を表面上に堆積し、層間絶縁膜１７６中にコンタクトプラグ１６７を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０２２０】
このように、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極に対してデータ保持絶縁膜が突き出した形状となっているので、ブロック絶縁膜、データ保持絶縁膜、及びトンネル絶縁膜をエッチングする工程における加工ダメージを受けたデータ保持絶縁膜端をデータ保持絶縁膜およびトランジスタのゲート絶縁膜として使用しなくて済むため、メモリセルの信頼性が向上する。とりわけ、図５２（Ａ）におけるソース、ドレイン間電流の流れる方向（“Ｑ−Ｒ”線方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）において、データ保持絶縁膜が突き出している形状になっていることの効果が大きい。
【０２２１】
本実施の形態の製造方法によれば、第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、第１ゲート電極でチャネル幅を規定し、第２ゲート電極でチャネル長を規定することによって、メモリセルを形成するデータ保持絶縁膜の面積を２つのリソグラフィによって決めることができる。さらにこの２つのリソグラフィでは、直線状のパターンを用いることができる。よって、浮遊ゲートと制御ゲートとのリソグラフィ寸法に大きく依存する浮遊ゲート型不揮発性半導体装置よりも寸法ばらつきのメモリ特性に対する影響要因をチャネル幅とチャネル長以外で減らすことができる。よって、メモリセルごとの書き込み電圧や消去電圧を安定させることができ、信頼性を向上できる。
【０２２２】
また、第１ゲート電極が形成されていない部分には、データ保持絶縁膜が形成されていない。よって、例えば、第２ゲート電極の下にデータ保持絶縁膜が形成されている場合に生じる第２ゲート電極の下のデータ保持絶縁膜の電極加工中や動作時のデータ保持絶縁膜への電荷注入が生じない。よってこれらの電荷注入が起因となる隣接するメモリセル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題が生じない。
【０２２３】
（第４の実施の形態の変形例）
本変形例では、図６３に示されるようにバーチャルグラウンドアレイセル構造を実現する。図６３は、図５２（Ｃ）に示される断面に対応した構造を拡大して示している。ここでは、第４の実施の形態と異なり、素子分離領域１６０を設けておらず、代わりに高濃度不純物領域１８５が半導体基板１６１中に設けられている。
【０２２４】
この半導体装置の製造方法は、第４の実施の形態の半導体装置の製造方法において、図５７に示された半導体基板１６１をエッチングする工程に代えて、半導体基板１６１表面からマスク材１８０の高さまで絶縁膜を埋め込む。
【０２２５】
さらに、図６１に示される工程に代えて、図６３に示されるように、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を１０11ｃｍ-2から１０14ｃｍ-2の範囲で注入して高濃度不純物領域１８５を形成する。この際、ソース及びドレイン不純物領域部分は、側壁絶縁膜が上部にもあらかじめ形成されているので、Ｐ型不純物のイオンが側壁絶縁膜下の手前で止まるように制限することにより、Ｎ型ソース及びドレイン不純物領域にはＰ型不純物の混入を行わないように制限できる。このＰ型不純物のイオン注入エネルギーとしては、１ｅＶから１００ｅＶの範囲とする。また、この際、Ｐ型不純物注入イオンのデータ保持絶縁膜に導入されるダメージをゲート電極側壁絶縁膜によって分離することができ、より高信頼性のメモリセルを実現できる。このような形状のバーチャルグラウンドアレイセルでは、絶縁物埋め込みによる素子分離領域に替えて、Ｐプラス拡散層又はＮプラス拡散層を形成し、それぞれが素子分離の役割を果たしている。ここでは、Ｎプラス拡散層がビット線になったり、ソース線になったりして固定されていない。
【０２２６】
本変形例は、第４の実施の形態同様の効果を有し、さらに、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために、例えば、ボロンやインジウムからなるｐ型不純物を添加した場合には、エッジ部分の反転層形成を抑え、さらに接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題発生を低減できる。
【０２２７】
（第５の実施の形態）
本発明における第５の実施の形態の半導体装置の構造を図６４に示す。図６４（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域１９０に囲まれて、素子領域１９１が直線状に左右方向に形成されている。この素子領域１９１の長手方向に直交して、ゲート電極１９２が形成されている。素子領域１９１には、ゲート電極１９２の左右それぞれの側にコンタクト１９３が１対設けられている。また、ゲート電極１９２には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはゲートコンタクト１９４が設けられている。このメモリセルではゲート電極１９２の両側の素子領域１９１がソース拡散層１９５、ドレイン拡散層１９６となり、データ読み出し時にはソース拡散層１９５からドレイン拡散層１９６へ図６４（Ａ）中の矢印で示されるＳからＴ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０２２８】
図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面図が、図６４（Ｂ）に示される。半導体基板１９７上にゲート電極１９２が形成され、その両側の半導体基板１９７中にソース拡散層１９５、ドレイン拡散層１９６が形成されている。ゲート電極１９２は、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）１９９、ブロック絶縁膜２００からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板１９７、ゲート電極１９２の表面上には層間絶縁膜２０１が形成されている。ここで、ブロック絶縁膜２００はゲート電極１９２のエッジ部２０２で、その厚さが中央部よりも厚く形成されている。
【０２２９】
また、図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面図が、図６４（Ｃ）に示される。半導体基板１９７中には、素子分離溝２０３が設けられ、その中に素子分離領域１９０が形成されている。素子分離領域１９０の間には、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜１９９、ブロック絶縁膜２００からなるゲート絶縁膜及びゲート電極１９２が形成されている。このブロック絶縁膜２００上には、ゲート電極１９２が素子分離領域１９０上にまで延在して形成されている。ここで、ブロック絶縁膜２００はゲート電極１９２のエッジ部２０４において、その厚さが中央部よりも厚く形成されている。
【０２３０】
このようにゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜１９８又はブロック絶縁膜２００が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２００のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。これは電荷が通過するトンネル酸化膜１９８やデータ保持絶縁膜１９９の膜厚が不均一であると、消去特性やデータ保持特性のばらつきの原因となるのに対して、電荷の通過がないブロック絶縁膜２００がエッジで厚膜化しても、特性ばらつきの原因とはならないためである。
【０２３１】
ここで、不揮発性メモリの読み出し動作においては、ゲート電極に読み出し電圧Ｖｒｅｆが加えられるが、読み出し動作を繰り返すのに伴い、Ｖｅｆにより作られた電界によって消去状態のセルの閾値が上昇し、書き込み状態のセルとの閾値マージンが減少するという問題があり、これはリードディスターブと呼ばれている。
【０２３２】
本実施の形態ではエッジ部で、ゲート絶縁膜が厚膜化しているために、Ｖｒｅｆが作る電界がエッジ部で弱められる。このためにチャネル中央部と比較してエッジ部でリードディスターブによる閾値変動が抑制される。これは、図６４（Ｂ）及び（Ｃ）で示すようにメモリセルを▲１▼、▲２▼、▲３▼及び▲４▼、▲５▼、▲６▼に分割した場合に、▲１▼、▲３▼と▲４▼、▲６▼の閾値変動が小さくなることを示している。これらの領域▲１▼、▲２▼、▲３▼、▲４▼、▲５▼、▲６▼はバーズビークの進入深さで定義される。
【０２３３】
特にソース、ドレイン間電流が流れる方向である図６４（Ａ）の“Ｓ−Ｔ”線方向と平行な２辺（素子分離端）における閾値変動が小さくなることの効果が大きい。
【０２３４】
このことを図６５を用いて説明する。図６５（Ａ）には、図６４（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図６５（Ｂ）には、図６４（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図６５（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図６５（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図６４（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。トランジスタ▲１▼、▲３▼がブロック絶縁膜が厚膜化しているエッジ部２０２に対応する。また、図６５（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図６４（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。トランジスタ▲４▼、▲６▼がブロック絶縁膜が厚膜化しているエッジ部２０４に対応する。
【０２３５】
図６５（Ｃ）はメモリセルのドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）特性を示している。消去状態のメモリセルは読み出し時のＶｒｅｆストレスによって閾値が上昇するが、エッジ部▲４▼、▲６▼では電界が弱められているために閾値変動が小さい。ＭＯＮＯＳ型メモリのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いたメモリでは、トラップされた電荷が絶縁膜中をほとんど移動しないので、エッジ部▲４▼、▲６▼の閾値は中央部▲５▼と比較して低いままに保たれる。図６５（Ｃ）に示されるように領域▲４▼、▲５▼、▲６▼はソース−ドレイン間に並列に配置されているので、メモリセルの閾値は、より閾値の低い▲４▼、▲６▼によって決定される。このためエッジ部の電界を弱めて領域▲４▼、▲６▼の閾値変動を抑制することにより、メモリセルの閾値変動を抑制することが可能となる。
【０２３６】
本実施の形態のメモリセルでは、半導体基板１９７中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板１９７上に例えば膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜１９８が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜１９８上には、膜厚が例えば３ｎｍ〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜１９９が形成されている。
【０２３７】
さらにこのデータ保持絶縁膜１９９の上には、膜厚が例えば１ｎｍ〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２００が形成されている。このブロック絶縁膜２００の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極２０２が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、トンネル絶縁膜１９８の端に接する半導体基板１９７中には、ソース不純物領域１９５、ドレイン不純物領域１９６が形成されている。
【０２３８】
図６４に示されたトランジスタがメモリセルを構成する。消去動作、書き込み動作、読み出し動作は、第３の実施の形態又は第４の実施の形態と同様である。
【０２３９】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜をエッジ部で厚膜化することによって、リードディスターブストレス時の電界をエッジ部で弱めて、エッジにおける閾値変動を抑制する。
【０２４０】
すなわち、読み出し電流が流れる向きと並列に配置された、絶縁膜端部における閾値上昇を小さくすることで、チャネル中央部の閾値が上昇してもメモリセルの閾値としてはエッジ部の閾値を検知するので、リードディスターブによるメモリセルの閾値変動を小さくすることができる。
【０２４１】
また、電荷の通過のないブロック絶縁膜の膜厚を変化させることで、書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつきを引き起こすことなく、エッジ部で電界を弱めることができる。
【０２４２】
ここで、図６４（Ｃ）に示された断面に、第３の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせて構成した半導体装置の構造の断面を拡大した例を図６６に示す。ゲート電極１９２は第１ゲート電極２０５とその上の第２ゲート電極２０６とからなり、第１ゲート電極２０５下の半導体基板１９７と素子分離領域１９０の間には、素子分離側壁絶縁膜２０７が形成されている。また、第１ゲート電極２０５側面と素子分離領域１９０の間には、ゲート電極側壁絶縁膜（ポリシリコン側壁絶縁膜）２０８が形成されている。ブロック絶縁膜２００は、第１ゲート電極２０５端部下で、その厚さが他の部分よりも厚く形成されている。また、第２ゲート電極２０６がゲート電極側壁絶縁膜２０８及び素子分離領域１９０に接する端部２０９では、第２ゲート電極２０６が半導体基板１９７方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜１９９は第１ゲート電極２０５よりもゲート電極側壁絶縁膜２０８の厚さ分、素子分離領域２０３方向に突き出している。
【０２４３】
次に、図６４（Ｂ）に示された断面に、第３の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせて構成した半導体装置の構造の断面を拡大した例を図６７に示す。半導体基板１９７上には、トンネル絶縁膜１９８が形成され、その上にはデータ保持絶縁膜１９９が形成されている。このデータ保持絶縁膜１９９上には、ブロック絶縁膜２００が形成され、その上には、第１ゲート電極２０５が形成されている。この第１ゲート電極２０５上には第２ゲート電極２０６が形成され、第１ゲート電極２０５及び第２ゲート電極２０６側壁には、ゲート電極側壁絶縁膜（ポリシリコン側壁絶縁膜）２０８が形成されている。
【０２４４】
ここで、第１ゲート電極２０５端部下のブロック絶縁膜２００とその上のゲート電極側壁絶縁膜２０８を合わせた厚さが他の部分におけるブロック絶縁膜２００の厚さよりも厚く形成されている。トンネル絶縁膜１９８端部下の半導体基板１９７中には、ドレイン不純物領域１９６が形成されている。このドレイン不純物領域１９６上方にデータ保持絶縁膜１９９が形成されていない領域では、表面酸化膜２１０が形成されている。この表面酸化膜２１０上には、層間絶縁膜２０１が形成されている。ここで、トンネル絶縁膜１９８、データ保持絶縁膜１９９、ブロック絶縁膜２００は、第１ゲート電極２０５よりもゲート電極側壁絶縁膜２０８の厚さ分、層間絶縁膜２０１方向に突き出している。
【０２４５】
本実施の形態では、ブロック絶縁膜２００（ポリシリコン側壁酸化膜２０８の底部付近の領域をも合わせて含んだ絶縁膜）の両端が、ソース、ドレイン不純物領域１９５、１９６近辺と素子分離領域２０３近辺の両方において、厚く形成されているが、ソース、ドレイン不純物領域１９５、１９６近辺と素子分離領域２０３近辺のいずれかにおいて、厚さが厚く形成されていてもよい。すなわち、図６４（Ａ）の“Ｓ−Ｔ”線での断面又は“Ｕ−Ｖ”線での断面のいずれか一方のみを採用し、他方を第３の実施の形態のプロトタイプの通りとしてもよい。
【０２４６】
なお、第１の実施の形態における図２及び図３に示されるような形状の半導体装置としても本実施の形態の半導体装置の効果を得ることができる。
【０２４７】
次に図６８乃至図７６を用いて、本実施の形態の半導体装置を実現するための製造方法の一例を説明する。
【０２４８】
図６８乃至図７６においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面、（Ｂ）図が図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面に相当している。
【０２４９】
まず、半導体基板１９７上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離した後、図６８に示されるように、半導体基板１９７上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜１９８を形成する。次に、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さの電荷蓄積絶縁膜であるシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜、さらに例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のブロック絶縁膜２００を介して、例えばポリシリコン等の第１ゲート電極２０５を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにマスク材２１１となるシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積する。
【０２５０】
次に、図６９（Ａ）に示されるように、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材２１１、第１ゲート電極２０５を異方性エッチングにより加工する。なお、図６９（Ｂ）における断面では、素子分離領域はパターニングされない。
【０２５１】
次に、図７０（Ａ）に示されるように、第１ポリシリコン電極２０５を酸化して、ポリシリコン側壁酸化膜２０８を形成する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２００がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、図７０（Ｂ）に示される断面では、ポリシリコン側壁酸化膜２０８は形成されない。
【０２５２】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２５３】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２５４】
次に、図７１（Ａ）に示されるように、ゲート絶縁膜１９８，１９９，２００及び半導体基板１９７を異方性エッチングして素子分離溝２０３を形成する。次に、この素子分離溝２０３側面を酸化して、素子分離側壁酸化膜２０７を形成する。このように図７０（Ａ）に示される第１ゲート電極２０５の酸化によって、ポリシリコン側壁酸化膜２０８を形成し、このポリシリコン側壁酸化膜２０８をマスクとして、データ保持絶縁膜１９９がエッチングされるため、ポリシリコン側壁酸化膜２０８とデータ保持絶縁膜１９９とを自己整合的に位置合わせを行うことができる。よって、後述するＨＤＰ−ＳｉＯ2の素子分離絶縁膜埋め込み時のダメージを受けるデータ保持絶縁膜端の突出部を非常に小さくでき、信頼性が向上する。
【０２５５】
また、半導体領域の側壁酸化膜厚さをポリシリコンの側壁酸化膜よりもはるかに薄膜化ができる。その厚さは例えば０から１０ｎｍ程度の範囲に設定でき、半導体領域の凸部の薄膜での電界集中を防ぐことができる。
【０２５６】
ここで、データ保持絶縁膜に順テーパが形成されるようにエッチングされる条件を用いることで、後の工程での素子分離トレンチへのシリコン酸化膜埋め込みをより容易にすることができる。順テーパの角度は半導体基板表面を基準として６０°から８９°の範囲の角度が好ましい。製造方法において、素子分離絶縁膜を埋め込む際に、ゲート電極側壁酸化膜、データ保持絶縁膜、及び半導体基板をすべて順テーパで形成することができるために、素子分離絶縁膜の埋め込み性が向上し、信頼性が向上する。また、ブロック絶縁膜にバーズビークを入れることによってリードディスターブ特性が向上する。
【０２５７】
本実施の形態においては、データ保持絶縁膜の両端は、半導体基板から０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の範囲で突き出していることが信頼性上望ましく、トレンチ内壁に形成した酸化膜の厚さは１ｎｍ以上１６ｎｍ以下の範囲で形成することが好ましい。
【０２５８】
次に必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。
【０２５９】
さらに、ＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜などの堆積方法で、素子分離溝をシリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化する。なお、図７１（Ｂ）に示される工程では、素子分離溝は形成されない。
【０２６０】
次に、図７２に示されるように、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材２１１をウェットエッチングにより除去する。
【０２６１】
次に、図７３に示されるように、ポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極２０６を堆積し、第１ゲート電極２０５と合わせて、メモリセルのゲート電極１９２とする。
【０２６２】
次に、図７４（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極１９２をエッチングする。このとき、ブロック絶縁膜２００、データ保持絶縁膜１９９、トンネル絶縁膜１９８はエッチングしない。なお、図７４（Ａ）に示される断面では、ゲート電極のエッチングは行なわれない。
【０２６３】
次に、図７５（Ｂ）に示されるようにゲート電極１９２を酸化する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２００がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、図７５（Ａ）に示される断面では、ゲート電極の酸化は行なわれない。
【０２６４】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２６５】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は、０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２６６】
次に、図７６（Ｂ）に示されるように、ゲート側壁絶縁膜２１２をマスクとして、ブロック絶縁膜２００、データ保持絶縁膜１９９、トンネル絶縁膜１９８をエッチングする。
【０２６７】
次に、拡散層不純物注入、層間絶縁膜２０１を堆積し、コンタクトプラグ１９３、１９４を形成し、メタル配線（図示せず）等の工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０２６８】
このように、本実施の形態によれば、ゲート電極のエッジ部においてゲート絶縁膜、とくにブロック絶縁膜が厚膜化しているためにデータ読み出し時にゲート絶縁膜に加わる電界をエッジ部において低下させることができるのでリードディスターブ特性が向上する。とりわけ、図６４（Ａ）におけるソース、ドレイン間電流の流れる方向（Ｓ−Ｔ方向）と平行な２辺（素子分離端と接する２辺）で、ゲート絶縁膜が厚膜化していることの効果が大きい。
【０２６９】
本実施の形態ではメモリセルトランジスタの素子領域を定義する４辺全てのエッジ部においてゲート絶縁膜が厚膜化しているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジ部で、ゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚膜化していればよい。
【０２７０】
また、本実施の形態の半導体記憶装置の製造方法によれば、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。さらに、リードディスターブによるメモリセルの閾値変動が小さい半導体装置の製造方法を提供することができる。
【０２７１】
（第６の実施の形態）
本実施の形態の自己整合ＳＴＩを用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルが図７７に示される。図７７（Ａ）には、本形態の半導体装置の上面図が示されていて、素子分離領域２１５に接して、一方側の半導体基板２１６中にソース不純物領域２１７が直線状に左右方向に形成されている。このソース不純物領域２１７に対向して、素子分離領域２１５に接して、他方側の半導体基板２１６中にドレイン不純物領域２１８が形成されている。ソース不純物領域２１７には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはソースコンタクト２１９が形成されている。さらにドレイン不純物領域２１８には、その一部で幅が広く形成されていて、そこにはドレインコンタクト２２０が形成されている。これらソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８の長手方向に直交して、ゲート電極２２０が形成されている。
【０２７２】
また、ゲート電極２２０には、その端部に幅の広い領域が設けられ、そこにはコンタクト２２１が設けられている。このメモリセルではゲート電極２２０の下側の半導体基板２１６の一部がソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８となり、データ読み出し時にはソース不純物領域２１７からドレイン不純物領域２１８へ図７７（Ａ）中の矢印で示されるＹからＺ方向へ流れる電流量によって書き込み状態と消去状態とを判別する。このような構造は、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭやＤＩＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭ等で利用される。
【０２７３】
図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面図が、図７７（Ｂ）に示される。半導体基板２１６上にゲート電極２２０が形成されている。ゲート電極２２０は、トンネル絶縁膜２２２、データ保持絶縁膜（電荷蓄積領域）２２３、ブロック絶縁膜２２４からなるゲート絶縁膜の上に積層されている。半導体基板２１６、ゲート電極２２０の表面上には層間絶縁膜２２５が形成されている。ここでは、ゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部２２６で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜２２２又はブロック絶縁膜２２４が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２２４のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。これは電荷が通過するトンネル酸化膜２２２やデータ保持絶縁膜２２３の膜厚が不均一であると、消去特性やデータ保持特性のばらつきの原因となるのに対して、電荷の通過がないブロック絶縁膜２２４がエッジで厚膜化しても、特性ばらつきの原因とはならないためである。
【０２７４】
また、図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面図が、図７７（Ｃ）に示される。半導体基板２１６中には、素子分離溝２２７が設けられ、その中に素子分離領域２１５が形成されている。素子分離領域２１５の間には、トンネル絶縁膜２２２、データ保持絶縁膜２２３、ブロック絶縁膜２２４からなるゲート絶縁膜及びゲート電極２２０が形成されている。ここでは、ゲート絶縁膜厚がゲート電極のエッジ部２２６で厚くなっていることに特徴があり、このためにリードディスターブ特性が改善する。とくにトンネル絶縁膜２２２またはブロック絶縁膜２２４が厚くなっていることに特徴があり、好ましくはブロック絶縁膜２２４のエッジ部が厚くなっていることが望ましい。
【０２７５】
本メモリセルでは、半導体基板２１６中の上部には図示しない低濃度不純物領域であるウエルが形成されている。半導体基板２１６上に例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜２２２が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜２２２上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持絶縁膜２２３が形成されている。
【０２７６】
さらにこのデータ保持絶縁膜２２３の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２２４が形成されている。このブロック絶縁膜２２４の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなるゲート電極１６６が１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。ここで、素子分離領域２２７の端に接する半導体基板２１６中には、ソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８が形成されている。このソース不純物領域２１７、ドレイン不純物領域２１８は、トンネル絶縁膜２２２の端の下方の素子分離領域２２７下に形成されている。
【０２７７】
不揮発性メモリの読み出し動作においてはゲート電極に読み出し電圧Ｖｒｅｆが加えられるが、読み出し動作を繰り返すのに伴い、Ｖｒｅｆにより作られた電界によって消去状態のセルの閾値が上昇し、書き込み状態のセルとの閾値マージンが減少するリードディスターブという問題がある。
【０２７８】
本実施の形態ではゲート電極２２０のエッジ部２２６，２２８で、ゲート絶縁膜２２２，２２４が厚膜化しているために、Ｖｒｅｆが作る電界がエッジ部２２６，２２８で弱められる。このためにチャネル中央部と比較してエッジ部２２６，２２８でリードディスターブによる閾値変動が抑制される。これは、図７７（Ｂ）、（Ｃ）で示すようにメモリセルを領域▲１▼、▲２▼、▲３▼及び領域▲４▼、▲５▼、▲６▼に分割した場合に、領域▲１▼、▲３▼と領域▲４▼、▲６▼の閾値変動が小さくなることを示している。特にソース、ドレイン間電流が流れる方向である図７７（Ａ）の“Ｙ−Ｚ”線方向と平行な２辺（素子分離端）における閾値変動が小さくなることの効果が大きい。
【０２７９】
このことを図７８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で説明する。図７８（Ａ）には、図７７（Ｂ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図７８（Ｂ）には、図７７（Ｃ）の断面に相当するトランジスタの回路図を示し、図７８（Ｃ）には横軸にゲート電圧、縦軸にドレイン電流を表し、データ保持絶縁膜の状態ごとの電流―電圧特性の変化を示す。図７８（Ａ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼がソース、ドレイン間で並列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼は、図７７（Ｂ）におけるメモリセルトランジスタ▲１▼、▲２▼、▲３▼の領域にそれぞれが対応している。また、図７８（Ｂ）に示される回路図では、ゲートが共通に接続された３つのトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼がソース、ドレイン間で直列に接続された構成が示される。このトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼は、図７７（Ｃ）におけるメモリセルトランジスタ▲４▼、▲５▼、▲６▼の領域にそれぞれが対応している。
【０２８０】
図７８（Ｃ）はメモリセルのドレイン電流Ｉｄ−ゲート電圧特性Ｖｇ特性を示している。消去状態のメモリセルは読み出し時のＶｒｅｆストレスによって閾値が上昇するが、エッジ部▲１▼、▲３▼では電界が弱められているために中央部▲２▼に比べて、閾値変動が小さい。ＭＯＮＯＳ型メモリのように電荷蓄積層として絶縁膜を用いたメモリでは、トラップされた電荷が絶縁膜中をほとんど移動しないので、エッジ部▲１▼▲３▼の閾値は中央部▲２▼と比較して低いままに保たれる。図７８（Ａ）に示すように領域▲１▼、▲２▼、▲３▼はソース-ドレイン間に並列に配置されているので、メモリセルの閾値は、より閾値の低い領域▲１▼、▲３▼によって決定される。このためエッジ部の電界を弱めて▲１▼、▲３▼の閾値変動を抑制することにより、メモリセルの閾値変動を抑制することが可能となる。
【０２８１】
本実施の形態の半導体装置の消去動作、書き込み動作及び読み出し動作は第４の実施の形態の半導体装置と同様である。
【０２８２】
次に、図７７（Ｃ）に示される断面の拡大図を図７９に示す。
【０２８３】
第１ゲート電極２３０と素子分離領域２１５の間には、ポリシリコン側壁絶縁膜２３１が形成されている。さらにこのポリシリコン側壁絶縁膜２３１と素子分離絶縁膜２１５との間には、ゲート側壁絶縁膜２３２が形成されている。このゲート側壁絶縁膜２３２は、データ保持絶縁膜２２３の側面にまで延びて形成されている。また、第２ゲート電極２３３が第１ゲート電極２３０上に形成されていて、ポリシリコン側壁酸化膜２３１、ゲート側壁絶縁膜２３２及び素子分離領域２１５に接する端部２３４では、第２ゲート電極２３３が半導体基板２１６方向へ張り出している。このように、データ保持絶縁膜２２３は第１ゲート電極２３０よりもポリシリコン側壁酸化膜２３１の厚さ分、素子分離領域２１５方向に突き出している。また、ブロック絶縁膜２２４は第１ゲート電極２３０の端部下で、他の部分よりもその厚さが厚く形成されている。
【０２８４】
また、トンネル絶縁膜２２２に接続して、素子分離側壁絶縁膜２３５が素子分離領域２１５と半導体基板２１６との間に形成されている。さらにデータ保持絶縁膜２２３の端部の下方には、ドレイン不純物領域２１７が形成されている。
【０２８５】
図７９に示された構造では、データ保持絶縁膜２２３の端部が、第１ゲート電極２３０に対して突き出しているが、必ずしも第１ゲート電極２３０に対して突き出している必要はない。すなわち、図７７（Ｂ）、（Ｃ）に示されるように、ゲート電極に側壁絶縁膜を形成せず、データ保持絶縁膜２２３の端部がゲート電極２２０に対して突き出さないように構成できる。また、本実施の形態ではメモリセルトランジスタのゲート電極の端部の下方の４辺全てにおいてブロック絶縁膜が厚く形成されているが、４辺のうち少なくとも１辺、好ましくは、ソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺の端部で、ゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚く形成されていればよい。
【０２８６】
このように、本実施の形態の半導体装置によれば、ゲート電極エッジ部下方においてゲート絶縁膜、特にブロック絶縁膜が厚膜化しているためにデータ読み出し時にゲート絶縁膜に加わる電界をゲート電極のエッジ部において低下させることができるのでリードディスターブ特性が向上する。とりわけ、ソース、ドレイン間電流の流れる方向（図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線方向）と平行な２辺（ゲートエッジを定義する２辺）、すなわち、図７７（Ｂ）に示される断面で、ゲート絶縁膜端部が厚膜化していることの効果が大きい。
【０２８７】
次に図８０乃至図８８を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【０２８８】
図８０乃至図８８においては、それぞれ各図の（Ａ）図が図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面、（Ｂ）図が図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面に相当している。
【０２８９】
まず、半導体基板２１６上に犠牲酸化膜（図示せず）を形成した後、チャネル不純物やウエル不純物の注入を行い、犠牲酸化膜を剥離する。
【０２９０】
次に、図８０（Ａ）及び図８０（Ｂ）に示されるように、半導体基板２１６上に例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等のトンネル絶縁膜２２２、例えば３〜３０ｎｍ程度の厚さのシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁膜により、データ保持絶縁膜２２３を順次形成する。さらに例えば１〜１５ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等により、ブロック絶縁膜２２４を形成する。さらにその上に、例えばポリシリコン等により、第１ゲート電極２３０を１０〜１００ｎｍ程度の厚さで堆積する。さらにシリコン窒化膜等の絶縁膜を１０〜２００ｎｍ程度の厚さで堆積してマスク材２４０を形成する。
【０２９１】
次に、図８１（Ａ）に示される工程において、フォトリソグラフィーによって素子分離領域のパターンニングを行った後、マスク材２４０、第１ゲート電極２３０、ブロック絶縁膜２２４、データ保持絶縁膜２２３及びトンネル絶縁膜２３２を異方性エッチングにより加工する。なお、図８１（Ｂ）に示される断面では、エッチングは行なわれない。
【０２９２】
次に、図８２（Ａ）に示されるように、マスク材２４０をマスクに半導体基板２１６中に拡散層不純物を注入して、ソース、ドレイン不純物領域２１７、２１８を形成する。続いて、第１ゲート電極２３０を酸化する。このとき酸化剤がゲート電極エッジに入り込みブロック絶縁膜２２４がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。なお、この工程において、図８２（Ｂ）に示される断面では、不純物注入や酸化は行なわれない。
【０２９３】
ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得る酸化膜厚は、ゲート電極側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０２９４】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は。０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。
【０２９５】
次に、図８３（Ａ）に示されるようにシリコン酸化膜等の絶縁膜を例えば５〜５０ｎｍ程度の厚さで堆積した後、異方性エッチングによってエッチバックし、ゲート側壁絶縁膜２４２を形成し、これをマスクとして半導体基板２６１を異方性エッチングにより加工し、素子分離溝２２７を形成する。ここで、形成される素子分離溝２２７の深さは例えば約５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。なお、図８３（Ｂ）に示される断面では、素子分離溝は形成されない。このようにゲート側壁絶縁膜２４２を形成することで、チャネル端にソース、ドレイン不純物領域２１７，２１８を残すことができる。この残されたソース、ドレイン不純物領域２１７，２１８の幅は、残されたゲート側壁絶縁膜２４２の幅に対応して制御できる。
【０２９６】
次に、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行った後、図８４（Ａ）に示されるように、素子分離溝２２７をＨＤＰ−ＳｉＯ２やＴＥＯＳなどのシリコン酸化膜などの堆積方法で、シリコン酸化膜等の絶縁膜で埋め込み、ＣＭＰ法によって平坦化した後、ＣＭＰ法のストッパであるマスク材２４０をウェットエッチングにより除去する。また、図８４（Ｂ）に示される断面においては、マスク材２４０を除去して、第１ゲート電極２３０の上表面を露出させる。
【０２９７】
次に、図８５に示されるように、例えばポリシリコンやＷＳｉとポリシリコンとのスタック構造、または、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、またはシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第２ゲート電極２３３を堆積し、第1ゲート電極２３０と合わせて、メモリセルのゲート電極２２０とする。
【０２９８】
次に、図８６（Ｂ）に示されるようにフォトリソグラフィーによってゲートのパターンを形成し、異方性エッチングによってゲート電極２２０をエッチングする。この際、通常の場合、ブロック絶縁膜２２４はわずかにエッチングされるが、データ保持絶縁膜２２３はエッチングしないようにする。さらに、必要に応じてエッチングダメージ回復のための熱処理を行ってもよい。また、この工程の後に、例えば、２ｎｍから２０ｎｍの範囲で、第１ゲート電極を酸化することによって、ダメージ回復を行っても良い。なお、図８６（Ａ）に示される断面においては、ゲート電極２２０はエッチングされない。
【０２９９】
次に、図８７（Ｂ）に示されるように、ゲート電極２２０を酸化してゲート側壁絶縁膜２４１を形成する。このとき酸化剤がゲート電極２２０のエッジに入り込みブロック絶縁膜２２４がエッジ部で厚膜化するように酸化条件を調整する。ここで、メモリセルのゲート幅をＬWとすると、バーズビークによって厚膜化しないブロック絶縁膜２２４を残し、均一な書き込み消去状態を実現する必要がある。このため、バーズビークの進入長はＬWの１／２以下である必要がある。この進入長を得るブロック絶縁膜２２４の酸化膜厚は、ゲート電極２２０の側壁部の酸化膜厚増分をＬWの１／４より小さくする必要がある。
【０３００】
よって、ＬWを０．２μｍ以下に微細化した場合、酸化膜厚増分を５０ｎｍより小さくする必要がある。一方、側壁酸化量が２０ｎｍ以下の場合、酸化膜厚増分は、側壁酸化量の１／４程度である。ここで、素子分離膜形成のダメージ領域を回避するために２ｎｍ以上の側壁酸化が必要であり、端部で厚膜化する酸化膜厚増分は。０．６ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にすることが望ましい。なお、図８７（Ａ）に示される断面では、ゲート側壁絶縁膜２４１は形成されない。
【０３０１】
次に、図８８（Ｂ）に示されるように、ゲート電極２２０及びゲート側壁絶縁膜２４１をマスクとして、ゲート電極２２０下方以外の領域の半導体基板２１６上のブロック絶縁膜２２４、データ保持絶縁膜２２３、及びトンネル絶縁膜２２２をエッチングする。次に、層間絶縁膜２１５を露出表面上に堆積し、層間絶縁膜２１５中にコンタクトプラグ２２１を形成し、メタル配線（図示せず）等を形成する工程を経て不揮発性メモリセルを完成させる。
【０３０２】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、第５の実施の形態同様の半導体装置の製造方法の効果を得ることができる。
【０３０３】
（第６の実施の形態の変形例）
本変形例では、図８９に示されるようにバーチャルグラウンドアレイセル構造を実現する。図８９は、図７７（Ｃ）に示される断面に対応した構造を拡大して示している。ここでは、第６の実施の形態と異なり、素子分離領域１９０を設けておらず、代わりに例えばＰ型高濃度不純物領域２４５が半導体基板２１６中に設けられている。このＰ型高濃度不純物領域２４５に隣接して、半導体基板２１０中にソース拡散層２１７が形成されている。また、Ｐ型高濃度不純物領域２４５上には、シリコン酸化膜２４６を介して層間絶縁膜２１５が形成されている。半導体基板２１６上には、トンネル絶縁膜２２２が形成されている。このトンネル絶縁膜２２２及びこのトンネル絶縁膜２２２に接するシリコン酸化膜２４６上の一部には、データ保持絶縁膜２２３が形成されている。このデータ保持絶縁膜２２３上には、ブロック絶縁膜２２４が形成されている。このブロック絶縁膜２２４上には、第１ゲート電極２３０及び第２ゲート電極２３３が積層されている。
【０３０４】
この第１ゲート電極２３０及び第２ゲート電極２３３の側壁には、ゲート電極側壁絶縁膜２３２が形成されて、第１ゲート電極２３０のエッジ部下で、ゲート電極側壁絶縁膜２３２とブロック絶縁膜２２４を合わせた厚さがエッジ部以外におけるブロック絶縁膜２２４の厚さよりも厚く形成されている。また、第１ゲート電極２３０のエッジよりもデータ保持絶縁膜２２３は、図８９中で左右方向に突き出して形成されている。
【０３０５】
この半導体装置の製造方法は、第６の実施の形態の半導体装置の製造方法において、図８３（Ａ）に示される半導体基板をエッチングする工程は、バーチャルグラウンドアレイセル構造を実現するためには、必ずしも必要ではなく、半導体基板２１６の表面からマスク材２４０の高さまで絶縁膜を埋め込むプロセスで代用できる。
【０３０６】
その後、さらに、図８３（Ａ）に示される工程に替えて、図８９に示されるように、隣接する第２のゲート電極間の素子分離を良好とするために,例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を１０11ｃｍ-2から１０14ｃｍ-2の範囲で注入してもよい。この際、ソース及びドレイン電極部分は、素子分離膜又は側壁絶縁膜が上部にもあらかじめ形成されているので、Ｐ型不純物のイオンが素子分離膜で止まるように制限することにより、Ｎ型ソース及びドレイン電極にはＰ型不純物の混入を行わないように制限できる。このＰ型不純物のイオン注入エネルギーとしては、１ｅＶから１００ｅＶの範囲とする。また、この際、Ｐ型不純物注入イオンの電荷蓄積膜に導入されるダメージをゲート電極側壁絶縁膜によって分離することができ、より高信頼性のメモリセルを実現できる。
【０３０７】
このような形状のバーチャルグラウンドアレイセルでは、絶縁物埋め込みによる素子分離領域に替えて、Ｐプラス拡散層又はＮプラス拡散層を形成し、それぞれが素子分離の役割を果たしている。ここでは、Ｎプラス拡散層がビット線になったり、ソース線になったりして固定されていない。
【０３０８】
本変形例は、第６の実施の形態と同様の効果を有し、さらに、隣接するゲート電極間の素子分離を良好とするために、例えば、ボロンやインジウムからなるＰ型不純物を添加した場合には、エッジ部分の反転層形成を抑え、さらに接するメモリセル間のチャネル間の耐圧ばらつきや電流漏れの問題発生を低減できる。
【０３０９】
（第７の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の構造を図９０及び図９１に示す。本実施の形態では先の第３の実施の形態及び第５の実施の形態の特徴を持つメモリセルで、代表的な不揮発性記憶装置の一種であるＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを構成している。
【０３１０】
ここで、図９０（Ａ）には、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの等価回路図、図９０（Ｂ）には、メモリセルの平面図が示される。ここで、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭでは、ソース線コンタクトとビット線コンタクトの間にゲートにＳＳＬ信号線が入力されたソース選択トランジスタＳ１及びゲートにＧＳＬ信号線が入力されたソース選択トランジスタＳ２を介して、メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５が直列に配置されていて、１つのＮＡＮＤメモリセルブロックを構成している。各メモリセルトランジスタのゲート電極（制御ゲート）はデータ選択線（ワード線）ＷＬ０〜ＷＬ１５に接続されている。また、各メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のバックゲートはウエル電位が与えられている。
【０３１１】
また、図９０（Ｂ）に示されるように、図中で上下方向に一定間隔を置いて、互いに平行に直線状に複数本のビット線ＢＬが配置されている。このビット線ＢＬに直交して、互いに平行に複数のワード線がビット線の下方に配置されている。各ワード線ＷＬ０〜ＷＬ１５の間には、ビット線下以外において、素子分離領域２５０が形成されて、ソース・ドレイン領域２５１が絶縁分離されている。ビット線ＢＬのＳＳＬ信号線に隣接したソース・ドレイン領域２５１には、ビット線コンタクト２５２が形成されている。また、ビット線ＢＬのＧＳＬ信号線に隣接したソース・ドレイン領域２５１には、接地電位が与えられるＳＬコンタクト２５３が接続されている。
【０３１２】
さらに、図９１（Ａ）には、ワード線に平行に切ったときのロウ方向のメモリセルの断面図（図９０（Ｂ）における“III―IV”線上での断面図）、図９１（Ｂ）には、ワード線に垂直に切ったときのカラム方向のメモリセルの断面図（図９０（Ｂ）における“I−II”線上での断面図）を示す。
なお、図９０においては、１つのＮＡＮＤブロック中のメモリセルトランジスタの数は１６個であり、また、選択トランジスタはメモリセルと異なるＭＯＳ構造をとっているが、１つのＮＡＮＤブロック中のメモリセルの数は１６個に限定されず、また、選択トランジスタはメモリセルと同じＭＯＮＯＳ構造をとっていても良い。図９０に示された構造は、第３の実施の形態と第５の実施の形態の半導体装置の構造を組み合わせたものである。
【０３１３】
図９１（Ａ）に示されるように、本メモリセルでは、半導体基板２５５上に、Ｎ型ウエル２５６が形成され、このＮ型ウエル２５６上には、Ｐ型ウエル２５７が形成されている。このＰ型ウエル２５７中には、素子分離溝２５８が設けられ、この素子分離溝２５８中には、絶縁物が埋めこまれて、複数の素子分離領域２５９が形成されている。この複数の素子分離領域２５９間のＰ型ウエル２５７上には、例えば膜厚が１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等からトンネル絶縁膜２６０が形成されている。さらに、このトンネル絶縁膜２６０上には、膜厚が例えば３〜３０ｎｍ程度のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、Ｔａ2Ｏ5膜、ＴｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜等の絶縁膜でデータ保持膜２６１が形成されている。
【０３１４】
さらにこのデータ保持膜２６１の上には、膜厚が例えば１〜１５ｎｍ程度のシリコン酸化膜やシリコン酸窒化膜等でブロック絶縁膜２６２が形成されている。このブロック絶縁膜２６２の上には、例えばポリシリコンやＷＳｉ（タングステンシリサイド）とポリシリコンとのスタック構造、又は、ＮｉＳｉ，ＭＯＳｉ，ＴｉＳｉ，ＣｏＳｉとポリシリコンのスタック構造、金属とポリシリコンのスタック構造、又はシリコンの金属化合物や金属の単層構造からなる第１ゲート電極２６３及び第２ゲート電極２６４の積層構造からなるワード線ＷＬが１０ｎｍから５００ｎｍの厚さで形成されている。この第２ゲート電極２６４上には、第１層間絶縁膜２６５が形成されている。この第１層間絶縁膜２６５上方内には、複数のビット線ＢＬが形成されている。このビット線ＢＬ及び第１層間絶縁膜２６５上には、第２層間絶縁膜２６６が形成されている。
【０３１５】
ここで、データ保持絶縁膜２６１は、その端部が素子分離領域２５９内に突き出して形成されている。また、ブロック絶縁膜２６２は、素子分離領域２５９に接する端部で、その厚さが他の部分よりも厚く形成されている。
【０３１６】
ここで、データ保持絶縁膜２６１の突き出し長さ及びブロック絶縁膜の厚膜化の程度は、先に説明した第３の実施の形態及び第５の実施の形態と同様である。
【０３１７】
図９１（Ｂ）に示される断面においては、メモリセルトランジスタは、Ｐ型ウエル２５７上に、互いに分離されて複数形成されたトンネル絶縁膜２６０、その上のデータ保持絶縁膜２６１、その上のブロック絶縁膜２６２の上に形成されている。ここで、ゲート電極周囲には、ゲート電極側壁絶縁膜２６７が形成されている。このゲート電極側壁絶縁膜２６７の幅の分だけ、ブロック絶縁膜２６２の幅は、トンネル絶縁膜２６０及びデータ保持絶縁膜２６１の幅よりも狭く形成されている。各ゲート電極間のＰ型ウエル２５７中の上表面付近にはソース、ドレイン領域２５１が形成されている。
【０３１８】
メモリセル列の一方の端部の選択トランジスタＳ１は、Ｐ型ウエル２５７上に設けられたゲート絶縁膜２６８上に第１ゲート電極２６９及び第２ゲート電極２７０の積層構造で形成され、その周囲にはゲート側壁絶縁膜２７１が形成されている。ゲート絶縁膜２６８は、第１ゲート電極２６９のエッジ下でその厚さが他の部分の厚さよりも厚く形成されている。この選択トランジスタＳ１の幅は、メモリセルトランジスタの幅よりも大きく形成されている。この選択トランジスタＳ１の端のＰ型ウエル２５７中のソース・ドレイン領域２５１には、ビット線コンタクト２５２が接続されている。このビット線コンタクト２５２は第１層間絶縁膜２６５中に設けられて、ビット線ＢＬに接続されている。
【０３１９】
メモリセル列の他方の端部の選択トランジスタＳ２は、Ｐ型ウエル２５７上に選択トランジスタＳ１と同様に形成されている。この選択トランジスタＳ２の端のＰ型ウエル２５７中のソース・ドレイン領域２５１には、ソース線コンタクト２５３が接続されている。このソース線コンタクト２５３は第１層間絶縁膜２６５中に設けられて、第１層間絶縁膜２６５中に設けられたソース線２７２に接続されている。
【０３２０】
次に、本実施の形態の半導体装置の動作を説明する。消去動作は例えばゲート電極を０Ｖとした状態で半導体基板に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板から電荷蓄積領域にホールを注入することで行われる。またはソース電位に対してドレイン電位を負にバイアスしてチャネルで加速されたホットホールを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。またはウエル電位に対してソース電位及びドレイン電位を正にバイアスして不純物領域とウエル間のジャンクションでホットホールを発生させ、さらにゲート電極をウエル電位に対して負にバイアスすることでホットホールを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０３２１】
書き込み動作は例えば半導体基板を０Ｖとして状態でゲート電極に高電圧（例えば１０〜２５Ｖ）を印加して、半導体基板からトンネル絶縁膜を介して電荷が移動し、電荷蓄積領域に電子を注入することで行われる。又はソース電位に対してドレイン電位を正にバイアスしてチャネルで加速されたホットエレクトロンを発生させ、さらにゲート電極をソース電位に対して正にバイアスすることでホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入することで行われる。
【０３２２】
読み出し動作では、ドレインコンタクトに接続されたビット線をプリチャージした後にフローティングにし、読み出し選択されたメモリセルのゲート電極の電圧を読み出し電圧Ｖｒｅｆ、ソース線を０Ｖとして、メモリセルに電流が流れるか否かをビット線で検出することにより行われる。読み出し選択されないメモリセルの制御ゲートの電圧を非選択読み出し電圧Ｖｒｅａｄとする。選択トランジスタＳ１、Ｓ２のゲート電圧を電源電圧Ｖｃｃ、ソース線を０Ｖとする。読み出し選択されたメモリセルに電流が流れるか否かをビット線ＢＬで検出することにより行われる。すなわち、図９２に示されるように、読み出される選択メモリセルＭ２のゲートには、Ｖｒｅｆが与えられ、他の非読み出しメモリセルＭ０，Ｍ１，Ｍ３〜Ｍ１５のゲートには、Ｖｒｅａｄが与えられる。また、選択ゲートＳ１，Ｓ２のゲートにはＶｄｄが与えられる。
【０３２３】
すなわち、メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも大きい、書き込み状態ならばメモリセルはオフになるのでビット線はプリチャージ電位を保つ。これに対して選択メモリセルの閾値ＶｔｈがＶｒｅｆよりも小さい消去状態ならばメモリセルはオンするのでビット線の電位はプリチャージ電位からΔＶだけ低下する。この電位変化をセンスアンプで検知することによってメモリセルのデータが読み出される。電荷蓄積絶縁膜中の電荷量が変化することでメモリセルの閾値電圧が変化し、これを検出することでデータを読み出すことができる。
【０３２４】
ここで，Ｖｒｅｆは書き込み状態の閾値と消去状態の閾値の中間の電圧であり、Ｖｒｅａｄは書き込み状態の閾値よりも高い電圧、Ｖｄｄは選択トランジスタの閾値よりも高い電圧である。
【０３２５】
ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの読み出しでは上記のように読み出し非選択ワード線に書き込み閾値よりも高い電圧Ｖｒｅａｄが加えられるため、第５及び第６の実施の形態で述べたような電圧Ｖｒｅｆを用いた場合と比較して、リードディスターブによる閾値変動が大きい。
【０３２６】
これに対し、本実施の形態の半導体装置ではゲート電極のエッジ部の下でブロック絶縁膜を厚膜化しているために、エッジ部でＶｒｅａｄによる電界が弱められ、消去閾値の上昇が小さい。電荷蓄積領域としてデータ保持絶縁膜を使用している場合、データ保持絶縁膜中を電荷は移動しないので、チャネル中央部の閾値がリードディスターブによって上昇してもエッジ部の閾値は低いままである。特に読み出し電流の流れる方向と平行な２辺、つまり素子分離端における閾値が低いままで抑えられることによって、メモリセルの閾値も低いままに抑えられるためＶｒｅａｄストレスによる消去閾値の上昇という課題を解決できる。
【０３２７】
また、本実施の形態では、データ保持絶縁膜の両端が素子分離領域端やゲート電極のエッジに対して突き出した形状となっている。このため、加工時のダメージにより電荷保持特性が劣化したデータ保持絶縁膜の両端部を、電荷蓄積領域としても、トランジスタのゲート絶縁膜としても使用することが無いので、メモリセルの信頼性が向上する。特に、読み出し電流の流れる方向と平行な２辺、つまり素子分離端において、データ保持絶縁膜が突き出していることによって、ゲート電極のエッジにおける電荷抜けによる閾値低下が、メモリセルの閾値低下として検知される不具合を解決することができる。
【０３２８】
さらに、本実施の形態の半導体装置では隣接するメモリセル間でデータ保持絶縁膜を共有していないので、絶縁膜を電荷が移動することでメモリセル間に電荷のやり取りが生じて、メモリセルの閾値が変動するという不具合を解決している。
【０３２９】
上記のように、第１の実施の形態及び第３の実施の形態の特徴を持つメモリセルをＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭに対して適用した例を説明したが、適用の範囲はこれに限定されない。すなわち、第３乃至第６の実施の形態のどの特徴をもつメモリセルを用いても良いし、第３乃至第６の実施の形態の特徴の一部のみを持つメモリセルを用いても良い。
【０３３０】
（第７の実施の形態の変形例）
本実施の形態は適用するＥＥＰＲＯＭはＮＡＮＤ型に限定されものではない。すなわち、本変形例である図９３（Ａ）に示される等価回路図及び読み出し動作状態の電位を示したＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭであってもよい。すなわち、ビット線ＢＬにソースが接続された選択トランジスタＳ１のドレインに１つのメモリセルを構成するメモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のそれぞれのドレインが共通に接続されている。メモリセルトランジスタＭ０〜Ｍ１５のソースは、互いに共通に接続され、かつ、選択トランジスタＳ２のドレインに接続されている。この選択トランジスタＳ２のソースは共通ソース線Ｓｏｕｒｃｅに接続されている。ここで、読み出し時には、読み出し選択されたメモリセルトランジスタＭ２のゲートには、Ｖｒｅｆが入力され、他のメモリセルトランジスタＭ０，Ｍ１、Ｍ３〜Ｍ１５のゲートには、Ｖｒｅａｄが入力される。選択トランジスタＳ１、Ｓ２のゲートには、Ｖｄｄが入力される。
【０３３１】
また、図９３（Ｂ）に示される等価回路図及び読み出し動作を示したＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭであっても良い。第１ビット線ＢＬ１には、メモリセルトランジスタＭ１のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ１のソースには、メモリセルトランジスタＭ２のドレインが接続され、さらにこのメモリセルトランジスタＭ２のソースには、メモリセルトランジスタＭ３のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ３のソースには、ソース電位ＶＳＬが入力される。また、隣接するビット線ＢＬ２にメモリセルトランジスタＭ４のドレインが接続される。このメモリセルトランジスタＭ４のソースには、メモリセルトランジスタＭ５のドレインが接続され、さらにこのメモリセルトランジスタＭ５のソースには、メモリセルトランジスタＭ６のドレイン及びビット線ＢＬ２が接続される。このメモリセルトランジスタＭ６のソースには、ソース電位ＶＳＬが入力される。
【０３３２】
ここで、読み出し選択された選択メモリセルトランジスタＭ２及び隣接するビット線に接続されたメモリセルトランジスタＭ５のゲートには、Ｖｒｅｆ電位が与えられ、読み出し選択された選択メモリセルトランジスタＭ２のソースには、選択ビット線ＢＬ１が接続されている。また、メモリセルトランジスタＭ１、Ｍ４のソースには、ＶＳＬ電位が与えられる。さらに、メモリセルトランジスタＭ１，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ６のゲートには、Ｖｒｅａｄ電位が与えられる。
【０３３３】
また、図示はしないがＤＩＮＯＲ型等、他の種類のＥＥＰＲＯＭでも適用可能である。なお、バーチャルグラウンドアレイ構造のＥＥＰＲＯＭであってもよい。ＡＮＤ型の場合は、第４又は、第６の実施の形態の構造の半導体装置が適用される。ＮＯＲ型の場合は、第３又は、第５の実施の形態の構造の半導体装置が適用される。また、バーチャルグランドアレイ型の半導体装置では、第３乃至第６の実施の形態の半導体装置が適用される。
【０３３４】
どの種類のＥＥＰＲＯＭにおいても、データ保持絶縁膜の両端がゲート電極又は半導体基板又はその両方に対して突き出していることで、ゲート電極のエッジにおけるデータ保持特性の劣化を解決する。また、特に読み出し電流の流れる方向と平行な２辺においてデータ保持絶縁膜の両端が突き出していることで、ゲート電極のエッジにおける閾値の低下がメモリセルの閾値低下として検知される問題を解決する。すなわち、製造工程中でダメージを受けたデータ保持絶縁膜がチャネル領域内に存在しないことで、閾値低下を防止して、データ保持特性を向上することができる。
【０３３５】
さらに、ゲート絶縁膜、好ましくはデータ保持絶縁膜とゲート電極間に配置されたブロック絶縁膜の膜厚がゲート電極のエッジ部において厚膜化することでデータ読み出し時のゲート電圧ストレスによる、閾値変動をゲート電極のエッジ部において抑制することができる。特に、読み出し電流の流れる方向と平行な２辺においてゲート絶縁膜、好ましくはブロック絶縁膜が厚膜化していることで、ゲート電極のエッジ部での閾値変動抑制が、メモリセルの閾値変動抑制として検知されるのでメモリセルのリードディスターブ特性を改善する。特に弱い電界を与えた時に閾値が高くなるのを防ぐことができる。
【０３３６】
ここで、データ保持絶縁膜の突き出し長さ及びブロック絶縁膜の厚膜化の程度は先に説明した第４の実施の形態及び第６の実施の形態と同程度である。
【０３３７】
また、隣り合うメモリセル間でデータ保持絶縁膜を切断することで、メモリセル間の電荷のやり取りに起因する閾値変動を防ぐことができる。
【０３３８】
上記の第３の実施の形態乃至第６の実施の形態においては、理解を容易にするためにコンタクト電極をトランジスタごとに形成した例が示されているが、本実施の形態のように、コンタクト電極をトランジスタごとに形成せず、例えばゲート電極やドレイン電極によって、直列又は並列に接続することでも構成できる。
【０３３９】
【発明の効果】
本発明によれば、素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供できる。さらに、本発明によれば、素子領域を定義する４辺のうちソース、ドレイン間電流の流れる方向と平行な２辺のエッジでの電荷保持特性劣化を抑制した信頼性の高い半導体装置を提供できる。さらに、本発明によれば、ゲート電極のエッジ部での書き込み消去特性やデータ保持特性のばらつき並びに閾値変動を抑制する半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態におけるメモリ部の構成を表すロウ方向の断面図。
【図２】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリ部の構成を表すロウ方向の断面図。
【図３】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリ部のロウ方向のシャロートレンチ素子分離領域エッジ部の拡大図。
【図４】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの領域ごとの書き込み状態における電圧電流特性図。
【図５】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの書き込み状態における電圧電流特性図。
【図６】 第１の実施の形態におけるプロトタイプのメモリセルトランジスタの書き込み消去状態における電圧電流特性図。
【図７】 第１の実施の形態における高電圧トランジスタのロウ方向の断面図。
【図８】 第１の実施の形態における低電圧トランジスタのロウ方向の断面図。
【図９】 第１の実施の形態におけるメモリ部の構成を表す平面図。
【図１０】 第１の実施の形態におけるメモリ部のカラム方向の断面図。
【図１１】 第１の実施の形態におけるメモリ部のＮＡＮＤストリングを表す回路図。
【図１２】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１３】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１４】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１５】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１６】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１７】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１８】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図１９】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２０】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２１】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２２】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２３】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２４】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２５】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２６】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２７】 （ａ）は、第１の実施の形態におけるメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態における低電圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図であり、（ｃ）は、第１の実施の形態における高耐圧トランジスタの製造方法の一工程を表すロウ方向の断面図である。
【図２８】 第２の実施の形態におけるメモリ部の構成を表すカラム方向の断面図。
【図２９】 第２の実施の形態におけるメモリ部のＮＡＮＤストリングを表す回路図。
【図３０】 （Ａ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図３０（Ａ）における“Ｃ−Ｄ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第３の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図３０（Ａ）における“Ｅ−Ｆ”線上での断面図である。
【図３１】 （Ａ）は、第３の実施の形態のプロトタイプの半導体装置に対応する図３０（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態のプロトタイプの半導体装置に対応する図３０（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第３の実施の形態のプロトタイプに対応する半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図３２】 （Ａ）は、第３の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態における半導体装置を表す図３２（Ａ）における“Ｇ−Ｈ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第３の実施の形態における半導体装置を表す図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面図である。
【図３３】 （Ａ）は、第３の実施の形態に対応する図３２（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に対応する図３２（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は、図３３（Ａ）を単純化して表した等価回路図であり、（Ｄ）は、図３３（Ｂ）を単純化して表す等価回路図である。
【図３４】 第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図３２（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図３５】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３６】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３７】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３８】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図３９】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４０】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４１】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４２】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４３】 （Ａ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｇ−Ｈ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図４４】 図３２（Ａ）における“Ｉ−Ｊ”線上での断面の一部に相当する第３の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図４５】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４６】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４７】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４８】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図４９】 第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｉ−Ｊ”線上での断面に対応して表す断面図。
【図５０】 （Ａ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図５０（Ａ）における“Ｋ−Ｌ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置を表す図５０（Ａ）における“Ｍ−Ｎ”線上での断面図である。
【図５１】 （Ａ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置に対応する図５０（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置に対応する図５０（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第４の実施の形態におけるプロトタイプの半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図５２】 （Ａ）は、第４の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態における半導体装置を表す図５２（Ａ）における“Ｏ−Ｐ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態における半導体装置を表す図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面図である。
【図５３】 （Ａ）は、第４の実施の形態に対応する図５２（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、図５３（Ａ）を単純化して表した等価回路図であり、（Ｃ）は、第４の実施の形態に対応する図５２（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｄ）は、図５３（Ｃ）を単純化して表す等価回路図である。
【図５４】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５５】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５６】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５７】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５８】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図５９】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６０】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６１】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図３２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６２】 （Ａ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｑ−Ｒ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図５２の“Ｏ−Ｐ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６３】 図５２（Ａ）における“Ｑ−Ｒ”線上での断面の一部に相当する第４の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図６４】 （Ａ）は、第５の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態における半導体装置を表す図６４（Ａ）における“Ｓ−Ｔ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第５の実施の形態における半導体装置を表す図６４（Ａ）における“Ｕ−Ｖ”線上での断面図である。
【図６５】 （Ａ）は、第５の実施の形態に対応する図６４（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に対応する図６４（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第５の実施の形態における半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図６６】 第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図６４（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図６７】 第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図６４（Ｂ）の一部を拡大した断面図。
【図６８】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図６９】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７０】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７１】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７２】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７３】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７４】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７５】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７６】 （Ａ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｓ−Ｔ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図６４の“Ｕ−Ｖ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図７７】 （Ａ）は、第６の実施の形態における半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態における半導体装置を表す図７７（Ａ）における“Ｗ−Ｘ”線上での断面図であり、（Ｃ）は、第６の実施の形態における半導体装置を表す図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面図である。
【図７８】 （Ａ）は、第６の実施の形態に対応する図７７（Ｂ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に対応する図７７（Ｃ）における断面に対応する等価回路図であり、（Ｃ）は第６の実施の形態における半導体装置のドレイン電流とゲート電圧の特性を表す図である。
【図７９】 第６の実施の形態に係る半導体装置の断面図である図７８（Ｃ）の一部を拡大した断面図。
【図８０】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８１】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８２】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８３】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８４】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８５】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８６】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８７】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８８】 （Ａ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｙ−Ｚ”線上での断面に対応して表す断面図であり、（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を図７７の“Ｗ−Ｘ”線上での断面に対応して表す断面図である。
【図８９】 図７７（Ａ）における“Ｙ−Ｚ”線上での断面の一部に相当する第６の実施の形態の変形例における半導体装置を表す断面図。
【図９０】 （Ａ）は、第７の実施の形態における半導体装置の１つのメモリセルを表す回路図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態における半導体装置のメモリセル構造を表す上面図である。
【図９１】 （Ａ）は、第７の実施の形態の半導体装置において、図９０（Ｂ）における“III―IV”線上での断面に相当する断面図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態の半導体装置において、図９０（Ｂ）における“I―II”線上での断面に相当する断面図である。
【図９２】 第７の実施の形態の半導体装置の１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図。
【図９３】 （Ａ）は、第７の実施の形態の変形例の半導体装置において、ＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図であり、（Ｂ）は、第７の実施の形態の変形例の半導体装置において、ＮＯＲ型ＥＥＰＲＯＭの１つのメモリセルの読み出し状態を表す回路図である。
【図９４】 従来の選択熱酸化方法により形成された浅溝素子分離によるＭＯＮＯＳ（金属―酸化シリコン膜―窒化シリコン膜―酸化シリコン膜―半導体）メモリセルの断面図。
【符号の説明】
１、１１７、１３７、１６１、１９７、２１６、２５５ 半導体基板（ウエル）
２、１３、２１、２６ シャロートレンチ素子分離領域
３、１０、１１８、１４０、１７２、１９８、２２２、２６０ トンネル絶縁膜
４、１１ 電荷蓄積層
５、１２、１２０、１４２、１７４、２００、２２４、２６２ ブロック絶縁膜
６、１１２、１３２、１６６、１９２、２２０ ゲート電極
７ バーズビーク部
８、９ 突出部
１４、２２、２７、１３８、１７０、２０５、２３０、２６３、２６９ 第１ゲート電極
１５、２３、２８、１３９、１７１、２０６、２３３、２６４、２７０ 第２ゲート電極
１６、２４、２９ ゲートキャップ絶縁膜
１７ 層間膜
１８、４３ ビット線
１９ 保護膜
２０、２５、２６８ ゲート絶縁膜
３０，２５１ ソース・ドレイン領域
３１、３２ バリア絶縁膜
４０ データ選択線（ワード線）
４１ ビット線選択信号線（ＳＳＬ）
４２ 共通ソース線選択信号線（ＧＳＬ）
４４ ビット線コンタクト
４５ ソース線コンタクト
４６ ビット線引き出しコンタクト
４７ ビット線引き出し配線
４８ ソース線配線
５０、５１ 選択トランジスタ
５２ メモリセルトランジスタ
５５、６６、７２、７３ レジスト
５６ ストッパ膜
５７、１５０、１８０、２１１、２４０ マスク材
５８、５９、６０ 素子分離溝（トレンチ溝）
６１、７１ シリコン酸化膜
６２、６３、６４ 素子分離絶縁膜（埋め込み材）
６５、６７ 窪み
６８、６９、７０ ゲート電極材料
１１０、１３０、１６０、１９０、２１５、２５０、２５８ 素子分離領域
１１１、１３１、１９１ 素子領域
１１３、１３３、１９３、２１９ コンタクト
１１４、１３４、１６７、１９４、２２１ ゲートコンタクト
１１５、１３５、１５５、１６２、１９５、２１７ ソース不純物領域
１１６、１３６、１５６、１６３、１９６、２１８ ドレイン不純物領域
１１９、１４１、１７３、１９９、２２３、２６１ データ保持絶縁膜
１２１、１４４、１７６、２０１、２２５ 層間絶縁膜
１２２、１４５、１５１、１７７、２０３、２２７、２５９ 素子分離溝
１２３、１２４、２０２、２０４、２２６、２２８ エッジ領域
１４３、１７５、１８１、２４１、２４２、２６７、２７１ ゲート側壁絶縁膜
１４６、２０７、２３５ 素子分離側壁酸化膜
１４７、２０８ ポリシリコン側壁酸化膜
１４８、２０９、２３４ 端部
１５２ 第１ゲート電極側壁酸化膜
１５３ 素子分離側壁絶縁膜
１５７、１６４ ソースコンタクト
１５８、１６５ ドレインコンタクト
１８５、２４５ Ｐ型高濃度領域
２１０、２４６ シリコン酸化膜
２１２ 後酸化膜
２３２ ポリシリコン側壁絶縁膜
２５２ ビット線コンタクト
２５３ ＳＬコンタクト
２５６ Ｎウエル
２５７ Ｐウエル
２６５ 第１層間絶縁膜
２６６ 第２層間絶縁膜
２７２ ソース線
Claims (18)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
この半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成され、上表面端部に窪みを有するシャロートレンチ素子分離領域と、
前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面をチャネル領域とする一対のソース・ドレイン領域と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
前記半導体基板上に形成された前記ゲート絶縁膜は、その膜厚が前記チャネルの中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、シリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、または、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜と
前記第１絶縁膜上に形成された、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第２絶縁膜とを有し、
この第２絶縁膜の膜厚が、チャネル中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板上に形成したシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、または、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜とを有し、
この第３絶縁膜の膜厚が、チャネル中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は前記半導体基板上に形成したシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、または、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されたシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第２絶縁膜とを有し、前記第１絶縁膜、第２絶縁膜及び第３絶縁膜の膜厚が、チャネル中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 前記シャロートレンチ素子分離領域上には、前記第１絶縁膜を介在させずに前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項２乃至４いずれか１項記載の半導体装置。
- 前記シャロートレンチ素子分離領域によってはさまれた部分の前記半導体基板の幅が、前記シャロートレンチ素子分離領域によってはさまれた部分の前記ゲート電極の幅と等しいかより小さいことを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の半導体装置。
- 前記シャロートレンチ素子分離領域によってはさまれた部分の前記半導体基板の幅が、前記シャロートレンチ素子分離領域によってはさまれた部分の前記第１絶縁膜の幅と等しいかより小さいことを特徴とする請求項２乃至４いずれか１項記載の半導体装置。
- 前記第１絶縁膜のチャネル方向の幅と、前記ゲート電極のチャネル方向の幅が等しいことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は不純物が含まれていて、前記ゲート絶縁膜と接触する部分の不純物濃度と、前記シャロートレンチ素子分離領域上面と接触する部分の不純物濃度とが等しいことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は不純物が含まれた多結晶シリコンであり、間に自然酸化膜を介在しない一続きの膜であることを特徴とする請求項５又は９いずれか１項記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第１チャネルとする１対の第１のソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成された、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に形成され、シリコン窒化膜、Ta2O5膜、TiO2膜、Al2O3膜から構成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、
前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第３絶縁膜、第１絶縁膜、および第２絶縁膜の側面部に接して形成され、前記第３絶縁膜の上面よりも高く形成された第１シャロートレンチ素子分離領域と、
前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面を第２チャネルとする１対の第２のソース・ドレイン領域と、
前記第２チャネル上に形成され、酸化シリコン膜から構成された第２ゲート絶縁膜と、
この第２ゲート絶縁膜上に形成された第２ゲート電極と、
前記半導体基板中に設けられた溝部中に形成され、且つ、前記第２ゲート絶縁膜の側面部に接して形成され、前記ゲート絶縁膜の上面よりも高く形成された第２シャロートレンチ素子分離領域とを有し、
前記第3絶縁膜の膜厚が前記第１チャネル中央部と前記第１シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しく、
前記半導体基板表面からの第１シャロートレンチ素子分離領域の上面高さが、前記半導体基板表面からの第２シャロートレンチ素子分離領域の上面高さよりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第１シャロートレンチ素子分離領域及び前記第２シャロートレンチ素子分離領域はそれぞれの上表面端部に窪みを有し、前記第１シャロートレンチ素子分離領域に設けられた窪みの深さは前記第２シャロートレンチ素子分離領域に設けられた窪みの深さよりも小さいことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
- 前記第１ゲート電極及び第２ゲート電極は多結晶シリコン膜で形成され、それぞれ互いに反対導電型の不純物がドープされていることを特徴とする請求項１１乃至１２いずれか１項記載の半導体装置。
- 前記第１ゲート電極及び第２ゲート電極はその膜厚が等しいことを特徴とする請求項１１乃至１３いずれか１項記載の半導体装置。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜形成後に前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、 前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
この第１ゲート絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、
この第２絶縁膜、前記第１ゲート絶縁膜、及び前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、
このトレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、
前記第１ゲート絶縁膜の上表面よりも前記シャロートレンチ素子分離領域が突出するように、前記第２絶縁膜を除去する工程と、
露出した前記第１ゲート絶縁膜及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１ゲート絶縁膜を形成する工程は、電荷を蓄積可能な電荷蓄積絶縁膜を含む積層絶縁膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
- メモリ部及び周辺回路部の半導体基板上にシリコン窒化膜を含む多層膜からなる第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第１ゲート絶縁膜形成後に前記メモリ部及び周辺回路部の前記半導体基板中にトレンチ溝を形成する工程と、
前記トレンチ溝中に絶縁物を埋め込み、シャロートレンチ素子分離領域を形成する工程と、
前記周辺回路部の第１ゲート絶縁膜の内、シリコン窒化膜を除去した後、熱酸化により周辺回路部の第２ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリ部及び周辺回路部の前記第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、及び前記シャロートレンチ素子分離領域上にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317620A JP3966707B2 (ja) | 2001-02-06 | 2001-10-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10/058,946 US7038291B2 (en) | 2001-02-06 | 2002-01-30 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| KR10-2002-0006466A KR100506445B1 (ko) | 2001-02-06 | 2002-02-05 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-29174 | 2001-02-06 | ||
| JP2001029174 | 2001-02-06 | ||
| JP2001317620A JP3966707B2 (ja) | 2001-02-06 | 2001-10-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007039726A Division JP2007142468A (ja) | 2001-02-06 | 2007-02-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313967A JP2002313967A (ja) | 2002-10-25 |
| JP3966707B2 true JP3966707B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=26608971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317620A Expired - Fee Related JP3966707B2 (ja) | 2001-02-06 | 2001-10-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7038291B2 (ja) |
| JP (1) | JP3966707B2 (ja) |
| KR (1) | KR100506445B1 (ja) |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375235B1 (ko) * | 2001-03-17 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 에스.오.엔.오.에스 플래시 기억소자 및 그 형성 방법 |
| JP4608815B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
| JP2003060024A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR100462175B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2004-12-16 | 삼성전자주식회사 | 부유게이트를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 셀 및 그제조방법 |
| JP4340040B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004111547A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| US7382659B2 (en) * | 2002-10-15 | 2008-06-03 | Halo Lsi, Inc. | Twin insulator charge storage device operation and its fabrication method |
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| JP2011071334A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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| KR20110101967A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| US8441063B2 (en) * | 2010-12-30 | 2013-05-14 | Spansion Llc | Memory with extended charge trapping layer |
| JP2012146693A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
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| KR20140148129A (ko) * | 2013-06-21 | 2014-12-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
| JP5911834B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2016-04-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP6889001B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110223982B (zh) * | 2018-03-01 | 2021-07-27 | 联华电子股份有限公司 | 动态随机存取存储器及其制作方法 |
| CN117637816A (zh) * | 2018-05-31 | 2024-03-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| US11309433B2 (en) * | 2020-03-18 | 2022-04-19 | Winbond Electronics Corp. | Non-volatile memory structure and manufacturing method thereof |
| KR20220064560A (ko) | 2020-11-12 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2662076B2 (ja) | 1990-05-02 | 1997-10-08 | 松下電子工業株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JPH0817948A (ja) | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08316226A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Sony Corp | 素子分離領域の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP3991383B2 (ja) | 1997-03-07 | 2007-10-17 | ソニー株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JPH11163304A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| KR19990017051A (ko) * | 1997-08-21 | 1999-03-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
| JP4068746B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2008-03-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
| JP2000286349A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6265293B1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS transistors fabricated in optimized RTA scheme |
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| US6376877B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Double self-aligning shallow trench isolation semiconductor and manufacturing method therefor |
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| JP4346228B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2009-10-21 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US6531350B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-03-11 | Halo, Inc. | Twin MONOS cell fabrication method and array organization |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001317620A patent/JP3966707B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-30 US US10/058,946 patent/US7038291B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-05 KR KR10-2002-0006466A patent/KR100506445B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002313967A (ja) | 2002-10-25 |
| KR100506445B1 (ko) | 2005-08-08 |
| US20020149081A1 (en) | 2002-10-17 |
| US7038291B2 (en) | 2006-05-02 |
| KR20020065387A (ko) | 2002-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061222 |
|
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