JP2002153799A - 塗布処理装置および塗布処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を回転させながら処理液を基板に供給す
る等した場合に、基板から飛散する処理液によって装置
内が汚れることを防止することができる塗布処理装置と
この塗布処理装置を用いた塗布処理方法を提供する。 【解決手段】 基板に塗布液を塗布する処理装置の一形
態であるレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２は、基
板Ｇを略水平に保持するスピンチャック４０と、スピン
チャック４０を囲繞するように設けられたカップ４４ｂ
と、基板Ｇに処理液を供給する溶剤吐出ノズル７３ｂを
有する。基板Ｇからの処理液の飛散を防止する昇降可能
な塗布液飛散防止用カバーをカップ４４ｂの外周を囲繞
するようにして設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基
板の表面にレジスト液等の塗布液を塗布して塗布膜を形
成する塗布処理装置と塗布処理方法に関する。

【従来の技術】

【０００２】例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製
造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターン
に対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理すると
いう、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパ
ターンが形成される。

【０００３】このような回路パターンの形成は複数の処
理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像システムを
用いて行われる。このようなシステムにおいては、ま
ず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により表面改
質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットによりブラシ
洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基板はレ
ジストの安定性を高めるために、アドヒージョン処理ユ
ニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、引き続き
レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が行われ
る。こうして、レジスト膜が形成された基板には加熱処
理ユニットによるプリベーク、露光装置による所定のパ
ターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、加熱処
理ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板に
所定の回路パターンが形成される。

【０００４】ここで、レジストの塗布からプリベーク前
までの処理工程について、より詳しく説明すると、まず
疎水化処理された基板を、水平回転可能なスピンチャッ
クに吸着保持し、静止した基板にレジスト液を供給した
後に基板を回転させて、遠心力によりレジスト液を周縁
部へ拡散させて基板上にレジスト膜を形成する。

【０００５】このとき、基板の周縁部では形成されたレ
ジスト膜が不均一な厚みを有し、また、基板の側面や裏
面にレジストが付着する場合が殆どである。このような
レジストはその後の基板の搬送過程等においてパーティ
クル等の発生の原因となり、また、基板の搬送装置を汚
す原因にもなることから、これらのレジストはシンナー
等の処理液を基板周縁の所定位置に吐出することにより
除去され、基板はその後にプリベーク処理へと送られ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように静止した基板にレジスト液を供給してレジスト
膜を形成する方法では、殆どのレジスト液は膜とはなら
ずに外部に排出されることから、レジスト液の利用効率
が低いという問題があった。そこで、この問題を解決す
るために、例えば、基板を回転させながら基板にレジス
ト液を供給する方法や、回転する基板上にレジストを拡
がり易くする溶剤、例えば、シンナーを供給して、その
後にレジスト液を供給する方法等が提案されている。

【０００７】ところが、基板を回転させながらシンナー
やレジスト液を供給した場合には、供給した処理液が基
板から飛散し、こうして飛散した処理液は基板を囲繞す
るように設けられているカップ外にも及び、処理装置を
汚すという新たな問題が発生した。

【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、基板を回転させながら処理液を基板に供給す
る等した場合に、基板から飛散する処理液によって装置
内が汚れることを防止することができる塗布処理装置と
この塗布処理装置を用いた塗布処理方法を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板に所定の塗布液を塗布する塗布処理装置であっ
て、基板を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段
を囲繞するように設けられたカップと、前記保持手段に
保持された基板に塗布液を供給する液供給機構と、前記
カップの外周を囲繞するように昇降可能に設けられ、前
記保持手段に保持された基板からの塗布液の飛散を防止
する塗布液飛散防止用カバーと、を具備することを特徴
とする塗布処理装置、が提供される。

【００１０】また、本発明によれば、基板に所定の塗布
液を塗布する塗布処理装置であって、基板に塗布液を塗
布して、塗布膜を形成する塗布膜形成部と、塗布膜が形
成された基板の周縁部および裏面に付着した塗布液を除
去する周縁塗布膜除去部と、塗布膜が形成された基板を
前記塗布膜形成部と前記周縁塗布膜除去部との間で搬送
する搬送手段と、前記塗布膜形成部から前記周縁塗布膜
除去部へ塗布液が飛散しないように、前記塗布膜形成部
に配設された昇降可能な塗布液飛散防止用カバーと、を
具備することを特徴とする塗布処理装置、が提供され
る。

【００１１】さらに、本発明によれば、上述した塗布処
理装置を用いた塗布処理方法として、略水平に保持され
た基板に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、基板
を回転自在な保持手段に保持する第１工程と、前記保持
手段を囲繞するように設けられたカップをさらに囲繞す
るように昇降可能に構成された塗布液飛散防止用カバー
を所定位置に配置する第２工程と、前記基板を回転させ
ながら基板上に所定の処理液を供給する第３工程と、前
記基板の回転が終了した後に前記塗布液飛散防止用カバ
ーを待避させる第４工程と、静止した基板に塗布液を供
給した後に前記カップを閉塞し、前記基板を所定の回転
数で回転させて基板に塗布膜を形成する第５工程と、を
有することを特徴とする塗布処理方法、が提供される。

【００１２】また、本発明によれば、略水平に保持され
た基板に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、基板
を回転自在な保持手段に保持する第１工程と、前記保持
手段を囲繞するように設けられたカップをさらに囲繞す
るように昇降可能に構成された塗布液飛散防止用カバー
を所定位置に配置する第２工程と、前記基板を回転させ
ながら基板上に所定の処理液を供給する第３工程と、前
記基板を回転させながら基板上に所定の塗布液を供給し
て基板に塗布膜を形成する第４工程と、前記基板の回転
が終了した後に前記塗布液飛散防止用カバーを待避させ
る第５工程と、前記カップを閉塞して前記基板を所定の
回転数で回転させることで前記塗布膜の厚みを調整する
第６工程と、を有することを特徴とする塗布処理方法、
が提供される。

【００１３】このような塗布処理装置および塗布処理方
法によれば、基板を回転させながら処理液を塗布した場
合にも基板から飛散する処理液は塗布液飛散防止用カバ
ーによって塗布液飛散防止用カバーより外部には及ばな
いことから、塗布処理装置内が処理液によって汚れるこ
とが防止され、また、１枚の基板あたりに必要となる処
理液を量を低減することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の塗布処理装置の実施の形態について、ＬＣＤ基板に塗
布液としてのレジストを塗布し、処理するレジスト塗布
・現像処理システムを例に説明する。

【００１５】図１はレジスト塗布・現像処理システム１
００の平面図であり、このレジスト塗布・現像処理シス
テム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載
置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス
部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセッ
トステーション１およびインターフェイス部３が配置さ
れている。

【００１６】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。

【００１７】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。

【００１８】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配
置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニ
ット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ね
られた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニ
ット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２
７が配置されている。

【００１９】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側にはレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２が設
けられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
の隣にはレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２におい
てレジスト膜が形成された後の基板Ｇの周縁部のレジス
トを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が
設けられている。

【００２０】搬送路１３の他方側には加熱処理ユニット
（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加
熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアド
ヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置
されている。

【００２１】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ
・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方
側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてな
る処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。

【００２２】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＴ）２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピ
ナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処
理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットの
みを配置する構造となっている。

【００２３】また、中継部１５・１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には薬液供給ユニット３４が配置され
ており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うための
スペース３５が設けられている。

【００２４】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。

【００２５】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。

【００２６】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファステージ３
７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの
搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３
８はエクステンション３６およびバッファステージ３７
の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可
能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により
処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００２７】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００２８】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが処理
部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａの処理
ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷
却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂで
スクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理
ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。

【００２９】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）された後、下段の冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２において、基板Ｇにレジストが塗
布される。

【００３０】このレジスト塗布工程では、後に詳細に説
明するように、例えば、レジスト液を基板Ｇに供給する
前に、基板Ｇを回転させながらシンナー等の処理液を供
給して基板Ｇの表面がレジスト液に馴染み易い状態とし
て、その後に基板Ｇを一旦静止させ、レジスト液を基板
Ｇに供給してから再び基板Ｇを回転させて基板Ｇの全面
にレジスト液を拡げるようにして、レジスト膜が形成さ
れる。

【００３１】このようなレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２での処理の終了後に、基板Ｇは周縁レジスト除
去ユニット（ＥＲ）２３へ搬送され、基板Ｇの周縁部の
レジストの除去（以下、このような処理を「エッジリム
ーブ」という）が行われる。エッジリムーブは、基板Ｇ
のレジスト膜が形成された面の周縁部のレジストの除去
と、基板Ｇの側面ならびに基板Ｇの裏面に付着したレジ
ストの除去と、を行う処理をいう。

【００３２】その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱
処理ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処
理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。次いで、基板Ｇは中継部１６から主
搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装
置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そ
して、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入
され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３
２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポス
トエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで
現像処理され、所定の回路パターンが形成される。

【００３３】現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのい
ずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）に
て冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機
構１０によってカセットステーション１上の所定のカセ
ットに収容される。

【００３４】次に、本発明の塗布処理装置の一形態であ
るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２について詳細
に説明する。図２と図３はレジスト塗布処理ユニット
（ＣＴ）２２を模式的に示す断面図であって、図２は蓋
体４５を下部容器４４に装着し、液飛散防止用カバー８
１ａ〜８１ｃを下部容器４４の上方に待避させた状態を
示した状態を示しており、また、図３は液飛散防止用カ
バー８１ａ〜８１ｃを図２に示した待避位置から使用位
置へ降下させて下部容器４４を囲繞し、かつ、レジスト
吐出ノズル７３ａと溶剤吐出ノズル７３ｂを基板Ｇの上
方に位置させた状態をそれぞれ示している。なお、図２
および図３には液飛散防止用カバー８１ａは図示されて
おらず、また、図３においては蓋体４５は省略されてい
る。

【００３５】レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
は、基板Ｇを主面を水平にした状態で吸着保持するスピ
ンチャック４０を有し、スピンチャック４０は連結棒５
６により図示しない回転モータ等の回転駆動機構の駆動
によって回転することができるようになっている。従っ
て、スピンチャック４０上の基板Ｇもまたスピンチャッ
ク４０の回転により回転する。

【００３６】また、スピンチャック４０は、昇降機構４
１により昇降可能に構成されており、後述する外側カッ
プ４４ｂの上面よりも上方に突出できるようになってい
る。こうして主搬送装置１８から基板Ｇを受け取り、ま
たは後処理である周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２
３への基板Ｇの搬送を容易に行うことができる構造とな
っている。なお、基板Ｇの授受を行うためにスピンチャ
ック４０の高さを固定して下部容器４４を昇降可能な構
成としてもよい。

【００３７】基板Ｇとスピンチャック４０を内部に配置
することとなるチャンバ４３は下部容器４４と蓋体４５
から構成され、さらに下部容器４４は回転可能な内側カ
ップ４４ａと、内側カップ４４ａの外周側と下方側を覆
う固定された外側カップ４４ｂから構成されている。ま
た、蓋体４５は内側カップ４４ａを閉塞し、内側カップ
４４ａと共に回転可能な内蓋４５ａと、外側カップ４４
ｂを閉塞する外蓋４５ｂから構成されている。内側カッ
プ４４ａは回転機構４２によって筒状体５７周りに回転
可能な構造となっており、回転機構４２は、スピンチャ
ック４０を回転させる回転駆動機構とは異なる別の回転
駆動機構（図示せず）により、スピンチャック４０とは
独立して回転することが可能となっている。

【００３８】内側カップ４４ａの底部外縁には排出口５
０が形成されており、基板Ｇから飛散したレジスト液が
外側カップ４４ｂの底部外縁へ向けて排出されるように
なっている。一方、外側カップ４４ｂには仕切板４７が
設けられており、仕切板４７は、外側カップ４４ｂ内で
のガス流路を形成するとともに、排出口５０から排出さ
れたレジスト液を外側カップ４４ｂの底部外縁へ導く役
割を果たしている。

【００３９】内側カップ４４ａの底部下面の外縁部には
フィン５９が配設されており、フィン５９は内側カップ
４４ａを回転させたときに、排出口５０からのレジスト
液やガスの排出を促進させるように、チャンバ４３内に
気流を起こす形状に設計されている。従って、ガス導入
口５８ａ・５８ｂを閉塞した状態において、内側カップ
４４ａを回転させると、チャンバ４３内に負圧を発生さ
せることも可能であり、チャンバ４３内を減圧雰囲気と
することが可能となる。

【００４０】外側カップ４４ｂの底部外縁にはドレイン
排出口４６ａが形成されており、内側カップ４４ａから
排出され仕切壁４７に導かれたレジスト液はこのドレイ
ン排出口４６ａから外部へ排出される。また、外側カッ
プ４４ｂの底部には排気口４６ｂが形成されており、チ
ャンバ４３内に流入したガスが排気されるようになって
いる。排気口４６ｂは、例えば、工場ダクト等の弱い排
気機構に連通するように構成され、逆にこの排気機構に
よってチャンバ４３内が負圧となるため、蓋体４５に形
成されたガス導入口５８ａ・５８ｂからチャンバ４３内
部にガスが導入され易くなる。

【００４１】内蓋４５ａの上部中央には支持部材５２が
取り付けられており、支持部材５２の上端には係止部材
６１が配設されている。これら内蓋４５ａと支持部材５
２および係止部材６１の中央を貫通するように、ガス導
入口５８ａが形成されており、係止部材６１上にはガス
導入口５８ａからチャンバ４３内へのガスの流入を制御
することができるように弁５４を有する開閉装置５３が
配設されている。

【００４２】また、内蓋４５ａの下部には内蓋４５ａと
微小間隔ほど隔離するように整流板５１が形成されてい
る。従って、ガス導入口５８ａから流入したガスは、図
２中の矢印で示されるように、整流板５１と内蓋４５ａ
との間を流れて排出口５０から外側カップ４４ｂへ導か
れ、排気口４６ｂを通って排気される。

【００４３】外蓋４５ｂの上部に形成されたガス導入口
５８ｂは、開閉装置５５により開閉可能となっている。
図２では、開閉装置５５として左右方向にスライドする
ものを示しているが、このような形態（構造）に限定さ
れるものではない。ガス導入口５８ｂからチャンバ４３
内へ流入したガスは、内蓋４５ａと外蓋４５ｂとの間を
通って内側カップ４４ａに形成された排出口５０から排
出されるガス等と混合されながら、外側カップ４４ｂに
形成されているガス流路を通って排気口４６ｂから外部
へと排出される。

【００４４】なお、ガス導入口５８ａからチャンバ４３
内へ流入するガスは、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２が配置される場所の雰囲気ガスであることが一
般的であり、多くの場合に空気である。しかしながら、
例えば、ガス導入口５８ａにガス導入管を取り付けて、
特にパーティクルの含有量が少ないように調整されたガ
ス等を流入させることも可能である。

【００４５】外蓋４５ｂの中央部には支持部材５２が貫
通しており、支持部材５２と外蓋４５ｂとの間は気密に
シールされているが、これらの部材は固定はされておら
ず、従って、外蓋４５ｂは支持部材５２の上下方向に可
動である。

【００４６】また、外蓋４５ｂの上面に取り付けられた
支持棒６２には上面に突起部６５ｂが形成された円環状
のベース部材６３が固定されており、突起部６５ｂは係
止部材６１の下面に形成されている凹部６５ａと嵌合す
る形状となっている。こうして、昇降機構６４により支
持棒６２を上昇させた場合には支持棒６２と共に外蓋４
５ｂとベース部材６３がまず上昇し、ベース部材６３と
係止部材６１とが突起部６５ｂと凹部６５ａが嵌合して
接触した時点から、係止部材６１と支持部材５２および
内蓋４５ａも上昇し、チャンバ４３全体が開口した状態
となる。

【００４７】図３に示すように、支持棒６２を降下させ
た場合には最初に内蓋４５ａが内側カップ４４ａの上開
口部を閉塞し、その後に係止部材６１とベース部材６３
が離れて、外蓋４５ｂが外側カップ４４ｂを閉塞するま
でベース部材６３と外蓋４５ｂが一緒に下降する。こう
して、チャンバ４３全体が閉塞された状態が図２に示し
た状態である。

【００４８】さて、外側カップ４４ｂの外側には支持柱
７０が立設されており、支持柱７０からは基板Ｇにレジ
スト液や溶剤を供給するためのヘッド７２を先端に有す
るアーム７１が延出している。図２および図３に記載の
ヘッド７２は、塗布液であるレジスト液を吐出するため
のレジスト液吐出ノズル７３ａと、シンナー等の溶剤を
吐出するための溶剤吐出ノズル７３ｂとを有しており、
多系統のノズルユニットを構成している。

【００４９】アーム７１は、支持柱７０内の機構（図示
せず）により、回転可能に構成され、ヘッド７２はレジ
スト液や溶剤の供給時には図３に示されるように基板Ｇ
の中央部上空に位置され、一方、蓋体４５で下部容器４
４を閉塞する際には図２に示されるように退避位置へ移
動されるようになっている。

【００５０】さて、上述したレジスト塗布処理ユニット
（ＣＴ）２２は周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３
と連設することが可能である。そこで、以下、レジスト
塗布処理ユニット（ＣＴ）２２と周縁レジスト除去ユニ
ット（ＥＲ）２３とを連設した装置を例として、図２に
示される液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃについて、
さらに図４から図７を参照しながら説明することとす
る。

【００５１】図４は、液飛散防止用カバー８１ａ〜８１
ｃを配設したレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２を
周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３と連設した装置
の概略平面図であり、図５は液飛散防止用カバー８１ａ
の概略構造を示す斜視図である。図４に示されるよう
に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２から周縁レ
ジスト除去ユニット（ＥＲ）２３への基板Ｇの搬送はガ
イドレール９５に沿って搬送アーム９６を移動させるこ
とにより行うことができるようになっている。なお、周
縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３の構成については
後述することとする。

【００５２】液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃは、ア
ーム７１が回動する範囲にはアーム７１の回動を妨げな
いようにするために配置されておらず、それ以外の部分
において外側カップ４４ｂを囲繞するように配設されて
いる。３個の液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃを配設
して外側カップ４４ｂを囲繞したのは、１枚のカバーで
構成した場合にはカバー自体が大型化するために昇降時
にカバーに歪みが生じ易くなり、安定した昇降動作が困
難となること等を考慮したためである。従って、このよ
うな問題が生じない場合には１枚のカバーで構成しても
よい。

【００５３】図５に示すように、液飛散防止用カバー８
１ａにおいては、３枚のパネル８２ａ〜８２ｃが連結さ
れて壁面が構成されており、これらパネル８２ａ〜８２
ｃは嵌め合わせ等により脱着が容易となっている。そし
て、パネル８２ａ〜８２ｃはパネル８２ａに取り付けら
れたエアーシリンダ８５等の昇降機構によって昇降自在
となっている。エアーシリンダ８５はチャンバ４３の上
方に蓋体４５の昇降動作を妨げないように組まれたフレ
ーム８９（図５において一部のみを示す）に固定されて
いる。

【００５４】エアーシリンダ８５を動作させて液飛散防
止用カバー８１ａ〜８１ｃを図２に示した位置から降下
させ、基板Ｇおよび下部容器４４を囲繞するように所定
の高さに保持した状態において、主搬送装置１８側に配
設された液飛散防止用カバー８１ａは、基板Ｇから処理
液が主搬送装置１８に飛散して主搬送装置１８が汚染さ
れるのを防止する役割を果たす。また、周縁レジスト除
去ユニット（ＥＲ）２３側に配設された液飛散防止用カ
バー８１ｃは、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３
や周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３とレジスト塗
布処理ユニット（ＣＴ）２２との間に配設されたガイド
レール９５と搬送アーム９６に基板Ｇから処理液が飛散
して、これらを汚すことを防止する役割を果たす。さら
に、レジスト塗布・現像処理システム１００の外壁側に
配設された液飛散防止用カバー８１ｂは、レジスト塗布
処理ユニット（ＣＴ）２２の壁面パネルと、ガイドレー
ル９５および搬送アーム９６が、基板Ｇから飛散する処
理液により汚染されることを防止する役割を果たす。

【００５５】図６はエアーシリンダ８５の構造を示す説
明図であり、エアーシリンダ８５のピストン８５ａの進
出退入は、作動空気の導入／排出口８８ａ・８８ｂから
の空気量／空気圧調節により行われる。また、エアーシ
リンダ８５の一端の封止部分には局所排気口８７が設け
られており、エアーシリンダ８５内で発生するパーティ
クル等がこの局所排気口８７から排出されるようになっ
ている。こうして、エアーシリンダ８５の開口端からは
パーティクルが排出されないために、例えば、処理中の
基板Ｇにエアーシリンダ８５を発生源とするパーティク
ルの付着を防止することができる。なお、ピストン８５
ａの先端にはピストン８５ａとパネル８２ａを連結する
連結部材８５ｂが配設されている。

【００５６】パネル８２ａ〜８２ｃの昇降動作を安定に
行うために、ガイド８３ａ・８３ｂがフレーム８９に取
り付けられており、一方でパネル８２ａにはガイド８３
ａ・８３ｂに従って昇降が可能なように案内棒８４ａ・
８４ｂが取り付けられている。そして、案内棒８４ａ・
８４ｂの下部にはポケット８６が形成されており、ガイ
ド８３ａ・８３ｂと案内棒８４ａ・８４ｂとの摩擦等に
よって生ずるパーティクル等はこのポケット８６に捕集
され、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２内に拡散
し難いようになっている。

【００５７】レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２に
は、通常、その上方から清浄な空気がダウンフローとし
て供給されるため、パネル８２ａ〜８２ｃを降下させた
状態において、このダウンフローの流れが妨げられない
ようにする必要がある。そこで液飛散防止用カバー８１
ａでは、図７の断面図に示すように、液飛散防止用カバ
ー８１ａを降下させた場合に、パネル８２ａに形成され
たポケット８６の底部下面が外側カップ４４ｂに当接し
ないように、所定の間隔が開いた状態で保持されるよう
になっている。なお、図７は、液飛散防止用カバー８１
ａ〜８１ｃを降下させて保持する位置の一例を示すもの
でもある。

【００５８】液飛散防止用カバー８１ｂは液飛散防止用
カバー８１ａと同等の構造を有し、液飛散防止用カバー
８１ｃはパネルが１枚のみである点以外は液飛散防止用
カバー８１ａと同等の構造を有する。液飛散防止用カバ
ー８１ａ〜８１ｃは、チャンバ４３の上部に保持された
状態から突然に落下することのないように、落下防止用
のインターロックが掛かるようになっており、降下動作
時にこのインターロックが解除されるように制御され
る。

【００５９】上述したように、液飛散防止用カバー８１
ａ〜８１ｃを外側カップ４４ｂの上方に配置した場合に
は、外側カップ４４ｂの周囲の空間が広くなるので、メ
ンテナンスが容易となる利点がある。また、液飛散防止
用カバー８１ａ〜８１ｃを垂直方向に長く配置すること
ができるので、基板Ｇに向かって供給されるダウンフロ
ーを垂直方向に整流する可能性を向上できる。

【００６０】続いて、周縁レジスト除去ユニット（Ｅ
Ｒ）２３の構造について説明する。周縁レジスト除去ユ
ニット（ＥＲ）２３には基板Ｇを載置するためのステー
ジ９３が設けられており、ステージ９３の上の２つのコ
ーナー部には基板Ｇを位置決めするための２つのアライ
メント機構９１が設けられている。基板Ｇの４辺それぞ
れには基板Ｇに形成されたレジスト膜の外縁部分や側面
および裏面に付着したレジストを基板Ｇから除去するた
めのリムーバヘッド９２が設けられている。

【００６１】各リムーバヘッド９２は内部からシンナー
等の溶剤を吐出するように断面略Ｕ字状を有し、基板Ｇ
の４辺に沿って移動するようになっている。従って、リ
ムーバヘッド９２は基板Ｇの各辺に沿ってシンナーを吐
出しながら、かつ、吐出されたシンナーおよび溶解した
レジストを吸引しつつ、基板Ｇの４辺の周縁のレジスト
を除去することができる。なお、エッジリムーブの処理
後には基板Ｇは主搬送装置１８（図１参照）を用いて加
熱処理ユニット（ＨＰ）へと送られる。

【００６２】このように、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＴ）２２と周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３
とを連設した場合には、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２での処理後に近接した周縁レジスト除去ユニッ
ト（ＥＲ）２３へ基板Ｇを搬送することができるため
に、基板Ｇの移動時間を短縮することができる。また、
レジストの塗布、エッジリムーブ処理を独立したユニッ
トで構成した場合と比較して、装置の省スペース化、小
型化を図ることができる。

【００６３】次に、以上のように構成されるレジスト塗
布処理ユニット（ＣＴ）２２を用いたレジスト膜の形成
方法について説明する。図８は以下に説明する工程を簡
単に示したフローチャートである。まず、図３に示され
るように、蓋体４５を上昇させてチャンバ４３（下部容
器４４）を開口した状態とし、スピンチャック４０を上
昇させて、主搬送装置１８から基板Ｇをスピンチャック
４０上へ移し替え、固定する（ＳＴ１）。このとき、ア
ーム７１については図４においてヘッド７２が外側カッ
プ４４ｂ外に位置している状態にあるように退避させて
おく。

【００６４】続いて、基板Ｇが固定されたスピンチャッ
ク４０を内側カップ４４ａ内に収容し、図４においてヘ
ッド７２が基板Ｇの中央部に位置している状態となるよ
うにアーム７１を回動させてヘッド７２を基板Ｇの中央
部上方に位置させ、さらに液飛散防止用カバー８１ａ〜
８１ｃが下部容器４４を囲繞するように、液飛散防止用
カバー８１ａ〜８１ｃを上方の待機位置から降下させて
所定の位置に保持する（ＳＴ２）。そして、スピンチャ
ック４０（基板Ｇ）を所定の第１の回転数で回転させ、
例えば、溶剤吐出ノズル７３ｂからシンナー等の溶剤を
基板Ｇに供給し、プリウエット処理を施す（ＳＴ３）。

【００６５】このプリウエット処理によって、次に供給
するレジスト液と基板Ｇとの濡れ性が改善されて、レジ
スト液の拡散が基板Ｇの表面全体にわたって均一に起こ
るようになるとともに、基板Ｇに供給するレジスト液の
量を低減することが可能となる。また、基板Ｇを回転さ
せた状態でシンナーを供給することから、基板Ｇからシ
ンナーが外側カップ４４ｂを超えてその外側へも飛散す
ることが起こり得るが、液飛散防止用カバー８１ａ〜８
１ｃによってこのシンナーの飛散は防止され、例えば、
周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３や主搬送装置１
８等へシンナーが付着することが防止される。

【００６６】上述したプリウエット処理は基板Ｇの回転
を停止することで終了するが、基板Ｇの回転を停止させ
ることで基板Ｇからはシンナーは外側カップ４４ｂの外
周へ飛散しなくなるため、基板Ｇの回転終了後は液飛散
防止用カバー８１ａ〜８１ｃは上昇させて保持し、待機
状態に戻す（ＳＴ４）。ヘッド７２はＳＴ３からＳＴ４
の間は基板Ｇ上に保持された状態にあることから、基板
Ｇの回転を停止した後に引き続いて、レジスト液をレジ
スト液吐出ノズル７３ａから基板Ｇに供給し、レジスト
液の供給が終了した後にはアーム７１を回動させてヘッ
ド７２を退避位置へ移動させ、基板Ｇおよびスピンチャ
ック４０を第１の回転数より大きな第２の回転数、例え
ば１５００ｒｐｍ程度の回転速度で回転させる（ＳＴ
５）。こうして生じる遠心力により、レジスト液は外周
へ向けて拡散されて、基板Ｇ上にレジスト膜が形成され
る。

【００６７】このとき、チャンバ４３は閉塞された状態
ではないが、回転する基板Ｇにシンナーを供給するプリ
ウエット処理時のようにレジスト液が外側カップ４４ｂ
外に飛散することはなく、基板Ｇの外周に飛散したレジ
スト液は排出口５０を経て外側カップ４４ｂ下部へ導か
れ、ドレイン排出口４６ａより外部に排出される。

【００６８】レジスト液を供給して所定時間ほど基板Ｇ
を回転させた後には、一旦、基板Ｇの回転を停止してそ
の後に蓋体４５を降下させ、内側カップ４４ａ・外側カ
ップ４４ｂをそれぞれ内蓋４５ａ・外蓋４５ｂにより閉
塞した状態とし、基板Ｇを第１の回転数より大きく第２
の回転数より小さい第３の回転数、例えば、１３４０ｒ
ｐｍで回転させてレジスト膜の膜厚を調整する（ＳＴ
６）。このときには、例えば、ガス導入口５８ａ・５８
ｂを開口させた状態とし、チャンバ４３内にガスを導入
する。

【００６９】このレジスト膜の膜厚調整の際には内側カ
ップ４４ａは内蓋４５ａによって閉塞されているため
に、膜圧調整に悪影響を及ぼす気流の発生を防止するこ
とができ、これにより膜厚の均一化が図られる。また、
内蓋４５ａには整流板５１が設けられていることから、
ガス導入口５８ａから流入したガスは直接に基板Ｇに当
たることがないために、レジスト膜へ悪影響を及ぼさな
い。さらに、流入したガスは整流板５１と内蓋４５ａと
の間を外周方向へ流され、排出口５０から外側カップ４
４ｂへと流出することから、レジスト膜厚が変化し易い
基板Ｇの周縁部近傍に積極的に気流が形成されて、その
部分の乾燥状態が制御される。こうして基板Ｇの周縁部
の膜厚が制御され、レジスト膜の膜厚均一性の向上が図
られる。

【００７０】レジスト膜の膜厚が均一になったら、基板
Ｇの回転数をレジスト膜に厚みの変化が起きない程度に
まで落とすか、または停止させ、ガス導入口５８ａを閉
じてガスが内側カップ４４ａと内蓋４５ａにより形成さ
れる処理室内に導入されないようにし、内側カップ４４
ａと内蓋４５ａを所定の回転数、例えば、１３４０ｒｐ
ｍで回転させる（ＳＴ７）。

【００７１】この内側カップ４４ａと内蓋４５ａの回転
初期においては、ガス導入口５８ｂは開口した状態とし
ておくことが好ましい。ガス導入口５８ｂから外側カッ
プ４４ｂ内に導入されたガスにより、回転する内側カッ
プ４４ａと固定された外側カップ４４ｂとの間での乱流
の発生が防止され、排気をスムーズに行うことが可能と
なる。その後、ガス導入口５８ｂを閉口することによ
り、内側カップ４４ａの底部下面の外縁部に設けられた
フィン５９は、チャンバ４３内に残留するガスを外部へ
排出するように機能し、チャンバ４３内に負圧を発生さ
せる。こうしてチャンバ４３内が減圧されることによ
り、レジスト膜中の揮発成分の蒸発が促進され、レジス
ト膜を減圧雰囲気で乾燥させることが可能となる。

【００７２】所定時間の乾燥処理が終了した後には、内
側カップ４４ａの回転を停止し、蓋体４５を上昇させて
基板Ｇを周縁レジスト除去ユニット２３へ搬送する（Ｓ
Ｔ８）。周縁レジスト除去ユニット２３においては、基
板Ｇにエッジリムーブが施され、終了後には基板Ｇは加
熱処理ユニットへ搬送される。

【００７３】上述したレジスト膜の形成方法にあって
は、レジスト液の塗布の時点では基板Ｇの回転を停止し
ていたが、プリウエット処理に引き続いて、基板Ｇが回
転した状態でレジスト液を基板Ｇに供給することによ
り、レジスト膜を形成する方法を採用することも可能で
ある。この場合には、レジスト液が基板Ｇに供給される
際に、液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃを降下させた
ままの状態に保持しておくことで、レジスト液が周縁レ
ジスト除去ユニット（ＥＲ）２３等へ飛散することが防
止される。また、基板Ｇを回転させた状態でレジスト液
を供給した場合には、使用されるレジスト液の量を低減
して、レジスト液を効率よく使用することが可能とな
る。液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃは、形成された
レジスト膜の膜厚を調整するために下部容器４４を蓋体
４５で閉塞する動作と並行して上昇させ、待機位置に戻
せばよい。

【００７４】なお、上述したレジスト膜の形成方法にお
いては、ＳＴ６でチャンバ４３を閉塞したが、ＳＴ５で
チャンバ４３を閉塞してチャンバ４３が閉塞された状態
で後の処理を行ってもよいことはいうまでもなく、こう
して、レジストがチャンバ４３の外部に飛散することを
防止することができる。

【００７５】また、上記レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２では、液飛散防止用カバー８１ａ〜８１ｃを外
側カップ４４ｂの上方に配置した場合について説明した
が、液飛散防止用カバーを外側カップ４４ｂ外周下方に
配置して上昇させることにより、液の飛散を防止しても
よい。この場合には、液飛散防止用カバーの昇降機構を
基板Ｇの処理面よりも下方に配置することができるの
で、昇降機構で発生したパーティクルが基板Ｇ上に到達
して付着する可能性を低減できる。

【００７６】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、塗布膜はレジスト膜に限定されるもの
ではなく、例えば、色素膜や絶縁膜といった各種の機能
膜の形成にも用いることができる。また、本発明の塗布
処理装置は、ＬＣＤ基板におけるカラーフィルタ用色彩
レジストの塗布・現像システムや半導体ウエハを処理す
るレジスト塗布・現像処理システム等にも好適に用いら
れる。さらに、基板としてＬＣＤ基板について説明して
きたが、半導体ウエハ、ＣＤ基板等の他の基板について
も用いることが可能である。

【００７７】

【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、基板を回
転させながら処理液を基板上に供給した場合に、基板か
ら飛散する処理液は塗布液飛散防止用カバーによって塗
布液飛散防止用カバーより外部には及ばないことから、
塗布処理装置内が処理液によって汚れることが防止され
る。また、塗布液飛散防止用カバーの昇降機構を基板の
上方に設けた場合にも、適所に排気機構が備えられてい
るために、パーティクル等が基板上に付着することが防
止される。こうして、塗布処理装置内を清浄に保つこと
が可能となることから、本発明は基板の品質を高く保持
しつつ塗布処理装置内の清掃メンテナンスの負荷を低減
するという効果を奏する。また、基板を回転させながら
処理液を基板に供給した場合には、１枚の基板当たりに
必要となる処理液を量を低減することが可能となり、製
造コストを低減することが可能となる効果が得られる。
さらに、塗布液飛散防止用カバーを上方に待機させて昇
降する構造とすることにより、従来の塗布液飛散防止用
カバーを有さない塗布処理装置にも容易に配設すること
ができるという利点を有する。さらにまた、基板の外周
を囲繞するカップ等の機器のさらに周辺に配置されてい
る種々の機構の配置に影響を及ぼさないことから、塗布
処理装置を大型化することのない省スペース設計が可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布処理装置の一実施形態であるレジ
スト塗布処理ユニットが配設されたレジスト塗布・現像
処理システムを示す平面図。

【図２】レジスト塗布処理ユニットを示す断面図。

【図３】レジスト塗布処理ユニットを示す別の断面図。

【図４】レジスト塗布処理ユニットと周縁レジスト除去
ユニットを連設した装置を示す平面図。

【図５】液飛散防止用カバーの一実施形態を示す斜視
図。

【図６】液飛散防止用カバーに用いられるエアーシリン
ダの構造を示す断面図。

【図７】液飛散防止用カバーを降下させて保持した位置
を示す断面図。

【図８】レジスト塗布処理ユニットを用いたレジスト膜
の形成方法を示す説明図。

【符号の説明】

２２；レジスト塗布処理ユニット ２３；周縁レジスト除去ユニット ４０；スピンチャック ４４；下部容器 ４５；蓋体 ８１ａ〜８１ｃ；液飛散防止用カバー ８２ａ〜８２ｃ；パネル ８３ａ・８３ｂ；ガイド ８４ａ・８４ｂ；案内棒 ８５；エアーシリンダ １００；レジスト塗布・現像処理ユニット Ｇ；基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｂ０５Ｄ 3/00 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ (72)発明者 本田 洋一 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大 津事業所内 Ｆターム(参考） 4D075 AC64 AC84 AC86 CA47 DA08 DB14 DC22 EA45 4F041 AA06 AB01 BA05 BA59 4F042 AA07 CC07 EB06 EB23 EB28 5F046 JA05 JA08 JA15

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に所定の塗布液を塗布する塗布処理
   装置であって、 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段を囲繞するように設けられたカップと、 前記保持手段に保持された基板に塗布液を供給する液供
   給機構と、 前記カップの外周を囲繞するように昇降可能に設けら
   れ、前記保持手段に保持された基板からの塗布液の飛散
   を防止する塗布液飛散防止用カバーと、 を具備することを特徴とする塗布処理装置。
2. 【請求項２】 前記塗布液飛散防止用カバーは、前記保
   持手段の上方に形成されたフレームに配設された昇降機
   構により昇降されることを特徴とする請求項１に記載の
   塗布処理装置。
3. 【請求項３】 前記昇降機構に局所排気機構が設けら
   れ、前記昇降機構からの発塵が防止されていることを特
   徴とする請求項２に記載の塗布処理装置。
4. 【請求項４】 前記塗布液飛散防止用カバーは、複数の
   パネルを組み合わせることで前記カップの外周が囲繞さ
   れるように配置され、前記複数のパネル毎に昇降機構が
   配設されていることを特徴とする請求項１から請求項３
   のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
5. 【請求項５】 前記塗布液飛散防止用カバーは、前記液
   供給機構が前記カップの外周において可動する範囲には
   配設されていないことを特徴とする請求項１から請求項
   ４のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
6. 【請求項６】 前記塗布液飛散防止用カバーは、前記カ
   ップとの間に所定の間隙が形成された位置で、前記カッ
   プを囲繞するように保持されることを特徴とする請求項
   １から請求項５のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
7. 【請求項７】 前記塗布液飛散防止用カバーは、前記カ
   ップ内に保持された基板の上方を覆わない構造を有する
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項
   に記載の塗布処理装置。
8. 【請求項８】 前記塗布液飛散防止用カバーは、前記基
   板を回転させつつ前記基板に塗布液を塗布する工程にお
   いて、前記カップを囲繞するように降下位置に配置され
   ることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１
   項に記載の塗布処理装置。
9. 【請求項９】 基板に所定の塗布液を塗布する塗布処理
   装置であって、 基板に塗布液を塗布して、塗布膜を形成する塗布膜形成
   部と、 塗布膜が形成された基板の周縁部および裏面に付着した
   塗布液を除去する周縁塗布膜除去部と、 塗布膜が形成された基板を前記塗布膜形成部と前記周縁
   塗布膜除去部との間で搬送する搬送手段と、 前記塗布膜形成部から前記周縁塗布膜除去部へ塗布液が
   飛散しないように、前記塗布膜形成部に配設された昇降
   可能な塗布液飛散防止用カバーと、 を具備することを特徴とする塗布処理装置。
10. 【請求項１０】 略水平に保持された基板に塗布膜を形
    成する塗布処理方法であって、 基板を回転自在な保持手段に保持する第１工程と、 前記保持手段を囲繞するように設けられたカップをさら
    に囲繞するように昇降可能に構成された塗布液飛散防止
    用カバーを所定位置に配置する第２工程と、 前記基板を回転させながら基板上に所定の処理液を供給
    する第３工程と、 前記基板の回転が終了した後に前記塗布液飛散防止用カ
    バーを待避させる第４工程と、 静止した基板に塗布液を供給した後に前記カップを閉塞
    し、前記基板を所定の回転数で回転させて基板に塗布膜
    を形成する第５工程と、 を有することを特徴とする塗布処理方法。
11. 【請求項１１】 略水平に保持された基板に塗布膜を形
    成する塗布処理方法であって、 基板を回転自在な保持手段に保持する第１工程と、 前記保持手段を囲繞するように設けられたカップをさら
    に囲繞するように昇降可能に構成された塗布液飛散防止
    用カバーを所定位置に配置する第２工程と、 前記基板を回転させながら基板上に所定の処理液を供給
    する第３工程と、 前記基板を回転させながら基板上に所定の塗布液を供給
    して基板に塗布膜を形成する第４工程と、 前記基板の回転が終了した後に前記塗布液飛散防止用カ
    バーを待避させる第５工程と、 前記カップを閉塞して前記基板を所定の回転数で回転さ
    せることで前記塗布膜の厚みを調整する第６工程と、 を有することを特徴とする塗布処理方法。