JP2008300490A - Peeling device, method of dissolving adhesive and peeling method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）に貼り合わせるサポートプレートをウエハから剥がす剥がし装置、接着剤の溶解方法、及び剥離方法に関する。 The present invention relates to a peeling apparatus for peeling a support plate to be bonded to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) from the wafer, an adhesive dissolving method, and a peeling method.
従来、ＩＣカードや携帯電話の薄型化、軽量化が要求される中で、この要求を満たすために、組み込まれる半導体チップを薄板化することが解決課題とされていた。そのためには、半導体チップの基礎となるウエハの厚さを薄くしなければならない。なお、このウエハには回路パターンが形成されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a reduction in thickness and weight of IC cards and mobile phones is required, and in order to satisfy this requirement, it has been a solution to reduce the thickness of a semiconductor chip to be incorporated. For this purpose, the thickness of the wafer serving as the basis of the semiconductor chip must be reduced. A circuit pattern is formed on this wafer.
ウエハを薄板化するには、ウエハの回路パターン形成面に、貫通孔を有するサポートプレート即ち孔あきサポートプレートを接着剤で貼り付け、これを反転してウエハの厚みが小さくなるようにその裏面をグラインダで研削する方法が行われている。また、この薄板化したウエハとサポートプレートとの剥離を行う際には、サポートプレートの外側から溶解液を供給する。 In order to thin the wafer, a support plate having a through hole, that is, a perforated support plate is attached to the circuit pattern forming surface of the wafer with an adhesive, and the reverse side is reversed so that the thickness of the wafer is reduced. There is a method of grinding with a grinder. Further, when the thinned wafer and the support plate are peeled off, a solution is supplied from the outside of the support plate.
この溶解液は、サポートプレートに形成された貫通孔を経て接着剤層まで到達させ、硬化している接着剤を溶解させる。なお、貫通孔のないサポートプレートの場合は、ウエハとサポートプレートとの間の隙間から接着剤層に溶解液が浸透する。こうして、サポートプレートから剥離したウエハをダイシング装置によって各チップに切り離す。 This dissolving solution reaches the adhesive layer through the through holes formed in the support plate, and dissolves the cured adhesive. In the case of a support plate without a through hole, the solution penetrates into the adhesive layer from the gap between the wafer and the support plate. In this way, the wafer peeled off from the support plate is separated into chips by a dicing apparatus.
しかしながら、ウエハとサポートプレートとが接着剤で貼り付けられた状態で、溶解液により、硬化している接着剤を溶解させる手段では、サポートプレートをウエハから剥離するのは難しかった。特に、サポートプレートに貫通孔が形成されてない場合は、剥がすのが困難であった。 However, it is difficult to peel the support plate from the wafer by means of dissolving the hardened adhesive with a dissolving liquid in a state where the wafer and the support plate are adhered with an adhesive. In particular, it was difficult to peel off when no through hole was formed in the support plate.
また、例えば前工程で、接着剤を例えばフッ素プラズマ処理により形成した保護膜でコーティング等した場合にあっては、接着剤がより溶解し難い状態となっている。 For example, when the adhesive is coated with a protective film formed by, for example, fluorine plasma treatment in the previous step, the adhesive is more difficult to dissolve.
そこで、ウエハとサポートプレートとを接着している接着剤を溶解し易くする必要がある。更に、従来は、接着剤の溶解時間が遅いため、溶解性を向上させる必要があった。 Therefore, it is necessary to easily dissolve the adhesive that bonds the wafer and the support plate. Furthermore, conventionally, since the dissolution time of the adhesive was slow, it was necessary to improve the solubility.
本発明は斯かる課題を解決するためになされたもので、ウエハとサポートプレートを剥がし易くする、剥がし装置、接着剤の溶解方法、及び剥離方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a peeling apparatus, an adhesive dissolving method, and a peeling method that make it easy to peel off a wafer and a support plate.
前記目的を達成するため、本発明は、
サポートプレートを接着剤により貼り付けられたウエハから剥がす剥がし装置であって、
前記接着剤を介して貼り合わされている前記ウエハ及び前記サポートプレートに対してＯ２プラズマ処理を施すＯ２プラズマ処理ユニットを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A peeling device for peeling a support plate from a wafer attached with an adhesive,
And having an O 2 plasma processing unit for performing an O 2 plasma treatment on the wafer and the support plate are bonded together via the adhesive.
また、本発明は、
ウエハとサポートプレートとの間に介在させた接着剤の溶解方法であって、
前記接着剤に溶解液を供給する前に前記接着剤の露出部分にＯ２プラズマ処理を施すことを特徴とする。
The present invention also provides:
A method of dissolving an adhesive interposed between a wafer and a support plate,
Before the solution is supplied to the adhesive, the exposed portion of the adhesive is subjected to O 2 plasma treatment.
更に、本発明は、
サポートプレートとウエハとが接着剤を介して貼り合わせられた貼り合わせ体にて、サポートプレートとウエハとを剥離する剥がし装置において、
前記貼り合わせ体をプラズマ処理するプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部にて処理された貼り合わせ体を、サポートプレートとウエハとに剥離する剥がし部とを備えることを特徴とする。
Furthermore, the present invention provides
In the peeling device that peels the support plate and the wafer in a bonded body in which the support plate and the wafer are bonded together with an adhesive,
A plasma processing unit for plasma processing the bonded body;
It is characterized by comprising a peeling part for peeling the bonded body processed in the plasma processing part into a support plate and a wafer.
本発明は、
サポートプレートとウエハとが接着剤を介して貼り合わせられた貼り合わせ体にて、サポートプレートとウエハとを剥離する剥離方法において、
前記貼り合わせ体を、酸素ガスをエッチャントとするプラズマで処理するプラズマ処理工程と、
サポートプレートとウエハとを剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする。
The present invention
In the peeling method in which the support plate and the wafer are peeled off with the bonded body in which the support plate and the wafer are bonded together with an adhesive,
A plasma processing step of processing the bonded body with plasma using oxygen gas as an etchant;
And a peeling process for peeling the support plate and the wafer.
本発明によれば、接着剤を介して貼り合わされているウエハ及びサポートプレートに対してＯ２プラズマ処理を施すことにより、貼り付けられたウエハ及びサポートプレートからサポートプレートを剥がし易くすることができる。また、接着剤に溶解液を供給する前に接着剤の露出部分にＯ２プラズマ処理を施すことにより、接着剤を溶解液で溶解しやすくすることができる。 According to the present invention, the support plate can be easily peeled off from the bonded wafer and support plate by performing the O 2 plasma treatment on the wafer and the support plate bonded through the adhesive. Moreover, by supplying O 2 plasma treatment to the exposed portion of the adhesive before supplying the solution to the adhesive, the adhesive can be easily dissolved with the solution.
特に、前工程でフッ素プラズマ処理を施して溶解液に溶解し難くなった接着剤に対しても、Ｏ２プラズマ処理を施すことにより、接着剤を溶解液に溶解し易くすることができる。 In particular, the adhesive can be easily dissolved in the solution by performing the O 2 plasma treatment even on the adhesive that is hardly dissolved in the solution by performing the fluorine plasma treatment in the previous step.
以下、図面に基づき本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施形態の剥がし装置１０の全体構成を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a peeling apparatus 10 according to the present embodiment.
この剥がし装置１０は、接着剤を介して貼り合わせられたウエハとサポートプレートとの貼り合わせ体をウエハとサポートプレートとに剥離する装置である。 The peeling apparatus 10 is an apparatus that peels a bonded body of a wafer and a support plate bonded together with an adhesive into a wafer and a support plate.
この剥がし装置１０は、前記貼り合わせ体をＯ２プラズマ処理するプラズマ処理部６０と、プラズマ処理部６０にて処理された貼り合わせ体をウエハとサポートプレートとに剥離する剥がし部７０と、剥がし部７０にて剥離されたウエハを洗浄する洗浄部８０と、貼り合わせ体、ウエハ等の被処理体を搬送する搬送部４８と、処理前の貼り合わせ体を収納するカセット９０と、を有している。この剥がし装置１０における動作は以下のとおりである。 The peeling apparatus 10 includes a plasma processing unit 60 that performs O 2 plasma processing on the bonded body, a peeling unit 70 that peels the bonded body processed by the plasma processing unit 60 into a wafer and a support plate, and a peeling unit. A cleaning unit 80 for cleaning the wafer peeled off at 70, a transport unit 48 for transporting a target object such as a bonded body and a wafer, and a cassette 90 for storing the bonded body before processing. Yes. The operation of the peeling apparatus 10 is as follows.
カセット９０に収納されている貼り合わせ体が、搬送部４８によりプラズマ処理部６０に搬入される。プラズマ処理部６０は、搬入された貼り合わせ体をＯ２プラズマ処理する。 The bonded body stored in the cassette 90 is carried into the plasma processing unit 60 by the transport unit 48. The plasma processing unit 60 performs O 2 plasma processing on the loaded bonded body.
上記Ｏ２プラズマ処理された貼り合わせ体は、搬送部４８によりプラズマ処理部６０から剥がし部７０に搬入される。この剥がし部７０は、搬入された貼り合わせ体をウエハとサポートプレートとに剥離する。 The bonded body that has been subjected to the O 2 plasma treatment is carried into the peeling unit 70 from the plasma processing unit 60 by the conveyance unit 48. The peeling unit 70 peels the loaded bonded body into the wafer and the support plate.
上記剥がし部７０にて剥離されたウエハは、搬送部４８により洗浄部８０に搬入される。洗浄部８０は、搬入されたウエハを洗浄する。
ここで、ウエハを薄板化して半導体のチップを得る工程について説明する。
The wafer peeled off by the peeling unit 70 is carried into the cleaning unit 80 by the transfer unit 48. The cleaning unit 80 cleans the loaded wafer.
Here, a process of obtaining a semiconductor chip by thinning the wafer will be described.
図２（ａ）〜（ｇ）は、接着剤１６を用いてウエハ１２とサポートプレート１４とを貼り付け、ウエハ１２を薄板化して半導体のチップに切り離す工程を示す図である。 2A to 2G are views showing a process of attaching the wafer 12 and the support plate 14 using the adhesive 16, thinning the wafer 12, and separating it into semiconductor chips.
図２（ａ）に示すように、ウエハ１２の回路パターン形成面（ウエハのＡ面）に塗布ユニットにより接着剤１６の液を塗布し、塗布した接着剤１６の液を乾燥させる。これにより、接着剤１６の流動性を低減させ、ウエハ１２のＡ面に接着剤１６の層を形成する。 As shown in FIG. 2A, the liquid of the adhesive 16 is applied to the circuit pattern forming surface (the A surface of the wafer) of the wafer 12 by a coating unit, and the applied liquid of the adhesive 16 is dried. Thereby, the fluidity of the adhesive 16 is reduced, and a layer of the adhesive 16 is formed on the A surface of the wafer 12.
なお、接着剤１６の層の厚みは、ウエハ１２のＡ面に形成した回路の凹凸に応じて決定する。また、一回の塗布で凹凸に応じた厚みを出せない場合には、接着剤１６の塗布と乾燥を複数回繰り返して行う。 The thickness of the adhesive 16 layer is determined according to the unevenness of the circuit formed on the A surface of the wafer 12. In addition, when the thickness corresponding to the unevenness cannot be obtained by one application, the application and drying of the adhesive 16 are repeated a plurality of times.
次いで、図２（ｂ）に示すように、接着剤１６の層が形成されたウエハ１２とサポートプレート１４とを重ねて貼り付け、一体化して貼り合わせ体１８を形成する。このように、薄くかつ欠けやすい性質を有するウエハ１２を、サポートプレート１４を貼り付けることによってバックアップ（補強）する。 Next, as shown in FIG. 2B, the wafer 12 on which the layer of the adhesive 16 is formed and the support plate 14 are laminated and pasted together to form a bonded body 18. As described above, the wafer 12 having the property of being thin and easily chipped is backed up (reinforced) by attaching the support plate 14.
ここで、サポートプレート１４は、図３及び図４に示すように、ウエハ１２よりも大径で、例えば厚み略０．５ｍｍのものが用いられる。このサポートプレート１４には、厚み方向に貫通する多数の貫通孔２４が形成されている（孔あきサポートプレート）。このサポートプレート１４の材料としては、例えばガラス、シリコン、セラミック、鉄―ニッケル合金等が用いられる。 Here, as shown in FIGS. 3 and 4, the support plate 14 has a larger diameter than the wafer 12 and has a thickness of about 0.5 mm, for example. The support plate 14 is formed with a large number of through holes 24 penetrating in the thickness direction (perforated support plate). As the material of the support plate 14, for example, glass, silicon, ceramic, iron-nickel alloy or the like is used.
この貫通孔２４は、サポートプレート１４とウエハ１２とを接着している接着剤１６を溶解して剥離するときに有効に機能する。すなわち、サポートプレート１４の上方から溶解液を注いだときに、この溶解液は貫通孔２４を通って接着剤１６に到達し、接着剤１６を溶解する。そうすると、サポートプレート１４とウエハ１２とを効率的に剥離することができる。但し、貫通孔２４のないサポートプレートの場合は、サポートプレートとウエハ１２との間の隙間から接着剤１６に溶解液が浸入する。 The through holes 24 function effectively when the adhesive 16 that bonds the support plate 14 and the wafer 12 is dissolved and peeled off. That is, when a solution is poured from above the support plate 14, the solution reaches the adhesive 16 through the through hole 24 and dissolves the adhesive 16. Then, the support plate 14 and the wafer 12 can be efficiently peeled off. However, in the case of a support plate without the through hole 24, the solution enters the adhesive 16 from the gap between the support plate and the wafer 12.
なお、貫通孔２４の直径としては、例えば０．２ｍｍ〜０．７ｍｍ、貫通孔２４のピッチとしては、例えば０．３ｍｍ〜１．０ｍｍが好ましい。 The diameter of the through holes 24 is preferably 0.2 mm to 0.7 mm, for example, and the pitch of the through holes 24 is preferably 0.3 mm to 1.0 mm, for example.
次に、図２（ｃ）に示すように、サポートプレート１４とウエハ１２とを一体化した後の、サポートプレート１４の貼り付け面とは反対の面（ウエハ１２のＢ面）をグラインダ２６で研削し、ウエハ１２を薄板化する。 Next, as shown in FIG. 2 (c), the surface opposite to the attachment surface of the support plate 14 (the B surface of the wafer 12) after the support plate 14 and the wafer 12 are integrated with a grinder 26. The wafer 12 is thinned by grinding.
次いで、図２（ｄ）に示すように、薄板化したウエハ１２の上記Ｂ面をダイシングテープ２８上に固定する。このダイシングテープ２８は、粘着性を有するとともに、フレーム３０に保持されている。 Next, as shown in FIG. 2D, the B surface of the thinned wafer 12 is fixed on the dicing tape 28. The dicing tape 28 has adhesiveness and is held by the frame 30.
この後、図２（ｅ）に示すように、サポートプレート１４の方から溶解液を供給すると、溶解液は、サポートプレート１４の貫通孔２４を経て接着剤１６に到達し、接着剤１６を溶解する。この溶解液としては、例えば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）を使用する。 Thereafter, as shown in FIG. 2 (e), when the solution is supplied from the support plate 14, the solution reaches the adhesive 16 through the through hole 24 of the support plate 14 and dissolves the adhesive 16. To do. As this solution, for example, PGMEA (propylene glycol monoethyl ether acetate) is used.
その後、図２（ｆ）に示すように、サポートプレート１４と薄型化されたウエハ１２とを剥離する。ここで、サポートプレート１４として、鉄―ニッケル合金等のような磁石を用いた場合は、サポートプレート１４を、剥がし部７０におけるアーム３２の先端に取り付けた磁石３４に付着させる。続いて、アーム３２を斜め上方に引くことにより、ウエハ１２から、サポートプレート１４を周辺部から徐々に剥離することができる。 Thereafter, as shown in FIG. 2F, the support plate 14 and the thinned wafer 12 are peeled off. Here, when a magnet such as an iron-nickel alloy is used as the support plate 14, the support plate 14 is attached to the magnet 34 attached to the tip of the arm 32 in the peeling portion 70. Subsequently, the support plate 14 can be gradually peeled from the peripheral portion from the wafer 12 by pulling the arm 32 obliquely upward.
なお、この剥離方法は特に限定されない。例えば、アーム３２の先端に取り付けた爪のような治具を、サポートプレート１４とウエハ１２との間に挿入し、サポートプレート１４の端面に引っ掛けて剥離することができる。その他、ダイシングテープ２８を貼り付けた面を真空吸着して剥離する方法等が考えられる。 In addition, this peeling method is not specifically limited. For example, a jig such as a claw attached to the tip of the arm 32 can be inserted between the support plate 14 and the wafer 12 and hooked on the end surface of the support plate 14 to be peeled off. In addition, the method of peeling off by vacuum-sucking the surface to which the dicing tape 28 is attached can be considered.
次に、図２（ｇ）に示すように、サポートプレート１４を剥離した後、ウエハ１２の接着面を洗浄し、ダイシング装置３６によってウエハ１２をチップサイズに切断する。切断後は、ダイシングテープ２８に紫外線を照射しその粘着力を低下させ、切断したチップを個々に取り出す。 Next, as shown in FIG. 2G, after the support plate 14 is peeled off, the bonding surface of the wafer 12 is washed, and the wafer 12 is cut into chips by the dicing device 36. After cutting, the dicing tape 28 is irradiated with ultraviolet rays to reduce its adhesive strength, and the cut chips are taken out individually.
上記プラズマ処理部６０は、プラズマ処理装置を有している。このプラズマ処理装置は、電極間に高周波電圧を印加し、エッチャントを用いてプラズマを発生させる装置である。このプラズマ処理部６０は、例えば図２（ｃ）の作業後の工程に用いられる。 The plasma processing unit 60 includes a plasma processing apparatus. This plasma processing apparatus is an apparatus that generates a plasma using an etchant by applying a high-frequency voltage between electrodes. The plasma processing unit 60 is used, for example, in the process after the operation shown in FIG.
このプラズマ処理部６０におけるプラズマ処理装置は、酸素ガス（Ｏ２ガス）をエッチャントとしてＯ２プラズマを発生させるようになっている。そして、発生したＯ２プラズマで貼り合わせ体１８における接着剤１６の露出部分を処理するようになっている。接着剤１６の露出部分としては、ウエハ１２とサポートプレート１４との間の露出部分の他、サポートプレート１４の貫通孔２４を介して接着剤１６が外気に露出する部分を含む。但し、貫通孔２４が形成されていないサポートプレートの場合は、ウエハ１２とサポートプレートとの間の接着剤１６の露出部分が該当する。 The plasma processing apparatus in the plasma processing unit 60 generates O 2 plasma using oxygen gas (O 2 gas) as an etchant. And the exposed part of the adhesive agent 16 in the bonding body 18 is processed with the generated O 2 plasma. The exposed portion of the adhesive 16 includes a portion where the adhesive 16 is exposed to the outside air through the through hole 24 of the support plate 14 in addition to the exposed portion between the wafer 12 and the support plate 14. However, in the case of a support plate in which the through hole 24 is not formed, the exposed portion of the adhesive 16 between the wafer 12 and the support plate corresponds.
上記のようにＯ２プラズマで処理することにより、接着剤の溶解性を向上させることができる。これは、おそらく、接着剤１６の露出部分が分解されることによる効果であると考えられる。 By treating with O 2 plasma as described above, the solubility of the adhesive can be improved. This is probably due to the fact that the exposed portion of the adhesive 16 is decomposed.
剥がし部７０は、貼り合わせ体において、ウエハからサポートプレートを剥がすものであり、例えば、貼り合わせ体に溶解液を供給する供給部と、前記貼り合わせ体においてウエハからサポートプレートを剥がすアーム３２と、を備えている。この剥がし部７０は、例えば図２（ｅ）（ｆ）の工程に用いられる。 The peeling unit 70 peels the support plate from the wafer in the bonded body. For example, the supply unit that supplies the solution to the bonded body, the arm 32 that peels the support plate from the wafer in the bonded body, It has. This peeling part 70 is used for the process of FIG.2 (e) (f), for example.
この剥がし部７０には、プラズマ処理部６０でＯ２プラズマ処理された貼り合わせ体１８が、サポートプレート１４を上にした状態で搬入される。この状態で、貼り合わせ体１８の上方からノズル７６により溶解液が噴射される。このときの、噴射される溶解液の種類や量は、接着剤１６の種類等によって適宜選択される。 The bonded body 18 that has been subjected to O 2 plasma treatment by the plasma processing section 60 is carried into the peeling section 70 with the support plate 14 facing upward. In this state, the solution is sprayed from above the bonded body 18 by the nozzle 76. At this time, the type and amount of the sprayed solution are appropriately selected depending on the type of the adhesive 16 and the like.
次いで、アーム３２によりウエハ１２とサポートプレート１４とが剥がされる。このアーム３２の先端には、前述したように、例えば磁石３４が取り付けられている。そして、サポートプレート１４が、鉄―ニッケル合金等のような材料である場合は、サポートプレート１４をアーム３２の先端に取り付けた磁石３４に付着させてウエハ１２から剥離する。 Next, the wafer 12 and the support plate 14 are peeled off by the arm 32. As described above, for example, the magnet 34 is attached to the tip of the arm 32. When the support plate 14 is made of a material such as an iron-nickel alloy, the support plate 14 is attached to the magnet 34 attached to the tip of the arm 32 and peeled off from the wafer 12.
この剥がし部７０においては、貼り合わせ体に溶解液を供給して剥がす前に、ウエハとサポートプレート間に介在する接着剤の露出部分にＯ２プラズマ処理を施し、溶解液は接着剤に浸透しやくなっているため、ウエハとサポートプレートとを剥がしやすくなっていると考えられる。 In this peeling part 70, before supplying the solution to the bonded body and peeling it, the exposed portion of the adhesive interposed between the wafer and the support plate is subjected to O 2 plasma treatment, and the solution penetrates into the adhesive. It is considered that the wafer and the support plate can be easily peeled off because of the short time.
洗浄部８０は、洗浄液を貼り合わせ体に供給するノズル等を備えている。この洗浄部８０は、例えば図２（ｆ）の作業後の工程に用いられる。 The cleaning unit 80 includes a nozzle that supplies the cleaning liquid to the bonded body. This cleaning unit 80 is used in, for example, the process after the operation shown in FIG.
この洗浄部８０では、剥がし部７０においてサポートプレートの剥離されたウエハが搬入され、ノズルより供給した洗浄液によりウエハに残存している接着剤を除去する。
（Ｏ２プラズマによる接着剤の溶解性の確認）
Ｏ２プラズマ処理によって接着剤の溶解性の確認は、サンプルをプラズマ処理し、その後溶解液に浸漬して行った。比較として、プラズマ処理していないものにおいても同様に溶解性を確認した。
In the cleaning unit 80, the wafer from which the support plate has been peeled off is carried in the peeling unit 70, and the adhesive remaining on the wafer is removed by the cleaning liquid supplied from the nozzle.
(Confirmation of solubility of adhesive by O 2 plasma)
Confirmation of the solubility of the adhesive by O 2 plasma treatment was performed by plasma-treating the sample and then immersing it in a solution. For comparison, the solubility was also confirmed in the case where the plasma treatment was not performed.
サンプルとして、シリコン（Ｓｉ）のウエハにアクリル系接着剤を塗布し、１１０℃、１５０℃、２００℃で各１８０秒ベークして接着剤層を形成した後に、約２０ｍｍの正方形に切断したものを用いた。 As a sample, an acrylic adhesive was applied to a silicon (Si) wafer, baked at 110 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. for 180 seconds each to form an adhesive layer, and then cut into a square of about 20 mm. Using.
そして、サンプルを、剥離評価の溶解液であるＰＧＭＥＡ（液温２２℃）に浸漬し、その膜厚の変化で評価した。膜厚は、面内１７点を測定し、その平均値で示す。 And the sample was immersed in PGMEA (liquid temperature 22 degreeC) which is the solution for peeling evaluation, and the change of the film thickness evaluated. The film thickness is indicated by an average value obtained by measuring 17 points in the plane.
プラズマ処理（Ｏ２処理）の装置として、ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）を用いた。ＴＣＡ−２４００の処理条件は、Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ，ＲＦ３００Ｗ，圧力３００（ｍＴｏｒｒ），Ｔｅｍｐ．６０℃ 処理時間６０ｓｅｃである。 As an apparatus for plasma treatment (O 2 treatment), TCA-2400 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used. The processing conditions of TCA-2400 are: O 2 = 100 sccm, RF 300 W, pressure 300 (mTorr), Temp. 60 ° C. The processing time is 60 sec.
その結果、Ｏ２プラズマ処理を行った場合、ＰＧＭＥＡに浸漬前の膜厚が１５．５μｍであったものが、ＰＧＭＥＡに浸漬後の膜厚が０．１４μｍとなった。これに対してＯ２プラズマ処理なしの場合、ＰＧＭＥＡに浸漬前１５．５μｍであったものが、０．２３μｍとなった。つまり、Ｏ２プラズマ処理を行うことにより、接着剤層の溶解性が向上することが判明した。 As a result, when the O 2 plasma treatment was performed, the film thickness before immersion in PGMEA was 15.5 μm, but the film thickness after immersion in PGMEA was 0.14 μm. On the other hand, in the case of no O 2 plasma treatment, what was 15.5 μm before immersion in PGMEA was 0.23 μm. That is, it has been found that the solubility of the adhesive layer is improved by performing the O 2 plasma treatment.
また、前記Ｏ２プラズマ処理において、ウエハ１２及びサポートプレート１４の貼り合わせ体１８は、Ｏ２プラズマにさらされても、いわゆるドライプロセスであるので濡れることはない。このため、乾燥工程等は不要となり、処理工程が迅速となって製造コストの低減を図ることができる。 Further, in the O 2 plasma treatment, the bonded body 18 of the wafer 12 and the support plate 14 is not wet because it is a so-called dry process even if it is exposed to O 2 plasma. For this reason, a drying process etc. become unnecessary and a process process becomes quick and can aim at reduction of manufacturing cost.
また、貼り合わせ体については、サポートプレートとウエハとに剥がされる前に、種々の工程を経る。そのため、貼り合わせ体における接着剤層の耐薬品性を向上させておくことが好ましい。この耐薬品性を向上させるためには、貼り合わせ体における接着剤の露出部分をフッ素系プラズマで処理することが好ましい。
（接着剤へのフッ素系プラズマ処理による耐薬品性の評価）
サンプルＡを作成し、このサンプルＡをフッ素系プラズマで処理を行った場合と、行わなかった場合とで、溶解液への耐性を比較することにより評価した。
Further, the bonded body is subjected to various processes before being peeled off from the support plate and the wafer. Therefore, it is preferable to improve the chemical resistance of the adhesive layer in the bonded body. In order to improve this chemical resistance, it is preferable to treat the exposed portion of the adhesive in the bonded body with fluorine-based plasma.
(Evaluation of chemical resistance by fluorine plasma treatment for adhesives)
Sample A was prepared, and the sample A was evaluated by comparing the resistance to the solution with and without the treatment with fluorine-based plasma.
サンプルＡとしては、６インチのシリコン（Ｓｉ）のウエハにアクリル系接着剤を塗布し、１１０℃、１５０℃、２００℃で各１８０秒ベークして接着剤層を形成した後に、約２０ｍｍの正方形に切断したものを用いた。 As sample A, an acrylic adhesive was applied to a 6-inch silicon (Si) wafer and baked at 110 ° C., 150 ° C., and 200 ° C. for 180 seconds each to form an adhesive layer, and then a square of about 20 mm. What was cut into pieces was used.
プラズマ処理装置として、ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）を用いた。処理条件は、ＣＦ４／Ｏ２＝１８０／２０ｓｃｃｍ，ＲＦ３００Ｗ，圧力３００（ｍＴｏｒｒ），温度６０℃とした。また、フッ素系プラズマ処理時間は、３０秒、６０秒、１８０秒とした。 As a plasma processing apparatus, TCA-2400 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used. The processing conditions were CF 4 / O 2 = 180/20 sccm, RF 300 W, pressure 300 (mTorr), and temperature 60 ° C. The fluorine plasma treatment time was 30 seconds, 60 seconds, and 180 seconds.
また、溶解液としては、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセタート）、アセトンの２種類を用いた。この溶解液は、液温２２℃で用いた。 Moreover, as a solution, two kinds of PGMEA (propylene glycol monoethyl ether acetate) and acetone were used. This solution was used at a liquid temperature of 22 ° C.
評価としては、上記溶解液に５分、１０分浸漬後、接着剤層の膜厚の変化で評価した。膜厚は、面内１７点を測定し、その平均値をとった。なお、サンプルＡにおける接着剤層は、１５．８μｍであった。 As evaluation, after immersing in the said solution for 5 minutes and 10 minutes, it evaluated by the change of the film thickness of an adhesive bond layer. The film thickness was measured at 17 points in the plane and the average value was taken. The adhesive layer in sample A was 15.8 μm.
まず、比較として、フッ素系プラズマ処理を行わなかった場合には、ＰＧＭＥＡ、アセトンとも５分間の浸漬で接着剤が溶解してしまい、膜厚は０μｍであった。 First, as a comparison, when fluorine plasma treatment was not performed, the adhesive was dissolved by immersion for 5 minutes for both PGMEA and acetone, and the film thickness was 0 μm.
これに対して、フッ素系プラズマ処理を行ったものについては、３０秒、６０秒、１８０秒の処理とも、０．１〜０．２μｍ程度の膜の膨潤が観察されたものの、膜厚の変化はほぼなく、耐薬品性が向上していた。
（フッ素系プラズマ処理後のＯ２プラズマ処理による接着剤の溶解性の評価）
上記フッ素系プラズマ処理では、接着剤層の耐薬品性が向上することが示された。しかしながら、貼り合わせ体においては、サポートプレートとウエハとを剥がすことが必須となる。しかしながら、上記のように耐薬品性が向上したままでは、サポートプレートとウエハとを剥がすことが困難となる。
On the other hand, about what performed the fluorine-type plasma processing, although the swelling of the film | membrane of about 0.1-0.2 micrometer was observed in the process for 30 seconds, 60 seconds, and 180 seconds, the change of film thickness There was almost no chemical resistance.
(Evaluation of adhesive solubility by O 2 plasma treatment after fluorine plasma treatment)
It was shown that the chemical resistance of the adhesive layer is improved by the fluorine plasma treatment. However, in the bonded body, it is essential to peel off the support plate and the wafer. However, if the chemical resistance is improved as described above, it is difficult to peel off the support plate and the wafer.
そこで、上記接着剤へのフッ素系プラズマ処理による耐薬品性の評価においてサンプルＡを３０秒間フッ素プラズマ処理したものをサンプルＢとして用い、Ｏ２プラズマ処理後の溶解液への溶解性を評価した。 Therefore, in the evaluation of chemical resistance of the adhesive by fluorine plasma treatment, sample B treated with fluorine plasma for 30 seconds was used as sample B, and the solubility in the solution after O 2 plasma treatment was evaluated.
サンプルＢを、プラズマ処理装置として（１）ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）および（２）ＯＰＭ−ＥＭ１０００（東京応化工業社製）で、６０秒行った。なお、それぞれの処理条件は以下の通りである。 Sample B was performed for 60 seconds using (1) TCA-2400 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and (2) OPM-EM1000 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) as a plasma processing apparatus. Each processing condition is as follows.
ＴＣＡ―２４００：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ，ＲＦ３００Ｗ，圧力０．３Ｔｏｒｒ，温度６０℃
ＯＰＭ−ＥＭ１０００：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ，ＲＦ６００Ｗ，圧力１Ｔｏｒｒ，温度３５℃
溶解液として、ＰＧＭＥＡ（液温：２２℃）を用いた。
TCA-2400: O 2 = 100 sccm, RF 300 W, pressure 0.3 Torr, temperature 60 ° C.
OPM-EM1000: O 2 = 100 sccm, RF 600 W, pressure 1 Torr, temperature 35 ° C.
PGMEA (liquid temperature: 22 ° C.) was used as the solution.
評価として、Ｏ２プラズマ処理後のサンプルＢを６０秒浸漬し、接着剤層の膜厚の変化で評価した。 As an evaluation, the sample B after the O 2 plasma treatment was immersed for 60 seconds and evaluated by a change in the film thickness of the adhesive layer.
まず、上記接着剤へのフッ素系プラズマ処理による耐薬品性の評価で評価したように、フッ素系プラズマで処理した場合には、膜厚の変化がほぼなく耐薬品性が向上し、溶解性が低下していた。 First, as evaluated in the evaluation of chemical resistance by fluorine-based plasma treatment for the above-mentioned adhesive, when treated with fluorine-based plasma, there is almost no change in film thickness, chemical resistance is improved, and solubility is improved. It was falling.
これに対して、ＴＣＡ−２４００を用いたＯ２プラズマ処理後の接着剤層の膜厚は０．１７μｍ、ＯＰＭ−ＥＭ１０００を用いたＯ２プラズマ処理後の接着剤層の膜厚は０．２５μｍであり、フッ素系プラズマ処理で溶解しにくくなった接着剤層は、Ｏ２プラズマ処理で再度溶解可能となることがわかった。 In contrast, the film thickness of the adhesive layer after the O 2 plasma treatment using TCA-2400 is 0.17 μm, and the film thickness of the adhesive layer after the O 2 plasma treatment using OPM-EM1000 is 0.25 μm. Thus, it was found that the adhesive layer that became difficult to dissolve by the fluorine-based plasma treatment could be dissolved again by the O 2 plasma treatment.
以上説明したように、本実施形態によれば、貼り合わせ工程において、フッ素プラズマ処理により溶解し難くなって接着力が保持された貼り合わせ体１８の接着剤１６に対し、剥がし工程において、Ｏ２プラズマ処理を施すことにより、接着剤１６を溶解液に溶けやすくすることができる。従って、ウエハ１２からサポートプレート１４を剥離し易くすることができる。 As described above, according to the present embodiment, in the bonding step, the adhesive 16 of the bonded body 18 that is difficult to be dissolved by the fluorine plasma treatment and maintains the adhesive force is removed in the peeling step by O 2. By performing the plasma treatment, the adhesive 16 can be easily dissolved in the solution. Therefore, the support plate 14 can be easily peeled from the wafer 12.
また、貼り合わせ工程では、貼り合わせ体１８に対しフッ素プラズマ処理を施すことにより、レジスト除去用のエッジリンスに対し接着剤を溶解し難くするので、ウエハ１２を薄型化することができる。 Further, in the bonding process, the fluorine plasma treatment is performed on the bonded body 18 to make it difficult to dissolve the adhesive in the edge rinse for removing the resist, so that the wafer 12 can be thinned.
１０ 剥がし装置
１２ ウエハ
１４ サポートプレート
１６ 接着剤
１８ 貼り合わせ体
２０ 貼り合わせ部
２４ 貫通孔
２６ グラインダ
２８ ダイシングテープ
３０ フレーム
３２ アーム
３４ 磁石
３６ ダイシング装置
６０ プラズマ処理部
７０ 剥がし部
８０ 洗浄部
９０ カセット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Stripping apparatus 12 Wafer 14 Support plate 16 Adhesive 18 Bonding body 20 Bonding part 24 Bonding part 24 Through hole 26 Grinder 28 Dicing tape 30 Frame 32 Arm 34 Magnet 36 Dicing apparatus 60 Plasma processing part 70 Stripping part 80 Cleaning part 90 Cassette
Claims (12)
前記接着剤を介して貼り合わされている前記ウエハ及び前記サポートプレートに対してＯ２プラズマ処理を施すＯ２プラズマ処理ユニット、
を有することを特徴とする剥がし装置。 A peeling device for peeling a support plate from a wafer attached with an adhesive,
An O 2 plasma processing unit for performing O 2 plasma processing on the wafer and the support plate bonded together via the adhesive;
A peeling apparatus characterized by comprising:
前記Ｏ２プラズマ処理ユニットは、
前記接着剤に前記溶解液を供給する前に前記接着剤の露出部分に前記Ｏ２プラズマ処理を施す、
ことを特徴とする請求項１に記載の剥がし装置。 A solution supply unit that supplies a solution to the adhesive that is interposed between the wafer and the support plate and bonds the wafer and the support plate;
The O 2 plasma processing unit is
Performing the O 2 plasma treatment on the exposed portion of the adhesive before supplying the solution to the adhesive;
The peeling apparatus according to claim 1.
ことを特徴とする請求項２に記載の剥がし装置。 When the support plate has a through hole, the O 2 plasma treatment is further performed on the exposed portion of the adhesive in the through hole.
The peeling apparatus according to claim 2.
前記接着剤に溶解液を供給する前に前記接着剤の露出部分にＯ２プラズマ処理を施す、
ことを特徴とするウエハとサポートプレートとの間に介在させた接着剤の溶解方法。 A method of dissolving an adhesive interposed between a wafer and a support plate,
Performing an O 2 plasma treatment on the exposed portion of the adhesive before supplying a solution to the adhesive;
A method for dissolving an adhesive interposed between a wafer and a support plate.
前記貼り合わせ体をプラズマ処理するプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部にて処理された貼り合わせ体を、サポートプレートとウエハとに剥離する剥がし部と、
を備えることを特徴とする剥がし装置。 In the peeling device that peels the support plate and the wafer in a bonded body in which the support plate and the wafer are bonded together with an adhesive,
A plasma processing unit for plasma processing the bonded body;
A peeling part for peeling the bonded body processed in the plasma processing part into a support plate and a wafer;
A peeling apparatus comprising:
前記貼り合わせ体を、酸素ガスをエッチャントとするプラズマで処理するプラズマ処理工程と、
サポートプレートとウエハとを剥離する剥離工程と、
を含むことを特徴とする剥離方法。 In the peeling method in which the support plate and the wafer are peeled off with the bonded body in which the support plate and the wafer are bonded together with an adhesive,
A plasma processing step of processing the bonded body with plasma using oxygen gas as an etchant;
A peeling process for peeling the support plate and the wafer;
The peeling method characterized by including.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101282104B1 (en) | 2011-03-24 | 2013-07-04 | 주식회사 엔티에스 | Automatic demounting apparatus and method thereof |
| JP2014222770A (en) * | 2010-04-23 | 2014-11-27 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | Method of separating product substrate from carrier substrate |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208842A (en) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor wafer supporting substrate |
| JPH1090094A (en) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nippon Seiki Co Ltd | Pressure detector |
| JP2002544669A (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-24 | ギーゼッケ ウント デフリエント ゲーエムベーハー | How to handle thin chips for incorporation into smart cards |
| JP2005191535A (en) * | 2003-12-01 | 2005-07-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Sticking device and sticking method |
| JP2005532674A (en) * | 2002-03-25 | 2005-10-27 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Method for transferring elements from substrate to substrate |
| JP2007158231A (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | Substrate processing method, protection substrate, and electronic apparatus |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143149A patent/JP4958287B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208842A (en) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor wafer supporting substrate |
| JPH1090094A (en) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nippon Seiki Co Ltd | Pressure detector |
| JP2002544669A (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-24 | ギーゼッケ ウント デフリエント ゲーエムベーハー | How to handle thin chips for incorporation into smart cards |
| JP2005532674A (en) * | 2002-03-25 | 2005-10-27 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Method for transferring elements from substrate to substrate |
| JP2005191535A (en) * | 2003-12-01 | 2005-07-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Sticking device and sticking method |
| JP2007158231A (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | Substrate processing method, protection substrate, and electronic apparatus |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014222770A (en) * | 2010-04-23 | 2014-11-27 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | Method of separating product substrate from carrier substrate |
| US9272501B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-03-01 | Ev Group Gmbh | Device for detaching a product substrate off a carrier substrate |
| US9381729B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-07-05 | Ev Group Gmbh | Device for detaching a product substrate off a carrier substrate |
| US9457552B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-10-04 | Ev Group Gmbh | Method for detaching a product substrate off a carrier substrate |
| KR101282104B1 (en) | 2011-03-24 | 2013-07-04 | 주식회사 엔티에스 | Automatic demounting apparatus and method thereof |
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