JP2005191535A - Sticking device and sticking method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェーハ等の基板を薄板化する際にバックアップのために基板にサポートプレートを貼り付ける装置と貼り付ける方法に関する。 The present invention relates to an apparatus and a method for attaching a support plate to a substrate for backup when a substrate such as a semiconductor wafer is thinned.
ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄厚の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になるウェーハの厚さは現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないと言われている。 IC cards and mobile phones are required to be thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these demands, a semiconductor chip to be incorporated must be a thin semiconductor chip. Therefore, the thickness of the wafer on which the semiconductor chip is based is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for the next generation chip.
半導体ウェーハをグラインダーなどによって薄板化する工程では、半導体ウェーハの回路形成面側をテープや板材でサポートする必要がある。特許文献１には、半導体ウェーハにサポートプレートを貼り付ける装置が開示されている。 In the process of thinning a semiconductor wafer with a grinder or the like, it is necessary to support the circuit forming surface side of the semiconductor wafer with a tape or a plate material. Patent Document 1 discloses an apparatus for attaching a support plate to a semiconductor wafer.
特許文献１に開示される装置は、上下一対のホットプレートを配置するとともに、これらホットプレートの外側に上下一対の真空ポットを設け、上下のホットプレート間で半導体ウェーハとサポートプレートとの積層体を圧着する間、減圧雰囲気で行うようにしている。特に、特許文献１では上方のホットプレートを昇降動せしめる手段として油圧式のプレス機を用いず、ダンパーとしても機能するエアプランジャーを用いることで、ホットプレートからの熱で積層体が膨張した際に発生する逆圧力で半導体ウェーハが破損することを防止している。
半導体ウェーハとサポートプレートとを重ねた場合、これらの間に空気が介在してしまうことがある。また加熱圧着の際に接着剤に含まれる溶剤が半導体ウェーハとサポートプレートとの間にガスとなって発生する。
特許文献１ではホットプレートを真空ポット内に配置して減圧雰囲気で圧着するようにしているが、半導体ウェーハとサポートプレートの間に挟まったガスを抜くのは容易ではない。
When the semiconductor wafer and the support plate are stacked, air may be interposed between them. In addition, a solvent contained in the adhesive is generated as a gas between the semiconductor wafer and the support plate during the thermocompression bonding.
In Patent Document 1, a hot plate is placed in a vacuum pot and pressed in a reduced-pressure atmosphere, but it is not easy to remove the gas sandwiched between the semiconductor wafer and the support plate.
上記課題を解決すべく本発明に係る貼り付け装置は、半導体ウェーハ等の基板とサポートプレートとの積層体を載置する保持台と、この保持台に対し相対的に昇降動可能な押圧板とを備え、且つ前記保持台及び押圧板のうちサポートプレートと接する部材には排気機構を設けた。 In order to solve the above-mentioned problems, a bonding apparatus according to the present invention includes a holding table on which a laminated body of a substrate such as a semiconductor wafer and a support plate is placed, and a pressing plate that can be moved up and down relative to the holding table. And an exhaust mechanism is provided on a member of the holding table and the pressing plate that comes into contact with the support plate.
前記排気機構としては、厚み方向に貫通孔が形成された多孔板、セラミックス焼結体あるいはステンレス板などの面精度が高い板材を、前記保持台及び押圧板のうちサポートプレートと接する部材に嵌め込んだ構成が考えられる。また、前記押圧板についてはユニバーサルジョイントを介してフレームに取付け角度が調整可能に支持される構成とすることが好ましい。 As the exhaust mechanism, a plate material having a high surface accuracy such as a perforated plate having a through-hole formed in the thickness direction, a ceramic sintered body, or a stainless plate is fitted into a member that contacts the support plate among the holding table and the pressing plate. A configuration is possible. Moreover, it is preferable that the pressing plate is supported by the frame via a universal joint so that the mounting angle can be adjusted.
また、本発明に係る貼り付け方法は、半導体ウェーハ等の基板の回路形成面に接着剤を塗布し、この接着剤の上に通気性を有するサポートプレートを重ね、この半導体ウェーハとサポートプレートとの積層体を保持台の上に載置し、次いで保持台と押圧板との間が所定の間隔（例えば１．２ｍｍ）となるまで保持台に対し押圧板を相対的に下降せしめて前記半導体ウェーハとサポートプレートとを圧着せしめるとともに、半導体ウェーハとサポートプレートとの間に存在するガスを、サポートプレート及びこのサポートプレートと接する保持台または押圧板を介して外部に排気する。 Further, in the attaching method according to the present invention, an adhesive is applied to a circuit forming surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a support plate having air permeability is stacked on the adhesive, and the semiconductor wafer and the support plate are overlapped. The stacked body is placed on a holding table, and then the semiconductor wafer is lowered by lowering the pressing plate relative to the holding table until a predetermined distance (for example, 1.2 mm) is reached between the holding table and the pressing plate. The support plate and the support plate are pressed together, and the gas existing between the semiconductor wafer and the support plate is exhausted to the outside through the support plate and the holding table or pressing plate in contact with the support plate.
また、本発明に係る別の貼り付け方法は、回路形成面に接着剤を塗布した半導体ウェーハ等の基板と通気性を有するサポートプレートとを、別々の搬送手段で貼り付け装置内に搬送し、装置内で前記基板とサポートプレートとを重ね合わせ、その積層体を保持台の上に載置する。基板とサポートプレートを重ね合わせることで両者の間に存在するガスは抜けていく。次いで、保持台と押圧板との間が所定の間隔（例えば１．２ｍｍ）となるまで保持台に対し押圧板を相対的に下降せしめて前記半導体ウェーハとサポートプレートとを圧着せしめる。 Further, another bonding method according to the present invention, a substrate such as a semiconductor wafer coated with an adhesive on the circuit forming surface and a support plate having air permeability are conveyed into the bonding device by separate conveying means, The substrate and the support plate are overlapped in the apparatus, and the stacked body is placed on a holding table. By superimposing the substrate and the support plate, the gas existing between the two escapes. Next, the semiconductor wafer and the support plate are pressure-bonded by lowering the pressure plate relative to the holding table until the distance between the holding table and the pressing plate reaches a predetermined distance (for example, 1.2 mm).
本発明によれば、半導体ウェーハ等の基板とサポートプレートを圧着せしめるときに、基板とサポートプレートとの間に存在するガスを効果的に除去することができる。したがって、圧着後に剥離したり、圧着後の厚みが部分的に異なったりすることがなく、研削工程において半導体ウェーハの厚みを正確にコントロールすることができる。 According to the present invention, when a substrate such as a semiconductor wafer is bonded to a support plate, the gas existing between the substrate and the support plate can be effectively removed. Therefore, the thickness of the semiconductor wafer can be accurately controlled in the grinding process without peeling after the pressure bonding or the thickness after the pressure bonding being partially different.
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る貼り付け装置（方法）を組み込んだ半導体ウェーハの薄板化工程を説明した図であり、最初に薄板化工程の全体を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a thinning process of a semiconductor wafer incorporating a bonding apparatus (method) according to the present invention. First, the whole thinning process will be described.
先ず半導体ウェーハＷの回路（素子）形成面（Ａ面）に接着剤液を塗布する。塗布には例えばスピンナーを用いる。接着剤液としては例えばノボラックタイプのフェノール樹脂系材料が挙げられるが、これに限定されない。 First, an adhesive liquid is applied to the circuit (element) forming surface (A surface) of the semiconductor wafer W. For example, a spinner is used for coating. Examples of the adhesive liquid include, but are not limited to, a novolac type phenol resin material.
次いで、上記の接着剤液を予備乾燥させて流動性を低減させ、接着剤層１としての形状維持を可能とする。予備乾燥にはオーブンを用いて例えば８０℃で５分間加熱する。接着剤層１の厚みは半導体ウェーハＷの表面（Ａ面）に形成した回路の凹凸に応じて決定する。尚、一回の塗布では必要な厚みを出せない場合には、塗布と予備乾燥を複数回繰り返して行う。この場合、最上層以外の接着剤層の予備乾燥は接着剤に流動性を残さないように乾燥の度合いを強める。 Next, the adhesive liquid is pre-dried to reduce the fluidity, and the shape of the adhesive layer 1 can be maintained. Pre-drying is performed using an oven, for example, at 80 ° C. for 5 minutes. The thickness of the adhesive layer 1 is determined according to the unevenness of the circuit formed on the surface (A surface) of the semiconductor wafer W. If the required thickness cannot be obtained by a single application, the application and preliminary drying are repeated a plurality of times. In this case, preliminary drying of the adhesive layers other than the uppermost layer increases the degree of drying so as not to leave fluidity in the adhesive.
以上によって所定厚みの接着剤層１が形成された半導体ウェーハＷに、本発明に係る貼り付け装置を用いてサポートプレート２を貼り付ける。貼り付け装置の詳細は後述する。 The support plate 2 is bonded to the semiconductor wafer W on which the adhesive layer 1 having a predetermined thickness is formed by using the bonding apparatus according to the present invention. Details of the pasting apparatus will be described later.
この後、一体化した半導体ウェーハＷとサポートプレート２の積層体を反転し、半導体ウェーハＷの裏面（Ｂ面）をグラインダー１０で研削し、半導体ウェーハＷを薄板化する。尚、研削にあたってはグラインダー１０と半導体ウェーハＷとの間に生じる摩擦熱を抑えるために水（研削液）を半導体ウェーハＷの裏面に供給しつつ行う。ここで、前記接着剤は水に不溶（アルコールに可溶）なものを選定しているため、研削の際に半導体ウェーハＷからサポートプレート２が剥がれることがない。 Thereafter, the laminated body of the integrated semiconductor wafer W and the support plate 2 is inverted, and the back surface (B surface) of the semiconductor wafer W is ground by the grinder 10 to thin the semiconductor wafer W. The grinding is performed while supplying water (grinding fluid) to the back surface of the semiconductor wafer W in order to suppress frictional heat generated between the grinder 10 and the semiconductor wafer W. Here, since the adhesive is selected from those insoluble in water (soluble in alcohol), the support plate 2 is not peeled off from the semiconductor wafer W during grinding.
上記薄板化した半導体ウェーハＷの裏面（Ｂ面）に必要に応じて回路などを形成した後、当該裏面をダイシングテープ１１上に固定する。このダイシングテープ１１は粘着性を有するとともにフレーム１２に保持されている。 After a circuit or the like is formed on the back surface (B surface) of the thinned semiconductor wafer W as necessary, the back surface is fixed on the dicing tape 11. The dicing tape 11 has adhesiveness and is held by the frame 12.
この後、サポートプレート２の上から溶剤としてアルコールを注ぐ。アルコールはサポートプレート２の貫通孔を介して接着剤層１に到達し接着剤層１を溶解する。この場合、フレーム１２を図示しないスピンナーにて回転せしめることで、アルコールを短時間のうちに接着剤層１の全面に行き渡らせることができる。用いるアルコールとしてはエタノールやメタノールなどの分子量が小さいものほど溶解性が高いので好ましい。また複数のアルコールを混合してもよい。またアルコールの代わりにケトンまたはアルコールとケトンとの混合溶液を用いてもよい。 Thereafter, alcohol is poured from above the support plate 2 as a solvent. Alcohol reaches the adhesive layer 1 through the through holes of the support plate 2 and dissolves the adhesive layer 1. In this case, the alcohol can be spread over the entire surface of the adhesive layer 1 in a short time by rotating the frame 12 with a spinner (not shown). As the alcohol to be used, a lower molecular weight such as ethanol or methanol is preferable because of its higher solubility. A plurality of alcohols may be mixed. Further, instead of alcohol, a ketone or a mixed solution of alcohol and ketone may be used.
アルコールなどを接着剤層１に供給する手段としては、溶剤を満たした槽にサポートプレート２が接着した半導体ウェーハＷを浸漬してもよい、この場合超音波振動を加えれば更に効果的である。 As means for supplying alcohol or the like to the adhesive layer 1, the semiconductor wafer W to which the support plate 2 is bonded may be immersed in a tank filled with a solvent. In this case, it is more effective if ultrasonic vibration is applied.
以上の如くして接着剤層１を溶解せしめたならば、フレーム１２を回転させサポートプレート２上の余分な溶剤を除去した後、アーム１４の先端に取り付けたマグネット１５をサポートプレート２の周辺に近づけ磁力によって付着せしめ、次いで、アーム１４を斜め上方に引くことでサポートプレート２を周辺部から徐々に剥離する。 If the adhesive layer 1 is dissolved as described above, the frame 12 is rotated to remove excess solvent on the support plate 2, and then the magnet 15 attached to the tip of the arm 14 is placed around the support plate 2. Then, the support plate 2 is gradually peeled off from the peripheral portion by pulling the arm 14 obliquely upward.
そして、サポートプレート２を取り外した後、ダイシング装置１３によって半導体ウェーハＷをチップサイズに切断する。切断後は、ダイシングテープ１１に紫外線を照射し、ダイシングテープ１１の粘着力を低下せしめて、切断したチップを個々に取り出す。 Then, after removing the support plate 2, the semiconductor wafer W is cut into chips by the dicing device 13. After cutting, the dicing tape 11 is irradiated with ultraviolet rays, the adhesive strength of the dicing tape 11 is reduced, and the cut chips are individually taken out.
次に、貼り付け装置について図２〜図４に基づいて説明する。ここで、図２は本発明に係る貼り付けステーションの全体図、図３はサポートプレートの斜視図、図４（ａ）〜（ｃ）は保持台と押圧板との平行度を出すための手順を説明した図である。貼り付けステーションには貼り付け装置５の他に、半導体ウェーハ載置台６、サポートプレート載置台７およびこれら貼り付け装置５、半導体ウェーハ載置台６、サポートプレート載置台７間でワークを搬送するロボット８が配置されている。 Next, the pasting apparatus will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 2 is an overall view of a pasting station according to the present invention, FIG. 3 is a perspective view of a support plate, and FIGS. 4A to 4C are procedures for obtaining parallelism between the holding table and the pressing plate. FIG. In the pasting station, in addition to the pasting device 5, a semiconductor wafer mounting table 6, a support plate mounting table 7, and a robot 8 for transferring a workpiece between the pasting device 5, the semiconductor wafer mounting table 6, and the support plate mounting table 7. Is arranged.
貼付け装置５は保持台５１と押圧板５２との間で半導体ウェーハＷとサポートプレート２の積層体を圧着する。
前記保持台５１は上面が平坦なセラミックス製でベース５３に固定されている。このベース５３にはフレーム５４が設けられ、このフレーム５４にはモータ５５が支持され、このモータ５５によって回転せしめられるネジ５６が前記フレーム５４に回転自在に支承されている。
The affixing device 5 presses the stacked body of the semiconductor wafer W and the support plate 2 between the holding table 51 and the pressing plate 52.
The holding table 51 is made of ceramics having a flat upper surface and is fixed to the base 53. The base 53 is provided with a frame 54, and a motor 55 is supported on the frame 54. A screw 56 that is rotated by the motor 55 is rotatably supported on the frame 54.
一方、前記押圧板５２はボールジョイント５７を介して昇降体５８に支持されている。ボールジョイント５７の側方にはボルト５９が設けられ、このボルト５９を緩めることで押圧板５２はフリーの状態で支持され、ボルト５９を締め付けてボールジョイント５７の球面を強く固定することで押圧板５２はそのときの角度で昇降体５８に支持される。 On the other hand, the pressing plate 52 is supported by an elevating body 58 through a ball joint 57. Bolts 59 are provided on the sides of the ball joint 57. By loosening the bolts 59, the pressing plate 52 is supported in a free state. By tightening the bolts 59, the spherical surface of the ball joint 57 is firmly fixed. 52 is supported by the elevating body 58 at the angle at that time.
また昇降体５８の左右の端部はフレーム５４の左右のメンバの内側に設けたレール６０に係合することで上下方向に移動可能とされ、また昇降体５８の中央上端部にはナット部材６１を固着し、このナット部材６１に前記ネジ５６を螺合している。而して、前記モータ５５を駆動しネジ５６を回転せしめることで昇降体５８はレール６０に沿って昇降動し、この昇降体５８と一体的に押圧板５２も昇降動する。 The left and right ends of the lifting body 58 are movable in the vertical direction by engaging with rails 60 provided on the inner side of the left and right members of the frame 54, and the nut member 61 is disposed at the central upper end of the lifting body 58. And the screw 56 is screwed onto the nut member 61. Thus, by driving the motor 55 and rotating the screw 56, the elevating body 58 moves up and down along the rail 60, and the pressing plate 52 also moves up and down integrally with the elevating body 58.
前記押圧板５２には下方に向かって開口する凹部が形成され、この凹部にセラミックス焼結体６２が嵌め込まれ、また押圧板５２には真空ポンプにつながる排気管６３が取り付けられている。前記セラミックス焼結体６２は多孔質であり、排気管６３を取り付ける孔をセラミックス焼結体６２まで伸ばすことで、セラミックス焼結体６２を介して吸引することができる。 The pressing plate 52 is formed with a concave portion that opens downward. A ceramic sintered body 62 is fitted into the concave portion, and an exhaust pipe 63 connected to a vacuum pump is attached to the pressing plate 52. The ceramic sintered body 62 is porous, and can be sucked through the ceramic sintered body 62 by extending the hole for attaching the exhaust pipe 63 to the ceramic sintered body 62.
上記貼り付け装置５を用いて半導体ウェーハＷとサポートプレート２を圧着するには、先ず、保持台５１と押圧板５２の平行度を出す。この操作は毎回行う必要はないが定期的に行う必要がある。 In order to pressure-bond the semiconductor wafer W and the support plate 2 using the bonding device 5, first, the parallelism between the holding table 51 and the pressing plate 52 is obtained. This operation does not need to be performed every time but must be performed periodically.
平行度を出すには、先ず図４（ａ）に示すようにボルト５９を緩めボールジョイント５７をフリーの状態にする。そして、この状態のまま押圧板５２を下降せしめ、図４（ｂ）に示すように、押圧板５２（セラミックス焼結体６２）の下面を保持台５１の上面に当接させる。この時点で保持台５１と押圧板５２とは平行
になる。次いで、ボルト５９を締め付けボールジョイント５７を固定した後、押圧板５２を上昇せしめ図４（ｃ）に示す状態にする。
In order to obtain the parallelism, first, as shown in FIG. 4A, the bolt 59 is loosened to bring the ball joint 57 into a free state. Then, the pressing plate 52 is lowered in this state, and the lower surface of the pressing plate 52 (ceramic sintered body 62) is brought into contact with the upper surface of the holding table 51 as shown in FIG. At this time, the holding table 51 and the pressing plate 52 are parallel to each other. Next, after tightening the bolt 59 and fixing the ball joint 57, the pressing plate 52 is raised to the state shown in FIG. 4 (c).
また、貼り付けステーションに配置される半導体ウェーハ載置台６には、半導体ウェーハＷの下面を支持するピン６ａが設けられ、このピン６ａと載置台６との間にロボット８のハンド８ａが入り込む隙間が形成されるようにしている。更に、サポートプレート載置台７はリング状をなし、その一部にロボット８のハンド８ａよりも幅広の切欠７ａを形成している。 Further, the semiconductor wafer mounting table 6 disposed in the pasting station is provided with a pin 6 a that supports the lower surface of the semiconductor wafer W, and a gap through which the hand 8 a of the robot 8 enters between the pin 6 a and the mounting table 6. Is to be formed. Further, the support plate mounting table 7 has a ring shape, and a notch 7a wider than the hand 8a of the robot 8 is formed in a part thereof.
また、サポートプレート載置台７に保持されるサポートプレート２は、図３に示すように、半導体ウェーハＷよりも大径（半径で２ｍｍ）で、厚み０．５ｍｍの鉄−ニッケル合金（ニッケル３６％の合金：インバー）を用い、Φ０．５ｍｍの貫通穴３が０．７ｍｍピッチで形成され、更に外縁部は貫通穴のない平坦部４としている。尚、サポートプレートとしては通気性機能を有するセラミック板などを使用してもよい。 Further, as shown in FIG. 3, the support plate 2 held on the support plate mounting table 7 has an iron-nickel alloy (36% nickel) having a diameter larger than that of the semiconductor wafer W (2 mm in radius) and a thickness of 0.5 mm. Alloy: Invar), through holes 3 having a diameter of 0.5 mm are formed at a pitch of 0.7 mm, and the outer edge portion is a flat portion 4 having no through holes. As the support plate, a ceramic plate having a breathable function may be used.
上記平坦部４はサポートプレート２を半導体ウェーハＷに重ねた状態で、半導体ウェーハＷのエッジ部がかかる部分よりも外側部分としている。半導体ウェーハＷは薄板化されているため極めて割れや欠けが発生しやすい。特にエッジ部が貫通孔にかかると、この部分は何も支えがない状態になるので研削液の水圧或いはグラインダーの圧によって簡単に割れや欠けが発生してしまう。そこで、実施例にあっては平坦部４に半導体ウェーハＷのエッジ部がかかるようにしている。
尚、半導体ウェーハＷの目的とする厚みによっては、サポートプレート２全体に貫通孔を形成してもよい。
The flat portion 4 is an outer portion than the portion where the edge portion of the semiconductor wafer W is applied in a state where the support plate 2 is overlaid on the semiconductor wafer W. Since the semiconductor wafer W is thinned, cracks and chips are very likely to occur. In particular, when the edge portion is applied to the through-hole, this portion is in a state where there is no support, so that cracking or chipping easily occurs due to the hydraulic pressure of the grinding fluid or the pressure of the grinder. Therefore, in the embodiment, the edge portion of the semiconductor wafer W covers the flat portion 4.
Depending on the intended thickness of the semiconductor wafer W, a through hole may be formed in the entire support plate 2.
以上の貼り付けステーションで半導体ウェーハＷとサポートプレート２を圧着するには、先ず半導体ウェーハ載置台６上に待機している半導体ウェーハＷの下方にロボット８のハンド８ａを差し込み、ハンド８ａを上昇させてハンド８ａ上に半導体ウェーハＷを移載する。尚、半導体ウェーハＷの上面（回路形成面）には接着剤層１が形成されている。 In order to pressure-bond the semiconductor wafer W and the support plate 2 at the above bonding station, first, the hand 8a of the robot 8 is inserted below the semiconductor wafer W waiting on the semiconductor wafer mounting table 6, and the hand 8a is raised. Then, the semiconductor wafer W is transferred onto the hand 8a. An adhesive layer 1 is formed on the upper surface (circuit forming surface) of the semiconductor wafer W.
次いで、ハンド８ａを水平方向に移動させ、半導体ウェーハＷをサポートプレート載置台７で待機しているサポートプレート２の下方に位置せしめる。この後、ハンド８ａを上昇させ、半導体ウェーハＷの上面の接着剤層１の上にサポートプレート２に重ね、そのまま半導体ウェーハＷとサポートプレート２との積層体をサポートプレート載置台７から持ち上げる。このときハンド８ａはサポートプレート載置台７の一部に形成した切欠７ａを通過する。 Next, the hand 8 a is moved in the horizontal direction, and the semiconductor wafer W is positioned below the support plate 2 waiting on the support plate mounting table 7. Thereafter, the hand 8 a is raised, and the support plate 2 is stacked on the adhesive layer 1 on the upper surface of the semiconductor wafer W, and the stacked body of the semiconductor wafer W and the support plate 2 is lifted from the support plate mounting table 7 as it is. At this time, the hand 8 a passes through a notch 7 a formed in a part of the support plate mounting table 7.
この後、ハンド８ａを移動し貼り付け装置５の保持台５１上に半導体ウェーハＷとサポートプレート２との積層体をセットする。この後、モータ５５を駆動して押圧板５２を下降せしめ、保持台５１と押圧板５２との間が１．２ｍｍになるまで接近させた状態で圧着する。尚、この圧着の際に半導体ウェーハＷとサポートプレート２との間に存在していた気泡或いは接着剤層１の溶剤が気化したガスはセラミックス焼結体６２を介して外部に排除される。 Thereafter, the hand 8 a is moved to set the stacked body of the semiconductor wafer W and the support plate 2 on the holding table 51 of the attaching device 5. Thereafter, the motor 55 is driven to lower the pressing plate 52, and crimping is performed in a state where the distance between the holding base 51 and the pressing plate 52 is 1.2 mm. It should be noted that the bubbles or the gas vaporized by the solvent of the adhesive layer 1 existing between the semiconductor wafer W and the support plate 2 at the time of the pressure bonding are excluded to the outside through the ceramic sintered body 62.
尚、図示例では押圧板にセラミック焼結体を嵌め込んで排気機能を発揮する例を示したが、保持台が排気機能を発揮する構成としてもよい。この場合には半導体ウェーハとサポートプレートの上下を逆にする。 In the illustrated example, the ceramic sintered body is fitted into the pressing plate to exhibit the exhaust function. However, the holding stand may exhibit the exhaust function. In this case, the semiconductor wafer and the support plate are turned upside down.
上記の実施例では、先ず半導体ウェーハＷの回路（素子）形成面に接着剤を塗布し、その後に保持台を有する貼り付け装置内に搬入したが、まず基板とサポートプレートを別々の手段で貼り付け装置内に搬入し、貼り付け装置内を減圧状態にしてから基板とサポートプレートを重ね合わせても良い。 In the above embodiment, the adhesive is first applied to the circuit (element) forming surface of the semiconductor wafer W, and then loaded into the attaching device having the holding base. First, the substrate and the support plate are attached by different means. The substrate and the support plate may be overlapped after being loaded into the attaching device and the inside of the attaching device being decompressed.
図５（ａ）〜（ｈ）は、上記にある本発明に係る別の貼り付け方法の説明図である。保持台５１と押圧板５２からなる貼り付け装置において、保持台５１の上に平行度が調整された押圧板５２を引き上げた状態（ａ）から、
（ｂ）通気性を有するサポートプレート２が貼り付け装置内に搬送され、端面で保持され、
（ｃ）貼り付け装置内にウェーハＷが搬送され、
（ｄ）貼り付け装置内でサポートプレート２とウェーハＷとが重ね合わされ、
（ｅ）サポートプレート２と重ね合わされたウェーハＷを保持台上に載せ、
（ｆ）トッププレートが所定のギャップまで下降して圧着し貼り付けるとともに、ウェーハＷとサポートプレート２との間に介在するガスを、サポートプレート２及びサポートプレートと接する保持台または押圧板を介して外部に排気し、
（ｇ）サポートプレート２とウェーハＷの貼付後にトッププレートが上昇し、
（ｈ）貼り合わされた積層体が貼り付け装置から搬出される。
FIGS. 5A to 5H are explanatory diagrams of another attaching method according to the present invention as described above. From the state (a) in which the pressing plate 52 whose parallelism is adjusted is pulled up on the holding table 51 in the attaching device including the holding table 51 and the pressing plate 52,
(B) The support plate 2 having air permeability is conveyed into the affixing device and held at the end face,
(C) The wafer W is transferred into the attaching device,
(D) The support plate 2 and the wafer W are overlapped in the attaching device,
(E) Place the wafer W superimposed on the support plate 2 on a holding table,
(F) The top plate descends to a predetermined gap and is pressed and pasted, and the gas intervening between the wafer W and the support plate 2 is passed through the support plate 2 and the holding table or press plate in contact with the support plate. Exhaust outside,
(G) After attaching the support plate 2 and the wafer W, the top plate rises,
(H) The laminated body bonded is carried out from the attaching device.
１…接着剤層、２…サポートプレート、３…貫通穴、４…平坦部、５…貼付け装置、６…半導体ウェーハ載置台、７…サポートプレート載置台、８…ロボット、１０…グラインダー、１１…ダイシングテープ、１２…フレーム、１３…ダイシング装置、１４…アーム、１５…マグネット、５１…保持台、５２…押圧板、５３…ベース、５４…フレーム、５５…モータ、５６…ネジ、５７…ボールジョイント、５８…昇降体、５９…ボルト、６０…レール、６１…ナット部材、６２…セラミックス焼結体、６３…排気管、Ｗ…半導体ウェーハ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive layer, 2 ... Support plate, 3 ... Through-hole, 4 ... Flat part, 5 ... Pasting apparatus, 6 ... Semiconductor wafer mounting base, 7 ... Support plate mounting base, 8 ... Robot, 10 ... Grinder, 11 ... Dicing tape, 12 ... frame, 13 ... dicing device, 14 ... arm, 15 ... magnet, 51 ... holding base, 52 ... pressing plate, 53 ... base, 54 ... frame, 55 ... motor, 56 ... screw, 57 ... ball joint 58 ... Elevator, 59 ... Bolt, 60 ... Rail, 61 ... Nut member, 62 ... Ceramic sintered body, 63 ... Exhaust pipe, W ... Semiconductor wafer.
Claims (6)
6. The affixing method according to claim 4, wherein a perforated plate or a ceramic sintered body having a through-hole formed in a thickness direction is used as the support plate.
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