JP2005515633A - 窒素/炭素安定化された酸素析出核形成中心を有する理想的酸素析出を行ったシリコンウエハおよびその製造方法 - Google Patents
窒素/炭素安定化された酸素析出核形成中心を有する理想的酸素析出を行ったシリコンウエハおよびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本発明は、一般に、電子部品の製造に用いられる半導体材料基材、特にシリコンウエハの調製に関する。特に、本発明は、本質的にいずれか任意の電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルの間に、ウエハに、理想的な不均一な深さの酸素析出物の分布を形成することを可能にするシリコンウエハの処理の方法に関する。
従って、本発明の目的の中には、本質的にいずれかの電子デバイス製造方法の熱処理サイクルの間に、理想的な不均一な深さの酸素析出物の分布を形成し得る単結晶シリコンウエハを提供すること;ウエハバルク中に酸素析出物の十分な密度及び十分な深さのデヌーデッドゾーンを最適かつ再現性良く形成し得るウエハを提供すること;ウエハバルク中における酸素析出物の形成及びデヌーデッドゾーンの形成がウエハのこれらの領域における酸素濃度の差に依存しないウエハを提供すること;得られるデヌーデッドゾーンの厚さがIC(integrated circuit)製造プロセスシーケンスの詳細に本質的に依存しないウエハを提供すること;ウエハバルク中における酸素析出物の形成及びデヌーデッドゾーンの形成が、シリコンウエハがスライスされるチョクラルスキー法単結晶シリコンインゴットの酸素濃度及び熱履歴によって影響を受けないウエハを提供すること;デヌーデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない方法を提供すること;並びにデヌーデッドゾーンの形成を阻害することなく、酸素析出核形成中心がその後の急速熱処理に耐え得るように、酸素析出核形成中心を安定化させるのに十分な濃度にて、シリコンを窒素及び/又は炭素によってドープする方法を提供することを目的とする。
本発明のその他の目的及び特徴は、一部は明らかであり、また、一部は以下において指摘する。
本発明によって、本質的にいずれかの電子デバイスを製造する方法の間に、IGのために十分な密度の酸素を含むウエハバルク及び十分な深さのデヌーデッドゾーンを形成し得る理想的な析出を行うウエハが見出された。この理想的な析出ウエハは、半導体シリコン製造工業において共通して用いられるツールを用いて、数分間で調製することができる。この方法によって、シリコン基材ウエハ内に、その中に酸素が最終的に析出することになる様子を決定又は「プリント」する、「テンプレート(template)」を生じさせる。本発明において、このテンプレートは、間に熱安定化アニーリングを介在させる必要なく、その後の急速な加熱処理(例えば、エピタキシャルデポジション及び/又は酸素注入)後に残存する(survive)ことができるように安定化される。
本発明の理想的析出ウエハのための出発物質は、ドーパントとしての窒素及び/又は炭素を含む単結晶シリコンウエハである。ドーパントの濃度は、2つの望ましい特性:(i)理想的テンプレート(即ち、酸素析出物のないデヌーデッドゾーン及び酸素析出物を有するウエハバルク内のイントリンシック・ゲッタリング領域)に従って酸素が最終的に析出するように、出発ウエハ中のいずれかの酸素析出核形成中心を溶解させる能力;並びに、(ii)核形成中心がその後の急速な熱処理(ラピッド・サーマル処理(rapid thermal treatment))、例えばエピタキシャルデポジションの間に溶解したり、導入した析出物テンプレートを消失させたりすることのないように、本発明の方法の間に、十分に大きい又は安定な酸素析出核形成中心を成長させる能力に適応するように選ばれる。デヌーデッドゾーンを生成させる能力を保持しながら、安定化の利益を実現するためには、シリコン内のドーパントの濃度は、一般に、約1×1012原子/cm3(約0.00002ppma)〜1×1015原子/cm3(約0.02ppma)の範囲である。本発明のもう1つの態様において、窒素の濃度は、約1×1012原子/cm3(約0.00002ppma)〜約1×1013原子/cm3(約0.0002ppma)の範囲である。窒素の濃度が低すぎる場合、例えば約1×1012原子/cm3(約0.00002ppma)以下である場合、安定化効果は達成されない(即ち、約1150℃以下の温度にて消失する)。他方で、窒素の濃度が高過ぎる場合、例えば1×1015原子/cm3(約0.02ppma)以上である場合、結晶の成長の間に生成した酸素析出核形成中心は、本発明の方法のラピッド・サーマル・アニーリング工程の間に溶解することはない。
図1を参照すると、本発明の理想的析出ウエハの出発材料である単結晶シリコンウエハ1は、前方表面3、後方表面5、前記前方表面と前記後方表面との間の仮想的中央平面7を有している。本明細書において、用語「前方」および「後方」は、全体として平板状であるウエハの2つの主たる表面を区別するために使用される;ウエハの前方表面は、この用語を本明細書中で使用する場合に、必ずしもその後に電子デバイスを組み立てる表面ではなく、また、ウエハの後方表面は、この用語を本明細書中で使用する場合に、必ずしも電子デバイスを組み立てる表面と反対側のウエハの主表面ではない。更に、シリコンウエハは、典型的には、ある程度の全体的な厚みの変動(TTV(total thickness variation))、反り(warp)および湾曲(bow)を有するので、前方表面の各点と後方表面の各点との中間点は、正確に1つの平面内に含まれ得るとは限らないが、しかしながら実際の問題として、TTV、反りおよび湾曲の程度は一般に非常にわずかであるので、近い近似では、そのような中間点は、前方表面と後方表面との間のほぼ等しい距離にある仮想的な中央平面に含まれると表現することができる。
本発明によれば、ウエハを熱処理工程、工程S2(場合によって行う工程S1については、これより後段の部分にて説明する)に付してウエハを高温に加熱することによって、ウエハ1内に結晶格子空孔13を形成させ、及びそれによって結晶格子空孔13の数密度を増大させる。この熱処理工程は、ウエハを目標温度へ急速に加熱し、その温度にて比較的短時間でアニーリング処理する(例えば、ウエハを室温から1200℃の温度へ数秒間で加熱することができる)ラピッド・サーマル・アニーラー(rapid thermal annealer)にて行うことが好ましい。そのような市販のRTA炉の1つに、STEAG AST Electronic GmbH(Dornstadt、ドイツ)から市販されているモデル2800炉(model 2800 furnace)がある。一般に、ウエハは、1150℃を越えるが、約1300℃以下の温度に付される。一般に、ウエハは、約1200℃〜1275℃の範囲の温度、より典型的には約1225℃〜1250℃の範囲の温度に付される。
1つの態様において、ウエハ1は非窒化性雰囲気(non-nitriding atmosphere)及び非酸化性雰囲気(non-oxidizing atmosphere)(即ち、不活性雰囲気)中で熱処理される。ラピッド・サーマル・アニーリング工程及び冷却工程における雰囲気又は環境(ambient)として非窒素含有及び非酸素含有ガスを用いる場合、アニーリング温度に達すると、迅速ではないとしても、ウエハ全体の空孔濃度の上昇がほぼ達成される。熱処理中にウエハ内にて得られる空孔濃度(数密度)のプロファイルは、ウエハの前方表面からウエハの後方表面へと比較的一定である。ウエハは、一般に、この温度にて、少なくとも1秒間、典型的には少なくとも数秒間(例えば、少なくとも3秒間)、好ましくは数十秒間(例えば、20秒間、30秒間、40秒間若しくは50秒間)、およびウエハの所望の特性に応じて、約60秒(これは市販のラピッドサーマルアニーラーについてほぼ限界である)までの範囲であり得る時間にて保持される。アニーリングの間に形成される温度に、これ以上の時間でウエハを保持することは、今日得られる実験的証拠に基づいて、空孔濃度の増加には至らないと考えられる。好適なガスには、アルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素および他のそのような不活性元素及び化合物ガス、又はそれらのガスの混合物が含まれる。
本発明の方法のもう1つの態様において、工程S2の前に、工程S1において、酸素含有雰囲気にてウエハ1を熱処理して、ウエハ1を包囲する表面酸化物層9を成長させる。一般に、酸化物層は、シリコン表面に生成する自然酸化物層(native oxide layer)(約15Å)よりも大きな厚さを有することになる。もう1つの態様では、酸化物層の厚さは一般に少なくとも約20Åである。いくつかの態様においては、ウエハは、少なくとも約25又は30Åの厚さを有することになる。今日までに得られた実験的証拠により、約30Åを越える厚さの酸化物層は、所望の効果を妨害することはないが、更なる利点を全く又はほとんどもたらさないことが示されている。
第3の態様では、出発ウエハはわずかに自然酸化物層を有している。そのようなウエハを窒化性雰囲気にてアニーリングすると、その効果は、第2の態様について観察される効果とは異なる。特に、向上させた酸化物層(エンハンスト酸化物層(enhanced oxide layer))を有するウエハを窒素雰囲気にてアニールする場合、アニーリング温度に達すると、迅速ではないとしても、空孔濃度の実質的に均一な増加がウエハのほぼ全体にわたって達成され;更に、所定のアニーリング温度において、空孔濃度はアニーリング時間の関数として有意に増加することはないように観察される。ウエハが自然の酸化物層しか有さず、ウエハの前方表面および後方表面を窒素中でアニーリング処理する場合には、得られるウエハは、ウエハの断面について、全体として「U字形状」の空孔濃度(数密度)プロファイルを有することになる;即ち、空孔の最大濃度が前方表面および後方表面の数マイクロメートルの所又はそれ以内の所に存在しており、それと比較して相対的に低く一定の濃度がウエハのバルク部全体に存在することになる。ウエハバルク部におけるその最小濃度は、初期では、エンハンスト酸化物層を有するウエハ中で得られる濃度にほぼ等しい。更に、アニーリング時間を増大させると、自然の酸化物層のみを有するウエハ中において空孔濃度の増大が得られることになる。
ラピッド・サーマル・アニーリング工程及び冷却工程における雰囲気又は環境が酸素を含む場合、或いは、特にそのような雰囲気又は環境が窒素含有ガス、不活性ガス若しくはその両者との組合せで、酸素ガス(O2)若しくは酸素含有ガス(例えば、高温水蒸気(pyrogenic steam))を含む場合、表面近くの領域における空孔濃度プロファイルは影響を受ける。今日までに得られた実験的証拠によれば、表面近くの領域の空孔濃度プロファイルは、雰囲気の酸素濃度と反対の関係を有するということが示されている。いずれか特定の理論にとらわれることなく、十分な濃度において、酸素中でアニーリングすると、シリコン表面が酸化され、その結果、シリコン自己格子間原子(silicon self-interstitals)の内側へのフラックス(flux)を生じる作用が得られると一般に考えられている。シリコン自己格子間原子のフラックスは酸化の速度によって制御され、その酸化の速度は雰囲気中の酸素の分圧によって制御することができる。このシリコン自己格子間原子の内側へのフラックスは、増大する酸素分圧の関数として、その内側への移動速度を増大して、表面で始まり、その後内側へ移動して、再結合を生じさせることによって、空孔濃度プロファイルを徐々に変える作用を有する。熱処理(S1及び/又はS2)の間の雰囲気中において、窒素含有ガスと組み合わせて酸素を用いると、中央平面と表面層との間のウエハバルク部に最大空孔濃度又はピーク空孔濃度が存在し、濃度はそれぞれの向きに徐々に減少する、「M字形状」の空孔プロファイルを得ることができる。雰囲気中に酸素が存在する結果、いずれか任意の深さの低い空孔濃度の領域が生成し得る。
本発明の別の態様では、ウエハの前方表面と後方表面を、1種又はそれ以上の窒化性又は非窒化性ガスをそれぞれ含み得る異なる雰囲気に曝露する(又は曝す)ことができる。例えば、ウエハの前方表面を非窒化性雰囲気に曝露しながら、ウエハの後方表面を窒化性雰囲気に曝露することができる。異なる雰囲気を有する熱処理に曝されたウエハは、各表面及びそれが曝露された雰囲気の条件に応じて、非対称な濃度プロファイルを有することができる。例えば、前方表面が自然酸化物層以外の層を有さず(従って、自然酸化物層のみを有し)、後方表面がエンハンスト酸化物層を有し、窒化性雰囲気中でウエハを熱処理する場合、ウエハの前方部分における空孔濃度は「U字形状」プロファイルにより近似するものとなり、一方、ウエハの後方部分はより均質な性質になり得る。別法として、複数(例えば、2若しくは3、又はそれ以上)のウエハを向かい合わせて(face-to-face)積み重ねたアレンジメントとして、それら複数のウエハを同時にアニーリングすることができる。このようにアニーリングすると、向かい合って接触する面どうしは、アニーリングの間、雰囲気から機械的にシールドされる。別法として、及びラピッド・サーマル・アニーリング工程の間に用いられる雰囲気、並びに、ウエハの所望の酸素析出物プロファイルに応じて、ウエハの1つの表面(例えば前方表面3)のみに酸化物層を形成することもできる。
工程S2が完了すると、工程S3において、単結晶シリコンの中で結晶格子空孔が比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくともシリコン内で結晶格子空孔が比較的移動し得ない温度T2へ、ウエハを急速に冷却する。この温度範囲を通ってウエハの温度を低下させる場合、空孔はウエハの表面及び/又はウエハ表面の自然酸化物層に拡散して消滅し、このようにしてこの範囲内の温度にウエハを維持する時間的長さに応じた変化の程度で、空孔濃度プロファイルの変化が導かれる。仮にウエハを無限の時間的長さでこの範囲の温度に保つとすると、空孔濃度プロファイルは再び工程S2の初期プロファイルと同様に(例えば、不均一な「U字形状」又は非対称なプロファイルに)なるが、平衡濃度は熱処理工程が完了した直後の濃度よりも低くなるであろう。しかしながら、ウエハを急速に冷却することによって、表面近くの領域における結晶格子空孔の分布は著しく低下し、それによって変性された空孔濃度プロファイルが得られる。例えば、最初は均一なプロファイルを有しているウエハを急速に冷却することによって、最大空孔濃度が中央平面7にあるか又は中央平面7の近くに存在しており、ウエハの前方表面3及び後方表面5の方向へ空孔濃度が低下する不均一なプロファイルが得られる。空孔濃度プロファイルが、冷却する前は「U字形状」である場合、ウエハの急速冷却後の最終的な濃度プロファイルは「M字形状」になる。即ち、空孔濃度プロファイルは、急速冷却の前の「U字形状」プロファイルと同様に中央平面近くに局所的最小濃度を有し、表面領域において空孔が抑制されることによって、一方は中央平面と前方表面との間で、他方は中央平面と後方表面との間である2つの局所的最大濃度を有することになる。最後に、冷却する前の空孔濃度プロファイルが非対称である場合、最終濃度は、「M字形状」プロファイルと同様に、中央平面と1つの表面との間に局所的最大濃度を有しており、均一な濃度プロファイルのものを冷却した後に形成されるプロファイルと同様に、中央平面から他の表面へ全体として低下することになる。
工程S4において、ウエハを酸素析出物成長熱処理に付して、安定化された酸素析出核形成中心を酸素析出物へと成長させる。例えば、ウエハのアニーリングを800〜1000℃の温度にて16時間行うことができる。別法として及び好ましくは、電子デバイス製造プロセスの第1工程として、ウエハを800〜1000℃の炉の中に置くことができる。温度を800℃又はそれ以上に上昇させると、酸素析出核形成クラスターは空孔と自己格子間原子酸素を消費することによって析出物に成長するが、一方、表面近くの領域では、酸素析出核形成中心は生成せず、何も起こらない。
本発明の1つの態様例では、理想的析出ウエハの表面に、エピタキシャル層をデポジット(deposit、又は付着)させることができる。上述のような本発明の酸素析出物核形成及び安定化プロセスは、エピタキシャル・デポジション(又はエピタキシャル成長)の前又は後のいずれでも行うことができる。安定化された酸素析出核形成中心が生成することによって、導入した析出物プロファイルを溶解させることなく、エピタキシャル・デポジションプロセスを実施することができる。
本発明の窒素/炭素ドーピングによる酸素析出核の安定化は、米国特許第6,236,104号(引用することによって、その開示内容を本明細書に含めるものとする)に開示されているようなシリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造を製造するために用いることもできる。SOI構造は、ベースウエハ又はハンドルウエハを、この技術分野において標準的なイオン注入プロセス(例えば、米国特許第5,436,175号参照)に付することによって製造することができる。デヌーデッドゾーン内に位置する酸化物層を生じさせるイオン注入プロセスの前に、ハンドルウエハに理想的析出ウエハプロセスを行うことが好ましい。
単結晶シリコン内の結晶格子空孔の測定を、白金拡散分析によって行うこともできる。一般に、拡散時間及び温度を、白金拡散についてFrank-Turnbull機構が優勢であるが、白金原子による空孔修飾(vacancy decoration)の定常状態に達するのに十分であるように好ましくは選択して、白金をサンプル上にデポジットさせ、水平表面内で拡散させる。本発明に典型的な空孔濃度を有するウエハについては、730℃の温度で20分間の拡散時間を用いることもできるが、より正確なトラッキングを、より低い温度、例えば約680℃で達成することができるように観察される。更に、ケイ化プロセスによって生じ得る影響を最小とするため、白金デポジション法は1単分子層(monolayer)以下の表面濃度を生じることが好ましい。白金拡散技術は、例えば、Jacobら,J. Appl. Phys.,vol.82, p.182(1997);Zimmermann and Ryssel,「The Molding of Platinum Diffusion in Silicon Under Non-Equilibrium Conditions」J. Electochemical Society, vol 139, p. 256(1992);Zimmermann, Goesele, Seilenthal and Eichiner, 「Vacancy Concentration Wafer Mapping in Silicon」, Journal of Crystal Growth, vol. 129, p.582 (1993);Zimmermann and Flaster,「Investigation of the Nucleation of Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon At Any Early Stage」Appl. Phys. Lett., vol.60, p.3250(1992);及びZimmermann and Ryssel, Appl. Phys. Lett., vol.55, p.121(1992)に記載されている。
Claims (45)
- 一方はウエハの前方表面であり、他方はウエハの後方表面である、全体として平行な2つの主表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、並びに、前記前方表面と後方表面とを連絡する外周縁部を有する単結晶シリコンウエハであって、
前記ウエハは、窒素及び炭素からなる群から選ばれるドーパントを含んでなり、前記ドーパントの濃度はウエハを第1の温度T1から第2の温度T2へ速度Rにて冷却する際に、安定化された酸素析出核形成中心の生成を促進するのに十分な濃度であって、前記安定化された酸素析出核形成中心は1150℃以下の温度では溶解し得ないが、約1150℃〜約1300℃の範囲の温度では溶解することができ、温度T1は約1150℃〜約1300℃の範囲にあり、温度T2はシリコン内において結晶格子空孔が比較的移動し得ない温度であり、速度Rは少なくとも約5℃/秒であって;
前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離Dの部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有する表面層は、安定化された酸素析出核形成中心を有しておらず;並びに
中央平面と表面層との間のウエハの第2の領域を有するバルク層は安定化された酸素析出核形成中心を有している単結晶シリコンウエハ。 - ドーパントが窒素であり、窒素の濃度が約1×1012〜約5×1014原子/cm3の範囲である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- ドーパントが窒素であり、ウエハ内の窒素の濃度が約1×1012〜約1×1013原子/cm3の範囲である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- ドーパントが炭素であり、炭素の濃度が約1×1016〜約4×1017原子/cm3の範囲である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- ドーパントが炭素であり、ウエハ内の炭素の濃度が約1.5×1016〜約3×1017原子/cm3の範囲である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- バルク層内の安定化された酸素析出核形成中心は、ピーク濃度が中央平面若しくはその付近に存在し、ウエハの前方表面の向きに全体として低下する濃度プロファイルを有する請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- バルク層内の安定化された酸素析出核形成中心は、ピーク密度が中央平面と表面層との間の特定の部分にある濃度プロファイルを有する請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 距離Dは少なくとも約10マイクロメートルである請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 距離Dは少なくとも約20マイクロメートルである請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 距離Dは少なくとも約50マイクロメートルである請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 距離Dは約30〜約100マイクロメートルの範囲である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- ウエハは、その少なくとも1つの表面にエピタキシャル層を有する請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 温度T1は少なくとも約1150℃である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 温度T1は約1200℃〜約1300℃の範囲にある請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 速度Rが少なくとも10℃/秒である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 速度Rが少なくとも20℃/秒である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 速度Rが少なくとも50℃/秒である請求項1記載の単結晶シリコンウエハ。
- 一方はウエハの前方表面であり、他方はウエハの後方表面である、全体として平行な2つの主表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、並びに、前記前方表面と後方表面とを連絡する外周縁部を有する単結晶シリコンウエハであって、
前記ウエハは、窒素及び炭素からなる群から選ばれるドーパントを含んでなり、窒素がドーパントである場合に、窒素の濃度は約1×1012〜約5×1014原子/cm3の範囲であり、炭素がドーパントである場合に、炭素の濃度は約1×1016〜約4×1017原子/cm3の範囲であって;
前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離Dの部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有する表面層は、安定化された酸素析出核形成中心を有しておらず;並びに
中央平面と表面層との間のウエハの第2の領域を有するバルク層は安定化された酸素析出核形成中心を有している単結晶シリコンウエハ。 - 一方はウエハの前方表面であり、他方はウエハの後方表面である、全体として平行な2つの主表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、並びに、前記前方表面と後方表面とを連絡する外周縁部を有しており、窒素及び炭素からなる群から選ばれるドーパントを含んでなり、前記ドーパントの濃度は、ウエハを第1の温度T1から第2の温度T2へ速度Rにて冷却する際に、安定化された酸素析出核形成中心の生成を促進するのに十分な濃度であり、前記安定化された酸素析出核形成中心は1150℃以下の温度では溶解し得ないが、約1150℃〜約1300℃の範囲の温度では溶解することができ、温度T1は約1150℃〜約1300℃の範囲の温度であり、温度T2は結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得ない温度であり、速度Rは少なくとも約5℃/秒であって、更に、前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離Dの部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有し、安定化された酸素析出核形成中心を有していない表面層、並びに、前記中央平面と表面層との間のウエハの第2の領域を有し、安定化された酸素析出核形成中心を有するバルク層を有してなる単結晶シリコンハンドルウエハ;
単結晶シリコンデバイス層;並びに
前記ハンドルウエハとデバイス層との間の絶縁層
を有するシリコン・オン・インシュレータ構造。 - 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離Dの部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有する前方表面層、中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を有するバルク層、並びに窒素及び炭素からなる群から選ばれるドーパントを有しており、前記ドーパントの濃度はウエハを第1の温度T1から第2の温度T2へ速度Rにて冷却する際に、安定化された酸素析出核形成中心の生成を促進するのに十分な濃度であり、安定化された酸素析出核形成中心は1150℃以下の温度では溶解し得ないが、約1150℃〜約1300℃の範囲の温度で溶解することができ、温度T1は約1150℃〜約1300℃の範囲の温度であり、温度T2は結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得ない温度であり、速度Rは少なくとも約5℃/秒であるウエハを選択すること;
前記ウエハを少なくとも約1150℃の温度へ加熱して、前方表面層及びバルク層に結晶格子空孔を生じさせること;
前記加熱されたウエハを、空孔ピーク密度がバルク層に存在し、その濃度はウエハのピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として低下して、前方表面層における空孔濃度とバルク層における空孔濃度との差が、安定化された酸素析出核形成中心が前方表面層には生成せず、安定化された酸素析出核形成中心がバルク層には生成するように、空孔濃度プロファイルをウエハ内に生じさせる速度にて冷却すること;並びに
前記加熱されたウエハを冷却する際に、バルク層内の安定化された酸素析出核形成中心の濃度を主として空孔の濃度に依存させて、バルク層内に安定化された酸素析出核形成中心を生成させること
を含んでなる方法。 - ドーパントが窒素であり、ウエハ内の窒素の濃度が約1×1012〜約5×1014原子/cm3である請求項20記載の方法。
- ドーパントが窒素であり、ウエハ内の窒素の濃度が約1×1012〜約1×1013原子/cm3である請求項20記載の方法。
- ドーパントが炭素であり、ウエハ内の炭素の濃度が約1×1016〜約4×1017原子/cm3である請求項20記載の方法。
- ドーパントが炭素であり、ウエハ内の炭素の濃度が約1.5×1016〜約3×1017原子/cm3である請求項20記載の方法。
- ウエハを少なくとも約1175℃の温度まで加熱する請求項20記載の方法。
- ウエハを少なくとも約1200℃の温度まで加熱する請求項20記載の方法。
- ウエハを少なくとも約1200℃〜約1275℃の温度まで加熱する請求項20記載の方法。
- ウエハを、加熱しながら、アルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素及び窒素又は窒素含有ガスからなる群から選ばれる1種又はそれ以上のガスを含む雰囲気に曝す請求項20記載の方法。
- 雰囲気がアルゴンを含んでなる請求項28記載の方法。
- 雰囲気が窒素又は窒素含有ガスを含んでなる請求項28記載の方法。
- 雰囲気がアルゴン及び窒素又は窒素含有ガスを含んでなる請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.01気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.005気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.002気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.001気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.0001〜0.01気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- 雰囲気が約0.0002〜0.001気圧以下の酸素の分圧を有する請求項28記載の方法。
- ウエハの前方表面を、加熱しながら、第1の雰囲気に曝し、及び前記第1の雰囲気はアルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素及び窒素又は窒素含有ガスからなる群から選ばれる1種又はそれ以上のガスを含んでなり、並びに、ウエハの後方表面を、加熱しながら、第2の雰囲気に曝し、及び前記第2の雰囲気はアルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素及び窒素又は窒素含有ガスからなる群から選ばれる1種又はそれ以上のガスを含んでなり、前記第1の雰囲気と第2の雰囲気とは少なくとも1種の共通しないガスを含む請求項20記載の方法。
- 結晶格子空孔を生じさせる熱処理の前に、ウエハを酸素含有雰囲気内で少なくとも約700℃の温度へ加熱して、結晶格子空孔のためのシンクとして機能することができる表面二酸化ケイ素層を形成する請求項20記載の方法。
- 冷却速度は、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくとも約5℃/秒である請求項20記載の方法。
- 冷却速度は、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくとも約20℃/秒である請求項20記載の方法。
- 冷却速度は、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくとも約50℃/秒である請求項20記載の方法。
- 冷却速度は、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくとも約100℃/秒である請求項20記載の方法。
- 安定化された酸素析出核形成中心がバルク層に生成した後、ウエハの少なくとも1つの表面にエピタキシャル層をデポジットすることを含んでなる請求項20記載の方法。
- 制御された酸素析出物挙動を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハであって、前方表面、後方表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、前記前方表面から中央平面へ向かって測定して距離Dの部分と前記前方表面との間のウエハの領域を有する前方表面層、中央平面と前方表面層との間のウエハの領域を有するバルク層、並びに窒素及び炭素からなる群から選ばれるドーパントを有しており、窒素がドーパントである場合に、窒素の濃度は約1×1012〜約5×1014原子/cm3の範囲であり、炭素がドーパントである場合に、炭素の濃度は約1×1016〜約4×1017原子/cm3の範囲であるウエハを選択すること;
前記ウエハを熱処理に付して、バルク層及び前方表面層に結晶格子空孔を生じさせること;
前記加熱されたウエハを、空孔ピーク密度がバルク層に存在し、その濃度はウエハのピーク密度の位置からウエハの前方表面の向きに全体として低下して、前方表面層における空孔濃度とバルク層における空孔濃度との差が、安定化された酸素析出核形成中心が前方表面層には生成せず、安定化された酸素析出核形成中心がバルク層には生成するように、空孔濃度プロファイルをウエハ内に生じさせる速度にて冷却すること;並びに
前記加熱されたウエハを冷却する際に、バルク層内の安定化された酸素析出核形成中心の濃度を主として空孔の濃度に依存させて、バルク層内に安定化された酸素析出核形成中心を生成させること
を含んでなる方法。
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