JP2005210059A - 現像装置及び現像処理方法 - Google Patents
現像装置及び現像処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005210059A JP2005210059A JP2004233617A JP2004233617A JP2005210059A JP 2005210059 A JP2005210059 A JP 2005210059A JP 2004233617 A JP2004233617 A JP 2004233617A JP 2004233617 A JP2004233617 A JP 2004233617A JP 2005210059 A JP2005210059 A JP 2005210059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- nozzle
- temperature
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板保持部上に保持された表面にレジストが塗布され、露光された後の基板に対して現像処理するにあたり、基板を鉛直軸回りに回転させると共に、帯状例えばスリット状の吐出口から帯状に現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の外側から中央部に向かって移動させ螺旋状に現像液を供給する構成とする。この場合、現像液ノズルの移動速度を大きく設定することができるので現像時間の短縮化を図ることができ、薄膜状に現像液を供給できるので少ない量の現像液で現像することができる。
【選択図】 図1
Description
基板を保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部に保持された基板の表面と対向して配置され、この基板の周縁から中央部側に伸びる帯状の吐出口を有する現像液ノズルと、
この現像液ノズルを横方向に移動させる移動機構と、を備え、
基板を鉛直軸回りに回転させると共に、前記吐出口から帯状の現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の外側から中央部に向かって移動させて基板の表面に現像液を螺旋状に供給することを特徴とする。
この基板を鉛直軸回りに回転させると共に、基板の表面に対して周縁から中央部側に向かって伸びる帯状の現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の周縁から中央部に向かって移動させて、現像液を表面に沿って外側に流しながら基板の表面に螺旋状に現像液を供給する工程と、
現像液ノズルからの現像液の供給を停止する直前又は停止直後に、リンス液ノズルにより基板の表面にリンス液を供給する工程と、を含むことを特徴とする。
2 スピンチャック
3 カップ体
4A 第1の現像液ノズル
4B 第2の現像液ノズル
41A、41B 吐出口
45A、45B 温度調節部
47A、47B 二重管
49A、49B 主温度調節部
6 リンス液ノズル
7 制御部
Claims (25)
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、
基板を保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部に保持された基板の表面と対向して配置され、この基板の周縁から中央部側に伸びる帯状の吐出口を有する現像液ノズルと、
この現像液ノズルを横方向に移動させる移動機構と、を備え、
基板を鉛直軸回りに回転させると共に、前記吐出口から帯状の現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の外側から中央部に向かって移動させて基板の表面に現像液を螺旋状に供給することを特徴とする現像装置。 - 前記吐出口は、幅が0.1mm〜1mmであり、長さが8mm〜15mmであることを特徴とする請求項1記載の現像装置。
- 現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じて現像液の温度を調整するための温度調整部を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の現像装置。
- 現像液ノズルは複数設けられると共に、各現像液ノズル毎に現像液の温度調整を行うための温度調整部が設けられ、前記複数の現像液ノズルの中から、現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じて温度調整がされた現像液ノズルを選択する手段を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の現像装置。
- 一方の現像液ノズルが選択されている間に、他方の現像液ノズルについて現像液の温度が調整されることを特徴とする請求項4記載の現像装置。
- 現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方と現像液の温度とを対応づけたデータを記憶し、このデータに基づいて当該基板に応じた現像液の温度となるように温度調整部を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項3ないし5のいずれか一に記載の現像装置。
- 各現像液ノズル毎に前記温度調整部に加えて現像液の濃度調整部が設けられ、選択された現像液ノズルの現像液は、レジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じて温度及び濃度が調整されたことを特徴とする請求項4記載の現像装置。
- 一方の現像液ノズルが選択されている間に、他方の現像液ノズルについて現像液の温度及び現像液の濃度が調整されることを特徴とする請求項7記載の現像装置。
- 現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方と、現像液の温度及び現像液の濃度とを対応づけたデータを記憶し、このデータに基づいて当該基板に応じた現像液の温度及び濃度となるように温度調整部及び濃度調整部を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項7または8記載の現像装置。
- 現像液が供給される前の基板の表面に、濡れ性を高めるための表面処理液を供給する表面処理液ノズルを更に備えたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一に記載の現像装置。
- 現像液が供給された後の基板の表面にリンス液を供給するリンス液ノズルと、
このリンス液ノズルによりリンス液が供給された基板の表面に、この基板の表面とリンス液との液摩擦を小さくするための界面活性剤を供給する活性剤供給ノズルと、を備えたことを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一に記載の現像装置。 - 現像液ノズルを基板の外側から中央部に向かって移動させたとき、その吐出口の基板の中央寄りの先端が基板の回転軸と一致する位置で移動が停止されることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一に記載の現像装置。
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
この基板を鉛直軸回りに回転させると共に、基板の表面に対して周縁から中央部側に向かって伸びる帯状の現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の周縁から中央部に向かって移動させて、現像液を表面に沿って外側に流しながら基板の表面に螺旋状に現像液を供給する工程と、
現像液ノズルからの現像液の供給を停止する直前又は停止直後に、リンス液ノズルにより基板の表面にリンス液を供給する工程と、を含むことを特徴とする現像処理方法。 - 現像液ノズルの吐出口は幅が0.1mm〜1mmであり、長さが8mm〜15mmであることを特徴とする請求項13記載の現像処理方法。
- 現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じて現像液の温度が調整されることを特徴とする請求項13または14記載の現像処理方法。
- 現像液の温度が互いに異なる温度に調整された複数の現像液ノズルの中から、現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じた現像液ノズルを選択する工程を含むことを特徴とする請求項13または14記載の現像処理方法。
- 一方の現像液ノズルが選択されている間に、他方の現像液ノズルについて現像液の温度が調整される工程を含むことを特徴とする請求項16記載の現像処理方法。
- 現像処理を行う基板上のレジストの種類及びパターン形状の少なくとも一方に応じて現像液の温度及び濃度が調整されることを特徴とする請求項13または14記載の現像処理方法。
- 一方の現像液ノズルが選択されている間に、他方の現像液ノズルについて現像液の温度及び現像液の濃度が調整される工程を含むことを特徴とする請求項18記載の現像処理方法。
- 前記現像液ノズルを基板の周縁から中央部に向かって移動させる工程と共に、少なくとも現像液ノズルが現像液の吐出を停止するまでにリンス液ノズルをその近傍に移動させておく工程と、を含むことを特徴とする請求項13ないし19のいずれか一つに記載の現像処理方法。
- 現像液を供給する工程は、現像液を吐出しながら現像液ノズルを基板の周縁から中央部に向かって移動させる動作を複数回行うことを特徴とする請求項13ないし19のいずれか一つに記載の現像処理方法。
- 現像液を供給する工程は、ノズルを基板の周縁から中央部に向かって移動した後に、所定の時間中央部に現像液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項13ないし19のいずれか一つに記載の現像処理方法。
- 現像液が供給される前の基板の表面に、濡れ性を高めるための表面処理液を供給する工程を更に含むことを特徴とする請求項13ないし22のいずれか一に記載の現像処理方法。
- 現像液が供給された後の基板の表面にリンス液を供給する工程と、
このリンス液が供給された基板の表面に、当該基板の表面とリンス液との液摩擦を小さくするための界面活性剤を供給する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項13ないし23のいずれか一に記載の現像処理方法。 - 現像液ノズルを基板の外側から中央部に向かって移動させたとき、その吐出口の基板の中央寄りの先端が基板の回転軸と一致する位置で移動が停止されることを特徴とする請求項13ないし24のいずれか一に記載の現像処理方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004233617A JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-08-10 | 現像装置及び現像処理方法 |
TW093139670A TWI272670B (en) | 2003-12-26 | 2004-12-20 | Development device and development method |
KR1020067012793A KR101160704B1 (ko) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | 현상 장치 및 현상 방법 |
US10/584,264 US7823534B2 (en) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | Development device and development method |
PCT/JP2004/019417 WO2005064656A1 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | 現像装置及び現像方法 |
CN200910205218XA CN101697065B (zh) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | 显影装置及显影方法 |
CN2004800419950A CN1918694B (zh) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | 显影装置及显影方法 |
EP04807773A EP1708252A4 (en) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | DEVELOPMENT DEVICE AND DEVELOPMENT PROCESS |
US12/877,612 US8026048B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-08 | Developing apparatus and developing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435897 | 2003-12-26 | ||
JP2004233617A JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-08-10 | 現像装置及び現像処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005210059A true JP2005210059A (ja) | 2005-08-04 |
JP2005210059A5 JP2005210059A5 (ja) | 2006-10-19 |
JP4369325B2 JP4369325B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=34742162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004233617A Active JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-08-10 | 現像装置及び現像処理方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7823534B2 (ja) |
EP (1) | EP1708252A4 (ja) |
JP (1) | JP4369325B2 (ja) |
KR (1) | KR101160704B1 (ja) |
CN (2) | CN101697065B (ja) |
TW (1) | TWI272670B (ja) |
WO (1) | WO2005064656A1 (ja) |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103409A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターン形成体の製造方法 |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2009033053A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2009099851A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Sokudo:Kk | 現像装置 |
JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
JP2009302433A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
US7775729B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program |
JP2010199332A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2010199323A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
US7828488B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method, coating and developing system and storage medium |
CN102109776A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-06-29 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 光刻胶显影工艺及其装置 |
JP2012015385A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012070003A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2012070002A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US8440266B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Developing device, developing method and storage medium |
US8474396B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, resist pattern forming method and storage medium |
JP2014053622A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-03-20 | Sokudo Co Ltd | 現像装置 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
US9028621B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-05-12 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning device |
JP2015099925A (ja) * | 2014-12-15 | 2015-05-28 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 現像方法 |
JP2015523735A (ja) * | 2012-07-09 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式基板システムでフォトレジストを剥離する方法 |
JP2016029703A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置 |
JP2016127204A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
TWI559101B (zh) * | 2008-03-24 | 2016-11-21 | 斯克林半導體科技股份有限公司 | 顯影裝置及顯影方法 |
US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
JP2019003982A (ja) * | 2017-06-12 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
JP2019165254A (ja) * | 2019-06-19 | 2019-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
JP2021044417A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理装置の液検出方法 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4414753B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
KR100993311B1 (ko) | 2005-04-01 | 2010-11-09 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 중첩 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템 |
US20070059640A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Masakazu Sanada | Processing method of substrate and processing apparatus of substrate |
JP4684858B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4781834B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置および現像方法 |
US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US20080008973A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Tomohiro Goto | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2009020524A1 (en) | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
CN102683249B (zh) | 2008-05-09 | 2015-06-17 | 泰尔Fsi公司 | 用于处理微电子工件的*** |
WO2009139826A2 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Fsi International, Inc. | Substrate processing systems and related methods |
JP2010123230A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sony Disc & Digital Solutions Inc | 現像方法、及び現像装置 |
KR101041872B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-06-16 | 세메스 주식회사 | 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101036603B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-05-24 | 세메스 주식회사 | 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
KR101024355B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2011-03-23 | 세메스 주식회사 | 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
JP2011124352A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5284294B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
JP5003773B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
CN102385262A (zh) * | 2010-09-01 | 2012-03-21 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 光刻工艺的显影方法 |
KR101337368B1 (ko) | 2010-10-27 | 2013-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법 |
CN102486618A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法 |
JP5845633B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2016-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出装置 |
JP5634341B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2014-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
US20130034966A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Chemical dispersion method and device |
US9256133B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for developing process |
CN103424997B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-05-18 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 光刻工艺的显影方法 |
US9597703B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-03-21 | Lam Research Ag | Slit nozzle |
CN105396755B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种涂胶机头、涂胶机及涂胶方法 |
US10386723B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-08-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography patterning with flexible solution adjustment |
KR102000019B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2019-07-18 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 |
US10203606B1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for dispensing developer onto semiconductor substrate |
WO2019183029A1 (en) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Tokyo Electron Limited | System and method for tuning thickness of resist films |
JP2019169624A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
CN108469718A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-31 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种掩模的显影方法及装置 |
KR102234619B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2021-04-05 | 세메스 주식회사 | 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치 |
KR102631793B1 (ko) * | 2018-11-08 | 2024-02-01 | 삼성전자주식회사 | 약액 공급 구조물 및 이를 구비하는 현상장치 |
CN109802643B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-09-08 | 无锡市好达电子股份有限公司 | 一种辅助显影版图制作方法 |
JP7308048B2 (ja) | 2019-02-15 | 2023-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 液処理装置および液処理方法 |
CN109821702B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-11-10 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 涂布设备及涂布方法 |
CN113391528A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 改善光阻显影均匀性的方法 |
KR102666439B1 (ko) | 2020-04-08 | 2024-05-17 | 세메스 주식회사 | 노즐 장치 및 기판 처리 장치 |
CN114832957A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-08-02 | 上海芯源微企业发展有限公司 | 一种显影喷嘴 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3953265A (en) * | 1975-04-28 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
JPH02270318A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Seiko Epson Corp | 現像装置 |
JP2871747B2 (ja) * | 1989-10-06 | 1999-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3124017B2 (ja) | 1990-04-03 | 2001-01-15 | チッソ株式会社 | 熱接着性繊維および不織布 |
US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
JPH07263302A (ja) | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | レジストの現像方法 |
JPH088163A (ja) | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sony Corp | パターン形成方法 |
JP3015255B2 (ja) | 1994-07-07 | 2000-03-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
TW402737B (en) * | 1997-05-27 | 2000-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning/drying device and method |
US6191053B1 (en) * | 1997-06-16 | 2001-02-20 | Silicon Valley Group, Inc. | High efficiency photoresist coating |
US5962070A (en) * | 1997-09-25 | 1999-10-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
JPH11111603A (ja) | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像方法及びその装置 |
JPH11156278A (ja) | 1997-11-27 | 1999-06-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置 |
JPH11264756A (ja) | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
JP3381776B2 (ja) | 1998-05-19 | 2003-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JPH11340119A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
US6416583B1 (en) * | 1998-06-19 | 2002-07-09 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
JP2000051762A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-22 | Toshiba Emi Ltd | 現像ノズル |
JP3970432B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2007-09-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
JP3652169B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2005-05-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板現像装置 |
JP3535997B2 (ja) | 1999-10-01 | 2004-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
CN100451843C (zh) * | 2000-01-21 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 液体喷洒装置 |
JP2001274082A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
US6384894B2 (en) * | 2000-01-21 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing unit |
JP3843200B2 (ja) | 2000-03-30 | 2006-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4335470B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2009-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び混合装置 |
JP3556882B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2004-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理システム |
JP2001338864A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3811082B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2006-08-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003303752A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20030083779A (ko) * | 2002-04-22 | 2003-11-01 | 주식회사 디엠에스 | 액정표시소자용 처리장치 및 처리방법 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
JP4324527B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び現像装置 |
-
2004
- 2004-08-10 JP JP2004233617A patent/JP4369325B2/ja active Active
- 2004-12-20 TW TW093139670A patent/TWI272670B/zh active
- 2004-12-24 KR KR1020067012793A patent/KR101160704B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-24 WO PCT/JP2004/019417 patent/WO2005064656A1/ja active Application Filing
- 2004-12-24 CN CN200910205218XA patent/CN101697065B/zh active Active
- 2004-12-24 CN CN2004800419950A patent/CN1918694B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-24 EP EP04807773A patent/EP1708252A4/en not_active Withdrawn
- 2004-12-24 US US10/584,264 patent/US7823534B2/en active Active
-
2010
- 2010-09-08 US US12/877,612 patent/US8026048B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4704173B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 微細パターン形成体の製造方法 |
JP2007103409A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターン形成体の製造方法 |
US7775729B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program |
US7828488B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method, coating and developing system and storage medium |
US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
JP2009033052A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US7665918B2 (en) | 2007-07-30 | 2010-02-23 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method and storage medium |
JP2009033053A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US7896562B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Developing method, developing apparatus and storage medium |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2009099851A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Sokudo:Kk | 現像装置 |
TWI402635B (zh) * | 2007-10-18 | 2013-07-21 | Sokudo Co Ltd | 顯影裝置 |
US9581907B2 (en) | 2007-10-18 | 2017-02-28 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Developing apparatus |
US8956695B2 (en) | 2007-10-18 | 2015-02-17 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Developing method |
US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
TWI559101B (zh) * | 2008-03-24 | 2016-11-21 | 斯克林半導體科技股份有限公司 | 顯影裝置及顯影方法 |
US8865396B2 (en) | 2008-06-17 | 2014-10-21 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing apparatus |
JP2009302433A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
US9256131B2 (en) | 2008-06-17 | 2016-02-09 | Tokyo Electron Limited | Developing method for developing apparatus |
US8440266B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Developing device, developing method and storage medium |
JP2010199323A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP4700117B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法 |
US8678684B2 (en) | 2009-02-25 | 2014-03-25 | Tokyo Electron Limited | Developing method |
US8393808B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-03-12 | Tokyo Electron Limited | Developing method |
JP2010199332A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
US8474396B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, resist pattern forming method and storage medium |
JP2012015385A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US9028621B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-05-12 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning device |
CN102109776A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-06-29 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 光刻胶显影工艺及其装置 |
JP2012070002A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2012070003A (ja) * | 2011-12-21 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2015523735A (ja) * | 2012-07-09 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式基板システムでフォトレジストを剥離する方法 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
JP2014053622A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-03-20 | Sokudo Co Ltd | 現像装置 |
JP2016029703A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置 |
JP2015099925A (ja) * | 2014-12-15 | 2015-05-28 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 現像方法 |
KR102308989B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2021-10-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 현상 방법 |
KR20170102162A (ko) * | 2015-01-07 | 2017-09-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 현상 방법 |
JP2016127204A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
US10185219B2 (en) | 2015-01-07 | 2019-01-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Developing method |
KR102424125B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2022-07-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 현상 방법 |
US10684548B2 (en) | 2015-01-07 | 2020-06-16 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Developing method |
KR20210123250A (ko) * | 2015-01-07 | 2021-10-13 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 현상 방법 |
JP2019003982A (ja) * | 2017-06-12 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP2019165254A (ja) * | 2019-06-19 | 2019-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法 |
JP2021044417A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理装置の液検出方法 |
JP7331568B2 (ja) | 2019-09-12 | 2023-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理装置の液検出方法 |
US11914298B2 (en) | 2019-09-12 | 2024-02-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and method of detecting liquid in liquid processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090130614A1 (en) | 2009-05-21 |
US20100330508A1 (en) | 2010-12-30 |
KR20070007262A (ko) | 2007-01-15 |
EP1708252A1 (en) | 2006-10-04 |
CN1918694A (zh) | 2007-02-21 |
CN101697065B (zh) | 2012-07-04 |
JP4369325B2 (ja) | 2009-11-18 |
KR101160704B1 (ko) | 2012-06-28 |
US8026048B2 (en) | 2011-09-27 |
TW200536000A (en) | 2005-11-01 |
US7823534B2 (en) | 2010-11-02 |
CN1918694B (zh) | 2011-01-26 |
CN101697065A (zh) | 2010-04-21 |
TWI272670B (en) | 2007-02-01 |
WO2005064656A1 (ja) | 2005-07-14 |
EP1708252A4 (en) | 2008-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4369325B2 (ja) | 現像装置及び現像処理方法 | |
JP4464763B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP4414753B2 (ja) | 現像装置及び現像処理方法 | |
JP4700117B2 (ja) | 現像処理方法 | |
JP4900116B2 (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
JP4788785B2 (ja) | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 | |
JP5212538B2 (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
JP6449752B2 (ja) | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 | |
JP4514224B2 (ja) | リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置 | |
US7387455B2 (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and developing device | |
JP2009033054A (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4780808B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP4199102B2 (ja) | 基板の処理方法,基板処理システム及び現像液供給ノズル | |
JP5314723B2 (ja) | 現像装置 | |
JP5104994B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5622282B2 (ja) | 基板裏面洗浄装置 | |
JP5225880B2 (ja) | 現像処理方法 | |
JP2008294476A (ja) | 基板の現像処理方法及び現像処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060901 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4369325 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150904 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |